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FET，MOSFET（6056）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet
SI4967DY-T1-E3	-	RFQ	2784	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4967	MOSFET （金属 o化物）	2W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2（p 通道（双）	12V	-	23mohm @ 7.5a，4.5V	450mv @ 250µA（250µA））	55nc @ 10V	-	逻辑级别门
SIL2308-TP-HF	-	RFQ	4129	微商业公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6	SIL2308	MOSFET （金属 o化物）	-	SOT-23-6L	下载				353-SIL2308-TP-HF	Ear99	8541.29.0095	1	-	20V	5a，4a	38mohm @ 4.5A，4.5V，90MOHM @ 500mA，4.5V	1V @ 250µA	11NC @ 4.5V，12nc @ 2.5V	800pf @ 8v，405pf @ 10V	标准
SQ4946AEY-T1_GE3	-	RFQ	3595	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SQ4946	MOSFET （金属 o化物）	4W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）	60V	7a	40mohm @ 4.5A，10V	2.5V @ 250µA	18NC @ 10V	750pf @ 25V	逻辑级别门
RM4953	0.0880	RFQ	8727	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	RM495	MOSFET （金属 o化物）	2.5W（TA）	8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-RM4953TR		8541.10.0080	40,000	2（p 通道（双）	30V	5.1a（ta）	55mohm @ 5.1A，10V	3V @ 250µA	11NC @ 10V	520pf @ 15V	-
UPA2561T1H-T1-AT	0.3800	RFQ	12	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的		表面安装	8-SMD，平坦的铅	UPA2561	MOSFET （金属 o化物）	2.2W	8-VSOF	-	不适用				Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）	20V	4.5a	50MOHM @ 2A，4.5V	1.5V @ 1mA	5.4NC @ 4.5V	455pf @ 10V	逻辑级别门
FDMS3600AS	-	RFQ	9937	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	FDMS3600	MOSFET （金属 o化物）	2.2W，2.5W	Power56	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）	25V	15a，30a	5.6mohm @ 15a，10v	2.7V @ 250µA	27nc @ 10V	1770pf @ 13V	逻辑级别门
EM6K33T2R	0.5100	RFQ	54	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	EM6K33	MOSFET （金属 o化物）	150MW	EMT6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	8,000	2 n 通道（双）	50V	200mA	2.2OHM @ 200mA，4.5V	1V @ 1mA	-	25pf @ 10V	逻辑级别门，1.2V驱动器
AO4807_101	-	RFQ	7786	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	AO480	MOSFET （金属 o化物）	2W	8-SOIC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	2（p 通道（双）	30V	6a	35mohm @ 6a，10v	2.4V @ 250µA	16NC @ 10V	760pf @ 15V	逻辑级别门
FDG6304P-X	-	RFQ	5137	Onmi	-	大部分	过时的	-	-	-	FDG6304	-	-	-	-		不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	-	-	-	-	-	-	-	-
IRFR2209A	0.5100	RFQ	2	哈里斯公司	-	大部分	积极的				IRFR2209	-			下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	1								-
DMT6017LDV-7	0.3392	RFQ	5453	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	DMT6017	MOSFET （金属 o化物）		PowerDI3333-8（UXC）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	DMT6017LDV-7DI	Ear99	8541.29.0095	2,000	2 n 通道（双）		25.3（TC）	22mohm @ 6a，10v	2.3V @ 250µA			-
AO4840L	-	RFQ	6569	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	AO484	MOSFET （金属 o化物）	2W	8-SOIC	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）	40V	6a（6a）	31mohm @ 6a，10v	3V @ 250µA	8.3nc @ 10V	404pf @ 20V	-
AOTS32338C	0.1481	RFQ	2986	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-74，SOT-457	AOTS32338	MOSFET （金属 o化物）	1.2W（TA）	6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	785-AOTS32338CTR	Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）	30V	3.8A（TA）	50MOHM @ 3.8A，10V	1.5V @ 250µA	16NC @ 10V	340pf @ 15V	-
FDW2506P	0.6400	RFQ	180	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	FDW25	MOSFET （金属 o化物）	600MW	8-tssop	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	2,500	2（p 通道（双）	20V	5.3a	22mohm @ 5.3a，4.5V	1.5V @ 250µA	34NC @ 4.5V	1015pf @ 10V	逻辑级别门
DF11MR12W1M1HFB67BPSA1	115.8100	RFQ	9526	Infineon技术	COOLSIC™	托盘	积极的	-	底盘安装	模块	DF11MR12	MOSFET （金属 o化物）	-	ag-easy1b	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	24	-	1200V（1.2kV）	-	-	-	-	-	-
CA3140R1167	1.2400	RFQ	4	哈里斯公司	*	大部分	积极的				CA3140	-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定			0000.00.0000	1								-
SQ4961EY-T1_GE3	1.6500	RFQ	2	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SQ4961	MOSFET （金属 o化物）	3.3W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	2（p 通道（双）	60V	4.4A（TC）	85MOHM @ 3.5A，10V	2.5V @ 250µA	40NC @ 10V	1140pf @ 25V	-
FDMS3616S	-	RFQ	8001	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	8-POWERTDFN	FDMS3616	MOSFET （金属 o化物）	1W	Power56	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）	25V	16a，18a	6.6mohm @ 16a，10v	2.5V @ 250µA	27nc @ 10V	1765pf @ 13V	逻辑级别门
APTM100H35FTG	196.8000	RFQ	8025	微芯片技术	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP4	APTM100	MOSFET （金属 o化物）	390W	SP4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	4（n n 通道（半桥）	1000V （1kV）	22a	420MOHM @ 11a，10v	5V @ 2.5mA	186nc @ 10V	5200pf @ 25V	-
DMT6011LPDW-13	0.3608	RFQ	3726	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	DMT6011	MOSFET （金属 o化物）	2.5W（TA），37.9W（tc）	PowerDI5060-8（type UXD）	下载			到达不受影响	31-DMT6011LPDW-13TR	Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）	60V	10.3a（ta），40a tc）	14mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	22.2nc @ 10V	1072pf @ 30V	-
DMC2990UDJQ-7-52	0.0839	RFQ	4654	二极管合并	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-963	DMC2990	MOSFET （金属 o化物）	350MW（TA）	SOT-963	下载				31-DMC2990UDJQ-7-52	Ear99	8541.21.0095	10,000	n和p通道互补	20V	450mA（ta），310mA（ta）	990MOHM @ 100mA，4.5V，1.9OHM @ 100mA，4.5V	1V @ 250µA	0.5NC @ 4.5V，0.4NC @ 4.5V	27.6pf @ 15V，28.7pf @ 15V	标准
SMA5117	18.9000	RFQ	31	桑肯	-	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	12-sip	SMA51	MOSFET （金属 o化物）	4W	12-sip	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		SMA5117 DK	Ear99	8541.29.0095	18	6 n通道（3相桥）	250V	7a	250mohm @ 3.5A，10V	4V @ 1mA	-	850pf @ 10V	-
RF3S49092SM9A	2.8100	RFQ	2	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-6，D²Pak（5 + tab），TO-263BA	RF3S49092	MOSFET （金属 o化物）	50W（TC）	TO-263-5	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1	n和p通道	12V	20A（TC），10A （TC）	60mohm @ 20a，5v，140Mohm @ 10a，5v	1V @ 250µA	25nc @ 10v，24nc @ 10v	750pf @ 10V，775pf @ 10V	逻辑级别门
SI4814BDY-T1-GE3	-	RFQ	8091	Vishay Siliconix	Littlefoot®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4814	MOSFET （金属 o化物）	3.3W，3.5W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（半桥）	30V	10a，10.5a	18mohm @ 10a，10v	3V @ 250µA	10NC @ 4.5V	-	逻辑级别门
EM6K7T2CR	0.4200	RFQ	8	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	EM6K7	MOSFET （金属 o化物）	150MW	EMT6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	8,000	2 n 通道（双）	20V	200ma（ta）	1.2OHM @ 200mA，2.5V	1V @ 1mA	-	25pf @ 10V	-
GWM100-0085x1-SMD	-	RFQ	2029	ixys	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	17-SMD，鸥翼	GWM100	MOSFET （金属 o化物）	-	ISOPLUS-DIL™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	36	6 n通道（3相桥）	85V	103a	6.2MOHM @ 75A，10V	4V @ 250µA	114NC @ 10V	-	-
2SJ418-TL-E-SY	4.5700	RFQ	5	Sanyo	*	大部分	积极的				2SJ418	-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定			0000.00.0000	700								-
TQM300NB06DCR RLG	3.1000	RFQ	5	台湾半导体公司	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	8-POWERTDFN	TQM300	MOSFET （金属 o化物）	2.5W（ta），48W（tc）	8-pdfnu（5x6）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）	60V	6a（6a），25a tc（25a））	30mohm @ 6a，10v	3.8V @ 250µA	20NC @ 10V	1020pf @ 30V	-
AO4803A	0.7000	RFQ	46	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	AO4803	MOSFET （金属 o化物）	2W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2（p 通道（双）	30V	5a	46mohm @ 5A，10V	2.5V @ 250µA	11NC @ 10V	520pf @ 15V	逻辑级别门
MSCC60AM23C4AG	250.2300	RFQ	8292	微芯片技术	-	管子	积极的	-	底盘安装	模块	MSCC60	MOSFET （金属 o化物）	-	SP4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-MSCC60AM23C4AG	Ear99	8541.29.0095	1	2 n通道	600V	81A（TC）	-	-	-	-	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

FET，MOSFET（6056）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²