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FET，MOSFET （55612）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
MSCSM70VR1M07CT6AG	502.0100	RFQ	1297	微芯片技术	-	大部分	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块	MSCSM70	（SIC）	966W（TC）	-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-MSCSM70VR1M07CT6AG	Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（相腿）		700V	349A（TC）		6.4MOHM @ 120A，20V	2.4V @ 12mA	645nc @ 20V		13500pf @ 700V	-
UT6KE5TCR	0.6800	RFQ	3681	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	6-Powerudfn	UT6KE5	MOSFET （金属 o化物）	2W（TA）	HUML2020L8	-		（1 （无限）					3,000	2 n通道		100V	2A（TA）		207MOHM @ 2A，10V	2.5V @ 1mA	2.8NC @ 10V		90pf @ 50V	标准
HIP2060ase	1.8300	RFQ	1	哈里斯公司	*	大部分	积极的				HIP2060	-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1											-
FQD4N20LTF	-	RFQ	9653	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FQD4	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	200 v	3.2A（TC）	5V，10V	1.35OHM @ 1.6A，10V	2V @ 250µA	5.2 NC @ 5 V	±20V	310 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），30W（tc）
CPH5616-TL-E	0.4400	RFQ	2	Sanyo	*	大部分	积极的				CPH5616	-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定			0000.00.0000	1											-
2SK1157-E	5.0300	RFQ	339	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的								下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
UPA1728G（0）-E1-AY	0.6700	RFQ	5	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的								-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500
STP21N90K5	6.6600	RFQ	8586	Stmicroelectronics	SuperMesh5™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP21	MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-12864-5	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	900 v	18.5A（TC）	10V	299MOHM @ 9A，10V	5V @ 100µA	43 NC @ 10 V	±30V	1645 PF @ 100 V	-	250W（TC）
FCP170N60	6.9700	RFQ	800	Onmi	SuperFet®II	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FCP170	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	22a（TC）	10V	170mohm @ 11a，10v	3.5V @ 250µA	55 NC @ 10 V	±20V	2860 PF @ 380 V	-	227W（TC）
NVMJD012N06CLTWG	0.7134	RFQ	4638	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-12205，8-LFPAK56	NVMJD012	MOSFET （金属 o化物）	3.2W（ta），42W（（（（（（（（（）	8-lfpak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NVMJD012N06CLTWGTR	Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		60V	11.5A（TA），42A （TC）		11.9mohm @ 25a，10v	2.2V @ 30µA	11.5NC @ 10V		792pf @ 25V	-
TSM260P02CX RFG	1.1500	RFQ	10	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装			MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	6.5A（TC）	1.8V，2.5V，4.5V	26mohm @ 5A，4.5V	1V @ 250µA	19.5 NC @ 4.5 V	±10V	1670 pf @ 15 V	标准	1.56W（TC）
IPI041N12N3GAKSA1	6.3500	RFQ	500	Infineon技术	Optimos™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IPI041	MOSFET （金属 o化物）		pg-to262-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	120 v	120A（TC）	10V	4.1MOHM @ 100A，10V	4V @ 270µA	211 NC @ 10 V	±20V	13800 PF @ 60 V	-	300W（TC）
FDS6900AS-G	-	RFQ	6955	Onmi	PoterTrench®，SyncFet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FDS69	MOSFET （金属 o化物）	900MW（TA）	8-SOIC	-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		30V	6.9a，8.2a		27mohm @ 6.9a，10v	3V @ 250µA，3V @ 1mA	15nc @ 10V		600pf @ 15V	逻辑级别门
CPH6413-TLD-E	-	RFQ	5682	Onmi	-	大部分	过时的	150°C	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6		MOSFET （金属 o化物）		6-CPH	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-CPH6413-TLD-E-488			1		n通道	20 v	5A（5A）	2.5V，4V	41MOHM @ 3A，4V	1.3V @ 1mA	7.6 NC @ 4 V	±10V	570 pf @ 10 V	-	1.6W（TA）
TSM025NH04LCR RLG	5.0500	RFQ	4	台湾半导体公司	Perfet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	8-POWERTDFN		MOSFET （金属 o化物）		8-pdfnu（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	1801-TSM025NH04LCRLGTR	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	40 V	26a（26a），100a（tc）	4.5V，10V	2.5MOHM @ 50a，10v	2.2V @ 250µA	63.3 NC @ 10 V	±16V	4179 PF @ 25 V	-	136W（TC）
NTMFS4C822NAT3G	1.6100	RFQ	5997	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索		MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道	30 V	（30a）（TA），136a （TC）	4.5V，10V	1.7MOHM @ 30a，10V	2.2V @ 250µA	45.2 NC @ 10 V	±20V	3071 PF @ 15 V	-	3.1W（TA），64W（tc）
RF1S9630	1.1500	RFQ	2	哈里斯公司	*	大部分	积极的								-	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
IPI80N06S407AKSA2	2.0000	RFQ	500	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IPI80N06	MOSFET （金属 o化物）		pg-to262-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道	60 V	80A（TC）	10V	7.4mohm @ 80a，10v	4V @ 40µA	56 NC @ 10 V	±20V	4500 PF @ 25 V	-	79W（TC）
UPA2701GR-E1-AT	1.7200	RFQ	20	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的		表面安装	8-SOIC （0.173“，4.40mm宽度）		MOSFET （金属 o化物）		8-psop	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	14A（TA）		7.5MOHM @ 7A，10V	2.5V @ 1mA	12 nc @ 5 V		1200 pf @ 10 V	-
AO6401	-	RFQ	3676	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-74，SOT-457	AO640	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	785-AO6401TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	5A（5A）	2.5V，10V	47MOHM @ 5A，10V	1.3V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±12V	780 pf @ 15 V	-	2W（TA）
FQD3N50CTM	-	RFQ	7612	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FQD3	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	500 v	2.5A（TC）	10V	2.5OHM @ 1.25A，10V	4V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±30V	365 pf @ 25 V	-	35W（TC）
FDD3682-F085	-	RFQ	4876	Onmi	汽车，AEC-Q101，PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FDD368	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	100 v	5.5a（ta），32a（tc）	6V，10V	36mohm @ 32a，10v	4V @ 250µA	28 NC @ 10 V	±20V	1250 pf @ 25 V	-	95W（TC）
AUIRF3808	-	RFQ	8699	国际整流器	汽车，AEC-Q101，Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道	75 v	106a（TC）		7mohm @ 82a，10v	4V @ 250µA	220 NC @ 10 V	±20V	5310 PF @ 25 V	-	200W（TC）
FQP34N20	-	RFQ	5150	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FQP34	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	200 v	31a（TC）	10V	75MOHM @ 15.5A，10V	5V @ 250µA	78 NC @ 10 V	±30V	3100 pf @ 25 V	-	180W（TC）
FQB8P10TM	-	RFQ	2075	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	FQB8P10	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		P通道	100 v	8A（TC）	10V	530MOHM @ 4A，10V	4V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±30V	470 pf @ 25 V	-	3.75W（TA），65W（tc）
SQM50028EM_GE3	3.0300	RFQ	742	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）	SQM50028	MOSFET （金属 o化物）		TO-263-7	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	60 V	120A（TC）	10V	2mohm @ 30a，10v	3.5V @ 250µA	185 NC @ 10 V	±20V	11900 PF @ 25 V	-	375W（TC）
SIRA14BDP-T1-GE3	0.5100	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sira14	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	21a（21a），64A（tc）	4.5V，10V	5.38mohm @ 10a，10v	2.2V @ 250µA	22 NC @ 10 V	+20V，-16V	917 PF @ 15 V	-	3.7W（TA），36W（TC）
IRF7457pbf	0.5200	RFQ	1338	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	435		n通道	20 v	15A（TA）	4.5V，10V	7mohm @ 15a，10v	3V @ 250µA	42 NC @ 4.5 V	±20V	3100 pf @ 10 V	-	2.5W（TA）
XPH2R106NC，L1XHQ	2.1700	RFQ	9	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101，U-Mosviii-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的	175°C	表面安装	8-SOIC （0.197英寸，5.00mm宽度）	XPH2R106	MOSFET （金属 o化物）		8（5x5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道	60 V	110a（ta）		2.1MOHM @ 55A，10V	2.5V @ 1mA	104 NC @ 10 V	±20V	6900 PF @ 10 V	-	960MW（TA），170W（tc）
TK5P53D（T6RSS-Q）	1.3400	RFQ	4199	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TK5P53	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	525 v	5A（5A）	10V	1.5OHM @ 2.5A，10V	4.4V @ 1mA	11 NC @ 10 V	±30V	540 pf @ 25 V	-	80W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

FET，MOSFET （55612）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²