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FET，MOSFET（6056）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs （ciss）（最大（ciss） @ vds fet
FDMS3616S onsemi FDMS3616S -
RFQ
 ECAD 8001 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 表面安装 8-POWERTDFN FDMS3616 MOSFET （金属 o化物） 1W Power56 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 25V 16a，18a 6.6mohm @ 16a，10v 2.5V @ 250µA 27nc @ 10V 1765pf @ 13V 逻辑级别门
APTM100H35FTG Microchip Technology APTM100H35FTG 196.8000
RFQ
 ECAD 8025 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SP4 APTM100 MOSFET （金属 o化物） 390W SP4 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 4（n n 通道（半桥） 1000V （1kV） 22a 420MOHM @ 11a，10v 5V @ 2.5mA 186nc @ 10V 5200pf @ 25V -
2SJ418-TL-E-SY Sanyo 2SJ418-TL-E-SY 4.5700
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Sanyo * 大部分 积极的 2SJ418 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 0000.00.0000 700 -
HUF75842S3 Fairchild Semiconductor HUF75842S3 1.5000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Fairchild半导体 * 大部分 积极的 HUF75842 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8542.39.0001 1 -
IRF7103TRPBFXTMA1 Infineon Technologies IRF7103TRPBFXTMA1 0.3972
RFQ
 ECAD 6902 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） MOSFET （金属 o化物） 2W（TA） PG-DSO-8-902 - rohs3符合条件 448-IRF7103TRPBFXTMA1TR 4,000 2 n通道 50V 3A（3A） 130MOHM @ 3A，10V 3V @ 250µA 30nc @ 10V 290pf @ 25V 标准
AON5802BG Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON5802BG -
RFQ
 ECAD 2188 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-WFDFN暴露垫 AON5802 MOSFET （金属 o化物） 3.1W（TA） 6-DFN-EP（2x5） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 785-AON5802BGTR Ear99 8541.29.0095 5,000 2 n 通道（双） 30V 10a（10a） 18mohm @ 7a，4.5V 1.5V @ 250µA 32NC @ 10V 1050pf @ 15V -
GWM100-0085X1-SMD IXYS GWM100-0085x1-SMD -
RFQ
 ECAD 2029 0.00000000 ixys - 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 17-SMD，鸥翼 GWM100 MOSFET （金属 o化物） - ISOPLUS-DIL™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 36 6 n通道（3相桥） 85V 103a 6.2MOHM @ 75A，10V 4V @ 250µA 114NC @ 10V - -
DMN2710UDW-7 Diodes Incorporated DMN2710UDW-7 0.0678
RFQ
 ECAD 1250 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 DMN2710 MOSFET （金属 o化物） 360MW（TA） SOT-363 下载 到达不受影响 31-DMN2710UDW-7TR Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 20V 800mA（ta） 450MOHM @ 600mA，4.5V 1V @ 250µA 0.6NC @ 4.5V 42pf @ 16V -
FDMC0205 Fairchild Semiconductor FDMC0205 0.1900
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 ECAD 188 0.00000000 Fairchild半导体 * 大部分 积极的 FDMC02 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8542.39.0001 3,000 -
DMC2057UVT-13 Diodes Incorporated DMC2057UVT-13 0.0953
RFQ
 ECAD 2804 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 DMC2057 MOSFET （金属 o化物） 700MW（TA） TSOT-26 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 10,000 n和p通道互补 20V 4A（4A），3.3a（ta） 42MOHM @ 5A，4.5V，70MOHM @ 3.5A，4.5V 1.2V @ 250µA，1V @ 250µA 10.5nc @ 10V，6.5NC @ 4.5V 416pf @ 10V，536pf @ 10V -
2N7002DW-7 Diodes Incorporated 2N7002DW-7 -
RFQ
 ECAD 6678 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 在sic中停产 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 2N7002 MOSFET （金属 o化物） 310MW SOT-363 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 60V 230mA 7.5OHM @ 50mA，5V 2V @ 250µA - 50pf @ 25V -
BSZ0910NDXTMA1 Infineon Technologies BSZ0910NDXTMA1 -
RFQ
 ECAD 2009 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn BSZ0910 MOSFET （金属 o化物） 1.9W（TA），31W（tc） PG-Wison-8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 2 n 通道（双） 30V 9.5A（ta），25a tc） 9.5MOHM @ 9A，10V 2V @ 250µA 5.6nc @ 4.5V 800pf @ 15V 逻辑级别门，4.5V驱动器
AON5802A Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON5802A -
RFQ
 ECAD 5911 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-WFDFN暴露垫 AON5802 MOSFET （金属 o化物） 1.7W 6-DFN-EP（2x5） 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 2 n 通道（双）公共排水 30V 7.2a 20mohm @ 7.2a，4.5V 1.5V @ 250µA 10.7nc @ 4.5V 1115pf @ 15V 逻辑级别门
FDMS3600AS onsemi FDMS3600AS -
RFQ
 ECAD 9937 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN FDMS3600 MOSFET （金属 o化物） 2.2W，2.5W Power56 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 25V 15a，30a 5.6mohm @ 15a，10v 2.7V @ 250µA 27nc @ 10V 1770pf @ 13V 逻辑级别门
SI4814BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4814BDY-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 8091 0.00000000 Vishay Siliconix Littlefoot® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SI4814 MOSFET （金属 o化物） 3.3W，3.5W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（半桥） 30V 10a，10.5a 18mohm @ 10a，10v 3V @ 250µA 10NC @ 4.5V - 逻辑级别门
RM4953 Rectron USA RM4953 0.0880
RFQ
 ECAD 8727 0.00000000 美国直发 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） RM495 MOSFET （金属 o化物） 2.5W（TA） 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM4953TR 8541.10.0080 40,000 2（p 通道（双） 30V 5.1a（ta） 55mohm @ 5.1A，10V 3V @ 250µA 11NC @ 10V 520pf @ 15V -
RF3S49092SM9A Fairchild Semiconductor RF3S49092SM9A 2.8100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-263-6，D²Pak（5 + tab），TO-263BA RF3S49092 MOSFET （金属 o化物） 50W（TC） TO-263-5 下载 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8541.29.0095 1 n和p通道 12V 20A（TC），10A （TC） 60mohm @ 20a，5v，140Mohm @ 10a，5v 1V @ 250µA 25nc @ 10v，24nc @ 10v 750pf @ 10V，775pf @ 10V 逻辑级别门
SIL2308-TP-HF Micro Commercial Co SIL2308-TP-HF -
RFQ
 ECAD 4129 0.00000000 微商业公司 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6 SIL2308 MOSFET （金属 o化物） - SOT-23-6L 下载 353-SIL2308-TP-HF Ear99 8541.29.0095 1 - 20V 5a，4a 38mohm @ 4.5A，4.5V，90MOHM @ 500mA，4.5V 1V @ 250µA 11NC @ 4.5V，12nc @ 2.5V 800pf @ 8v，405pf @ 10V 标准
SQ4946AEY-T1_GE3 Vishay Siliconix SQ4946AEY-T1_GE3 -
RFQ
 ECAD 3595 0.00000000 Vishay Siliconix 汽车，AEC-Q101，Trenchfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SQ4946 MOSFET （金属 o化物） 4W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 60V 7a 40mohm @ 4.5A，10V 2.5V @ 250µA 18NC @ 10V 750pf @ 25V 逻辑级别门
EM6K7T2CR Rohm Semiconductor EM6K7T2CR 0.4200
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 EM6K7 MOSFET （金属 o化物） 150MW EMT6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 8,000 2 n 通道（双） 20V 200ma（ta） 1.2OHM @ 200mA，2.5V 1V @ 1mA - 25pf @ 10V -
DMT6011LPDW-13 Diodes Incorporated DMT6011LPDW-13 0.3608
RFQ
 ECAD 3726 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN DMT6011 MOSFET （金属 o化物） 2.5W（TA），37.9W（tc） PowerDI5060-8（type UXD） 下载 到达不受影响 31-DMT6011LPDW-13TR Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 60V 10.3a（ta），40a tc） 14mohm @ 10a，10v 2.5V @ 250µA 22.2nc @ 10V 1072pf @ 30V -
DMC2990UDJQ-7-52 Diodes Incorporated DMC2990UDJQ-7-52 0.0839
RFQ
 ECAD 4654 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-963 DMC2990 MOSFET （金属 o化物） 350MW（TA） SOT-963 下载 31-DMC2990UDJQ-7-52 Ear99 8541.21.0095 10,000 n和p通道互补 20V 450mA（ta），310mA（ta） 990MOHM @ 100mA，4.5V，1.9OHM @ 100mA，4.5V 1V @ 250µA 0.5NC @ 4.5V，0.4NC @ 4.5V 27.6pf @ 15V，28.7pf @ 15V 标准
SMA5117 Sanken SMA5117 18.9000
RFQ
 ECAD 31 0.00000000 桑肯 - 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 12-sip SMA51 MOSFET （金属 o化物） 4W 12-sip 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） SMA5117 DK Ear99 8541.29.0095 18 6 n通道（3相桥） 250V 7a 250mohm @ 3.5A，10V 4V @ 1mA - 850pf @ 10V -
UPA2561T1H-T1-AT Renesas Electronics America Inc UPA2561T1H-T1-AT 0.3800
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 大部分 过时的 表面安装 8-SMD，平坦的铅 UPA2561 MOSFET （金属 o化物） 2.2W 8-VSOF - 不适用 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 20V 4.5a 50MOHM @ 2A，4.5V 1.5V @ 1mA 5.4NC @ 4.5V 455pf @ 10V 逻辑级别门
CSD86350Q5D Texas Instruments CSD86350Q5D 2.7700
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Texas Instruments NexFet™ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powerldfn CSD86350Q5 MOSFET （金属 o化物） 13W 8-lson（5x6） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（半桥） 25V 40a 6mohm @ 20a，8v 2.1V @ 250µA 10.7nc @ 4.5V 1870pf @ 12.5V 逻辑级别门
SQ4940AEY-T1_GE3 Vishay Siliconix SQ4940AEY-T1_GE3 1.1400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Vishay Siliconix 汽车，AEC-Q101，Trenchfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SQ4940 MOSFET （金属 o化物） 4W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 40V 8a 24mohm @ 5.3a，10v 2.5V @ 250µA 43nc @ 10V 741pf @ 20V 逻辑级别门
DMN65D8LDWQ-13 Diodes Incorporated DMN65D8LDWQ-13 0.0690
RFQ
 ECAD 2100 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 DMN65 MOSFET （金属 o化物） 300MW SOT-363 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10,000 2 n 通道（双） 60V 180mA 6ohm @ 115mA，10v 2V @ 250µA 0.87NC @ 10V 22pf @ 25V 逻辑级别门
QS8M51TR Rohm Semiconductor QS8M51TR 1.4300
RFQ
 ECAD 36 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 QS8M51 MOSFET （金属 o化物） 1.5W TSMT8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n和p通道 100V 2a，1.5a 325MOHM @ 2A，10V 2.5V @ 1mA 4.7nc @ 5V 290pf @ 25V 逻辑级别门
VMM650-01F IXYS VMM650-01F -
RFQ
 ECAD 3935 0.00000000 ixys Hiperfet™ 盒子 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 y3-li VMM650 MOSFET （金属 o化物） - y3-li 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2 2 n 通道（双） 100V 680a 2.2MOHM @ 500A，10V 4V @ 30mA 1440NC @ 10V - -
SI4967DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4967DY-T1-E3 -
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 ECAD 2784 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SI4967 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2（p 通道（双） 12V - 23mohm @ 7.5a，4.5V 450mv @ 250µA（250µA）） 55nc @ 10V - 逻辑级别门
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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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