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FET，MOSFET（6056）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs （ciss）（最大（ciss） @ vds fet
2SK2530-TL-E-ON onsemi 2SK2530-TL-E-ON 0.5000
RFQ
 ECAD 39 0.00000000 Onmi * 大部分 积极的 2SK2530 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8541.29.0095 700 -
2SK4086LS-MG5 Sanyo 2SK4086LS-MG5 0.3600
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Sanyo * 大部分 积极的 2SK4086 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8541.29.0095 1 -
SSF2219Y Good-Ark Semiconductor SSF2219Y 0.3700
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 好公园的半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 MOSFET （金属 o化物） 312MW（TC） SOT-563 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0080 3,000 2个p通道 20V 400mA（TC） 600MOHM @ 300mA，4.5V 1V @ 250µA 2NC @ 4.5V 78pf @ 10V 标准
ISL6594ACRZ-TR5212 Intersil ISL6594ACRZ-TR5212 0.8500
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 ECAD 6 0.00000000 Intersil * 大部分 积极的 ISL6594 - - rohs3符合条件 2（1年） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 6,000 -
BUK9K89-100E,115 Nexperia USA Inc. BUK9K89-100E，115 1.1500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. 汽车，AEC-Q101，Trenchmos™ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 SOT-12205，8-LFPAK56 BUK9K89 MOSFET （金属 o化物） 38W LFPAK56D 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 2 n 通道（双） 100V 12.5a 85MOHM @ 5A，10V 2.1V @ 1mA 16.8nc @ 10V 1108pf @ 25V 逻辑级别门
CPH3418-TL-H-ON onsemi CPH3418-TL-H-on 0.1500
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 ECAD 168 0.00000000 Onmi * 大部分 积极的 CPH3418 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 0000.00.0000 3,000 -
2SJ325-Z-E1-AZ Renesas Electronics America Inc 2SJ325-Z-e1-az 0.9300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 大部分 积极的 2SJ325 - 下载 不适用 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 0000.00.0000 1 -
APTMC120AM08CD3AG Microchip Technology APTMC120AM08CD3AG -
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 ECAD 5051 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 D-3模块 APTMC120 （SIC） 1100W D3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（半桥） 1200V（1.2kV） 250A（TC） 10mohm @ 200a，20v 2.2V @ 10mA ty（typ） 490NC @ 20V 9500pf @ 1000V -
G05NP06S2 Goford Semiconductor G05NP06S2 0.6400
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 ECAD 7 0.00000000 戈福德半导体 Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） G05N MOSFET （金属 o化物） 2.5W（TC），1.9W（TC） 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 n和p通道 60V 5A（TC），3.1A（TC） 36mohm @ 4.3a，10v，80mohm @ 3.1a，10v 2V @ 250µA，2.2V @ 250µA 22nc @ 10v，37nc @ 10V 1336pf @ 30v，1454pf @ 30V 标准
MSCSM70HM19CT3AG Microchip Technology MSCSM70HM19CT3AG 253.8800
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 ECAD 4 0.00000000 微芯片技术 - 管子 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 底盘安装 模块 MSCSM70 （SIC） 365W（TC） SP3F 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 150-MSCSM70HM19CT3AG Ear99 8541.29.0095 1 4 n通道 700V 124A（TC） 19mohm @ 40a，20v 2.4V @ 4mA 215nc @ 20V 4500pf @ 700V -
SI4916DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4916DY-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 7840 0.00000000 Vishay Siliconix Littlefoot® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SI4916 MOSFET （金属 o化物） 3.3W，3.5W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（半桥） 30V 10a，10.5a 18mohm @ 10a，10v 3V @ 250µA 10NC @ 4.5V - 逻辑级别门
SQJ910AEP-T1_BE3 Vishay Siliconix SQJ910AEP-T1_BE3 1.2800
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 ECAD 1843年 0.00000000 Vishay Siliconix 汽车，AEC-Q101，Trenchfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 POWERPAK®SO-8 SQJ910 MOSFET （金属 o化物） 48W（TC） POWERPAK®SO-8 下载 （1 （无限） 742-SQJ910AEP-T1_BE3TR Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 30A（TC） 7mohm @ 12a，10v 2.5V @ 250µA 39nc @ 10V 1869pf @ 15V -
NDS9948 onsemi NDS9948 0.6900
RFQ
 ECAD 3076 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） NDS994 MOSFET （金属 o化物） 900MW 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,500 2（p 通道（双） 60V 2.3a 250mohm @ 2.3a，10v 3V @ 250µA 13nc @ 10V 394pf @ 30V 逻辑级别门
APTM20DHM20TG Microsemi Corporation APTM20DHM20TG -
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 ECAD 6493 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 在sic中停产 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SP4 APTM20 MOSFET （金属 o化物） 357W SP4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（双） 200V 89a 24mohm @ 44.5a，10v 5V @ 2.5mA 112nc @ 10V 6850pf @ 25V -
FDMD8540L onsemi FDMD8540L -
RFQ
 ECAD 2589 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powerwdfn FDMD8540 MOSFET （金属 o化物） 2.3W 8-Power 5x6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（半桥） 40V 33a，156a 1.5MOHM @ 33A，10V 3V @ 250µA 113nc @ 10V 7940pf @ 20V -
AON7934_102 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON7934_102 -
RFQ
 ECAD 3850 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-WDFN暴露垫 AON793 MOSFET （金属 o化物） 2.5W（23W）（23W tc），2.5W（ta（25W），25W tc）（TC） 8-DFN-EP（3x3） 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 785-AON7934_102 Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（双） 30V （13A）（16a （tc）（15a），15a ta），18a tc（18a tc） 10.2MOHM @ 13A，10V，7.7MOHM @ 15A，10V 2.2V @ 250µA 11NC @ 10V，17.5nc @ 10V 485pf @ 15V，807pf @ 15V -
AON2803 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON2803 0.2376
RFQ
 ECAD 7954 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-WDFN暴露垫 AON280 MOSFET （金属 o化物） 1.5W 6-DFN（2x2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2（p 通道（双） 20V 3.8a 70MOHM @ 3.8A，4.5V 1V @ 250µA 12nc @ 4.5V 560pf @ 10V 逻辑级别门
SMMA511DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SMMA511DJ-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 6946 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 POWERPAK®SC-70-6双重 SMMA511 MOSFET （金属 o化物） 6.5W POWERPAK®SC-70-6双重 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n和p通道 12V 4.5a 40mohm @ 4.2A，4.5V 1V @ 250µA 12nc @ 8v 400pf @ 6V 逻辑级别门
DMN10H6D2LFDB-13 Diodes Incorporated DMN10H6D2LFDB-13 0.0749
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 ECAD 1201 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-udfn暴露垫 DMN10 MOSFET （金属 o化物） 700MW（TA） U-DFN2020-6（B型） 下载 到达不受影响 31-DMN10H6D2LFDB-13TR Ear99 8541.29.0095 10,000 2 n 通道（双） 100V 270mA（ta） 6ohm @ 190mA，10v 2V @ 1mA 1.2NC @ 10V 41pf @ 50V -
APTM10TAM19FPG Microchip Technology APTM10TAM19FPG 178.9900
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 ECAD 9523 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SP6 APTM10 MOSFET （金属 o化物） 208W sp6-p 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 6 n通道（3相桥） 100V 70a 21mohm @ 35a，10v 4V @ 1mA 200NC @ 10V 5100pf @ 25V -
2N7002DW-7-G Diodes Incorporated 2N7002DW-7-G -
RFQ
 ECAD 1101 0.00000000 二极管合并 * 胶带和卷轴（（tr） 积极的 2N7002 - - （1 （无限） 到达不受影响 2N7002DW-7-GDI Ear99 8541.21.0095 3,000 -
AON6810 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON6810 -
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 ECAD 4368 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅裸垫 AON681 MOSFET （金属 o化物） 4.1W 8-DFN-EP（5x6） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双）公共排水 30V 25a 4.4mohm @ 20a，10v 2.2V @ 250µA 34NC @ 10V 1720pf @ 15V 逻辑级别门
CSD85301Q2T Texas Instruments CSD85301Q2T 1.1300
RFQ
 ECAD 6130 0.00000000 Texas Instruments NexFet™ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-WDFN暴露垫 CSD85301 MOSFET （金属 o化物） 2.3W 6-wson（2x2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 250 2 n 通道（双） 20V 5a 27mohm @ 5A，4.5V 1.2V @ 250µA 5.4NC @ 4.5V 469pf @ 10V 逻辑水平门，5v驱动器
SI1029X-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1029X-T1-GE3 0.5100
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 ECAD 3281 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 SI1029 MOSFET （金属 o化物） 250MW SC-89（SOT-563F） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n和p通道 60V 305mA，190mA 1.4OHM @ 500mA，10V 2.5V @ 250µA 0.75nc @ 4.5V 30pf @ 25V 逻辑级别门
SSM6L36FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L36FE，LM 0.4500
RFQ
 ECAD 108 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 SSM6L36 MOSFET （金属 o化物） 150MW ES6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 n和p通道 20V 500mA，330mA 630mohm @ 200ma，5v 1V @ 1mA 1.23nc @ 4V 46pf @ 10V 逻辑级别门
UPA2672T1R-E2-AX Renesas Electronics America Inc UPA2672T1R-E2-AX -
RFQ
 ECAD 5597 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 6-WFDFN暴露垫 UPA2672 MOSFET （金属 o化物） 2.3W 6-Huson（2x2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2（p 通道（双） 12V 4a 67MOHM @ 2A，4.5V - 5NC @ 4.5V 486pf @ 10V 逻辑水平门，1.8V
SI4228DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4228DY-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 3738 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SI4228 MOSFET （金属 o化物） 3.1W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 25V 8a 18mohm @ 7a，10v 1.4V @ 250µA 25nc @ 10V 790pf @ 12.5V 逻辑级别门
CMLDM7003G TR Central Semiconductor Corp CMLDM7003G TR 0.7500
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 中央半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -65°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 CMLDM7003 MOSFET （金属 o化物） 350MW SOT-563 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 50V 280mA 2ohm @ 50mA，5v 1V @ 250µA 0.76NC @ 4.5V 50pf @ 25V -
IRF7756TR Infineon Technologies IRF7756Tr -
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 ECAD 4589 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） IRF775 MOSFET （金属 o化物） 1W 8-tssop 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 2（p 通道（双） 12V 4.3a 40mohm @ 4.3a，4.5V 900mv @ 250µA 18NC @ 4.5V 1400pf @ 10V 逻辑级别门
PMWD16UN,518 NXP USA Inc. PMWD16UN，518 -
RFQ
 ECAD 6159 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） PMWD16 MOSFET （金属 o化物） 3.1W 8-tssop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 20V 9.9a 19mohm @ 3.5a，4.5V 700mv @ 1mA 23.6nc @ 4.5V 1366pf @ 16V 逻辑级别门
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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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