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FET，MOSFET （55612）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -测试
FQP3N60	0.5900	RFQ	45	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					600 v	3A（TC）	10V	3.6OHM @ 1.5A，10V	5V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±30V	450 pf @ 25 V	-	75W（TC）
FQPF9N25CT	0.5700	RFQ	1	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					250 v	8.8A（TC）	10V	430MOHM @ 4.4A，10V	4V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±30V	710 PF @ 25 V	-	38W（TC）
RJK0368DPA-00＃j0	0.4400	RFQ	61	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn			MOSFET （金属 o化物）		8-wpak	-	不适用				Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					30 V	20A（TA）		14.3mohm @ 10a，10v	2.5V @ 1mA	6.2 NC @ 4.5 V		730 pf @ 10 V	-	25W（TC）
FQPF30N06	0.5300	RFQ	85	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					60 V	21a（TC）	10V	40mohm @ 10.5a，10v	4V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±25V	945 PF @ 25 V	-	39W（TC）
FQP32N12V2	0.5900	RFQ	1	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					120 v	32A（TC）	10V	50mohm @ 16a，10v	4V @ 250µA	53 NC @ 10 V	±30V	1860 pf @ 25 V	-	150W（TC）
HUF75329D3S	0.9600	RFQ	4	Fairchild半导体	Ultrafet™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1,800		n通道					55 v	20A（TC）	10V	26mohm @ 20a，10v	4V @ 250µA	65 NC @ 20 V	±20V	1060 pf @ 25 V	-	128W（TC）
NVHL020N090SC1	47.7200	RFQ	307	Onmi	汽车，AEC-Q101	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	NVHL020		sicfet （碳化硅）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NVHL020N090SC1	Ear99	8541.29.0095	30		n通道					900 v	118a（TC）	15V	28mohm @ 60a，15v	4.3V @ 20mA	196 NC @ 15 V	+19V，-10V	4415 PF @ 450 V	-	503W（TC）
NVTFS014P04M8LTAG	1.0500	RFQ	6	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	NVTFS014		MOSFET （金属 o化物）		8-WDFN（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		P通道					40 V	11.3a（ta），49A（tc）	4.5V，10V	13.8mohm @ 15a，10v	2.4V @ 420µA	26.5 NC @ 10 V	±20V	1734 PF @ 20 V	-	3.2W（TA），61W（TC）
NTHL020N090SC1	41.1400	RFQ	3911	Onmi	-	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	NTHL020		sicfet （碳化硅）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道					900 v	118a（TC）	15V	28mohm @ 60a，15v	4.3V @ 20mA	196 NC @ 15 V	+19V，-10V	4415 PF @ 450 V	-	503W（TC）
NVBG020N090SC1	52.8300	RFQ	1	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-8，D²Pak（7 + Tab），TO-263CA	NVBG020		sicfet （碳化硅）		D2PAK-7	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道					900 v	9.8A（ta），112a（tc）	15V	28mohm @ 60a，15v	4.3V @ 20mA	200 NC @ 15 V	+19V，-10V	4415 PF @ 450 V	-	3.7W（ta），477W（tc）
IXFA72N30x3-Trl	6.6640	RFQ	8017	ixys	Hiperfet™，Ultra X3	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IXFA72		MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D2PAK）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixfa72n30x3-trltr	Ear99	8541.29.0095	800		n通道					300 v	72A（TC）	10V	19mohm @ 36a，10v	4.5V @ 1.5mA	82 NC @ 10 V	±20V	5400 PF @ 25 V	-	390W（TC）
IXFA5N100P-TRL	3.6333	RFQ	7860	ixys	Hiperfet™，极性	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IXFA5N100		MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D2PAK）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixfa5n100p-trltr	Ear99	8541.29.0095	800		n通道					1000 v	5A（TC）	10V	2.8ohm @ 2.5a，10v	6V @ 250µA	33.4 NC @ 10 V	±30V	1830 pf @ 25 V	-	250W（TC）
ixta3n100d2-trl	3.7112	RFQ	6244	ixys	消耗	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta3		MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D2PAK）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixta3n100d2-trltr	Ear99	8541.29.0095	800		n通道					1000 v	3A（TJ）	0V	6ohm @ 1.5a，0v	4.5V @ 250µA	37.5 NC @ 5 V	±20V	1020 PF @ 25 V	耗尽模式	125W（TC）
TK099V65Z，LQ	5.5600	RFQ	2	东芝半导体和存储	dtmosvi	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C	表面安装	4-VSFN暴露垫	TK099V65		MOSFET （金属 o化物）		5-DFN（8x8）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					650 v	30a（TA）	10V	99mohm @ 15a，10v	4V @ 1.27mA	47 NC @ 10 V	±30V	2780 pf @ 300 V	-	230W（TC）
IXTY4N65X2-TRL	1.2663	RFQ	1584年	ixys	Ultra X2	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	ixty4		MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixty4nnnnn65x2-trltr	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					650 v	4A（TC）	10V	850MOHM @ 2A，10V	5V @ 250µA	8.3 NC @ 10 V	±30V	455 pf @ 25 V	-	80W（TC）
IXTA10P15T	3.6584	RFQ	5013	ixys	Trechp™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta10		MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D2PAK）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixta10p15t	Ear99	8541.29.0095	50		P通道					150 v	10A（TC）	10V	350MOHM @ 5A，10V	4.5V @ 250µA	36 NC @ 10 V	±15V	2210 PF @ 25 V	-	83w（ta）
ixta1r6n100d2-trl	2.0243	RFQ	4868	ixys	消耗	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta1		MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D2PAK）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixta1r6n100d2-trltr	Ear99	8541.29.0095	800		n通道					1000 v	1.6A（TJ）	0V	10ohm @ 800mA，0v	4.5V @ 100µA	27 NC @ 5 V	±20V	645 pf @ 25 V	-	100W（TC）
ixta80n10t-trl	2.4137	RFQ	7279	ixys	沟	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta80		MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D2PAK）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	238-ixta80n10t-trltr	Ear99	8541.29.0095	800		n通道					100 v	80A（TC）	10V	14mohm @ 25a，10v	5V @ 100µA	60 NC @ 10 V	±20V	3040 pf @ 25 V	-	230W（TC）
MTI85W100GC-SMD	29.1277	RFQ	4814	ixys	-	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	17-SMD，鸥翼	MTI85W100		MOSFET （金属 o化物）	-	ISOPLUS-DIL™	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-MTI85W100GC-SMD	Ear99	8541.29.0095	13	6 n通道（3相桥）						100V	120A（TC）		4mohm @ 80a，10v	3.5V @ 150µA	88nc @ 10V		-	-
NE3503M04-T2B-A	0.7600	RFQ	163	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的	4 V			4-SMD，平坦的铅		12GHz	HFET		M04	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	3,000			70mA	10 MA	-	12DB											0.45dB	2 v
FQU3N60TU	0.5100	RFQ	21	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	5,040		n通道					600 v	2.4A（TC）	10V	3.6OHM @ 1.2A，10V	5V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±30V	450 pf @ 25 V	-	2.5W（ta），50W（50W）（TC）
RJK0348DSP-00＃j0	0.8200	RFQ	2	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					30 V	22a（22a）		3.4mohm @ 11a，10v	-	34 NC @ 4.5 V		5100 PF @ 10 V	-	2.5W（TA）
FQN1N50CBU	-	RFQ	8745	Fairchild半导体	QFET®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）			MOSFET （金属 o化物）		TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	1,447		n通道					500 v	380mA（TC）	10V	6ohm @ 190mA，10v	4V @ 250µA	6.4 NC @ 10 V	±30V	195 pf @ 25 V	-	890MW（TA），2.08W（TC）
UPA2802T1L-E2-AY	1.2900	RFQ	210	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的			表面安装	8-vdfn暴露垫			MOSFET （金属 o化物）		8 dfn3333 （3.3x3.3）	-	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道					20 v	18A（18A）		5.8mohm @ 18a，10v	2.5V @ 1mA	16 NC @ 5 V		1800 pf @ 10 V	-
HUF753373	-	RFQ	2357	Fairchild半导体	Ultrafet™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	Rohs不合规				Ear99	8541.29.0095	400		n通道					55 v	75A（TC）	10V	14mohm @ 75a，10v	4V @ 250µA	109 NC @ 20 V	±20V	1775 PF @ 25 V	-	175W（TC）
RFP45N06	0.7300	RFQ	2	Fairchild半导体	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	400		n通道					60 V	45A（TC）	10V	28mohm @ 45a，10v	4V @ 250µA	150 NC @ 20 V	±20V	2050 pf @ 25 V	-	131W（TC）
MRF8P20165WHSR5	117.6600	RFQ	39	自由度半导体	-	大部分	过时的	65 v		底盘安装	NI-780S-4		1.88GHZ〜2.025GHz	ldmos		NI-780S-4	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0075	50	双重的		10µA	550 MA	37W	14.8db											-	28 V
NDP603AL	0.3200	RFQ	34	Fairchild半导体	-	管子	过时的		-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	Rohs不合规				Ear99	8541.29.0095	45		n通道					30 V	25A（TC）	4.5V，10V	22mohm @ 25a，10v	3V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±20V	1100 pf @ 15 V	-	50W（TC）
FQI4N25TU	0.1900	RFQ	8002	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		i2pak（（TO-262）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1,175		n通道					250 v	3.6A（TC）	10V	1.75OHM @ 1.8A，10V	5V @ 250µA	5.6 NC @ 10 V	±30V	200 pf @ 25 V	-	3.13W（ta），52W（（ta）
RJK0379DPA-00＃j5a	1.4800	RFQ	3	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	表面安装	8-WFDFN暴露垫			MOSFET （金属 o化物）		8-wpak	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道					30 V	50a（ta）		2.3MOHM @ 25A，10V	-	37 NC @ 4.5 V		5150 pf @ 10 V	-	55W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

FET，MOSFET （55612）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²