场效应管、MOSFET(55612)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）
SSM3J140TU,LXHF	0.5500	询价	126	东芝半导体和存储	汽车、AEC-Q101、U-MOSVI	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	3-SMD，写入		MOSFET（金属O化物）		UFM	下载		1（无限制）			EAR99	8541.21.0095	3,000		P沟道	20V	4.4A（塔）	1.5V、4.5V	25.8毫欧@4A，4.5V	1V@1mA	24.8nC@4.5V	+6V、-8V	1800pF@10V	-	500毫W（塔）
SIHP28N65E-GE3	2.8195	询价	4982	威世硅科	-	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	SIHP28	MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载		1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道	650伏	29A（温度）	10V	112毫欧@14A，10V	4V@250μA	140nC@10V	±30V	100V时为3405pF	-	250W（温度）
R6077VNZ4C13	14.2100	询价	600	罗姆半导体	-	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-247-3	R6077	MOSFET（金属O化物）		TO-247	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	846-R6077VNZ4C13	EAR99	8541.29.0095	30		N沟道	600伏	77A（温度）	10V、15V	51毫欧@23A，15V	6.5V@1.9mA	108nC@10V	±30V	5200pF@100V	-	781W（温度）
MTW24N40E	6.4600	询价	3	onsemi	*	大部分	的积极								下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8541.29.0095	1
IRFP451	3.6000	询价	第538章	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3		MOSFET（金属O化物）		TO-247	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道	450伏	14A（温度）	10V	400毫欧@7.9A，10V	4V@250μA	130nC@10V	±20V	2000pF@25V	-	180W（温度）
RM25N30DN	0.1400	询价	8606	瑞创美国	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN		MOSFET（金属O化物）		8-DFN-EP (3x3)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		2516-RM25N30DNTR		8541.10.0080	25,000		N沟道	30V	25A（温度）	4.5V、10V	10毫欧@10A、10V	3V@250μA		±20V	1530pF@15V	-	25W（温度）
HAT1127HWS-E	-	询价	3583	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	150℃	表面贴装	SC-100、SOT-669		MOSFET（金属O化物）		LFPAK	-		1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	2,500人		P沟道	30V	40A（塔）	4.5V、10V	4.5毫欧@20A，10V	2.5V@1mA	125nC@10V	+10V，-20V	5600pF@10V	-	30W（温度）
TSM60N600CP ROG	-	询价	4669	台积电	-	切带 (CT)	SIC停产	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	TSM60	MOSFET（金属O化物）		TO-252，（D-Pak）	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道	600伏	8A（温度）	10V	600mOhm@4A，10V	4V@250μA	13nC@10V	±30V	743pF@100V	-	83W（温度）
SI4850EY-T1-GE3	1.7700	询价	第558章	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	SI4850	MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道	60V	6A（塔）	4.5V、10V	22毫欧@6A，10V	3V@250μA	27nC@10V	±20V		-	1.7W（塔）
FF11MR12W1M1B70BPSA1	185.0800	询价	15	英飞凌科技	CoolSiC™+	托盘	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	安装结构	模块	FF11MR12	碳化硅（SiC）	20mW（温度）	AG-EASY1B	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	24	2个N沟道（半桥）		1200V（1.2kV）	100A（Tj）		11.3毫欧@100A，15V	5.55V@40mA	248nC@15V		7360pF @ 800V	-
TK65S04N1L,LQ	2.0100	询价	5	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	的积极	175°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	TK65S04	MOSFET（金属O化物）		DPAK+	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道	40V	65A（塔）	10V	4.3毫欧@32.5A，10V	2.5V@300μA	39nC@10V	±20V	2550pF@10V	-	107W（温度）
NTMFS4849NT3G	-	询价	8977	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTDFN，5接口	NTMFS4	MOSFET（金属O化物）		5-DFN (5x6) (8-SOFL)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道	30V	10.2A（Ta）、71A（Tc）	4.5V、11.5V	5.1毫欧@30A，10V	2.5V@250μA	22nC@4.5V	±16V	2040pF@12V	-	870mW（Ta）、42.4W（Tc）
FDMA3028N	1.0000	询价	1705	仙童	PowerTrench®	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	6-VDFN 裸露焊盘	频分多址3028	MOSFET（金属O化物）	700毫W	6-MicroFET (2x2)	下载					EAR99	8542.39.0001	1	2 个 N 沟道（双）		30V	3.8A		68毫欧@3.8A，4.5V	1.5V@250μA	5.2nC@5V		375pF@15V	逻辑电平门
BUK7K29-100E/1X	-	询价	6636	安世半导体美国公司	汽车，AEC-Q101	大部分	最后一次购买	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	SOT-1205、8-LFPAK56	山毛洼7K29		68W（塔）	LFPAK56D	-				1727-BUK7K29-100E/1X	EAR99	8541.29.0095	1			100V	29.5A（塔）		24.5毫欧@10A、10V	4V@1mA	38.1nC@10V		2436pF@25V	标准
FDC638APZ	0.6300	询价	64	onsemi	PowerTrench®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SOT-23-6薄型、TSOT-23-6	FDC638	MOSFET（金属O化物）		超级SOT™-6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道	20V	4.5A（塔）	2.5V、4.5V	43毫欧@4.5A，4.5V	1.5V@250μA	12nC@4.5V	±12V	1000pF@10V	-	1.6W（塔）
FQH35N40	5.3400	询价	第846章	仙童	QFET®	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3		MOSFET（金属O化物）		TO-247AD	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道	400V	35A（温度）	10V	105毫欧@17.5A，10V	5V@250μA	140nC@10V	±30V	5600pF@25V	-	310W（温度）
IRFU9110	0.3600	询价	2	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA	IRFU9	MOSFET（金属O化物）		TO-251AA	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	0000.00.0000	1		P沟道	100伏	3.1A（温度）	10V	1.2欧姆@1.9A，10V	4V@250μA	10V时为8.7nC	±20V	200pF@25V	-	2.5W（Ta）、25W（Tc）
MSC40SM120JCU2	45.0700	询价	5301	微芯片	-	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	安装结构	SOT-227-4，迷你块	MSC40SM120	SiCFET（碳化硅）		SOT-227 (ISOTOP®)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	150-MSC40SM120JCU2	EAR99	8541.29.0095	1		N沟道	1200伏	55A（温度）	20V	50毫欧@40A，20V	2.7V@1mA	137nC@20V	+25V，-10V	1990pF@1000V	-	245W（温度）
NTD4906NT4H	0.2000	询价	5	三洋	*	大部分	的积极								下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人
SIHA12N50E-GE3	1.8700	询价	950	威世硅科	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包		MOSFET（金属O化物）		TO-220全包	下载		1（无限制）		742-SIHA12N50E-GE3TR	EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道	500V	10.5A（温度）	10V	380毫欧@6A，10V	4V@250μA	50nC@10V	±30V	100V时为886pF	-	32W（温度）
TSM056NH04LCR RLG	3.0100	询价	5	台积电	PerFET™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	8-PowerTDFN		MOSFET（金属O化物）		8-PDFNU (5x6)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道	40V	18A（Ta）、54A（Tc）	4.5V、10V	5.6毫欧@27A，10V	2.2V@250μA	10V时为30.4nC	±16V	1940pF@25V	-	78.9W（温度）
AONL32328	0.8900	询价	10	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	12-PowerWDFN	AONL323	MOSFET（金属O化物）	2.6W（塔）	12-DFN-EP (4x3)	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000	2 个 N 沟道和 2 个 P 沟道		30V	8A（塔）、7A（塔）		21mOhm @ 8A、10V、27mOhm @ 7A、10V	2.4V@250μA，2.6V@250μA	15nC@10V，24nC@10V		15V时为395pF，15V时为730pF	-
DMC2400UV	-	询价	1276	分散公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SOT-563、SOT-666	DMC2400	MOSFET（金属O化物）	450毫W（塔）	SOT-563	下载			REACH 不出行	31-DMC2400UV	EAR99	8541.21.0095	1	N 和 P 沟道互补		20V	1.03A（塔）、700毫安（塔）		480毫欧@200毫安，5伏，970毫欧@100毫安，5伏	900mV@250μA，1V@250μA	4.5V时为0.5nC，10V时为0.8nC		10V时为37.1pF，10V时为46.1pF	-
TK6A65D(STA4,Q,M)	1.9400	询价	6	东芝半导体和存储	π-MOSVII	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK6A65	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	650伏	6A（塔）	10V	1.11欧姆@3A，10V	4V@1mA	20nC@10V	±30V	1050pF@25V	-	45W（温度）
DMTH6012LPSW-13	0.2453	询价	8826	分散公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	8-PowerTDFN	DMTH6012	MOSFET（金属O化物）		PowerDI5060-8（Q型）	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH旅行	31-DMTH6012LPSW-13TR	EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道	60V	11.5A（Ta）、50.5A（Tc）	4.5V、10V	14毫欧@20A，10V	2.3V@250μA	13.6nC@10V	±20V	785pF@30V	-	2.8W（Ta）、53.6W（Tc）
SIA483DJ-T1-GE3	0.5100	询价	118	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	PowerPAK® SC-70-6	新航483	MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® SC-70-6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道	30V	12A（温度）	4.5V、10V	21毫欧@5A，10V	2.2V@250μA	45nC@10V	±20V	1550pF@15V	-	3.5W（Ta）、19W（Tc）
TSM3443CX6	0.3395	询价	2478	台积电	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SOT-23-6	TSM3443	MOSFET（金属O化物）		SOT-26	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行	1801-TSM3443CX6TR	EAR99	8541.29.0095	12,000		P沟道	20V	4.7A（塔）	2.5V、4.5V	60毫欧@4.7A，4.5V	1.4V@250μA	9nC@4.5V	±12V	640pF@10V	-	2W（塔）
2SK2515-A	3.7800	询价	246	瑞萨电子美国公司	*	大部分	的积极								下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1
NVTFS6H850NLWFTAG	0.6988	询价	7125	onsemi	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	8-PowerWDFN	NVTFS6	MOSFET（金属O化物）		8-WDFN (3.3x3.3)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,500人		N沟道	80V	11A（Ta）、68A（Tc）	10V	9.5毫欧@10A、10V	4V@70μA	19nC@10V	±20V	1140 pF @ 40 V	-	3.2W（Ta）、107W（Tc）
NVMFS5C612NLWFAFT3G	2.1022	询价	3360	onsemi	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	不适合新设计	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	8-PowerTDFN，5接口	非易失性存储器FS5	MOSFET（金属O化物）		5-DFN (5x6) (8-SOFL)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道	60V	38A（Ta）、250A（Tc）	4.5V、10V	1.36毫欧@50A，10V	2V@250μA	91nC@10V	±20V	6660pF@25V	-	3.8W（Ta）、167W（Tc）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

场效应管、MOSFET(55612)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²