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FET，MOSFET（6056）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 重量（ kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs （ciss）（最大（ciss） @ vds fet
BUK9K35-60RAX Nexperia USA Inc. BUK9K35-60RAX 1.3700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 SOT-12205，8-LFPAK56 buk9k35 MOSFET （金属 o化物） 38W（TA） LFPAK56D 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 2 n 通道（双） 60V 22a（22a） 32MOHM @ 5A，10V 2.1V @ 1mA 7.8NC @ 5V 1081pf @ 25V 逻辑级别门
FDMS7696A Fairchild Semiconductor FDMS7696A 0.1500
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 Fairchild半导体 * 大部分 积极的 FDMS7696 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8542.39.0001 3,000 -
SFT1405-TL-E-SY Sanyo SFT1405-TL-E-SY 0.4100
RFQ
 ECAD 4618 0.00000000 Sanyo * 大部分 积极的 SFT1405 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 1 -
BUK9K17-60E/1X Nexperia USA Inc. BUK9K17-60E/1X -
RFQ
 ECAD 3175 0.00000000 Nexperia USA Inc. 汽车，AEC-Q101 大部分 上次购买 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 SOT-12205，8-LFPAK56 buk9k17 53W（ta） LFPAK56D 下载 1727-BUK9K17-60E/1X Ear99 8541.29.0095 1 60V 26a（26a） 15.6mohm @ 10a，10v 2.1V @ 1mA 16.5nc @ 5V 2223pf @ 25V 逻辑级别门
UPA2650T1E-E2-AT Renesas Electronics America Inc UPA2650T1E-E2-AT 0.4900
RFQ
 ECAD 270 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 大部分 过时的 表面安装 6-vdfn裸露的垫子 UPA2650 MOSFET （金属 o化物） 1.1W 6-MLP（3x3） 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 20V 3.8a 65mohm @ 3a，10v 2V @ 250µA 2.9nc @ 4.5V 220pf @ 10V 逻辑级别门
2N7002DW-7 Diodes Incorporated 2N7002DW-7 -
RFQ
 ECAD 6678 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 在sic中停产 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 2N7002 MOSFET （金属 o化物） 310MW SOT-363 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 60V 230mA 7.5OHM @ 50mA，5V 2V @ 250µA - 50pf @ 25V -
FDMC0205 Fairchild Semiconductor FDMC0205 0.1900
RFQ
 ECAD 188 0.00000000 Fairchild半导体 * 大部分 积极的 FDMC02 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8542.39.0001 3,000 -
DMC2057UVT-13 Diodes Incorporated DMC2057UVT-13 0.0953
RFQ
 ECAD 2804 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 DMC2057 MOSFET （金属 o化物） 700MW（TA） TSOT-26 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 10,000 n和p通道互补 20V 4A（4A），3.3a（ta） 42MOHM @ 5A，4.5V，70MOHM @ 3.5A，4.5V 1.2V @ 250µA，1V @ 250µA 10.5nc @ 10V，6.5NC @ 4.5V 416pf @ 10V，536pf @ 10V -
BSZ0910NDXTMA1 Infineon Technologies BSZ0910NDXTMA1 -
RFQ
 ECAD 2009 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn BSZ0910 MOSFET （金属 o化物） 1.9W（TA），31W（tc） PG-Wison-8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 2 n 通道（双） 30V 9.5A（ta），25a tc） 9.5MOHM @ 9A，10V 2V @ 250µA 5.6nc @ 4.5V 800pf @ 15V 逻辑级别门，4.5V驱动器
AON5802A Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON5802A -
RFQ
 ECAD 5911 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-WFDFN暴露垫 AON5802 MOSFET （金属 o化物） 1.7W 6-DFN-EP（2x5） 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 2 n 通道（双）公共排水 30V 7.2a 20mohm @ 7.2a，4.5V 1.5V @ 250µA 10.7nc @ 4.5V 1115pf @ 15V 逻辑级别门
FDW2511NZ Fairchild Semiconductor FDW2511NZ 0.3600
RFQ
 ECAD 348 0.00000000 Fairchild半导体 PowerTrench® 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） FDW25 MOSFET （金属 o化物） 1.6W 8-tssop 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双）公共排水 20V 7.1a 20mohm @ 7.1a，4.5V 1.5V @ 250µA 17.3nc @ 4.5V 1000pf @ 10V 逻辑级别门
MSCSM170TLM23C3AG Microchip Technology MSCSM170TLM23C3AG 415.3700
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 底盘安装 模块 MSCSM170 （SIC） 602W（TC） SP3F 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 150-MSCSM170TLM23C3AG Ear99 8541.29.0095 1 （4 n 通道（三级逆变器） 1700V（（1.7kV） 124A（TC） 22.5mohm @ 60a，20v 3.2V @ 5mA 356nc @ 20v 6600pf @ 1000V -
MSCSM120AM02CT6LIAG Microchip Technology MSCSM120AM02CT6LIAG 1.0000
RFQ
 ECAD 1964年 0.00000000 微芯片技术 - 管子 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 底盘安装 模块 MSCSM120 （SIC） 3.75kW（TC） sp6c li 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 150-MSCSM120AM02CT6LIAG Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（相腿） 1200V（1.2kV） 947a（TC） 2.6MOHM @ 480A，20V 2.8V @ 12mA 2784NC @ 20V 36240pf @ 1000V -
BSO211PHXUMA1 Infineon Technologies BSO211PHXUMA1 -
RFQ
 ECAD 5423 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） BSO211 MOSFET （金属 o化物） 1.6W PG-DSO-8 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2（p 通道（双） 20V 4a 67MOHM @ 4.6A，4.5V 1.2V @ 25µA 10NC @ 4.5V 1095pf @ 15V 逻辑级别门
SI6955ADQ-T1-GE3 Vishay Siliconix SI69555Q-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 4080 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） SI6955 MOSFET （金属 o化物） 830MW 8-tssop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2（p 通道（双） 30V 2.5a 80MOHM @ 2.9a，10V 1V @ 250µA（250µA） 8NC @ 5V - 逻辑级别门
PJT7800_R1_00001 Panjit International Inc. PJT7800_R1_00001 0.5100
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Panjit International Inc. - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 PJT7800 MOSFET （金属 o化物） 350MW（TA） SOT-363 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 20V 1A（1A） 150MOHM @ 1A，4.5V 1V @ 250µA 1.6NC @ 4.5V 92pf @ 10V -
GMM3X60-015X2-SMD IXYS GMM3X60-015x2-SMD -
RFQ
 ECAD 9428 0.00000000 ixys - 管子 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 ISOPLUS-DIL™ GMM3x60 MOSFET （金属 o化物） - ISOPLUS-DIL™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 13 6 n通道（3相桥） 150V 50a 24mohm @ 38a，10v 4.5V @ 1mA 97NC @ 10V 5800pf @ 25V -
DMC2710UDW-7 Diodes Incorporated DMC2710UDW-7 0.3800
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 DMC2710 MOSFET （金属 o化物） 290MW（TA） SOT-363 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n和p通道互补 20V 750mA（ta），600mA（ta） 450MOHM @ 600mA，4.5V，750MOHM @ 430mA，4.5V 1V @ 250µA 0.6NC @ 4.5V，0.7NC @ 4.5V 42pf @ 16v，49pf @ 16V -
G450N10D52 Goford Semiconductor G450N10D52 0.8700
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN G450 80W（TC） 8-DFN（4.9x5.75） 下载 Rohs符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 100V 35A（TC） 45mohm @ 10a，10v 2.5V @ 250µA 26NC @ 10V 2196pf @ 50V 标准
EFC6611R-A-TF onsemi EFC6611R-A-TF 0.4700
RFQ
 ECAD 230 0.00000000 Onmi * 大部分 积极的 表面安装 6-SMD，没有铅 EFC6611 - 6-CSP（1.77x3.54） - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 -
DMC2053UVT-7 Diodes Incorporated DMC2053UVT-7 0.4200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 DMC2053 MOSFET （金属 o化物） 700MW（TA） TSOT-26 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n和p通道互补 20V 4.6A（ta），3.2a（ta） 35MOHM @ 5A，4.5V，74MOHM @ 3.5A，4.5V 1V @ 250µA 3.6nc @ 4.5V，5.9nc @ 4.5V 369pf @ 10V，440pf @ 10V -
BSO612CVGXUMA1 Infineon Technologies BSO612CVGXUMA1 0.4700
RFQ
 ECAD 5973 0.00000000 Infineon技术 * 胶带和卷轴（（tr） 上次购买 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 2,500
IRFP250S2453 Harris Corporation IRFP250S2453 1.6000
RFQ
 ECAD 450 0.00000000 哈里斯公司 * 大部分 积极的 IRFP250 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 1 -
DI4A7P06SQ2 Diotec Semiconductor DI4A7P06SQ2 -
RFQ
 ECAD 7088 0.00000000 diotec半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） MOSFET （金属 o化物） （3W）（TA） 8-so 下载 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 2796-DI4A7P06SQ2TR 8541.29.0000 1 2个p通道 60V 4.7a（ta） 75MOHM @ 5A，10V 2.3V @ 250µA 8.5nc @ 10V 525pf @ 30V 逻辑级别门
SIZ300DT-T1-GE3 Vishay Siliconix SIZ300DT-T1-GE3 1.1200
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powerwdfn SIZ300 MOSFET （金属 o化物） 16.7W，31W 8-PowerPair® 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（半桥） 30V 11a，28a 24mohm @ 9.8a，10v 2.4V @ 250µA 12nc @ 10V 400pf @ 15V 逻辑级别门
QS8M51TR Rohm Semiconductor QS8M51TR 1.4300
RFQ
 ECAD 36 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 QS8M51 MOSFET （金属 o化物） 1.5W TSMT8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n和p通道 100V 2a，1.5a 325MOHM @ 2A，10V 2.5V @ 1mA 4.7nc @ 5V 290pf @ 25V 逻辑级别门
SQ4940AEY-T1_GE3 Vishay Siliconix SQ4940AEY-T1_GE3 1.1400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Vishay Siliconix 汽车，AEC-Q101，Trenchfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SQ4940 MOSFET （金属 o化物） 4W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 40V 8a 24mohm @ 5.3a，10v 2.5V @ 250µA 43nc @ 10V 741pf @ 20V 逻辑级别门
DMHC6070LSD-13 Diodes Incorporated DMHC6070LSD-13 1.1200
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） DMHC6070 MOSFET （金属 o化物） 1.6W 8-so 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2n和2p通道（半桥） 60V 3.1a，2.4a 100mohm @ 1A，10V 3V @ 250µA 11.5NC @ 10V 731pf @ 20V -
MCCD2007-TP Micro Commercial Co MCCD2007-TP -
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 ECAD 5243 0.00000000 微商业公司 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-WFDFN暴露垫 MCCD2007 MOSFET （金属 o化物） - DFN2030-6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双）公共排水 20V 7a 20mohm @ 7a，10v 1V @ 250µA 15nc @ 4.5V 1150pf @ 10V -
SI6954ADQ-T1-GE3 Vishay Siliconix SI6954ADQ-T1-GE3 0.8800
RFQ
 ECAD 3618 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） SI6954 MOSFET （金属 o化物） 830MW 8-tssop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 3.1a 53MOHM @ 3.4A，10V 1V @ 250µA（250µA） 16NC @ 10V - 逻辑级别门
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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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