SIC
close

FET，MOSFET（6056）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs （ciss）（最大（ciss） @ vds fet
SI6926ADQ-T1-E3 Vishay Siliconix SI6926ADQ-T1-E3 0.9700
RFQ
 ECAD 31 0.00000000 Vishay Siliconix - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） SI6926 MOSFET （金属 o化物） 830MW 8-tssop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 20V 4.1a 30mohm @ 4.5A，4.5V 1V @ 250µA 10.5NC @ 4.5V - 逻辑级别门
DMP4025LSDQ-13 Diodes Incorporated DMP4025LSDQ-13 0.5776
RFQ
 ECAD 9432 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） DMP4025 MOSFET （金属 o化物） 1.25W（TA） 8-so - 到达不受影响 31-DMP4025LSDQ-13TR Ear99 8541.29.0095 2,500 2（p 通道（双） 40V 5.8A（ta） 25mohm @ 3a，10v 1.8V @ 250µA 33.7NC @ 10V 1640pf @ 20V -
DMT3009LEV-13 Diodes Incorporated DMT3009LEV-13 0.1846
RFQ
 ECAD 8470 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 - DMT3009 - - 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 31-DMT3009LEV-13TR Ear99 8541.29.0095 3,000 - - - - - - - -
ECH8661-TL-H onsemi ECH8661-TL-H 1.0600
RFQ
 ECAD 7975 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 ECH8661 MOSFET （金属 o化物） 1.5W 8-ech 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n和p通道 30V 7a，5.5a 24mohm @ 3.5A，10V - 11.8nc @ 10V 710pf @ 10V 逻辑级别门
AO9926B Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO9926B 0.2344
RFQ
 ECAD 5693 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） AO9926 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 20V 7.6a 23mohm @ 7.6A，10V 1.1V @ 250µA 12.5nc @ 10V 630pf @ 15V 逻辑级别门
ALD212900ASAL Advanced Linear Devices Inc. Ald212900asal 6.1776
RFQ
 ECAD 1333 0.00000000 高级线性设备公司 EPAD®，零阈值™ 管子 积极的 0°C 〜70°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） ALD212900 MOSFET （金属 o化物） 500MW 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 1014-1211 Ear99 8541.21.0095 50 2（n n 通道（双） 10.6V 80mA 14OHM 10MV @ 20µA - 30pf @ 5V 逻辑级别门
SH8KB7TB1 Rohm Semiconductor SH8KB7TB1 1.6900
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SH8KB7 MOSFET （金属 o化物） 2W（TA） 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 40V 13.5A（TA） 8.4mohm @ 13.5a，10v 2.5V @ 1mA 27nc @ 10V 1570pf @ 20V -
SI7212DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7212DN-T1-GE3 1.5600
RFQ
 ECAD 7765 0.00000000 Vishay Siliconix - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 POWERPAK®1212-8 SI7212 MOSFET （金属 o化物） 1.3W POWERPAK®1212-8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 4.9a 36mohm @ 6.8a，10v 1.6V @ 250µA 11NC @ 4.5V - 逻辑级别门
AOC2840 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOC2840 -
RFQ
 ECAD 8351 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 AOC284 - - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 785-AOC2840TR 过时的 3,000 -
CTLDM7181-M832D BK Central Semiconductor Corp CTLDM7181-M832D BK -
RFQ
 ECAD 7002 0.00000000 中央半导体公司 - 大部分 过时的 -65°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-tdfn暴露垫 CTLDM7181 MOSFET （金属 o化物） 1.65W TLM832D 下载 1514-CTLDM7181-M832DBK Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（双） 20V 1a 100mohm @ 500mA，4.5V 1.2V @ 1mA 2.4NC @ 4.5V 220pf @ 10V -
PMDPB30XN,115 Nexperia USA Inc. PMDPB30XN，115 0.5400
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-UFDFN暴露垫 PMDPB30 MOSFET （金属 o化物） 490MW 6-Huson（2x2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 20V 4a 40mohm @ 3A，4.5V 900mv @ 250µA 21.7nc @ 4.5V 660pf @ 10V 逻辑级别门
FDJ1027P onsemi FDJ1027P -
RFQ
 ECAD 5626 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SC-75-6 FLMP FDJ1027 MOSFET （金属 o化物） 900MW SC75-6 FLMP 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2（p 通道（双） 20V 2.8a 160MOHM @ 2.8A，4.5V 1.5V @ 250µA 4NC @ 4.5V 290pf @ 10V 逻辑级别门
SI4967DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4967DY-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 4697 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SI4967 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2（p 通道（双） 12V - 23mohm @ 7.5a，4.5V 450mv @ 250µA（250µA）） 55nc @ 10V - 逻辑级别门
FDR8508P onsemi FDR8508P -
RFQ
 ECAD 7663 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-lsop （0.130英寸，宽3.30mm） FDR85 MOSFET （金属 o化物） 800MW Supersot™-8 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2（p 通道（双） 30V 3a 52MOHM @ 3A，10V 3V @ 250µA 12nc @ 5V 750pf @ 15V 逻辑级别门
DMC2038LVTQ-7 Diodes Incorporated DMC2038LVTQ-7 0.4600
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 DMC2038 MOSFET （金属 o化物） 800MW（TA） TSOT-23-6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n和p通道互补 20V 3.7a（ta），2.6a（ta） 35MOHM @ 4A，4.5V，74MOHM @ 3A，4.5V 1V @ 250µA 5.7nc @ 4.5V，10NC @ 4.5V 530pf @ 10V，705pf @ 10V 逻辑水平门，1.8V
PMPB215ENEA/F,115 Nexperia USA Inc. PMPB215ENEA/F，115 -
RFQ
 ECAD 8098 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 大部分 积极的 PMPB215 - 下载 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8541.29.0095 1,692 -
ZXMC4A16DN8TA Diodes Incorporated ZXMC4A16DN8TA -
RFQ
 ECAD 3421 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） ZXMC4A16 MOSFET （金属 o化物） 2.1W 8-so 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 500 n和p通道互补 40V 5.2A（ta），4.7a ta（4.7a） 50mohm @ 4.5a，10v，60mohm @ 3.8a，10v 1V @ 250mA （最小） 17NC @ 10V 770pf @ 40V，1000pf @ 20V 逻辑级别门
UPA3753GR-E1-AX Renesas Electronics America Inc UPA3753GR-E1-AX 0.7655
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） UPA3753 MOSFET （金属 o化物） 1.12W 8-sop - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 -1161-UPA3753GR-E1-AXCT Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 60V 5A（5A） 56mohm @ 2.5a，10v - 13.4NC @ 10V 640pf @ 10V -
NSTJD4001NT1G onsemi NSTJD4001NT1G -
RFQ
 ECAD 2913 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 - - NSTJD4 - - - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 - - - - - - - -
IRF730R4587 Harris Corporation IRF730R4587 0.5700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 哈里斯公司 * 大部分 积极的 IRF73 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 1 -
BUK9K22-80EX Nexperia USA Inc. BUK9K22-80EX 1.6100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 SOT-12205，8-LFPAK56 BUK9K22 MOSFET （金属 o化物） 64W LFPAK56D 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 2 n 通道（双） 80V 21a（21a） 19mohm @ 10a，10v 2.1V @ 1mA 23.1nc @ 5V 3115pf @ 25V 逻辑级别门
QS8J1TR Rohm Semiconductor QS8J1TR 1.1600
RFQ
 ECAD 208 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 QS8J1 MOSFET （金属 o化物） 1.5W TSMT8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2（p 通道（双） 12V 4.5a 29mohm @ 4.5A，4.5V 1V @ 1mA 31nc @ 4.5V 2450pf @ 6V 逻辑级别门
NDS8926 onsemi NDS8926 -
RFQ
 ECAD 3288 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） NDS892 MOSFET （金属 o化物） 900MW 8-SOIC 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,500 2 n 通道（双） 20V 5.5a 35MOHM @ 5.5A，4.5V 1V @ 250µA 30nc @ 4.5V 760pf @ 10V 逻辑级别门
IRF7755TRPBF Infineon Technologies IRF77553TRPBF -
RFQ
 ECAD 3377 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） IRF775 MOSFET （金属 o化物） 1W 8-tssop 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 2（p 通道（双） 20V 3.9a 51MOHM @ 3.7A，4.5V 1.2V @ 250µA 17nc @ 4.5V 1090pf @ 15V 逻辑级别门
FDPC8014AS Fairchild Semiconductor FDPC8014AS 1.2200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Fairchild半导体 PowerTrench® 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powerwdfn FDPC8014 MOSFET （金属 o化物） 2.1W，2.3W 电源夹56 下载 Ear99 8542.39.0001 1 2 n 通道（双） 25V 20a，40a 3.8mohm @ 20a，10v 2.5V @ 250µA 35nc @ 10V 2375pf @ 13V -
BUK9K12-60E/1X Nexperia USA Inc. BUK9K12-60E/1X -
RFQ
 ECAD 5476 0.00000000 Nexperia USA Inc. 汽车，AEC-Q101 大部分 上次购买 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 SOT-12205，8-LFPAK56 BUK9K12 68W（TA） LFPAK56D - 1727-BUK9K12-60E/1X Ear99 8541.29.0095 1 60V 35A（TA） 10.7MOHM @ 15A，10V 2.1V @ 1mA 24.5nc @ 5V 3470pf @ 25V 逻辑级别门
FDC6302P onsemi FDC6302P -
RFQ
 ECAD 7812 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 FDC6302 MOSFET （金属 o化物） 700MW SuperSot™-6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2（p 通道（双） 25V 120mA 10ohm @ 200ma，4.5V 1.5V @ 250µA 0.31NC @ 4.5V 11pf @ 10V 逻辑级别门
FDS6894A onsemi FDS6894A -
RFQ
 ECAD 9112 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） FDS68 MOSFET （金属 o化物） 900MW 8-SOIC 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,500 2 n 通道（双） 20V 8a 17mohm @ 8a，4.5V 1.5V @ 250µA 24nc @ 4.5V 1676pf @ 10V 逻辑级别门
EM6K1T2R Rohm Semiconductor EM6K1T2R 0.4800
RFQ
 ECAD 39 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 EM6K1 MOSFET （金属 o化物） 150MW EMT6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 8,000 2 n 通道（双） 30V 100mA 8ohm @ 10mA，4V 1.5V @ 100µA - 13pf @ 5V 逻辑级别门
MMDF3N04HDR2 onsemi MMDF3N04HDR2 -
RFQ
 ECAD 1436年 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） MMDF3 MOSFET （金属 o化物） 1.39W 8-SOIC 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 40V 3.4a 80MOHM @ 3.4A，10V 3V @ 250µA 28nc @ 10V 900pf @ 32V 逻辑级别门
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

RFQ列表（0项）
购物车列表（0个项目）
Wishlist愿望清单（0个项目）
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

数量：1

比较列表（0项）
点击Enter进行搜索或ESC关闭