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FET，MOSFET（6056）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet
APTM120A20SG	318.1600	RFQ	3309	微芯片技术	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP6	APTM120	MOSFET （金属 o化物）	1250W	SP6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（半桥）	1200V（1.2kV）	50a	240mohm @ 25a，10v	5V @ 6mA	600NC @ 10V	15200pf @ 25V	-
UPA2791GR-E1-AT	0.7200	RFQ	90	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-SOIC （0.173“，4.40mm宽度）	UPA2791	MOSFET （金属 o化物）	2W	8-psop	-	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	3,000	n和p通道	30V	5a	36mohm @ 3a，10v	2.5V @ 1mA	10NC @ 10V	400pf @ 10V	逻辑级别门
2N7002VA	0.2800	RFQ	12	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	2N7002	MOSFET （金属 o化物）	250MW	SOT-563F	下载					Ear99	8541.21.0095	1,078	2 n 通道（双）	60V	280mA	7.5OHM @ 50mA，5V	2.5V @ 250µA	-	50pf @ 25V	逻辑级别门
PMGD780SN，115	0.4000	RFQ	18	Nexperia USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	PMGD780	MOSFET （金属 o化物）	410MW	6-TSSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）	60V	490mA	920MOHM @ 300mA，10V	2.5V @ 250µA	1.05NC @ 10V	23pf @ 30V	逻辑级别门
CTLDM8120-M832D BK	-	RFQ	7462	中央半导体公司	-	大部分	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-tdfn暴露垫	CTLDM8120	MOSFET （金属 o化物）	1.65W（TA）	TLM832D	下载				1514-CTLDM8120-M832DBK	Ear99	8541.29.0095	1	2（p 通道（双）	20V	860ma（ta）	150MOHM @ 950mA，4.5V	1V @ 250µA	3.56NC @ 10V	200pf @ 16V	逻辑级别门
FDR8702H	-	RFQ	4789	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-lsop （0.130英寸，宽3.30mm）	FDR87	MOSFET （金属 o化物）	800MW	Supersot™-8	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n和p通道	20V	3.6a，2.6a	38mohm @ 3.6A，4.5V	1.5V @ 250µA	10NC @ 4.5V	650pf @ 10V	逻辑级别门
NVMFD5853NLWFT1G	-	RFQ	4128	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	NVMFD5853	MOSFET （金属 o化物）	3W	8-dfn（5x6）（SO8FL偶）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500	2 n 通道（双）	40V	12a	10mohm @ 15a，10v	2.4V @ 250µA	23nc @ 10V	1100pf @ 25V	逻辑级别门
APTM10HM09FTG	-	RFQ	5229	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP4	APTM10	MOSFET （金属 o化物）	390W	SP4	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	4（n n 通道（半桥）	100V	139a	10mohm @ 69.5a，10v	4V @ 2.5mA	350NC @ 10V	9875pf @ 25V	-
AO6804A	-	RFQ	2484	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-74，SOT-457	AO680	MOSFET （金属 o化物）	1.3W	6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）公共排水	20V	5a	28mohm @ 5A，4.5V	1V @ 250µA	7.5NC @ 4.5V	225pf @ 10V	逻辑级别门
BSS138DW-7-F-50	0.1033	RFQ	8147	二极管合并	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	BSS138	MOSFET （金属 o化物）	200mw（ta）	SOT-363	下载		（1 （无限）		31-BSS138DW-7-F-50	Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n通道	50V	200ma（ta）	3.5OHM @ 220mA，10V	1.5V @ 250µA	-	50pf @ 10V	标准
STMFS4854NST1G-ON	0.6200	RFQ	67	Onmi	*	大部分	积极的				STMFS4854	-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1,500								-
IRF7331	-	RFQ	2428	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF733	MOSFET （金属 o化物）	2W	8-so	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF7331	Ear99	8541.29.0095	95	2 n 通道（双）	20V	7a	30mohm @ 7A，4.5V	1.2V @ 250µA	20NC @ 4.5V	1340pf @ 16V	逻辑级别门
PMGD175XNEX	-	RFQ	5004	NXP半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	PMGD175	MOSFET （金属 o化物）	260MW（TA）	SOT-363	下载					Ear99	8541.21.0095	1	2 n 通道（双）	30V	870ma（ta）	252MOHM @ 900mA，4.5V	1.25V @ 250µA	1.65nc @ 4.5V	81pf @ 15V	-
APTC60TAM35PG	257.8900	RFQ	2803	微芯片技术	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP6	APTC60	MOSFET （金属 o化物）	416W	sp6-p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	6 n通道（3相桥）	600V	72a	35mohm @ 72a，10v	3.9V @ 5.4mA	518nc @ 10V	14000pf @ 25V	-
G33N03D3	0.1420	RFQ	40	戈福德半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	G33n	MOSFET （金属 o化物）	18.5W（TC）	8-DFN （3x3）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	2 n 通道（双）	30V	30A（TC）	13mohm @ 18a，10v	2.5V @ 250µA	15nc @ 10V	1530pf @ 15V	-
SSM6N35AFU，LF	0.4300	RFQ	3	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SSM6N35	MOSFET （金属 o化物）	285MW（TA）	US6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）	20V	250mA（ta）	1.1OHM @ 150mA，4.5V	1V @ 100µA	0.34NC @ 4.5V	36pf @ 10V	-
DMN2022UDH-13	0.1949	RFQ	3481	二极管合并	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的				DMN2022	-			-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响			0000.00.0000	10,000								-
IRFI4020H-117PXKMA1	3.3100	RFQ	1	Infineon技术	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-5完整包，形成的线索	IRFI4020	MOSFET （金属 o化物）	21W（TC）	TO-220-5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	2 n 通道（双）	200V	9.1A（TC）	100mohm @ 5.5A，10V	4.9V @ 100µA	29nc @ 10V	1240pf @ 25V	-
RFD14N05S2515	0.3100	RFQ	1023	哈里斯公司	*	大部分	积极的				RFD14	-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定				900								-
NTQD6968N	-	RFQ	1200	Onmi	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	NTQD69	MOSFET （金属 o化物）	1.39W	8-tssop	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	100	2 n 通道（双）	20V	6.2a	22mohm @ 7A，4.5V	1.2V @ 250µA	17nc @ 4.5V	630pf @ 16V	逻辑级别门
CSD87335Q3D	1.6000	RFQ	4	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerldfn	CSD87335Q3	MOSFET （金属 o化物）	6W	8-lson（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）	30V	-	-	1.9V @ 250µA	7.4NC @ 4.5V	1050pf @ 15V	-
NX6008NBKSX	0.3700	RFQ	25	Nexperia USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	NX6008	MOSFET （金属 o化物）	260MW（TA），1.3W（tc）	6-TSSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）	60V	220mA（ta）	2.7OHM @ 300mA，4.5V	900mv @ 250µA	0.7NC @ 4.5V	27pf @ 30V	-
FW344A-TL-2WX	-	RFQ	9618	Onmi	-	大部分	过时的	-	-	-	FW344	-	-	-	-		不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	-	-	-	-	-	-	-	-
FF23MR12W1M1B11BOMA1	98.1400	RFQ	315	Infineon技术	COOLSIC™+	托盘	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	FF23MR12	（SIC）	20mw	模块	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	SP001602224	Ear99	8541.21.0095	24	2 n 通道（双）	1200V（1.2kV）	50a	23mohm @ 50a，15v	5.55V @ 20mA	125nc @ 15V	3950pf @ 800V	-
BUK7K35-60EX	-	RFQ	9164	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-12205，8-LFPAK56	buk7k35	MOSFET （金属 o化物）	38W	LFPAK56D	下载					Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（双）	60V	20.7a	30mohm @ 5a，10v	4V @ 1mA	12.5nc @ 10V	794pf @ 25V	-
AO5804E	-	RFQ	9253	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	AO580	MOSFET （金属 o化物）	280MW	SC-89-6	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）	20V	500mA	550MOHM @ 500mA，4.5V	1V @ 250µA	1NC @ 4.5V	45pf @ 10V	逻辑级别门
BSL308PEH6327XTSA1	0.7100	RFQ	5570	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	BSL308	MOSFET （金属 o化物）	500MW	PG-TSOP6-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2（p 通道（双）	30V	2a	80mohm @ 2a，10v	1V @ 11µA	5NC @ 10V	500pf @ 15V	逻辑级别门，4.5V驱动器
SI9926CDY-T1-GE3	1.0700	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI9926	MOSFET （金属 o化物）	3.1W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）	20V	8a	18mohm @ 8.3a，4.5V	1.5V @ 250µA	33nc @ 10V	1200pf @ 10V	逻辑级别门
DMN53D0LV-7	0.4400	RFQ	84	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	DMN53	MOSFET （金属 o化物）	430MW（TA）	SOT-563	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）	50V	350mA（ta）	1.6ohm @ 500mA，10v	1.5V @ 250µA	0.6NC @ 4.5V	46pf @ 25V	-
IPG20N04S4L18AATMA1	1.0900	RFQ	4	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™-T2	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	8-Powervdfn	IPG20N	MOSFET （金属 o化物）	26W（TC）	PG-TDSON-8-10	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	2 n 通道（双）	40V	20A（TC）	18mohm @ 17a，10v	2.2V @ 8µA	15nc @ 10V	1071pf @ 25V	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

FET，MOSFET（6056）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²