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FET，MOSFET（6056）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | （VDSS） | 电流 -id（ID） @ 25°C | RDS（最大值） @ ID，VGS | VGS（TH）（最大） @ ID | （QG））（最大） @ vgs | （ciss）（最大（ciss） @ vds | fet |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | PJQ5866A-AU_R2_000A1 | 0.9600 |  | 1 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 表面安装 | 8-POWERTDFN | PJQ5866 | MOSFET （金属 o化物） | 2W（TA），68.2W（TC） | DFN5060B-8 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 60V | （7a ta），40a（tc） | 17mohm @ 20a，10v | 2.5V @ 250µA | 13.5nc @ 4.5V | 1574pf @ 25V | - | ||
 | CAB450M12XM3 | 857.1600 | | 474 | 0.00000000 | Wolfspeed，Inc。 | - | 盒子 | 积极的 | -40°C〜175°C（TJ） | 底盘安装 | 模块 | CAB450 | （SIC） | 850W | 模块 | 下载 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n 通道（半桥） | 1200V（1.2kV） | 450a | 3.7MOHM @ 450a，15v | 3.6V @ 132mA | 1330nc @ 15V | 38000pf @ 800V | - | ||||
 | DMG1029SV-7-52 | 0.0622 | | 1454 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | SOT-563，SOT-666 | DMG1029 | MOSFET （金属 o化物） | 450MW（TA） | SOT-563 | 下载 | 31-DMG1029SV-7-52 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n和p通道互补 | 60V | 500mA（ta），360mA（ta） | 1.7ohm @ 500mA，10v，4ohm @ 500mA，10v | 2.5V @ 250µA，3V @ 250µA | 0.3NC @ 4.5V，0.28NC @ 4.5V | 30pf @ 25V，25pf @ 25V | 标准 | ||||
 | IRF7902PBF | - | | 4986 | 0.00000000 | Infineon技术 | Hexfet® | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | IRF7902 | MOSFET （金属 o化物） | 1.4W，2W | 8-so | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | SP001566344 | Ear99 | 8541.29.0095 | 95 | 2 n 通道（双） | 30V | 6.4a，9.7a | 22.6mohm @ 6.4a，10v | 2.25V @ 25µA | 6.9nc @ 4.5V | 580pf @ 15V | 逻辑级别门 | ||
 | AON7804_101 | - | | 2405 | 0.00000000 | Alpha＆欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-powersmd，平面线 | AON780 | MOSFET （金属 o化物） | 3.1W（TA），17W（tc） | 8-DFN （3x3） | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n 通道（双） | 30V | （9a）（22A）（22A）（TC） | 21mohm @ 8a，10v | 2.4V @ 250µA | 18NC @ 10V | 888pf @ 15V | - | |||
 | DMNH6042SSDQ-13 | 0.9600 | | 7 | 0.00000000 | 二极管合并 | 汽车，AEC-Q101 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | DMNH6042 | MOSFET （金属 o化物） | 2.1W | 8-so | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 通道（双） | 60V | 16.7A（TC） | 50MOHM @ 5.1A，10V | 3V @ 250µA | 4.2nc @ 4.5V | 584pf @ 25V | - | ||
 | AON7902 | - | | 2400 | 0.00000000 | Alpha＆欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Powerwdfn | AON790 | MOSFET （金属 o化物） | 1.8W | 8-DFN-EP（3.3x3.3） | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | 2 n 通道（半桥） | 30V | 8a，13a | 21mohm @ 8a，10v | 2.3V @ 250µA | 11NC @ 10V | 710pf @ 15V | 逻辑级别门 | |||
 | FDMS3610S | - | | 3566 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | PowerTrench® | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-POWERTDFN | FDMS3610 | MOSFET （金属 o化物） | 1W | Power56 | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 2 n 通道（双） | 25V | 17.5a，30a | 5mohm @ 17.5A，10V | 2V @ 250µA | 26NC @ 10V | 1570pf @ 13V | 逻辑级别门 | |||||
 | 2SJ664-E | 0.7200 | | 4 | 0.00000000 | Onmi | * | 大部分 | 积极的 | 2SJ664 | - | - | 不适用 | （1 （无限） | 供应商不确定 | 0000.00.0000 | 417 | - | |||||||||||||||
 | RF1K49092 | 0.5200 | | 9021 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | LittleFet™ | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | RF1K4 | MOSFET （金属 o化物） | 2W（TA） | 8-SOIC | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3 | n和p通道 | 12V | 3.5a（ta），2.5a（ta） | 50mohm @ 3.5a，5v，130mohm @ 2.5a，5v | 2V @ 250µA | 25nc @ 10v，24nc @ 10v | 750pf @ 10V，775pf @ 10V | - | ||
| DMNH6035SPDWQ-13 | 0.6174 | | 7825 | 0.00000000 | 二极管合并 | 汽车，AEC-Q101 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 表面安装，可润湿的侧面 | 8-POWERTDFN | DMNH6035 | MOSFET （金属 o化物） | 2.4W（TA），68W（tc） | PowerDi5060-8（R r r r r） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达受影响 | DMNH6035SPDWQ-13DI | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 通道（双） | 60V | 33A（TC） | 35mohm @ 15a，10v | 3V @ 250µA | 16NC @ 10V | 879pf @ 25V | - | |
| RJK4034DJE-00 Z0 | - | | 9660 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | RJK4034 | - | - | rohs3符合条件 | 3（168）） | 过时的 | 0000.00.0000 | 2,500 | - | |||||||||||||||
 | IRF7904TRPBF-1 | - | | 3098 | 0.00000000 | Infineon技术 | Hexfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | IRF7904 | MOSFET （金属 o化物） | 1.4W，2W | 8-so | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | SP001555688 | Ear99 | 8541.29.0095 | 4,000 | 2 n 通道（半桥） | 30V | 7.6a，11a | 16.2MOHM @ 7.6A，10V | 2.25V @ 25µA | 11NC @ 4.5V | 910pf @ 15V | 逻辑级别门 | |
 | tpc8408，lq（s | 0.4700 | | 1 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | TPC8408 | MOSFET （金属 o化物） | 450MW | 8-sop | 下载 | Rohs符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.21.0095 | 2,500 | n和p通道 | 40V | 6.1a，5.3a | 32MOHM @ 3.1A，10V | 2.3V @ 100µA | 24NC @ 10V | 850pf @ 10V | 逻辑级别门 | |||
 | VMK90-02T2 | - | | 7703 | 0.00000000 | ixys | - | 盒子 | 过时的 | -40°C〜150°C（TJ） | 底盘安装 | TO-240AA | VMK90 | MOSFET （金属 o化物） | 380W | TO-240AA | 下载 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 6 | 2 n 通道（双） | 200V | 83a | 25mohm @ 500mA，10v | 4V @ 3mA | 450NC @ 10V | 15000pf @ 25V | - | ||||
| PJQ5844-AU_R2_000A1 | 0.4410 | | 1751年 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 表面安装 | 8-POWERTDFN | PJQ5844 | MOSFET （金属 o化物） | 2W（ta），38.5W（TC） | DFN5060B-8 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 3757-PJQ5844-AU_R2_000A1TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 40V | 10a（10A），45a（tc） | 8mohm @ 15a，10v | 2.5V @ 250µA | 17nc @ 4.5V | 1759pf @ 25V | - | |
| FW340-m-TL-E | 0.5900 | | 13 | 0.00000000 | Onmi | * | 大部分 | 积极的 | FW340 | - | - | 不适用 | （1 （无限） | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | - | ||||||||||||||
 | GSF7002DW | 0.2400 | | 5 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 150°C（TJ） | 表面安装 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | MOSFET （金属 o化物） | 150MW（TA） | SC-88 （SC-70-6） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | 2 n通道 | 60V | 340ma（ta） | 5ohm @ 500mA，10v | 2.5V @ 1mA | - | 40pf @ 10V | 标准 | |||
| DMN15M3UCA6-7 | 0.3540 | | 5470 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 6-SMD，没有铅 | DMN15 | - | 1W | X3-DSN2718-6 | 下载 | 到达不受影响 | 31-DMN15M3UCA6-7TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双）公共来源 | 14V | 16.5A（TA） | 5.8MOHM @ 3A，4.5V | 1.3V @ 1mA | 35.2NC @ 4.5V | 2360pf @ 6V | - | |||
| APTC60AM35T1G | 78.2600 | | 7399 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜150°C（TJ） | 底盘安装 | SP1 | APTC60 | MOSFET （金属 o化物） | 416W | SP1 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n 通道（半桥） | 600V | 72a | 35mohm @ 72a，10v | 3.9V @ 5.4mA | 518nc @ 10V | 14000pf @ 25V | - | ||
| MCB30P1200LB-tub | - | | 4554 | 0.00000000 | ixys | MCB30P1200LB | 管子 | 积极的 | - | 表面安装 | 9-PowersMD | MCB30P1200 | （SIC） | - | 9-SMPD-B | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 238-MCB30P1200LB-TUB | Ear99 | 8541.29.0095 | 20 | 4（n n 通道（半桥） | 1200V（1.2kV） | - | - | - | - | - | - | ||
 | 2n7002ks6 | 0.0430 | | 6245 | 0.00000000 | 美国直发 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | - | 表面安装 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | 2N7002 | MOSFET （金属 o化物） | 350MW（TA） | SOT-363-6L | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 2516-2N7002KS6TR | 8541.10.0080 | 30,000 | 2 n 通道（双） | 60V | 250mA（ta） | 5ohm @ 500mA，10v | 1.9V @ 250µA | - | - | - | |||
 | BSL306NH6327XTSA1 | - | | 6560 | 0.00000000 | Infineon技术 | 汽车，AEC-Q101，Optimos™ | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | SOT-23-6薄，TSOT-23-6 | BSL306 | MOSFET （金属 o化物） | 500MW | PG-TSOP6-6 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 30V | 2.3a | 57MOHM @ 2.3a，10V | 2V @ 11µA | 1.6NC @ 5V | 275pf @ 15V | 逻辑级别门，4.5V驱动器 | ||
| QS8M51HZGTR | 0.6000 | | 9260 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车，AEC-Q101 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | 8-SMD，平坦的铅 | TSMT8 | - | （1 （无限） | 3,000 | ||||||||||||||||||
 | MSCMC90AM12C3AG | - | | 4091 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 积极的 | - | 底盘安装 | 模块 | MSCMC90 | （SIC） | - | SP3F | 下载 | 到达不受影响 | 150-MSCMC90AM12C3AG | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | - | 900V | 110A（TC） | - | - | - | - | - | |||
 | DMN5L06DMK-7 | 0.4200 | | 4 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | SOT-23-6 | DMN5L06 | MOSFET （金属 o化物） | 400MW | SOT-26 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 50V | 305mA | 2ohm @ 50mA，5v | 1V @ 250µA | - | 50pf @ 25V | 逻辑级别门 | ||
 | UPA606T-T1-A | 1.0000 | | 9371 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 大部分 | 过时的 | 150°C（TJ） | 表面安装 | SOT-23-6 | UPA606 | MOSFET （金属 o化物） | 300MW | 6分钟 | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 50V | 100mA | 25ohm @ 10mA，10v | - | - | 16pf @ 5V | 逻辑级别门 | ||||
| DMN33D8LV-7 | 0.4600 | | 6522 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | SOT-563，SOT-666 | DMN33 | MOSFET （金属 o化物） | 430MW（TA） | SOT-563 | 下载 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 30V | 350mA（ta） | 2.4OHM @ 250mA，10V | 1.5V @ 100µA | 1.23nc @ 10V | 48pf @ 5V | - | ||||
 | BSS138DWK-13 | 0.0379 | | 7859 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | BSS138 | MOSFET （金属 o化物） | 330MW | SOT-363 | 下载 | 到达不受影响 | 31-BSS138DWK-13TR | Ear99 | 8541.21.0095 | 10,000 | 2 n 通道（双） | 50V | 310mA ta） | 2.6ohm @ 200mA，10v | 1.5V @ 250µA | 0.8NC @ 10V | 22pf @ 25V | - | |||
 | 2SK3704-1EX | 0.8400 | | 3 | 0.00000000 | Onmi | * | 大部分 | 积极的 | 2SK3704 | - | 下载 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | - |
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