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FET，MOSFET（6056）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs （ciss）（最大（ciss） @ vds fet
SSM6P15FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P15FU，LF 0.3800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 SSM6P15 MOSFET （金属 o化物） 200mw（ta） US6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 2（p 通道（双） 30V 100mA 12ohm @ 10mA，4V 1.7V @ 100µA - 9.1pf @ 3V -
AON6920_001 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON6920_001 -
RFQ
 ECAD 8053 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-WDFN暴露垫 AON6920 MOSFET （金属 o化物） 2W，2.2W 8-DFN-EP（5x6） 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（双） 30V 15a，26.5a 5.2MOHM @ 20A，10V 2.3V @ 250µA 21NC @ 10V 1560pf @ 15V -
FW811-TL-E onsemi FW811-TL-E -
RFQ
 ECAD 5872 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 8-SOIC （0.173“，4.40mm宽度） FW811 MOSFET （金属 o化物） 2.2W 8-sop 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 2 n 通道（双） 35V 8a 24mohm @ 8a，10v 2.6V @ 1mA 13nc @ 10V 660pf @ 20V 逻辑级别门
SP8K33TB1 Rohm Semiconductor SP8K33TB1 -
RFQ
 ECAD 1019 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 SP8K33 - - rohs3符合条件 （1 （无限） 846-SP8K33TB1TR 过时的 2,500 -
MSCSM70DUM10T3AG Microchip Technology MSCSM70DUM10T3AG 206.3200
RFQ
 ECAD 9713 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 底盘安装 模块 MSCSM70 （SIC） 690W（TC） SP3F - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 150-MSCSM70DUM10T3AG Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（双）公共来源 700V 241a（TC） 9.5MOHM @ 80a，20V 2.4V @ 8mA 430NC @ 20V 9000pf @ 700V -
DMC3061SVTQ-7 Diodes Incorporated DMC3061SVTQ-7 0.4300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 DMC3061 MOSFET （金属 o化物） 880MW TSOT-26 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n和p通道 30V 3.4a（ta），2.7a（2.7a）（ta） 60mohm @ 3.1a，10v，95mohm @ 2.7a，10v 1.8V @ 250µA，2.2V @ 250µA 6.6nc @ 10V，6.8NC @ 10V 278pf @ 15V，287pf @ 15V -
PMXB43UNE,147 Nexperia USA Inc. PMXB43UNE，147 -
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 ECAD 3034 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 大部分 积极的 PMXB43 - 下载 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8541.29.0095 1 -
KGF16N05D-400W Renesas Electronics America Inc KGF16N05D-400W -
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 ECAD 7885 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 20-uflga，Csp kgf16 MOSFET （金属 o化物） 2.5W（TA） 20-WLCSP （2.48x1.17） - rohs3符合条件 （1 （无限） 559-KGF16N05D-400WTR Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双）公共来源 5.5V 16A（TJ） 1.9MOHM @ 8A，4.5V 900mv @ 250µA 5.5nc @ 4.5V 600pf @ 5V -
DMN3016LDN-7 Diodes Incorporated DMN3016LDN-7 0.5500
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 ECAD 3 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powerwdfn DMN3016 MOSFET （金属 o化物） 1.1W V-DFN3030-8（J） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 7.3a 20mohm @ 11a，10v 2V @ 250µA 25.1NC @ 10V 1415pf @ 15V 逻辑级别门
SI4908DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4908DY-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 7320 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SI4908 MOSFET （金属 o化物） 2.75W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 40V 5a 60mohm @ 4.1A，10V 2.2V @ 250µA 12nc @ 10V 355pf @ 20V -
PJL9802_R2_00001 Panjit International Inc. PJL9802_R2_00001 0.1497
RFQ
 ECAD 4082 0.00000000 Panjit International Inc. - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） PJL9802 MOSFET （金属 o化物） 1.7W（TA） 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 3757-PJL9802_R2_00001TR Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 30V 5A（5A） 48mohm @ 5a，10v 2.1V @ 250µA 5.8NC @ 10V 235pf @ 15V -
STL105DN4LF7AG STMicroelectronics STL105DN4LF7AG 1.2994
RFQ
 ECAD 9999 0.00000000 Stmicroelectronics 汽车，AEC-Q101，StripFet™F7 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn STL105 MOSFET （金属 o化物） 94W PowerFlat™（5x6） 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 40V 40a（TC） 4.5MOHM @ 12A，10V 2.5V @ 250µA 27.5nc @ 10V 1594pf @ 25V -
BSO211P Infineon Technologies BSO211p 0.2900
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） BSO211 MOSFET （金属 o化物） 2W PG-DSO-8 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2（p 通道（双） 20V 4.7a 67MOHM @ 4.7A，4.5V 1.2V @ 25µA 23.9nc @ 4.5V 920pf @ 15V 逻辑级别门
SI7962DP-T1-E3 Vishay Siliconix SI7962DP-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 4984 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 POWERPAK®SO-8 SI7962 MOSFET （金属 o化物） 1.4W POWERPAK®SO-8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 40V 7.1a 17mohm @ 11.1a，10v 4.5V @ 250µA 70NC @ 10V - -
BUK7K32-100EX NXP USA Inc. BUK7K32-100EX -
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 ECAD 4467 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 SOT-12205，8-LFPAK56 BUK7K32 MOSFET （金属 o化物） 64W LFPAK56D 下载 Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（双） 100V 29a 27.5MOHM @ 5A，10V 4V @ 1mA 34NC @ 10V 2137pf @ 25V -
AO4914_101 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4914_101 -
RFQ
 ECAD 3771 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） AO491 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-SOIC 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（双） 30V 8a 20.5MOHM @ 8A，10V 2.4V @ 250µA 18NC @ 10V 865pf @ 15V -
SQ4284EY-T1_BE3 Vishay Siliconix SQ4284EY-T1_BE3 1.6200
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Vishay Siliconix 汽车，AEC-Q101，Trenchfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SQ4284 MOSFET （金属 o化物） 3.9W（TC） 8-SOIC - （1 （无限） 742-SQ4284EY-T1_BE3TR Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 40V 8A（TC） 13.5MOHM @ 7A，10V 2.5V @ 250µA 45nc @ 10V 2200pf @ 25V -
DMP3011SPDW-13 Diodes Incorporated DMP3011SPDW-13 0.4003
RFQ
 ECAD 7610 0.00000000 二极管合并 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN DMP3011 MOSFET （金属 o化物） 1.4W（TA） PowerDI5060-8（type UXD） 下载 31-DMP3011SPDW-13 Ear99 8541.29.0095 2,500 2个p通道 30V 12.1A（TA），38.2a tc） 13mohm @ 11.5a，10v 3V @ 250µA 46NC @ 10V 2380pf @ 15V 标准
FDMA1028NZ-F021 onsemi FDMA1028NZ-F021 0.2751
RFQ
 ECAD 5191 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-vdfn裸露的垫子 FDMA1028 MOSFET （金属 o化物） 700MW 6-microfet（2x2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 20V 3.7a 68mohm @ 3.7A，4.5V 1.5V @ 250µA 6NC @ 4.5V 340pf @ 10V 逻辑级别门
CPH6413-TLD-E Sanyo CPH6413-TLD-E 0.1600
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 Sanyo * 大部分 积极的 CPH6413 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8541.29.0095 12,000 -
BSS84KDW-TP Micro Commercial Co BSS84KDW-TP 0.3600
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 微商业公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 BSS84 MOSFET （金属 o化物） 420MW SOT-363 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2（p 通道（双） 60V 320mA（TA） 6ohm @ 300mA，10v 2V @ 250µA 1.6NC @ 10V 32pf @ 30V -
APTM50HM75FTG Microchip Technology APTM50HM75FTG 160.9213
RFQ
 ECAD 5864 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SP4 APTM50 MOSFET （金属 o化物） 357W SP4 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 4（n n 通道（半桥） 500V 46a 90MOHM @ 23A，10V 5V @ 2.5mA 123nc @ 10V 5600pf @ 25V -
NDS9958 onsemi NDS9958 -
RFQ
 ECAD 7067 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） NDS995 MOSFET （金属 o化物） 900MW 8-SOIC 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,500 n和p通道 20V 3.5a 100mohm @ 3.5a，10v 3V @ 250µA 30nc @ 10V 525pf @ 10V 逻辑级别门
ALD1101PAL Advanced Linear Devices Inc. ALD1101PAL 8.2700
RFQ
 ECAD 100 0.00000000 高级线性设备公司 - 管子 积极的 0°C 〜70°C（TJ） 通过洞 8 点点（0.300英寸，7.62mm） ALD1101 MOSFET （金属 o化物） 500MW 8-pdip 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 1014-1002 Ear99 8541.21.0095 50 2（n n 通道（双） 10.6V - 75OHM @ 5V 1V @ 10µA - - -
DMP4026LSD-13 Diodes Incorporated DMP4026LSD-13 0.3697
RFQ
 ECAD 6433 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） MOSFET （金属 o化物） 1.3W（TA） 8-so 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 31-DMP4026LSD-13TR Ear99 8541.29.0095 2,500 2个p通道 40V 6.5A（TA） 25mohm @ 3a，10v 1.8V @ 250µA 45.8NC @ 10V 2064pf @ 20V 标准
SH8KA2TB1 Rohm Semiconductor SH8KA2TB1 1.5100
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SH8KA2 MOSFET （金属 o化物） 2W（TA） 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-SH8KA2TB1TR Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 30V 8a（8a） 28mohm @ 8a，10v 2.5V @ 1mA 8NC @ 10V 330pf @ 15V -
NTHD4508NT1G onsemi NTHD4508NT1G 1.2200
RFQ
 ECAD 6440 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 NTHD4508 MOSFET （金属 o化物） 1.13W chipfet™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 20V 3a 75MOHM @ 3.1a，4.5V 1.2V @ 250µA 4NC @ 4.5V 180pf @ 10V 逻辑级别门
APTM50DHM65TG Microsemi Corporation APTM50DHM65TG -
RFQ
 ECAD 1696年 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SP4 APTM50 MOSFET （金属 o化物） 390W SP4 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（双） 500V 51a 78MOHM @ 25.5A，10V 5V @ 2.5mA 140NC @ 10V 7000pf @ 25V -
AUIRF7341Q Infineon Technologies AUIRF7341Q -
RFQ
 ECAD 5303 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 管子 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） AUIRF7341 MOSFET （金属 o化物） 2.4W 8-SOIC 下载 （1 （无限） 到达不受影响 SP001520152 Ear99 8541.29.0095 95 2 n 通道（双） 55V 5.1a 50MOHM @ 5.1A，10V 3V @ 250µA 44NC @ 10V 780pf @ 25V 逻辑级别门
FCA150AC120 SanRex Corporation FCA150AC120 885.0000
RFQ
 ECAD 4333 0.00000000 Sanrex Corporation - 托盘 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 模块 FCA150 （SIC） 1135W（TC） - 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 4076-FCA150AC120 Ear99 8541.10.0080 1 2 n 通道（双） 1200V（1.2kV） 150a（TC） 9.3MOHM @ 150A，20V 5V @ 4.5mA - 25300pf @ 20V -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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