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FET，MOSFET（6056）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | （VDSS） | 电流 -id（ID） @ 25°C | RDS（最大值） @ ID，VGS | VGS（TH）（最大） @ ID | （QG））（最大） @ vgs | （ciss）（最大（ciss） @ vds | fet |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | APTC60DSKM70CT1G | - |  | 1080 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | coolmos™ | 大部分 | 过时的 | - | 底盘安装 | SP1 | APTC60 | MOSFET （金属 o化物） | 250W | SP1 | - | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n 通道（双） | 600V | 39a | 70mohm @ 39a，10v | 3.9V @ 2.7mA | 259nc @ 10V | 7000pf @ 25V | 超交界处 | ||||
 | APTM10TAM09FPG | 272.8700 | | 1900 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜150°C（TJ） | 底盘安装 | SP6 | APTM10 | MOSFET （金属 o化物） | 390W | sp6-p | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 6 n通道（3相桥） | 100V | 139a | 10mohm @ 69.5a，10v | 4V @ 2.5mA | 350NC @ 10V | 9875pf @ 25V | - | ||
 | IRF7307QTRPBF | - | | 7702 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | （CT） | 过时的 | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | IRF73 | MOSFET （金属 o化物） | 2W | 8-so | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 4,000 | n和p通道 | 20V | 5.2a，4.3a | 50mohm @ 2.6a，4.5V | 700MV @ 250µA | 20NC @ 4.5V | 660pf @ 15V | 逻辑级别门 | ||||
 | NTMD3P03R2G | 1.1900 | | 9193 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | NTMD3 | MOSFET （金属 o化物） | 730MW | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 2,500 | 2（p 通道（双） | 30V | 2.34a | 85MOHM @ 3.05a，10V | 2.5V @ 250µA | 25nc @ 10V | 750pf @ 24V | 逻辑级别门 | ||
| BSO204PNTMA1 | - | | 1703 | 0.00000000 | Infineon技术 | Optimos™ | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | BSO204 | MOSFET （金属 o化物） | 2W | PG-DSO-8 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2（p 通道（双） | 20V | 7a | 30mohm @ 7A，4.5V | 1.2V @ 60µA | 35.8NC @ 4.5V | 1513pf @ 15V | 逻辑级别门 | ||
 | HUFA76413DK8T | - | | 9357 | 0.00000000 | Onmi | Ultrafet™ | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | HUFA76413 | MOSFET （金属 o化物） | 2.5W | 8-SOIC | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 通道（双） | 60V | 5.1a | 49mohm @ 5.1A，10V | 3V @ 250µA | 23nc @ 10V | 620pf @ 25V | 逻辑级别门 | |||
 | SI1539DL-T1-E3 | - | | 4817 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | SI1539 | MOSFET （金属 o化物） | 270MW | SC-70-6 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n和p通道 | 30V | 540mA，420mA | 480MOHM @ 590mA，10V | 2.6V @ 250µA | 1.4NC @ 10V | - | 逻辑级别门 | ||
 | SI5947DU-T1-E3 | - | | 8169 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | POWERPAK®CHIPFET™双重 | SI5947 | MOSFET （金属 o化物） | 10.4W | PowerPak®Chipfet双重 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2（p 通道（双） | 20V | 6a | 58MOHM @ 3.6A，4.5V | 1.5V @ 250µA | 17NC @ 10V | 480pf @ 10V | 逻辑级别门 | ||
 | SP8K4FU6TB | - | | 5293 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | 150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SP8K4 | MOSFET （金属 o化物） | 2W | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 通道（双） | 30V | 9a | 17mohm @ 9a，10v | 2.5V @ 1mA | 21nc @ 5V | 1190pf @ 10V | 逻辑级别门 | ||
| FDS8928A | - | | 6575 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | FDS89 | MOSFET （金属 o化物） | 900MW | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 2,500 | n和p通道 | 30V，20V | 5.5a，4a | 30mohm @ 5.5A，4.5V | 1V @ 250µA | 28nc @ 4.5V | 900pf @ 10V | 逻辑级别门 | ||
 | AO8808A | 0.3675 | | 4869 | 0.00000000 | Alpha＆欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） | AO880 | MOSFET （金属 o化物） | 1.4W | 8-tssop | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 20V | - | 14mohm @ 8a，10v | 1V @ 250µA | 17.9nc @ 4.5V | 1810pf @ 10V | 逻辑级别门 | ||
| MMDF2N02ER2G | - | | 8418 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | MMDF2 | MOSFET （金属 o化物） | 2W | 8-SOIC | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | mmdf2n02er2gos | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 通道（双） | 25V | 3.6a | 100mohm @ 2.2a，10v | 3V @ 250µA | 30nc @ 10V | 532pf @ 16V | 逻辑级别门 | ||
 | FDY3001NZ | - | | 5811 | 0.00000000 | Onmi | PowerTrench® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | SOT-563，SOT-666 | FDY30 | MOSFET （金属 o化物） | 446MW | SOT-563F | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 20V | 200mA | 5ohm @ 200ma，4.5V | 1.5V @ 250µA | 1.1NC @ 4.5V | 60pf @ 10V | 逻辑级别门 | |||
 | PMV280ENEA，215 | - | | 4426 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | PMV280 | - | 下载 | 不适用 | （1 （无限） | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | - | ||||||||||||||
 | ZVN4206NTC | - | | 1018 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | - | 表面安装 | SOT-223-8 | ZVN4206 | MOSFET （金属 o化物） | - | SM8 | - | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 4,000 | 2 n 通道（双） | 60V | - | - | - | - | - | - | |||
 | UP0497900L | - | | 4079 | 0.00000000 | 松下电子组件 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | 125°C（TJ） | 表面安装 | SOT-563，SOT-666 | UP04979 | MOSFET （金属 o化物） | 125MW | ssmini6-f1 | 下载 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.21.0095 | 8,000 | n和p通道 | 50V，30V | 100mA | 12ohm @ 10mA，4V | 1.5V @ 1µA | - | - | 逻辑级别门 | ||||
 | NVMFD5483NLWFT3G | - | | 9458 | 0.00000000 | Onmi | 汽车，AEC-Q101 | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C〜175°C（TJ） | 表面安装 | 8-POWERTDFN | NVMFD5483 | MOSFET （金属 o化物） | 3.1W | 8-dfn（5x6）（SO8FL偶） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | 2 n 通道（双） | 60V | 6.4a | 36mohm @ 15a，10v | 2.5V @ 250µA | 23.4NC @ 10V | 668pf @ 25V | 逻辑级别门 | ||
| PMWD20XN，118 | - | | 5870 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos™ | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） | PMWD20 | MOSFET （金属 o化物） | 4.2W | 8-tssop | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 通道（双） | 20V | 10.4a | 22MOHM @ 4.2A，10V | 1.5V @ 1mA | 11.6nc @ 4.5V | 740pf @ 16V | 逻辑级别门 | ||
| FF4MR12KM1HP | - | | 6348 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 积极的 | FF4MR12 | - | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 448-FF4MR12KM1HP | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | - | ||||||||||||||
 | CSD87312Q3E | 1.6400 | | 2 | 0.00000000 | Texas Instruments | NexFet™ | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-POWERTDFN | CSD87312Q3 | MOSFET （金属 o化物） | 2.5W | 8-VSON（3.3x3.3） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 通道（双）公共来源 | 30V | 27a | 33mohm @ 7a，8v | 1.3V @ 250µA | 8.2nc @ 4.5V | 1250pf @ 15V | 逻辑级别门 | ||
 | SI3585DV-T1-E3 | - | | 6956 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | SOT-23-6薄，TSOT-23-6 | SI3585 | MOSFET （金属 o化物） | 830MW | 6-TSOP | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n和p通道 | 20V | 2a，1.5a | 125mohm @ 2.4a，4.5V | 600mv @ 250µA（250µA）） | 3.2nc @ 4.5V | - | 逻辑级别门 | ||
 | PMGD290UCEAX | 0.4200 | | 47 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 汽车，AEC-Q100 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | PMGD290 | MOSFET （金属 o化物） | 280MW | 6-TSSOP | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n和p通道 | 20V | 725mA，500mA | 380MOHM @ 500mA，4.5V | 1.3V @ 250µA | 0.68nc @ 4.5V | 83pf @ 10V | 逻辑级别门 | ||
| IRF7751TR | - | | 7387 | 0.00000000 | Infineon技术 | Hexfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） | IRF775 | MOSFET （金属 o化物） | 1W | 8-tssop | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 4,000 | 2（p 通道（双） | 30V | 4.5a | 35MOHM @ 4.5A，10V | 2.5V @ 250µA | 44NC @ 10V | 1464pf @ 25V | 逻辑级别门 | ||
 | FCAB21520L1 | 1.6000 | | 464 | 0.00000000 | 松下电子组件 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | 150°C | 表面安装 | 10-SMD，没有铅 | FCAB21520 | MOSFET （金属 o化物） | 3.8W（TA） | 10-SMD | 下载 | Rohs符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 2 n 通道（双） | - | - | - | 1.4V @ 1.64mA | 38nc @ 4V | 5250pf @ 10V | - | |||
 | UPA1764G-e2-az | - | | 5963 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | 150°C（TJ） | 表面安装 | 8-SOIC （0.173“，4.40mm宽度） | UPA1764 | MOSFET （金属 o化物） | 2W | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 通道（双） | 60V | 7a | 35MOHM @ 3.5A，10V | - | 29nc @ 10V | 1300pf @ 10V | - | ||
| ECH8674-TL-H | - | | 4125 | 0.00000000 | Onmi | * | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | ECH8674 | - | - | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | - | |||||||||||||||
 | FDZ1905PZ | - | | 7285 | 0.00000000 | Onmi | PowerTrench® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 6-ufbga，WLCSP | FDZ1905 | MOSFET （金属 o化物） | 900MW | 6-WLCSP （1x1.5） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 5,000 | 2（p 通道（双） | - | - | 126mohm @ 1A，4.5V | 1V @ 250µA | - | - | 逻辑级别门 | ||
| SH8MA2GZETB | 0.7400 | | 1 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SH8MA2 | MOSFET （金属 o化物） | 1.4W（TA） | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n和p通道 | 30V | 4.5A（ta） | 80mohm @ 4.5a，10v，82mohm @ 4.5a，10v | 2.5V @ 1mA | 3NC @ 4.5V，6.7nc @ 4.5V | 125pf @ 15V，305pf @ 15V | - | ||
 | VMM1000-01P | - | | 8073 | 0.00000000 | ixys | - | 盒子 | 过时的 | -40°C〜175°C（TJ） | 底盘安装 | y3-li | VMM | MOSFET （金属 o化物） | - | y3-li | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2 | 2 n 通道（双） | 100V | 1000a | 1.2OHM @ 800A，10V | 4V @ 10mA | 2355nc @ 10V | - | - | |||
 | SI7980DP-T1-E3 | - | | 2807 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | POWERPAK®SO-8 | SI7980 | MOSFET （金属 o化物） | 19.8W，21.9W | POWERPAK®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道（半桥） | 20V | 8a | 22mohm @ 5a，10v | 2.5V @ 250µA | 27nc @ 10V | 1010pf @ 10V | - |
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