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FET，MOSFET（6056）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet
NDS9948	0.6900	RFQ	3076	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	NDS994	MOSFET （金属 o化物）	900MW	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,500	2（p 通道（双）	60V	2.3a	250mohm @ 2.3a，10v	3V @ 250µA	13nc @ 10V	394pf @ 30V	逻辑级别门
APTM20DHM20TG	-	RFQ	6493	Microsemi Corporation	-	大部分	在sic中停产	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP4	APTM20	MOSFET （金属 o化物）	357W	SP4	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（双）	200V	89a	24mohm @ 44.5a，10v	5V @ 2.5mA	112nc @ 10V	6850pf @ 25V	-
FDMD8540L	-	RFQ	2589	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	FDMD8540	MOSFET （金属 o化物）	2.3W	8-Power 5x6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（半桥）	40V	33a，156a	1.5MOHM @ 33A，10V	3V @ 250µA	113nc @ 10V	7940pf @ 20V	-
AON7934_102	-	RFQ	3850	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-WDFN暴露垫	AON793	MOSFET （金属 o化物）	2.5W（23W）（23W tc），2.5W（ta（25W），25W tc）（TC）	8-DFN-EP（3x3）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	785-AON7934_102	Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（双）	30V	（13A）（16a （tc）（15a），15a ta），18a tc（18a tc）	10.2MOHM @ 13A，10V，7.7MOHM @ 15A，10V	2.2V @ 250µA	11NC @ 10V，17.5nc @ 10V	485pf @ 15V，807pf @ 15V	-
AON2803	0.2376	RFQ	7954	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫	AON280	MOSFET （金属 o化物）	1.5W	6-DFN（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2（p 通道（双）	20V	3.8a	70MOHM @ 3.8A，4.5V	1V @ 250µA	12nc @ 4.5V	560pf @ 10V	逻辑级别门
SMMA511DJ-T1-GE3	-	RFQ	6946	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SC-70-6双重	SMMA511	MOSFET （金属 o化物）	6.5W	POWERPAK®SC-70-6双重	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n和p通道	12V	4.5a	40mohm @ 4.2A，4.5V	1V @ 250µA	12nc @ 8v	400pf @ 6V	逻辑级别门
DMN10H6D2LFDB-13	0.0749	RFQ	1201	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-udfn暴露垫	DMN10	MOSFET （金属 o化物）	700MW（TA）	U-DFN2020-6（B型）	下载			到达不受影响	31-DMN10H6D2LFDB-13TR	Ear99	8541.29.0095	10,000	2 n 通道（双）	100V	270mA（ta）	6ohm @ 190mA，10v	2V @ 1mA	1.2NC @ 10V	41pf @ 50V	-
APTM10TAM19FPG	178.9900	RFQ	9523	微芯片技术	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP6	APTM10	MOSFET （金属 o化物）	208W	sp6-p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	6 n通道（3相桥）	100V	70a	21mohm @ 35a，10v	4V @ 1mA	200NC @ 10V	5100pf @ 25V	-
2N7002DW-7-G	-	RFQ	1101	二极管合并	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的				2N7002	-			-		（1 （无限）	到达不受影响	2N7002DW-7-GDI	Ear99	8541.21.0095	3,000								-
AON6810	-	RFQ	4368	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅裸垫	AON681	MOSFET （金属 o化物）	4.1W	8-DFN-EP（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）公共排水	30V	25a	4.4mohm @ 20a，10v	2.2V @ 250µA	34NC @ 10V	1720pf @ 15V	逻辑级别门
CSD85301Q2T	1.1300	RFQ	6130	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫	CSD85301	MOSFET （金属 o化物）	2.3W	6-wson（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	250	2 n 通道（双）	20V	5a	27mohm @ 5A，4.5V	1.2V @ 250µA	5.4NC @ 4.5V	469pf @ 10V	逻辑水平门，5v驱动器
SI1029X-T1-GE3	0.5100	RFQ	3281	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	SI1029	MOSFET （金属 o化物）	250MW	SC-89（SOT-563F）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n和p通道	60V	305mA，190mA	1.4OHM @ 500mA，10V	2.5V @ 250µA	0.75nc @ 4.5V	30pf @ 25V	逻辑级别门
SSM6L36FE，LM	0.4500	RFQ	108	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	SSM6L36	MOSFET （金属 o化物）	150MW	ES6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	4,000	n和p通道	20V	500mA，330mA	630mohm @ 200ma，5v	1V @ 1mA	1.23nc @ 4V	46pf @ 10V	逻辑级别门
TPC8405（TE12L，Q，m）	-	RFQ	3778	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-SOIC （0.173“，4.40mm宽度）	TPC8405	MOSFET （金属 o化物）	450MW	8-SOP（5.5x6.0）	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	3,000	n和p通道	30V	6a，4.5a	26mohm @ 3a，10v	2V @ 1mA	27nc @ 10V	1240pf @ 10V	逻辑级别门
UPA2672T1R-E2-AX	-	RFQ	5597	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	6-WFDFN暴露垫	UPA2672	MOSFET （金属 o化物）	2.3W	6-Huson（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2（p 通道（双）	12V	4a	67MOHM @ 2A，4.5V	-	5NC @ 4.5V	486pf @ 10V	逻辑水平门，1.8V
SI4228DY-T1-E3	-	RFQ	3738	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4228	MOSFET （金属 o化物）	3.1W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）	25V	8a	18mohm @ 7a，10v	1.4V @ 250µA	25nc @ 10V	790pf @ 12.5V	逻辑级别门
CMLDM7003G TR	0.7500	RFQ	4	中央半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	CMLDM7003	MOSFET （金属 o化物）	350MW	SOT-563	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）	50V	280mA	2ohm @ 50mA，5v	1V @ 250µA	0.76NC @ 4.5V	50pf @ 25V	-
IRF7756Tr	-	RFQ	4589	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	IRF775	MOSFET （金属 o化物）	1W	8-tssop	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	2（p 通道（双）	12V	4.3a	40mohm @ 4.3a，4.5V	900mv @ 250µA	18NC @ 4.5V	1400pf @ 10V	逻辑级别门
PMWD16UN，518	-	RFQ	6159	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	PMWD16	MOSFET （金属 o化物）	3.1W	8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）	20V	9.9a	19mohm @ 3.5a，4.5V	700mv @ 1mA	23.6nc @ 4.5V	1366pf @ 16V	逻辑级别门
SIZ254DT-T1-GE3	1.2100	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	SIZ254	MOSFET （金属 o化物）	4.3W（TA），33W（tc）	8-Powerpair®（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）	70V	11.7a（ta），32.5a tc）	16.1MOHM @ 10A，10V	2.4V @ 250µA	20NC @ 10V	795pf @ 35V，765pf @ 35V	-
STS9D8NH3LL	-	RFQ	2808	Stmicroelectronics	StripFet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	STS9D8	MOSFET （金属 o化物）	2W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）	30V	8a，9a	22mohm @ 4a，10v	1V @ 250µA	10NC @ 4.5V	857pf @ 25V	逻辑级别门
STZD3155CT1G	0.4800	RFQ	2812	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	表面安装	SOT-563，SOT-666	STZD3155	MOSFET （金属 o化物）	-	SOT-563	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	-	20V	-	-	-	-	-	标准
MMBT7002KDW	-	RFQ	4230	diotec半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363		MOSFET （金属 o化物）	295MW	SOT-363	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	2796-MMBT7002KDWTR		8541.21.0000	1	2 n通道	60V	300mA	3ohm @ 500mA，10v	1.75V @ 250µA	440pc @ 4.5V	21pf @ 25V	逻辑级别门
SSM6L35FE，LM	0.4100	RFQ	31	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	SSM6L35	MOSFET （金属 o化物）	150MW	ES6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	4,000	n和p通道	20V	180mA，100mA	3ohm @ 50mA，4V	1V @ 1mA	-	9.5pf @ 3V	逻辑级别门
SI9934DY	0.2400	RFQ	22	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI9934	MOSFET （金属 o化物）	900MW（TA）	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	5,000	2（p 通道（双）	20V	5A（5A）	50mohm @ 5A，4.5V	1.5V @ 250µA	16nc @ 4.5V	1015pf @ 10V	-
PJS6812_S1_00001	0.4700	RFQ	11	Panjit International Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6	PJS6812	MOSFET （金属 o化物）	1.25W（TA）	SOT-23-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）	20V	3.7a（ta）	56mohm @ 3.7A，4.5V	1.2V @ 250µA	4.57NC @ 4.5V	350pf @ 10V	-
AON6922	-	RFQ	6368	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-WDFN暴露垫	AON692	MOSFET （金属 o化物）	2W，2.2W	8-DFN-EP（5x6）	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Q6968572	Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（半桥）	25V	18a，31a	3.8mohm @ 20a，10v	1.7V @ 250µA	32NC @ 10V	2340pf @ 12.5V	逻辑级别门
LN60A01ES-C313-LF-Z	-	RFQ	5782	Monolithic Power Systems Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	LN60A	-		8-SOIC	-	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响	1589-LN60A01ES-C313-LF-ZTR	过时的		2,500								-
2SJ550STL-E	-	RFQ	2706	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的				2SJ550	-			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1,000								-
ADP360120W3	3.0000	RFQ	6022	Stmicroelectronics	-	托盘	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块	ADP360120	（SIC）	704W（TJ）	acepack	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-ADP360120W3	Ear99	8541.29.0095	6	6 n通道	1200V（1.2kV）	379a（TJ）	3.45MOHM @ 360A，18V	4.4V @ 40mA	944NC @ 18V	28070pf @ 800V	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

FET，MOSFET（6056）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²