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FET，MOSFET （55612）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
FDB8878	-	RFQ	9640	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）	D2PAK（TO-263）	-	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	800	n通道	30 V	48A（TC）	4.5V，10V	14mohm @ 40a，10v	2.5V @ 250µA	23 NC @ 10 V	±20V	1235 PF @ 15 V	-	47.3W（TC）
FCPF21N60NT	-	RFQ	9839	Onmi	-	管子	过时的	-	通过洞	TO-220-3完整包	FCPF21	MOSFET （金属 o化物）	TO-220F-3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	600 v	-		-	-				-	-
DMP26M1UPS-13	0.3326	RFQ	2252	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	DMP26	MOSFET （金属 o化物）	PowerDI5060-8	下载			到达不受影响	31-DMP26M1UPS-13TR	Ear99	8541.29.0095	2,500	P通道	20 v	90A（TC）	2.5V，4.5V	6mohm @ 15a，4.5V	1V @ 250µA	164 NC @ 10 V	±10V	5392 PF @ 10 V	-	1.34W
STF19NM50N	4.5600	RFQ	996	Stmicroelectronics	MDMESH™II	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STF19	MOSFET （金属 o化物）	TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	500 v	14A（TC）	10V	250MOHM @ 7A，10V	4V @ 250µA	34 NC @ 10 V	±25V	1000 pf @ 50 V	-	30W（TC）
TSM16ND50CI C0G	3.1438	RFQ	6511	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡		MOSFET （金属 o化物）	ITO-220	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	500 v	16A（TC）	10V	350MOHM @ 4A，10V	4.5V @ 250µA	53 NC @ 10 V	±30V	2551 PF @ 50 V	-	59.5W（TC）
SIHA22N60E-E3	3.9000	RFQ	4436	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	Siha22	MOSFET （金属 o化物）	TO-220完整包	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50	n通道	600 v	21a（TC）	10V	180mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	86 NC @ 10 V	±30V	1920 PF @ 100 V	-	35W（TC）
G45P40T	0.9400	RFQ	399	戈福德半导体	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）	TO-220	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	P通道	40 V	45A（TC）	4.5V，10V	16mohm @ 30a，10v	2.5V @ 250µA	42 NC @ 10 V	±20V	3269 PF @ 20 V	-	80W（TC）
SI1442DH-T1-BE3	0.4500	RFQ	4936	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1442	MOSFET （金属 o化物）	SC-70-6	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	12 v	4A（ta）		20mohm @ 6a，4.5V	1V @ 250µA	33 NC @ 8 V	±8V	1010 pf @ 6 V	-	1.56W（TA）
Auirrr024z	0.5800	RFQ	21	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）	D-pak	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1	n通道	55 v	16A（TC）	4.5V，10V	58mohm @ 9.6a，10V	3V @ 250µA	9.9 NC @ 5 V	±16V	380 pf @ 25 V	-	35W（TC）
PMN40UPE，115-nex	-	RFQ	6751	Nexperia USA Inc.	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-74，SOT-457		MOSFET （金属 o化物）	6-TSOP	-	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	3,000	P通道	20 v	4.7a（ta）	1.8V，4.5V	43mohm @ 3A，4.5V	950mv @ 250µA	23 NC @ 4.5 V	±8V	1820 PF @ 10 V	-	500MW（TA），8.33W（tc）
IPD65R950CFDATMA1	0.6380	RFQ	5512	Infineon技术	coolmos™	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD65R950	MOSFET （金属 o化物）	pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	650 v	3.9a（TC）	10V	950MOHM @ 1.5A，10V	4.5V @ 200µA	14.1 NC @ 10 V	±20V	380 pf @ 100 V	-	36.7W（TC）
EC4301C-TL	0.0600	RFQ	350	Onmi	*	大部分	积极的							-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	10,000
NTMT190N65S3HF	6.6500	RFQ	3892	Onmi	SuperFet®III，FRFET®	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-POWERTSFN		MOSFET （金属 o化物）	4-PQFN （8x8）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NTMT190N65S3HFTR	Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	650 v	20A（TC）	10V	190mohm @ 10a，10v	5V @ 430µA	34 NC @ 10 V	±30V	1610 PF @ 400 V	-	162W（TC）
TK3A65D（sta4，Q，m）	1.6100	RFQ	50	东芝半导体和存储	π-mosvii	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TK3A65	MOSFET （金属 o化物）	TO-220Si	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50	n通道	650 v	3A（3A）	10V	2.25OHM @ 1.5A，10V	4.4V @ 1mA	11 NC @ 10 V	±30V	540 pf @ 25 V	-	35W（TC）
BSP320SL6433	0.2000	RFQ	7	Infineon技术	Sipmos®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA		MOSFET （金属 o化物）	PG-SOT223-4-21	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	n通道	60 V	2.9a（TJ）	10V	120MOHM @ 2.9a，10V	4V @ 20µA	12 nc @ 10 V	±20V	340 pf @ 25 V	-	1.8W（TA）
AO3402L	-	RFQ	6635	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-SMD，SOT-23-3变体	AO34	MOSFET （金属 o化物）	SOT-23-3	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	30 V	4A（ta）	2.5V，10V	55mohm @ 4A，10V	1.4V @ 250µA	4.34 NC @ 4.5 V	±12V	390 pf @ 15 V	-	1.4W（TA）
IPP05CN10NGXKSA1	2.2352	RFQ	1488	Infineon技术	Optimos™	管子	不适合新设计	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP05CN10	MOSFET （金属 o化物）	pg-to220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500	n通道	100 v	100A（TC）	10V	5.4MOHM @ 100A，10V	4V @ 250µA	181 NC @ 10 V	±20V	12000 PF @ 50 V	-	300W（TC）
SQ2361E-T1_GE3	0.6300	RFQ	7852	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SQ2361	MOSFET （金属 o化物）		下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	60 V	2.8A（TC）	10V	177MOHM @ 2.4a，10V	2.5V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±20V	550 pf @ 30 V	-	2W（TC）
SSM3K15AMFV，L3F	0.2900	RFQ	84	东芝半导体和存储	U-Mosiii	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SOT-723	SSM3K15	MOSFET （金属 o化物）	VESM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	8,000	n通道	30 V	（100mA）（TA）	2.5V，4V	3.6OHM @ 10mA，4V	1.5V @ 100µA		±20V	13.5 pf @ 3 V	-	150MW（TA）
2SK2788VYWS-E	0.4400	RFQ	999	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的							-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
NVLJWS6D0N04CLTAG	0.3652	RFQ	7658	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	6 PowerWDFN	NVLJWS6	MOSFET （金属 o化物）	6-WDFNW （2.05x2.05）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NVLJWS6D0N04CLTAGTR	Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	40 V	（15a）（68a tc）（TC）	4.5V，10V	5mohm @ 10a，10v	2V @ 34µA	20 nc @ 10 V	±20V	1150 pf @ 25 V	-	2.5W（ta），46W（TC）
NTD3813NT4G	-	RFQ	8313	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NTD38	MOSFET （金属 o化物）	DPAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	16 V	9.6a（ta），51a（tc）	4.5V，10V	8.75MOHM @ 15A，10V	2.5V @ 250µA	12.8 NC @ 4.5 V	±16V	963 PF @ 12 V	-	1.2W（TA），34.9W（tc）
IPD60R360PFD7SAUMA1	1.4100	RFQ	9676	Infineon技术	CoolMos™PFD7	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	ipd60r	MOSFET （金属 o化物）	PG-TO252-3-344	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	600 v	10A（TC）	10V	360MOHM @ 2.9a，10V	4.5V @ 140µA	12.7 NC @ 10 V	±20V	534 PF @ 400 V	-	43W（TC）
SQP120N10-3M8_GE3	-	RFQ	5436	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SQP120	MOSFET （金属 o化物）	TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	500	n通道	100 v	120A（TC）	10V	3.8mohm @ 20a，10v	3.5V @ 250µA	190 NC @ 10 V	±20V	7230 PF @ 25 V	-	250W（TC）
FDW256P	-	RFQ	5143	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	FDW25	MOSFET （金属 o化物）	8-tssop	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	P通道	30 V	8a（8a）	4.5V，10V	13.5MOHM @ 8A，10V	3V @ 250µA	38 NC @ 5 V	±25V	2267 PF @ 15 V	-	1.3W（TA）
RJK1576DPA-00＃j5a	1.7009	RFQ	3	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	RJK1576	MOSFET （金属 o化物）	WPAK（3F）（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-1161-RJK1576DPA-00＃j5Act	Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	150 v	25A（TA）	10V	58mohm @ 12.5a，10v	-	19 nc @ 10 V	±30V	1200 pf @ 25 V	-	65W（TC）
HUF76139S3STK	0.5000	RFQ	24	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）	TO-263AB	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	800	n通道	30 V	75A（TC）	4.5V，10V	7.5MOHM @ 75A，10V	3V @ 250µA	78 NC @ 10 V	±20V	2700 PF @ 25 V	-	165W（TC）
2SK1160-E	3.0700	RFQ	816	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的							下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
SIA441DJ-T1-GE3	0.6900	RFQ	103	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-70-6	SIA441	MOSFET （金属 o化物）	PowerPak®Sc-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	40 V	12A（TC）	4.5V，10V	47MOHM @ 4.4A，10V	2.2V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±20V	890 pf @ 20 V	-	19w（tc）
IPP200N15N3GHKSA1	-	RFQ	9922	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP200N	MOSFET （金属 o化物）	pg-to220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP000414714	Ear99	8541.29.0095	500	n通道	150 v	50A（TC）	8V，10V	20mohm @ 50a，10v	4V @ 90µA	31 NC @ 10 V	±20V	1820 PF @ 75 V	-	150W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

FET，MOSFET （55612）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²