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FET，MOSFET（6056）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | （VDSS） | 电流 -id（ID） @ 25°C | RDS（最大值） @ ID，VGS | VGS（TH）（最大） @ ID | （QG））（最大） @ vgs | （ciss）（最大（ciss） @ vds | fet |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | DMN3055LFDBQ-13 | 0.1137 |  | 2158 | 0.00000000 | 二极管合并 | 汽车，AEC-Q101 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 6-udfn暴露垫 | DMN3055 | - | 810MW（TA） | U-DFN2020-6（B型） | 下载 | 到达不受影响 | 31-DMN3055LFDBQ-13TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 10,000 | 2 n 通道（双） | 30V | 5A（5A） | 40mohm @ 3A，4.5V | 1.5V @ 250µA | 11.2nc @ 10V | 458pf @ 15V | - | |||
 | SIZ904DT-T1-GE3 | 0.4969 | | 9768 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 6-PowerPair™ | SIZ904 | MOSFET （金属 o化物） | 20W，33W | 6-PowerPair™ | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道（半桥） | 30V | 12a，16a | 24mohm @ 7.8a，10v | 2.5V @ 250µA | 12nc @ 10V | 435pf @ 15V | 逻辑级别门 | |||
 | SI7964DP-T1-E3 | - | | 3245 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | POWERPAK®SO-8 | SI7964 | MOSFET （金属 o化物） | 1.4W | POWERPAK®SO-8 | - | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 60V | 6.1a | 23mohm @ 9.6a，10v | 4.5V @ 250µA | 65nc @ 10V | - | - | ||
 | DMC3028LSD-13 | 0.5500 | | 5233 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | DMC3028 | MOSFET （金属 o化物） | 1.8W | 8-so | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n和p通道 | 30V | 6.6a，6.8a | 28mohm @ 6a，10v | 3V @ 250µA | 10.5NC @ 10V | 472pf @ 15V | 逻辑级别门 | ||
 | BSO615NGXUMA1 | 1.1700 | | 27 | 0.00000000 | Infineon技术 | 汽车，AEC-Q101，SIPMOS® | 胶带和卷轴（（tr） | 上次购买 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | BSO615 | MOSFET （金属 o化物） | 2W（TA） | PG-DSO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 通道（双） | 60V | 2.6a | 150MOHM @ 2.6a，4.5V | 2V @ 20µA | 20NC @ 10V | 380pf @ 25V | 逻辑级别门 | ||
 | SI5515CDC-T1-E3 | 0.8300 | | 6506 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-SMD，平坦的铅 | SI5515 | MOSFET （金属 o化物） | 3.1W | 1206-8 chipfet™ | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n和p通道 | 20V | 4A（TC） | 36mohm @ 6a，4.5V | 800MV @ 250µA | 11.3nc @ 5V | 632pf @ 10V | 逻辑级别门 | ||
 | NTQD6968NR2 | - | | 2948 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） | NTQD69 | MOSFET （金属 o化物） | 1.39W | 8-tssop | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 4,000 | 2 n 通道（双） | 20V | 6.2a | 22mohm @ 7A，4.5V | 1.2V @ 250µA | 17nc @ 4.5V | 630pf @ 16V | 逻辑级别门 | ||
 | AON6946 | 0.2406 | | 6433 | 0.00000000 | Alpha＆欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Powervdfn | AON694 | MOSFET （金属 o化物） | 3.5W，3.9W | 8-DFN（5x6） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道（半桥） | 30V | 14a，18a | 11.6mohm @ 13A，10V | 2.2V @ 250µA | 15nc @ 10V | 485pf @ 15V | 逻辑级别门 | ||
 | VHM40-06P1 | - | | 9598 | 0.00000000 | ixys | - | 盒子 | 积极的 | -40°C〜150°C（TJ） | 底盘安装 | Eco-PAC2 | VHM40 | MOSFET （金属 o化物） | - | Eco-PAC2 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | 2 n 通道（双） | 600V | 38a | 70mohm @ 25a，10v | 5.5V @ 3mA | 220NC @ 10V | - | - | ||
| AO8810＃a | - | | 1489 | 0.00000000 | Alpha＆欧米茄半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） | AO881 | MOSFET （金属 o化物） | 1.5W | 8-tssop | - | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n 通道（双）公共排水 | 20V | 7a | 20mohm @ 7A，4.5V | 1.1V @ 250µA | 14NC @ 4.5V | 1295pf @ 10V | 逻辑级别门 | |||
 | CSD87313DMST | 2.2700 | | 1 | 0.00000000 | Texas Instruments | NexFet™ | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Powerwdfn | CSD87313 | MOSFET （金属 o化物） | 2.7W | 8-wson（3.3x3.3） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 250 | 2 n 通道（双）公共排水 | 30V | - | - | 1.2V @ 250µA | 28nc @ 4.5V | 4290pf @ 15V | - | ||
 | PMGD290XN，115 | 0.4400 | | 271 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Trenchmos™ | 胶带和卷轴（（tr） | 不适合新设计 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | PMGD290 | MOSFET （金属 o化物） | 410MW | 6-TSSOP | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 20V | 860mA | 350MOHM @ 200MA，4.5V | 1.5V @ 250µA | 0.72NC @ 4.5V | 34pf @ 20V | 逻辑级别门 | ||
| MSCSM120TAM31T3AG | 306.5600 | | 2039 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜175°C（TJ） | 底盘安装 | 模块 | MSCSM120 | （SIC） | 395W（TC） | - | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 150-MSCSM120TAM31T3AG | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 6 n通道（3相桥） | 1200V（1.2kV） | 89A（TC） | 31mohm @ 40a，20v | 2.8V @ 3mA | 232nc @ 20v | 3020pf @ 1000V | - | |
 | IPG20N04S4L07ATMA1 | 1.9100 | | 4 | 0.00000000 | Infineon技术 | 汽车，AEC-Q101，Optimos™ | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 表面安装 | 8-Powervdfn | IPG20N | MOSFET （金属 o化物） | 65W | PG-TDSON-8-4 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | 2 n 通道（双） | 40V | 20a | 7.2mohm @ 17a，10v | 2.2V @ 30µA | 50NC @ 10V | 3980pf @ 25V | 逻辑级别门 | ||
| SI5920DC-T1-E3 | - | | 8082 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-SMD，平坦的铅 | SI5920 | MOSFET （金属 o化物） | 3.12W | 1206-8 chipfet™ | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 8V | 4a | 32mohm @ 6.8a，4.5V | 1V @ 250µA | 12nc @ 5V | 680pf @ 4V | 逻辑级别门 | ||
 | BSG0813NDIATMA1 | 2.7900 | | 6371 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜155°C（TJ） | 表面安装 | 8-POWERTDFN | BSG0813 | MOSFET （金属 o化物） | 2.5W | PG-Tison-8 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | 2 n 通道（双） | 25V | 19a，33a | 3mohm @ 20a，10v | 2V @ 250µA | 8.4nc @ 4.5V | 1100pf @ 12V | 逻辑级别门，4.5V驱动器 | ||
 | SSM6N48FU，LF | 0.4500 | | 3 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | U-Mosiii | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 150°C | 表面安装 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | SSM6N48 | MOSFET （金属 o化物） | 300MW | US6 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 30V | （100mA）（TA） | 3.2OHM @ 10mA，4V | 1.5V @ 100µA | - | 15.1pf @ 3V | - | |||
 | NTMFD4C87NT3G | - | | 6636 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-POWERTDFN | NTMFD4 | MOSFET （金属 o化物） | 1.1W | 8-DFN（5x6） | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | 2 n 通道（双） | 30V | 11.7a，14.9a | 5.4mohm @ 30a，10v | 2.2V @ 250µA | 22.2nc @ 10V | 1252pf @ 15V | - | |||
 | FDS4935BZ | 0.9500 | | 22 | 0.00000000 | Onmi | PowerTrench® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | FDS49 | MOSFET （金属 o化物） | 900MW | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 2,500 | 2（p 通道（双） | 30V | 6.9a | 22mohm @ 6.9a，10v | 3V @ 250µA | 40NC @ 10V | 1360pf @ 15V | 逻辑级别门 | ||
| GWM220-004P3-SMD | - | | 7525 | 0.00000000 | ixys | - | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C（TJ） | 表面安装 | 17-SMD，鸥翼 | GWM220 | MOSFET （金属 o化物） | - | ISOPLUS-DIL™ | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 36 | 6 n通道（3相桥） | 40V | 180a | - | 4V @ 1mA | 94NC @ 10V | - | - | |||
 | IRFI4019H-117PXKMA1 | 2.9900 | | 1269 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通过洞 | TO-220-5完整包，形成的线索 | IRFI4019 | MOSFET （金属 o化物） | 18W（TC） | TO-220-5 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 2 n 通道（双） | 150V | 8.7A（TC） | 95MOHM @ 5.2A，10V | 4.9V @ 50µA | 20NC @ 10V | 810pf @ 25V | - | ||
 | CSD88537NDT | 1.6600 | | 5 | 0.00000000 | Texas Instruments | NexFet™ | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | CSD88537 | MOSFET （金属 o化物） | 2.1W | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 250 | 2 n 通道（双） | 60V | 15a | 15mohm @ 8a，10v | 3.6V @ 250µA | 18NC @ 10V | 1400pf @ 30V | - | ||
| APTM50DUM38TG | - | | 8709 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜150°C（TJ） | 底盘安装 | SP4 | APTM50 | MOSFET （金属 o化物） | 694W | SP4 | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n 通道（双） | 500V | 90a | 45MOHM @ 45A，10V | 5V @ 5mA | 246nc @ 10V | 11200pf @ 25V | - | |||
| IRF9910 | - | | 6308 | 0.00000000 | Infineon技术 | Hexfet® | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | IRF99 | MOSFET （金属 o化物） | 2W | 8-so | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | *IRF9910 | Ear99 | 8541.29.0095 | 95 | 2 n 通道（双） | 20V | 10a，12a | 13.4mohm @ 10a，10v | 2.55V @ 250µA | 11NC @ 4.5V | 900pf @ 10V | 逻辑级别门 | |
 | SI7904DN-T1-E3 | - | | 5923 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | POWERPAK®1212-8 | SI7904 | MOSFET （金属 o化物） | 1.3W | POWERPAK®1212-8 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 20V | 5.3a | 30mohm @ 7.7a，4.5V | 1V @ 935µA | 15nc @ 4.5V | - | 逻辑级别门 | ||
 | FDC6304P | - | | 4090 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | SOT-23-6薄，TSOT-23-6 | FDC6304 | MOSFET （金属 o化物） | 700MW | SuperSot™-6 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2（p 通道（双） | 25V | 460mA | 1.1OHM @ 500mA，4.5V | 1.5V @ 250µA | 1.5NC @ 4.5V | 62pf @ 10V | 逻辑级别门 | ||
| 2SK1949L-E | 1.5000 | | 4 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 大部分 | 积极的 | 2SK1949 | - | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 0000.00.0000 | 201 | - | ||||||||||||||
 | IRFHS9351TRPBF | 0.8900 | | 5 | 0.00000000 | Infineon技术 | Hexfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 6-VQFN暴露垫 | IRFHS9351 | MOSFET （金属 o化物） | 1.4W | 6-PQFN （2x2） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 4,000 | 2（p 通道（双） | 30V | 2.3a | 170MOHM @ 3.1A，10V | 2.4V @ 10µA | 3.7nc @ 10V | 160pf @ 25V | 逻辑级别门 | ||
 | 2N7002DW-TP | 0.4000 | | 1 | 0.00000000 | 微商业公司 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | 2N7002 | MOSFET （金属 o化物） | 200MW | SOT-363 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 60V | 115mA | 7.5OHM @ 50mA，5V | 2V @ 250µA | - | 50pf @ 25V | - | ||
 | SI5519DU-T1-GE3 | - | | 9381 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | POWERPAK®CHIPFET™双重 | SI5519 | MOSFET （金属 o化物） | 10.4W | PowerPak®Chipfet双重 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n和p通道 | 20V | 6a | 36mohm @ 6.1a，4.5V | 1.8V @ 250µA | 17.5nc @ 10V | 660pf @ 10V | - |
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