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FET，MOSFET（6056）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | （VDSS） | 电流 -id（ID） @ 25°C | RDS（最大值） @ ID，VGS | VGS（TH）（最大） @ ID | （QG））（最大） @ vgs | （ciss）（最大（ciss） @ vds | fet |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MPIC2117p | 0.6100 |  | 750 | 0.00000000 | Onmi | * | 大部分 | 积极的 | MPIC2117 | - | 下载 | 不适用 | （1 （无限） | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | - | ||||||||||||||
 | MCH5815-TL-E-ON | 0.1200 | | 156 | 0.00000000 | Onmi | * | 大部分 | 积极的 | MCH5815 | - | - | 不适用 | （1 （无限） | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | - | ||||||||||||||
| 2SK3618-TL-E | 0.6600 | | 35 | 0.00000000 | Onmi | * | 大部分 | 积极的 | 2SK3618 | - | - | 不适用 | （1 （无限） | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.29.0095 | 700 | - | ||||||||||||||
 | SQ4937EY-T1_BE3 | 1.2300 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 汽车，AEC-Q101，Trenchfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SQ4937 | MOSFET （金属 o化物） | 3.3W（TC） | 8-SOIC | 下载 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2（p 通道（双） | 30V | 5A（TC） | 75MOHM @ 3.9a，10V | 2.5V @ 250µA | 15nc @ 10V | 480pf @ 25V | - | ||||
| ECH8411-TL-E-SA | 0.1900 | | 3 | 0.00000000 | Sanyo | * | 大部分 | 积极的 | ECH8411 | - | - | 不适用 | （1 （无限） | 供应商不确定 | 0000.00.0000 | 3,000 | - | |||||||||||||||
 | 2N7002V | - | | 3042 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | SOT-563，SOT-666 | 2N7002 | MOSFET （金属 o化物） | 250MW | SOT-563F | 下载 | 0000.00.0000 | 1 | 2 n 通道（双） | 60V | 280mA | 7.5OHM @ 50mA，5V | 2.5V @ 250µA | - | 50pf @ 25V | 逻辑级别门 | ||||||
 | IPG20N06S4L11ATMA2 | 1.6700 | | 3 | 0.00000000 | Infineon技术 | 汽车，AEC-Q101，Optimos™ | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 表面安装，可润湿的侧面 | 8-Powervdfn | IPG20N | MOSFET （金属 o化物） | 65W（TC） | PG-TDSON-8-10 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | 2 n 通道（双） | 60V | 20A（TC） | 11.2Mohm @ 17a，10v | 2.2V @ 28µA | 53nc @ 10V | 4020pf @ 25V | 逻辑级别门 | ||
 | USB10H | 1.0000 | | 1200 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | PowerTrench® | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | SOT-23-6薄，TSOT-23-6 | USB10 | MOSFET （金属 o化物） | 700MW | SuperSot™-6 | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2（p 通道（双） | 20V | 1.9a | 170MOHM @ 1.9A，4.5V | 1.5V @ 250µA | 4.2nc @ 4.5V | 441pf @ 10V | 逻辑级别门 | ||||
 | FF08MR12W1MA1B11ABPSA1 | 359.1000 | | 2746 | 0.00000000 | Infineon技术 | COOLSIC™ | 托盘 | 积极的 | -40°C〜150°C（TJ） | 底盘安装 | 模块 | FF08MR12 | （SIC） | 20MW（TC） | Ag-Easy1bm-2 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 24 | 2 n 通道（双） | 1200V（1.2kV） | 150a（TJ） | 9.8mohm @ 150a，15v | 5.55V @ 90mA | 450NC @ 15V | 16000pf @ 600V | - | ||
 | FDS4501H | 0.7200 | | 40 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | PowerTrench® | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | FDS4501 | MOSFET （金属 o化物） | 1W | 8-SOIC | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | n和p通道 | 30V，20V | 9.3a，5.6a | 18mohm @ 9.3a，10V | 3V @ 250µA | 27nc @ 4.5V | 1958pf @ 10V | 逻辑级别门 | |||||
| FDS6990A | - | | 4289 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | PowerTrench® | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | FDS6990 | MOSFET （金属 o化物） | 900MW | 8-SOIC | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 2 n 通道（双） | 30V | 7.5a | 18mohm @ 7.5a，10v | 3V @ 250µA | 17NC @ 5V | 1235pf @ 15V | 逻辑级别门 | |||||
 | PMDPB56XNEA，115 | - | | 5428 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||
 | FDS4935BZ | - | | 9371 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | PowerTrench® | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | FDS49 | MOSFET （金属 o化物） | 900MW（TA） | 8-SOIC | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 2（p 通道（双） | 30V | 6.9a（ta） | 22mohm @ 6.9a，10v | 3V @ 250µA | 40NC @ 10V | 1360pf @ 15V | - | |||||
 | FDMA3027PZ | 0.6500 | | 21 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | PowerTrench® | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 6-vdfn裸露的垫子 | FDMA3027 | MOSFET （金属 o化物） | 700MW | 6-microfet（2x2） | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 462 | 2（p 通道（双） | 30V | 3.3a | 87MOHM @ 3.3A，10V | 3V @ 250µA | 10NC @ 10V | 435pf @ 15V | 逻辑级别门 | |||||
 | FDS6961A | - | | 7843 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | PowerTrench® | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | FDS69 | MOSFET （金属 o化物） | 900MW | 8-SOIC | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 2 n 通道（双） | 30V | 3.5a | 90MOHM @ 3.5A，10V | 3V @ 250µA | 4NC @ 5V | 220pf @ 15V | 逻辑级别门 | |||||
| MSCSM120VR1M16CT3AG | 291.1100 | | 4228 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜175°C（TJ） | 底盘安装 | 模块 | MSCSM120 | （SIC） | 745W（TC） | - | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 150-MSCSM120VR1M16CT3AG | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n 通道（相腿） | 1200V（1.2kV） | 173a（TC） | 16mohm @ 80a，20v | 2.8V @ 6mA | 464NC @ 20V | 6040pf @ 1000V | - | |
| MSCSM120VR1M062CT6AG | 802.6400 | | 3944 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜175°C（TJ） | 底盘安装 | 模块 | MSCSM120 | （SIC） | 1.753kW（TC） | - | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 150-MSCSM120VR1M062CT6AG | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n 通道（相腿） | 1200V（1.2kV） | 420a（TC） | 6.2MOHM @ 200a，20v | 2.8V @ 15mA | 1160NC @ 20V | 15100pf @ 1000V | - | |
| MSCSM120AM31T1AG | 108.4700 | | 3616 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜175°C（TJ） | 底盘安装 | 模块 | MSCSM120 | （SIC） | 395W（TC） | - | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 150-MSCSM120AM31T1AG | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n 通道（相腿） | 1200V（1.2kV） | 89A（TC） | 31mohm @ 40a，20v | 2.8V @ 3mA | 232nc @ 20v | 3020pf @ 1000V | - | |
 | SH8MB5TB1 | 1.6500 | | 4602 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SH8MB5 | MOSFET （金属 o化物） | 2W（TA） | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n和p通道 | 40V | 8.5a（ta） | 19.4mohm @ 8.5a，10v，16.8mohm @ 8.5a，10v | 2.5V @ 1mA | 10.6nc @ 20v，51nc @ 20v | 530pf @ 20v，2870pf @ 20V | - | ||
 | MSCSM170TLM11CAG | 903.7800 | | 4 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜175°C（TJ） | 底盘安装 | 模块 | MSCSM170 | （SIC） | 1114W（TC） | SP6C | - | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 150-MSCSM170TLM11CAG | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | （4 n 通道（三级逆变器） | 1700V（（1.7kV） | 238a（TC） | 11.3mohm @ 120A，20V | 3.2V @ 10mA | 712NC @ 20V | 13200pf @ 1000V | - | |
 | MCQ03N06-TP | - | | 5341 | 0.00000000 | 微商业公司 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | MCQ03 | MOSFET （金属 o化物） | 1.7W | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 353-MCQ03N06-TPTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 4,000 | 2 n 通道（双） | 60V | 3a | 105mohm @ 3a，10v | 1.4V @ 250µA | 6NC @ 4.5V | 247pf @ 30V | - | |
 | NVMFD6H846NLWFT1G | 0.7274 | | 7871 | 0.00000000 | Onmi | 汽车，AEC-Q101 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 表面安装 | 8-POWERTDFN | NVMFD6 | MOSFET （金属 o化物） | 3.2W（34W）（34W tc） | 8-dfn（5x6）（SO8FL偶） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 488-NVMFD6H846NLWFT1GTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,500 | 2 n 通道（双） | 80V | 9.4A（TA），31a （TC） | 15mohm @ 5A，10V | 2V @ 21µA | 17NC @ 10V | 900pf @ 40V | - | |
 | 2N7002DWQ-13-F | 0.1018 | | 1586年 | 0.00000000 | 二极管合并 | 汽车，AEC-Q101 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | 2N7002 | MOSFET （金属 o化物） | 310MW（TA） | SOT-363 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 31-2N7002DWQ-13-FTR | Ear99 | 8541.21.0095 | 10,000 | 2 n 通道（双） | 60V | 230ma（ta） | 7.5OHM @ 50mA，5V | 2V @ 250µA | - | 50pf @ 25V | - | |
 | MSCSM170AM039CD3AG | 1.0000 | | 3 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜175°C（TJ） | 底盘安装 | 模块 | MSCSM170 | （SIC） | 2.4kW（TC） | - | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 150-MSCSM170AM039CD3AG | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n 通道（相腿） | 1700V（（1.7kV） | 523a（TC） | 5mohm @ 270a，20v | 3.3V @ 22.5mA | 1602NC @ 20V | 29700pf @ 1000V | - | |
| DMN3190LDWQ-7 | 0.0896 | | 4239 | 0.00000000 | 二极管合并 | 汽车，AEC-Q101 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | DMN3190 | MOSFET （金属 o化物） | 320MW（TA） | SOT-363 | 下载 | 到达不受影响 | 31-DMN3190LDWQ-7TR | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 30V | 1A（1A） | 190MOHM @ 1.3A，10V | 2.8V @ 250µA | 2NC @ 10V | 87pf @ 20V | - | |||
| BUK7K6R8-40E/1X | - | | 2176 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 汽车，AEC-Q101 | 大部分 | 上次购买 | -55°C〜175°C（TJ） | 表面安装 | SOT-12205，8-LFPAK56 | buk7k6 | 64W（TA） | LFPAK56D | - | 1727-BUK7K6R8-40E/1X | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 40V | 40a（ta） | 6.8mohm @ 20a，10v | 4V @ 1mA | 28.9nc @ 10V | 1947pf @ 25V | 标准 | ||||||
| AOC3878 | 0.3603 | | 4006 | 0.00000000 | Alpha＆欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 10-SMD，没有铅 | AOC387 | MOSFET （金属 o化物） | 3.1W（TA） | 10-Alphadfn（3.55x1.77） | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 785-AOC3878TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | 2 n通道 | 12V | 35A（TA） | 2ohm @ 5A，4.5V | 1.1V @ 250µA | 60nc @ 4.5V | - | 标准 | ||
 | SISF20DN-T1-GE3 | 1.5900 | | 6407 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet®Geniv | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | POWERPAK®1212-8SCD双重 | SISF20 | MOSFET （金属 o化物） | 5.2W（ta），69.4W（TC） | POWERPAK®1212-8SCD双重 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 60V | （14A）（52A（ta）（TC） | 13mohm @ 7a，10v | 3V @ 250µA | 33nc @ 10V | 1290pf @ 30V | - | |||
| SP8K3FD5TB1 | - | | 6531 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | SP8K3 | - | - | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 846-SP8K3FD5TB1TR | 过时的 | 2,500 | - | |||||||||||||||
| DMN5L06DWK-7-01 | - | | 8704 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | DMN5L06 | MOSFET （金属 o化物） | 250MW（TA） | SOT-363 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | DMN5L06DWK-7-01DI | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 50V | 305mA（ta） | 2ohm @ 50mA，5v | 1V @ 250µA | 0.4NC @ 4.5V | 50pf @ 25V | - |
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