场效应管、MOSFET(55612)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	频率	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	额定电流（安培）	当前-测试	功率-输出	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	噪声系数	电压 - 测试
BSS138BKT-TP	0.2300	询价	5	微商公司	-	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SOT-523	BSS138		MOSFET（金属O化物）		SOT-523	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000		N沟道					50V	340毫安	2.5V、10V	1.5欧姆@300mA，10V	1.5V@250μA	1.4nC@10V	±20V	58pF@30V	-	270毫W
RS6R035BHTB1	2.4900	询价	2	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTDFN			MOSFET（金属O化物）		8-HSOP	下载		1（无限制）		846-RS6R035BHTB1TR	EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道					150伏	35A（温度）	6V、10V	41毫欧@35A，10V	4V@1mA	25nC@10V	±20V	75V时为1470pF	-	3W（Ta）、73W（Tc）
DMP2090UFDB-13	0.0805	询价	6424	分散公司	-	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	6-UDFN 裸露焊盘	DMP2090		MOSFET（金属O化物）	790毫W（塔）	U-DFN2020-6（B型）	下载			REACH 不出行	31-DMP2090UFDB-13TR	EAR99	8541.29.0095	10,000	2 P 沟道（双）公共源						20V	3.2A（塔）		90毫欧@4A，4.5V	1V@250μA	6.8nC@4.5V		634pF@10V	-
IQE030N06NM5CGATMA1	3.1000	询价	4	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装，可湿侧面	8-PowerTDFN	IQE030N		MOSFET（金属O化物）		PG-TTFN-9-1	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道					60V	21A（Ta）、137A（Tc）	6V、10V	3mOhm@20A，10V	3.3V@50μA	49nC@10V	±20V	3800pF@30V	-	2.5W（Ta）、107W（Tc）
IRLR7843CTRPBF	-	询价	2871	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63			MOSFET（金属O化物）		D-帕克	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	6,000		N沟道					30V	161A（温度）	4.5V、10V	3.3毫欧@15A，10V	2.3V@250μA	50nC@4.5V	±20V	4380pF@15V	-	140W（温度）
PJQ2405-AU_R1_000A1	0.2576	询价	8830	强茂国际有限公司	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	不适合新设计		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	6-WDFN 裸露焊盘	PJQ2405		MOSFET（金属O化物）		DFN2020B-6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	3757-PJQ2405-AU_R1_000A1TR	EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道					20V	7.2A	1.8V、4.5V	32毫欧@7.2A，4.5V	900mV@250μA	18.9nC@4.5V	±8V	1785pF@10V	-	2.8W（塔）
FDMC86184	2.1500	询价	第596章	onsemi	PowerTrench®	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerWDFN	FDMC86		MOSFET（金属O化物）		8-PQFN (3.3x3.3)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道					100伏	57A（温度）	6V、10V	8.5毫欧@21A，10V	4V@110μA	20nC@6V	±20V	2090pF@50V	-	54W（温度）
NTMFSC1D6N06CL	6.6300	询价	9516	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	NTMFSC1		MOSFET（金属O化物）		8-DFN (5x6.15)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道					60V	36A（Ta）、235A（Tc）	-	-	2V@250μA	91nC@10V	±20V	6660pF@25V	-	3.8W（Ta）、166W（Tc）
MRF6V2150NBR5	-	询价	8852	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	110V		安装结构	TO-272BB	MRF6	220兆赫	LDMOS		TO-272 WB-4	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	50			-	450毫安	150W	25分贝											-	50V
AUIRF3805S-7P	-	询价	7202	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-7、D²Pak（6引脚+接片）、TO-263CB			MOSFET（金属O化物）		D2PAK（7导联）	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	SP001522074	EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道					55V	160A（温度）	10V	2.6毫欧@140A，10V	4V@250μA	200nC@10V	±20V	7820pF@25V	-	300W（温度）
美国在线1208	-	询价	8999	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	3-PowerSMD，写入	美国在线12		MOSFET（金属O化物）		超SO-8™	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道					30V	11A（Ta）、50A（Tc）	4.5V、10V	11毫欧@20A，10V	2.4V@250μA	20nC@10V	±20V	1110pF@15V	-	2.5W（Ta）、50W（Tc）
FDB8445	-	询价	5935	仙童	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）		D2PAK (TO-263)	-	不符合 RoHS 指令		供应商未定义	2156-FDB8445	EAR99	8541.29.0095	1		N沟道					40V	70A（温度）	10V	9毫欧@70A，10V	4V@250μA	62nC@10V	±20V	3805pF@25V	-	92W（温度）
CPH6429-TL-E	0.1500	询价	90	onsemi	-	大部分	过时的		150°C（太焦）	表面贴装	SOT-23-6薄型、TSOT-23-6			MOSFET（金属O化物）		6-CPH	-	不适用				EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道					60V	2A（塔）		220mOhm@1A，4V	-	4.2nC@4V		325pF@20V	-	1.6W（塔）
SIL3724-TP	-	询价	7788	微商公司	-	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SOT-23-6	SIL3724		MOSFET（金属O化物）	2W	SOT-23-6L	下载	符合ROHS3标准			353-SIL3724-TPTR	EAR99	8541.29.0095	3,000	N 和 P 沟道						30V	5.8A、4.1A		30mOhm@5.8A、10V、60mOhm@4.1A、10V	2.5V@250μA，2.2V@250μA	-		15V时为820pF，15V时为700pF	-
CLF1G0035-100P	-	询价	8977	罗彻斯特电子有限责任公司	-	大部分	过时的	150伏		安装结构	SOT-1228A		3.5GHz	HEMT		LDMOST	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-CLF1G0035-100P-2156	EAR99	8541.29.0095	2			-	330毫安	100W	12.5分贝											-	50V
BUK9660-100A,118	-	询价	9713	安世半导体美国公司	汽车、AEC-Q101、TrenchMOS™	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）		D2PAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道					100伏	26A（温度）	4.5V、10V	58毫欧@15A，10V	2V@1mA		±10V	1924pF@25V	-	106W（温度）
MSCSM70XM45CTYZBNMG	-	询价	第1435章	微芯片	-	大部分	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	安装结构	模块			碳化硅（SiC）	141W（温度）、292W（温度）	-	下载	符合ROHS3标准						1	6 个 N 沟道（路面桥）						700V	52A（温度）、110A（温度）		44mOhm @ 30A, 20V, 19mOhm @ 40A, 20V	2.7V@2mA，2.4V@4mA	99nC@20V，215nC@20V		2010pF @ 700V, 4500pF @ 700V	碳化硅（SiC）
PMDPB70EN,115	0.1900	询价	39	恩智浦	-	大部分	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	6-UFDFN 裸露焊盘	PMDPB70		MOSFET（金属O化物）	510毫W	6-休森 (2x2)	下载	符合ROHS3标准				EAR99	8541.21.0095	3,000	2 个 N 沟道（双）						30V	3.5A		57毫欧@3.5A，10V	2.5V@250μA	4.5nC@10V		130pF@15V	逻辑电平门
TSM13ND50CI	4.4900	询价	3	台积电	-	管子	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全封装，隔离片	TSM13		MOSFET（金属O化物）		ITO-220	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道					500V	13A（温度）	10V	480毫欧@3.3A，10V	3.8V@250μA	39nC@10V	±30V	1877pF@50V	-	57W（温度）
2SK3900-ZP-E1-AZ	2.0700	询价	2	瑞萨电子美国公司	*	大部分	的积极										下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800
PTFC260362SC-V1-R250	65.1286	询价	7951	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	的积极					PTFC260362	-	-			-				1697-PTFC260362SC-V1-R250TR			250	-		-		-	-											-
FDZ208P	1.3400	询价	5	仙童	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	30-WFBGA			MOSFET（金属O化物）		30-BGA (4x3.5)	下载	符合ROHS3标准				EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道					30V	12.5A（塔）	4.5V、10V	10.5毫欧@12.5A，10V	3V@250μA	35nC@5V	±25V	2409pF@15V	-	2.2W（塔）
AOSS32334C	0.4300	询价	26	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	3-SMD，SOT-23-3变体	AOSS323		MOSFET（金属O化物）		SOT-23-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道					30V	6.2A（塔）	4.5V、10V	20毫欧@6.2A，10V	2.3V@250μA	20nC@10V	±20V	600pF@15V	-	1.3W（塔）
TK10A60E,S5X	-	询价	2076	东芝半导体和存储	-	管子	过时的		150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK10A60		MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	50		N沟道					600伏	10A（塔）	10V	750mOhm@5A，10V	4V@1mA	40nC@10V	±30V	1300pF@25V	-	45W（温度）
TK16G60W5,RVQ	3.2100	询价	1	东芝半导体和存储	DTMOSIV	卷带式 (TR)	的积极		150℃	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）		D2PAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道					600伏	15.8A（塔）	10V	230毫欧@7.9A，10V	4.5V@790μA	43nC@10V	±30V	1350 pF @ 300 V	-	130W（温度）
IXFN110N65X3	33.9180	询价	2490	IXYS	-	管子	的积极					IXFN110					-				238-IXFN110N65X3			10
IRF9240	5.6400	询价	11	国际校正器公司	HEXFET®	大部分	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-204AA、TO-3			MOSFET（金属O化物）		TO-204AA (TO-3)	下载					EAR99	8542.39.0001	1		P沟道					200V	11A（温度）	10V	580毫欧@11A，10V	4V@250μA	60nC@10V	±20V	1200pF@25V	-	125W（温度）
SIRC16DP-T1-RE3	1.3600	询价	5	威世硅科	-	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	PowerPAK® SO-8			MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® SO-8	下载		1（无限制）		742-SIRC16DP-T1-RE3TR	EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道					25V	57A（Ta）、60A（Tc）	4.5V、10V	0.96毫欧@15A，10V	2.4V@250μA	105nC@10V	+20V，-16V	5150pF@10V	肖特基分化（体）	5W（Ta）、54.3W（Tc）
RJK03E3DNS-00#J5	-	询价	第1777章	瑞萨电子美国公司	-	大部分	过时的		150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerWDFN			MOSFET（金属O化物）		8-HWSON (3.3x3.3)	下载	符合ROHS3标准				EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道					30V	14A（塔）		11.6毫欧@7A，10V	-	5.7nC@4.5V		1050pF@10V	-	10W（温度）
IRFH5053TR2PBF	-	询价	5235	英飞凌科技	-	切带 (CT)	过时的			表面贴装	8-PowerVDFN			MOSFET（金属O化物）		PQFN (5x6) 单芯片	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	400		N沟道					100伏	9.3A（Ta）、46A（Tc）		18毫欧@9.3A，10V	4.9V@100μA	36nC@10V		1510pF@50V	-

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

场效应管、MOSFET(55612)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²