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FET，MOSFET（6056）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs （ciss）（最大（ciss） @ vds fet
AO3415B Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO3415B -
RFQ
 ECAD 8326 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 * 大部分 过时的 - AO34 - - - （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 -
FDY3000NZ onsemi FDY3000NZ 0.4200
RFQ
 ECAD 9496 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 FDY3000 MOSFET （金属 o化物） 446MW SOT-563F 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 20V 600mA 700MOHM @ 600mA，4.5V 1.3V @ 250µA 1.1NC @ 4.5V 60pf @ 10V 逻辑级别门
SI5936DU-T1-GE3 Vishay Siliconix SI5936DU-T1-GE3 0.6700
RFQ
 ECAD 89 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 POWERPAK®CHIPFET™双重 SI5936 MOSFET （金属 o化物） 10.4W PowerPak®Chipfet双重 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 6a 30mohm @ 5a，10v 2.2V @ 250µA 11NC @ 10V 320pf @ 15V 逻辑级别门
STS8DNH3LL STMicroelectronics STS8DNH3LL -
RFQ
 ECAD 1025 0.00000000 Stmicroelectronics StripFet™III 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） sts8dn MOSFET （金属 o化物） 2W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 30V 8a 22mohm @ 4a，10v 1V @ 250µA 10NC @ 4.5V 857pf @ 25V 逻辑级别门
DMN6040SSD-13 Diodes Incorporated DMN6040SSD-13 0.5800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） DMN6040 MOSFET （金属 o化物） 1.3W 8-so 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 60V 5a 40mohm @ 4.5A，10V 3V @ 250µA 22.4NC @ 10V 1287pf @ 25V 逻辑级别门
XN0187200L Panasonic Electronic Components XN0187200L -
RFQ
 ECAD 9636 0.00000000 松下电子组件 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 SC-74A，SOT-753 XN0187200 MOSFET （金属 o化物） 300MW mini5-g1 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 50V 100mA 50ohm @ 20mA，5v 3.5V @ 100µA - 15pf @ 5V -
SP8J1FU6TB Rohm Semiconductor SP8J1FU6TB -
RFQ
 ECAD 7343 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 - 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SP8J1 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-sop - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2（p 通道（双） 30V 5a 42MOHM @ 5A，10V 2.5V @ 1mA 16nc @ 5V 1400pf @ 10V 逻辑级别门
ALD114904PAL Advanced Linear Devices Inc. ALD114904PAL 5.8118
RFQ
 ECAD 4355 0.00000000 高级线性设备公司 epad® 管子 积极的 0°C 〜70°C（TJ） 通过洞 8 点点（0.300英寸，7.62mm） ALD114904 MOSFET （金属 o化物） 500MW 8-pdip 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 1014-1063 Ear99 8541.21.0095 50 2（n n 通道（双） 10.6V 12mA，3mA 500OHM @ 3.6V 360mv @ 1µA - 2.5pf @ 5V 耗尽模式
FDS6875 Fairchild Semiconductor FDS6875 -
RFQ
 ECAD 4871 0.00000000 Fairchild半导体 PowerTrench® 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） FDS68 MOSFET （金属 o化物） 900MW 8-SOIC 下载 0000.00.0000 1 2（p 通道（双） 20V 6a 30mohm @ 6a，4.5V 1.5V @ 250µA 31nc @ 5V 2250pf @ 10V 逻辑级别门
BSL308CH6327XTSA1 Infineon Technologies BSL308CH6327XTSA1 0.7500
RFQ
 ECAD 6147 0.00000000 Infineon技术 汽车，AEC-Q101，Optimos™ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 BSL308 MOSFET （金属 o化物） 500MW PG-TSOP6-6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n和p通道互补 30V 2.3a，2a 57MOHM @ 2.3a，10V 2V @ 11µA 1.5NC @ 10V 275pf @ 15V 逻辑级别门，4.5V驱动器
SI1900DL-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1900DL-T1-GE3 0.6100
RFQ
 ECAD 4465 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 SI1900 MOSFET （金属 o化物） 300MW，270MW SC-70-6 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 630ma（ta），590ma（ta） 480MOHM @ 590mA，10V 3V @ 250µA 1.4NC @ 10V - -
BSM300D12P4G101 Rohm Semiconductor BSM300D12P4G101 965.0400
RFQ
 ECAD 5353 0.00000000 Rohm半导体 - 盒子 积极的 175°C（TJ） 底盘安装 模块 BSM300 （SIC） 925W（TC） 模块 下载 （1 （无限） 846-BSM300D12P4G101 4 2 n通道 1200V 291a（TC） - 4.8V @ 145.6mA - 30000pf @ 10V 标准
ZXMC6A09DN8TA Diodes Incorporated ZXMC6A09DN8TA 1.9800
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） ZXMC6A09 MOSFET （金属 o化物） 1.8W 8-so 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 500 n和p通道 60V 3.9a，3.7a 45mohm @ 8.2a，10v 1V @ 250µA（250µA） 24.2nc @ 10V 1407pf @ 40V 逻辑级别门
SI5975DC-T1-E3 Vishay Siliconix SI5975DC-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 9278 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 SI5975 MOSFET （金属 o化物） 1.1W 1206-8 chipfet™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2（p 通道（双） 12V 3.1a 86mohm @ 3.1a，4.5V 450mv @ 1ma （最小） 9NC @ 4.5V - 逻辑级别门
DMN10H220LDV-13 Diodes Incorporated DMN10H220LDV-13 0.1612
RFQ
 ECAD 5753 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn DMN10 MOSFET （金属 o化物） 1.8W（TA），40W（TC） PowerDI3333-8（UXC） 下载 到达不受影响 31-DMN10H220LDV-13TR Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 100V 10.5A（TC） 222MOHM @ 2A，10V 2.5V @ 250µA 6.7nc @ 10V 366pf @ 50V -
DMN3013LDG-7 Diodes Incorporated DMN3013LDG-7 0.3398
RFQ
 ECAD 3819 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powerldfn DMN3013 MOSFET （金属 o化物） 2.16W（TA） POWERDI3333-8（d型） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 2 n 通道（双） 30V 9.5A（ta），15a （TC） 14.3MOHM @ 4A，8V 1.2V @ 250µA 5.7nc @ 4.5V 600pf @ 15V -
MSCSM70AM10CT3AG Microchip Technology MSCSM70AM10CT3AG 256.3000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 微芯片技术 - 管子 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 底盘安装 模块 MSCSM70 （SIC） 690W（TC） SP3F 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 150-MSCSM70AM10CT3AG Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（相腿） 700V 241a（TC） 9.5MOHM @ 80a，20V 2.4V @ 8mA 430NC @ 20V 9000pf @ 700V -
SI4532DY onsemi SI4532DY 1.3300
RFQ
 ECAD 34 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SI4532 MOSFET （金属 o化物） 900MW 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,500 n和p通道 30V 3.9a，3.5a 65MOHM @ 3.9A，10V 3V @ 250µA 15nc @ 10V 235pf @ 10V -
CBB021M12FM3T Wolfspeed, Inc. CBB021M12FM3T 182.9200
RFQ
 ECAD 1208 0.00000000 Wolfspeed，Inc。 - 盒子 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 模块 CBB021 （SIC） 10MW - 下载 不适用 1697-CBB021M12FM3T 18 （4 n 通道（全桥） 1200V（1.2kV） 50a（TJ） 28.9mohm @ 30a，15v 3.9V @ 17mA 162nc @ 15V 5400pf @ 1000V （SIC）
STS4DNF30L STMicroelectronics STS4DNF30L -
RFQ
 ECAD 6127 0.00000000 Stmicroelectronics StripFet™ 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） STS4D MOSFET （金属 o化物） 2W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 30V 4a 50MOHM @ 2A，10V 1V @ 250µA 9NC @ 10V 330pf @ 25V 逻辑级别门
DMC2400UV-13 Diodes Incorporated DMC2400UV-13 0.4000
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 DMC2400 MOSFET （金属 o化物） 450MW SOT-563 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 10,000 n和p通道 20V 1.03a，700mA 480MOHM @ 200MA，5V 900mv @ 250µA 0.5NC @ 4.5V 37.1pf @ 10V -
APTC80H29SCTG Microchip Technology APTC80H29SCTG 144.7313
RFQ
 ECAD 8251 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SP4 APTC80 MOSFET （金属 o化物） 156W SP4 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 4（n n 通道（半桥） 800V 15a 290MOHM @ 7.5A，10V 3.9V @ 1mA 91nc @ 10V 2254pf @ 25V -
MSCSM120AM11T3AG Microchip Technology MSCSM120AM11T3AG 310.6600
RFQ
 ECAD 6814 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 底盘安装 模块 MSCSM120 （SIC） 1.067kW（TC） - 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 150-MSCSM120AM11T3AG Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（相腿） 1200V（1.2kV） 254a（TC） 10.4mohm @ 120A，20V 2.8V @ 9mA 696nc @ 20V 9060pf @ 1000V -
ALD110908APAL Advanced Linear Devices Inc. ALD110908APAL 7.8996
RFQ
 ECAD 4117 0.00000000 高级线性设备公司 epad® 管子 积极的 0°C 〜70°C（TJ） 通过洞 8 点点（0.300英寸，7.62mm） ALD110908 MOSFET （金属 o化物） 500MW 8-pdip 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 1014-1038 Ear99 8541.21.0095 50 2（n n 通道（双） 10.6V 12mA，3mA 500OHM @ 4.8V 810mv @ 1µA - 2.5pf @ 5V -
FDMS7620S Fairchild Semiconductor FDMS7620 1.0000
RFQ
 ECAD 5147 0.00000000 Fairchild半导体 PowerTrench® 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powerwdfn FDMS7620 MOSFET （金属 o化物） 1W Power56 下载 Ear99 8542.39.0001 1 2 n 通道（双） 30V 10.1a，12.4a 20mohm @ 10.1a，10v 3V @ 250µA 11NC @ 10V 608pf @ 15V 逻辑级别门
TSM6968DCA RVG Taiwan Semiconductor Corporation TSM6968DCA RVG 1.8100
RFQ
 ECAD 318 0.00000000 台湾半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） TSM6968 MOSFET （金属 o化物） 1.04W 8-tssop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 20V 6.5A（TC） 22mohm @ 6a，4.5V 1V @ 250µA 15nc @ 4.5V 950pf @ 10V -
AOC3862 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOC3862 0.4036
RFQ
 ECAD 8090 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 alphamos 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-XDFN AOC386 MOSFET （金属 o化物） 2.5W 6-DFN（3.55x1.77） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 2 n 通道（双）公共排水 - - - 1.25V @ 250µA 46nc @ 4.5V - -
FDM2509NZ onsemi FDM2509NZ -
RFQ
 ECAD 2232 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-udfn暴露垫 FDM2509 MOSFET （金属 o化物） 800MW Microfet 2x2薄 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 20V 8.7a 18mohm @ 8.7a，4.5V 1.5V @ 250µA 17nc @ 4.5V 1200pf @ 10V 逻辑级别门
APTM50AM24SCG Microchip Technology APTM50AM24SCG 367.0600
RFQ
 ECAD 8784 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SP6 APTM50 （SIC） 1250W SP6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（半桥） 500V 150a 28mohm @ 75a，10v 5V @ 6mA 434NC @ 10V 19600pf @ 25V -
CPH3307-TL-E Sanyo CPH3307-TL-E 0.2000
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 ECAD 27 0.00000000 Sanyo * 大部分 积极的 CPH3307 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 0000.00.0000 3,000 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

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    30,000,000

    标准产品单位

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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