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FET，MOSFET（6056）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs （ciss）（最大（ciss） @ vds fet
DMC3071LVT-7 Diodes Incorporated DMC3071LVT-7 0.1079
RFQ
 ECAD 6184 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 DMC3071 MOSFET （金属 o化物） 700MW（TA） TSOT-26 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n和p通道互补 30V 4.6a（ta），3.3a（ta） 50mohm @ 3.5a，10v，95mohm @ 3.8a，10v 2.5V @ 250µA 4.5nc @ 10V，6.5NC @ 10V 190pf @ 15V，254pf @ 15V -
IPG20N06S2L65AAUMA1 Infineon Technologies IPG20N06S2L65AAUMA1 -
RFQ
 ECAD 6223 0.00000000 Infineon技术 Optimos® 大部分 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装，可润湿的侧面 8-Powervdfn IPG20N MOSFET （金属 o化物） 43W（TC） PG-TDSON-8-10 - 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（双） 55V 20A（TC） 65mohm @ 15a，10v 2V @ 14µA 12nc @ 10V 410pf @ 25V 逻辑级别门
DF11MR12W1M1B11BOMA1 Infineon Technologies DF11MR12W1M1B11BOMA1 -
RFQ
 ECAD 3861 0.00000000 Infineon技术 - 托盘 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 模块 DF11MR12 （SIC） 20mw Ag-Easy1bm-2 下载 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 24 2 n 通道（双） 1200V（1.2kV） 50a 23mohm @ 50a，15v 5.5V @ 20mA 125nc @ 5V 3950pf @ 800V -
AON6932A Alpha & Omega Semiconductor Inc. aon6932a 0.5439
RFQ
 ECAD 7661 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn AON693 MOSFET （金属 o化物） 3.6W，4.3W 8-DFN（5x6） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（半桥） 30V 22a，36a 5mohm @ 20a，10v 2.2V @ 250µA 22nc @ 10V 1037pf @ 15V 逻辑级别门
TSM250N02DCQ RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSM250N02DCQ RFG 1.0100
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 台湾半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-vdfn裸露的垫子 TSM250 MOSFET （金属 o化物） 620MW（TC） 6-TDFN （2x2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 20V 5.8A（TC） 25mohm @ 4A，4.5V 800MV @ 250µA 11NC @ 4.5V 775pf @ 10V 标准
UPA672CT-T1-AT Renesas Electronics America Inc UPA672CT-T1-AT -
RFQ
 ECAD 6660 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 UPA672 MOSFET （金属 o化物） 200mw（ta） SC-88 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双），肖特基 60V （100mA）（TA） 2.7OHM @ 100mA，10v 2.5V @ 250µA 2NC @ 10V 20pf @ 10V 逻辑级别门，4.5V驱动器
AUIRF7303QTR Infineon Technologies AUIRF7303QTR -
RFQ
 ECAD 4734 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） AUIRF7103 MOSFET （金属 o化物） 2.4W 8-SOIC 下载 （1 （无限） 到达不受影响 SP001521078 Ear99 8541.29.0095 4,000 2 n 通道（双） 30V 5.3a 50mohm @ 2.7a，10v 3V @ 100µA 21NC @ 10V 515pf @ 25V 逻辑级别门
DMC1229UFDB-13 Diodes Incorporated DMC1229UFDB-13 0.1472
RFQ
 ECAD 6244 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-udfn暴露垫 DMC1229 MOSFET （金属 o化物） 1.4W U-DFN2020-6（B型） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10,000 n和p通道 12V 5.6a，3.8a 29mohm @ 5A，4.5V 1V @ 250µA 19.6nc @ 8v 914pf @ 6V 逻辑级别门
QJD1210011 Powerex Inc. QJD1210011 -
RFQ
 ECAD 6794 0.00000000 Powerex Inc. - 大部分 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 底盘安装 模块 QJD1210 （SIC） 900W 模块 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（双） 1200V（1.2kV） 100A（TC） 25mohm @ 100a，20v 5V @ 10mA 500NC @ 20V 10200pf @ 800V -
IRFHM8363TR2PBF Infineon Technologies IRFHM8363TR2PBF -
RFQ
 ECAD 2333 0.00000000 Infineon技术 - （CT） 过时的 表面安装 8-Powervdfn IRFHM8363 MOSFET （金属 o化物） 2.7W 8-pqfn二（3.3x3.3） 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 400 2 n 通道（双） 30V 11a 14.9mohm @ 10a，10v 2.35V @ 25µA 15nc @ 10V 1165pf @ 10V 逻辑级别门
MSCMC90AM12C3AG Microchip Technology MSCMC90AM12C3AG -
RFQ
 ECAD 4091 0.00000000 微芯片技术 - 管子 积极的 - 底盘安装 模块 MSCMC90 （SIC） - SP3F 下载 到达不受影响 150-MSCMC90AM12C3AG Ear99 8541.29.0095 1 - 900V 110A（TC） - - - - -
MCH6601-TL-E onsemi MCH6601-TL-E -
RFQ
 ECAD 6067 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 6-SMD，平坦的铅 MCH6601 MOSFET （金属 o化物） 800MW 6-MCPH 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2（p 通道（双） 30V 200mA 10.4ohm @ 50mA，4V - 1.43nc @ 10V 7.5pf @ 10V 逻辑级别门
2SK3704-1EX onsemi 2SK3704-1EX 0.8400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Onmi * 大部分 积极的 2SK3704 - 下载 Ear99 8541.29.0095 1 -
BSS138DWK-13 Diodes Incorporated BSS138DWK-13 0.0379
RFQ
 ECAD 7859 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 BSS138 MOSFET （金属 o化物） 330MW SOT-363 下载 到达不受影响 31-BSS138DWK-13TR Ear99 8541.21.0095 10,000 2 n 通道（双） 50V 310mA ta） 2.6ohm @ 200mA，10v 1.5V @ 250µA 0.8NC @ 10V 22pf @ 25V -
NTUD3171PZT5G onsemi NTUD3171PZT5G -
RFQ
 ECAD 4196 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-963 NTUD31 MOSFET （金属 o化物） 125MW SOT-963 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 8,000 2（p 通道（双） 20V 200mA 5ohm @ 100mA，4.5V 1V @ 250µA - 13.5pf @ 15V 逻辑级别门
RM6A5P30S8 Rectron USA RM6A5P30S8 0.1900
RFQ
 ECAD 7721 0.00000000 美国直发 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） RM6A5 MOSFET （金属 o化物） 1.5W（TA） 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM6A5P30S8TR 8541.10.0080 40,000 2（p 通道（双） 30V 6.5A（TA） 25mohm @ 6a，10v 2.5V @ 250µA 12.6nc @ 4.5V 1345pf @ 15V -
TPC8408,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage tpc8408，lq（s 0.4700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） TPC8408 MOSFET （金属 o化物） 450MW 8-sop 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 2,500 n和p通道 40V 6.1a，5.3a 32MOHM @ 3.1A，10V 2.3V @ 100µA 24NC @ 10V 850pf @ 10V 逻辑级别门
DMC1018UPD-13 Diodes Incorporated DMC1018UPD-13 -
RFQ
 ECAD 8536 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN DMC1018 MOSFET （金属 o化物） 2.3W PowerDI5060-8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道 12V，20V 9.5a，6.9a 17mohm @ 11.8a，4.5V 1.5V @ 250µA 30.4NC @ 8V 1525pf @ 6V -
FW340-M-TL-E onsemi FW340-m-TL-E 0.5900
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 Onmi * 大部分 积极的 FW340 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8542.39.0001 1,000 -
MCH3307-TL-E-SY Sanyo MCH3307-TL-E-SY 0.1000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Sanyo * 大部分 积极的 MCH3307 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8542.39.0001 3,000 -
SD5400CY SOIC 14L ROHS Linear Integrated Systems, Inc. SD5400CY SOIC 14L ROHS 6.6300
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 线性集成系统公司 SD5400 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm） SD5400 MOSFET （金属 o化物） 500MW（TA） 14-Soic 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,500 4 n通道 20V 50mA（TA） 75ohm @ 1mA，5v 1.5V @ 1µA - - -
CSD85302LT Texas Instruments CSD85302LT 1.1500
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Texas Instruments NexFet™ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 4-xflga CSD85302 MOSFET （金属 o化物） 1.7W 4-picostar（1.31x1.31） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 250 2 n 通道（双）公共排水 - - - - 7.8NC @ 4.5V - -
APTM120DU29TG Microsemi Corporation APTM120DU29TG -
RFQ
 ECAD 6384 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SP4 APTM120 MOSFET （金属 o化物） 780W SP4 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（双） 1200V（1.2kV） 34a 348mohm @ 17a，10v 5V @ 5mA 374NC @ 10V 10300pf @ 25V -
SI5933DC-T1-GE3 Vishay Siliconix SI5933DC-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 3407 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 SI5933 MOSFET （金属 o化物） 1.1W 1206-8 chipfet™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2（p 通道（双） 20V 2.7a 110MOHM @ 2.7a，4.5V 1V @ 250µA 7.7nc @ 4.5V - 逻辑级别门
DMTH45M5SPDW-13 Diodes Incorporated DMTH45M5SPDW-13 1.2200
RFQ
 ECAD 5621 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN DMTH45M MOSFET （金属 o化物） 3.3W（TA），60W（TC） PowerDI5060-8（type UXD） - rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 40V 79A（TC） 5.5MOHM @ 25A，10V 3.5V @ 250µA 13.2nc @ 10V 1083pf @ 20V 标准
DMN3032LFDBWQ-13 Diodes Incorporated DMN3032LFDBWQ-13 0.2608
RFQ
 ECAD 8661 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-udfn暴露垫 DMN3032 MOSFET （金属 o化物） 820MW U-DFN2020-6（SWP）B型 下载 到达不受影响 31-DMN3032LFDBWQ-13TR Ear99 8541.29.0095 10,000 2 n 通道（双） 30V 5.5A（ta） 30mohm @ 5.8A，10V 2V @ 250µA 10.6nc @ 10V 500pf @ 15V -
SSM6N44FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N44FU，LF 0.3600
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 SSM6N44 MOSFET （金属 o化物） 200mw（ta） US6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V （100mA）（TA） 4ohm @ 10mA，4V 1.5V @ 100µA - 8.5pf @ 3V -
FDS8936A Fairchild Semiconductor FDS8936A 1.3500
RFQ
 ECAD 75 0.00000000 Fairchild半导体 PowerTrench® 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） FDS89 MOSFET （金属 o化物） 900MW（TA） 8-SOIC 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8541.21.0095 1 2 n 通道（双） 30V 6a（6a） 28mohm @ 6a，10v 3V @ 250µA 27nc @ 10V 650pf @ 15V -
FX205-TL-E-ON onsemi FX205-TL-E-ON 0.5200
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 Onmi * 大部分 积极的 FX205 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8542.39.0001 1,000 -
IRFR2209AS2463 Harris Corporation IRFR2209AS2463 0.5100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 哈里斯公司 * 大部分 积极的 IRFR2209 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8542.39.0001 1 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

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    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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