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FET，MOSFET（6056）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs （ciss）（最大（ciss） @ vds fet
DF11MR12W1M1HFB67BPSA1 Infineon Technologies DF11MR12W1M1HFB67BPSA1 115.8100
RFQ
 ECAD 9526 0.00000000 Infineon技术 COOLSIC™ 托盘 积极的 - 底盘安装 模块 DF11MR12 MOSFET （金属 o化物） - ag-easy1b - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 24 - 1200V（1.2kV） - - - - - -
CA3140R1167 Harris Corporation CA3140R1167 1.2400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 哈里斯公司 * 大部分 积极的 CA3140 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 0000.00.0000 1 -
SQ4961EY-T1_GE3 Vishay Siliconix SQ4961EY-T1_GE3 1.6500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix 汽车，AEC-Q101，Trenchfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SQ4961 MOSFET （金属 o化物） 3.3W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,500 2（p 通道（双） 60V 4.4A（TC） 85MOHM @ 3.5A，10V 2.5V @ 250µA 40NC @ 10V 1140pf @ 25V -
FDMS3616S onsemi FDMS3616S -
RFQ
 ECAD 8001 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 表面安装 8-POWERTDFN FDMS3616 MOSFET （金属 o化物） 1W Power56 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 25V 16a，18a 6.6mohm @ 16a，10v 2.5V @ 250µA 27nc @ 10V 1765pf @ 13V 逻辑级别门
APTM100H35FTG Microchip Technology APTM100H35FTG 196.8000
RFQ
 ECAD 8025 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SP4 APTM100 MOSFET （金属 o化物） 390W SP4 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 4（n n 通道（半桥） 1000V （1kV） 22a 420MOHM @ 11a，10v 5V @ 2.5mA 186nc @ 10V 5200pf @ 25V -
DMT6011LPDW-13 Diodes Incorporated DMT6011LPDW-13 0.3608
RFQ
 ECAD 3726 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN DMT6011 MOSFET （金属 o化物） 2.5W（TA），37.9W（tc） PowerDI5060-8（type UXD） 下载 到达不受影响 31-DMT6011LPDW-13TR Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 60V 10.3a（ta），40a tc） 14mohm @ 10a，10v 2.5V @ 250µA 22.2nc @ 10V 1072pf @ 30V -
DMC2990UDJQ-7-52 Diodes Incorporated DMC2990UDJQ-7-52 0.0839
RFQ
 ECAD 4654 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-963 DMC2990 MOSFET （金属 o化物） 350MW（TA） SOT-963 下载 31-DMC2990UDJQ-7-52 Ear99 8541.21.0095 10,000 n和p通道互补 20V 450mA（ta），310mA（ta） 990MOHM @ 100mA，4.5V，1.9OHM @ 100mA，4.5V 1V @ 250µA 0.5NC @ 4.5V，0.4NC @ 4.5V 27.6pf @ 15V，28.7pf @ 15V 标准
SMA5117 Sanken SMA5117 18.9000
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 ECAD 31 0.00000000 桑肯 - 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 12-sip SMA51 MOSFET （金属 o化物） 4W 12-sip 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） SMA5117 DK Ear99 8541.29.0095 18 6 n通道（3相桥） 250V 7a 250mohm @ 3.5A，10V 4V @ 1mA - 850pf @ 10V -
RF3S49092SM9A Fairchild Semiconductor RF3S49092SM9A 2.8100
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 ECAD 2 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-263-6，D²Pak（5 + tab），TO-263BA RF3S49092 MOSFET （金属 o化物） 50W（TC） TO-263-5 下载 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8541.29.0095 1 n和p通道 12V 20A（TC），10A （TC） 60mohm @ 20a，5v，140Mohm @ 10a，5v 1V @ 250µA 25nc @ 10v，24nc @ 10v 750pf @ 10V，775pf @ 10V 逻辑级别门
SI4814BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4814BDY-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 8091 0.00000000 Vishay Siliconix Littlefoot® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SI4814 MOSFET （金属 o化物） 3.3W，3.5W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（半桥） 30V 10a，10.5a 18mohm @ 10a，10v 3V @ 250µA 10NC @ 4.5V - 逻辑级别门
EM6K7T2CR Rohm Semiconductor EM6K7T2CR 0.4200
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 EM6K7 MOSFET （金属 o化物） 150MW EMT6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 8,000 2 n 通道（双） 20V 200ma（ta） 1.2OHM @ 200mA，2.5V 1V @ 1mA - 25pf @ 10V -
GWM100-0085X1-SMD IXYS GWM100-0085x1-SMD -
RFQ
 ECAD 2029 0.00000000 ixys - 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 17-SMD，鸥翼 GWM100 MOSFET （金属 o化物） - ISOPLUS-DIL™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 36 6 n通道（3相桥） 85V 103a 6.2MOHM @ 75A，10V 4V @ 250µA 114NC @ 10V - -
2SJ418-TL-E-SY Sanyo 2SJ418-TL-E-SY 4.5700
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Sanyo * 大部分 积极的 2SJ418 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 0000.00.0000 700 -
TQM300NB06DCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TQM300NB06DCR RLG 3.1000
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 台湾半导体公司 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装，可润湿的侧面 8-POWERTDFN TQM300 MOSFET （金属 o化物） 2.5W（ta），48W（tc） 8-pdfnu（5x6） - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 60V 6a（6a），25a tc（25a）） 30mohm @ 6a，10v 3.8V @ 250µA 20NC @ 10V 1020pf @ 30V -
AO4803A Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4803A 0.7000
RFQ
 ECAD 46 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） AO4803 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2（p 通道（双） 30V 5a 46mohm @ 5A，10V 2.5V @ 250µA 11NC @ 10V 520pf @ 15V 逻辑级别门
MSCC60AM23C4AG Microchip Technology MSCC60AM23C4AG 250.2300
RFQ
 ECAD 8292 0.00000000 微芯片技术 - 管子 积极的 - 底盘安装 模块 MSCC60 MOSFET （金属 o化物） - SP4 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 150-MSCC60AM23C4AG Ear99 8541.29.0095 1 2 n通道 600V 81A（TC） - - - - -
BSS8402DW-7-G Diodes Incorporated BSS8402DW-7-G -
RFQ
 ECAD 3359 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 BSS8402 MOSFET （金属 o化物） 200mw（ta） SOT-363 下载 31-BSS8402DW-7-GTR Ear99 8541.29.0095 3,000 n和p通道互补 60V，50V 115ma（ta），130mA（ta） 13.5ohm @ 500mA，10v，10ohm @ 100mA，5v 2.5V @ 250µA，2V @ 1mA - 50pf @ 25V，45pf @ 25V -
6706A Goford Semiconductor 6706a 0.4600
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） MOSFET （金属 o化物） 2W（TC） 8-sop 下载 Rohs符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0000 4,000 - 30V 6.5a（5a），5a（ta） 30mohm @ 5a，10v，60mohm @ 4a，10v 5.2nc @ 10v，9.2nc @ 10V 255pf @ 15V，520pf @ 15V 标准
PMGD370XN,115 Nexperia USA Inc. PMGD370XN，115 -
RFQ
 ECAD 7077 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos™ 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 PMGD370 MOSFET （金属 o化物） 410MW 6-TSSOP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 740mA 440MOHM @ 200MA，4.5V 1.5V @ 250µA 0.65NC @ 4.5V 37pf @ 25V 逻辑级别门
FDS6982 onsemi FDS6982 -
RFQ
 ECAD 1236 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） FDS69 MOSFET （金属 o化物） 900MW 8-SOIC 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,500 2 n 通道（双） 30V 6.3a，8.6a 28mohm @ 6.3a，10v 3V @ 250µA 12nc @ 5V 760pf @ 10V 逻辑级别门
HUF75842S3 Fairchild Semiconductor HUF75842S3 1.5000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Fairchild半导体 * 大部分 积极的 HUF75842 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8542.39.0001 1 -
IRF7103TRPBFXTMA1 Infineon Technologies IRF7103TRPBFXTMA1 0.3972
RFQ
 ECAD 6902 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） MOSFET （金属 o化物） 2W（TA） PG-DSO-8-902 - rohs3符合条件 448-IRF7103TRPBFXTMA1TR 4,000 2 n通道 50V 3A（3A） 130MOHM @ 3A，10V 3V @ 250µA 30nc @ 10V 290pf @ 25V 标准
DMC62D0SVQ-7 Diodes Incorporated DMC62D0SVQ-7 -
RFQ
 ECAD 4154 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 在sic中停产 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 DMC62 MOSFET （金属 o化物） 510MW（TA） SOT-563 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n和p通道互补 60V，50V 571ma（ta），304ma（ta） 1.7ohm @ 500mA，10v，6ohm @ 500mA，10v 2.5V @ 250µA 0.4NC @ 4.5V，0.3NC @ 4.5V 30pf @ 25V，26pf @ 25V -
QH8K22TCR Rohm Semiconductor QH8K22TCR 0.7100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 QH8K22 MOSFET （金属 o化物） 1.1W（TA） TSMT8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 40V 6.5A（TA） 46mohm @ 6.5a，10v 2.5V @ 10µA 2.6nc @ 10V 195pf @ 20V -
QH8KA2TCR Rohm Semiconductor QH8KA2TCR 0.7600
RFQ
 ECAD 394 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 QH8KA2 MOSFET （金属 o化物） 1.1W（TA） TSMT8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 4.5A（ta） 35MOHM @ 4.5A，10V 2.5V @ 1mA 8.4nc @ 10V 365pf @ 10V -
SP8J3FU6TB Rohm Semiconductor SP8J3FU6TB -
RFQ
 ECAD 1945年 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SP8J3 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-sop - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2（p 通道（双） 30V 3.5a 90MOHM @ 3.5A，10V 2.5V @ 1mA 5.5nc @ 5V 490pf @ 10V 逻辑级别门
PMDPB95XNE2X Nexperia USA Inc. PMDPB95XNE2X 0.5000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-UFDFN暴露垫 PMDPB95 MOSFET （金属 o化物） 510MW（TA） 6-Huson（2x2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 2.7a（ta） 99mohm @ 2.8a，4.5V 1.25V @ 250µA 4.5NC @ 4.5V 258pf @ 15V -
AON7611 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON7611 0.6000
RFQ
 ECAD 72 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn AON761 MOSFET （金属 o化物） 1.5W 8-DFN-EP（3x3） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 n和p通道，普通排水 30V 9a，18.5a 50MOHM @ 4A，10V 2.5V @ 250µA 10NC @ 10V 170pf @ 15V 逻辑级别门
HUFA76407DK8T-F085 onsemi HUFA76407DK8T-F085 1.1629
RFQ
 ECAD 7610 0.00000000 Onmi 汽车，AEC-Q101，Ultrafet™ 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） HUFA76407 MOSFET （金属 o化物） 2.5W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 60V - 90MOHM @ 3.8A，10V 3V @ 250µA 11.2nc @ 10V 330pf @ 25V 逻辑级别门
AON5802BG Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON5802BG -
RFQ
 ECAD 2188 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-WFDFN暴露垫 AON5802 MOSFET （金属 o化物） 3.1W（TA） 6-DFN-EP（2x5） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 785-AON5802BGTR Ear99 8541.29.0095 5,000 2 n 通道（双） 30V 10a（10a） 18mohm @ 7a，4.5V 1.5V @ 250µA 32NC @ 10V 1050pf @ 15V -
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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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