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FET，MOSFET （55612）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -测试
SIA106DJ-T1-GE3	0.8800	RFQ	23	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-70-6	SIA106		MOSFET （金属 o化物）	PowerPak®Sc-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道					60 V	10a（10a），12a（tc）	7.5V，10V	18.5MOHM @ 4A，10V	4V @ 250µA	13.5 NC @ 10 V	±20V	540 pf @ 30 V	-	3.5W（TA），19W（tc）
UJ3C065030T3S	18.6700	RFQ	1	Qorvo	-	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	UJ3C065030			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	2312-UJ3C065030T3S	Ear99	8541.29.0095	50	n通道					650 v	85A（TC）	12V	35mohm @ 50a，12v	6V @ 10mA	51 NC @ 15 V	±25V	1500 pf @ 100 V	-	441W（TC）
rj1l08cgntll	2.5800	RFQ	40	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	RJ1L08		MOSFET （金属 o化物）	lptl	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道					60 V	80a（ta）	4.5V，10V	7.7MOHM @ 80A，10V	2.5V @ 50µA	55 NC @ 10 V	±20V	2600 PF @ 30 V	-	96w（ta）
CGH60008D-GP4	32.9900	RFQ	10	Wolfspeed，Inc。	甘	托盘	积极的	84 v			死	CGH60008	6GHz	hemt	死	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		CGH60008D	Ear99	8541.29.0075	10		-	100 ma	8W	15DB											-	28 V
TSM650P02CX	0.2435	RFQ	6711	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	TSM650		MOSFET （金属 o化物）	SOT-23	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM650P02CXTR	Ear99	8541.29.0095	12,000	P通道					20 v	4.1A（TC）	1.8V，4.5V	65mohm @ 3A，4.5V	0.8V @ 250µA	6.4 NC @ 4.5 V	±10V	515 pf @ 10 V	-	1.56W（TC）
DMP2042UCB4-7	-	RFQ	6418	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-ufbga，Wlbga	DMP2042		MOSFET （金属 o化物）	U-WLB1010-4	-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道					20 v	4.6a（ta）	2.5V，4.5V	45mohm @ 1A，4.5V	1.2V @ 250µA	2.5 NC @ 4.5 V	-6V	218 PF @ 10 V	-	1.4W
BSC028N06NSATMA1	2.7600	RFQ	55	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSC028		MOSFET （金属 o化物）	PG-TDSON-8-7	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	n通道					60 V	（23A）（TA），100A （TC）	6V，10V	2.8mohm @ 50a，10v	2.8V @ 50µA	37 NC @ 10 V	±20V	2700 pf @ 30 V	-	2.5W（ta），83W（tc）
IRFH7885TRPBF	-	RFQ	5206	Infineon技术	Fastirfet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-vqfn			MOSFET （金属 o化物）	8-pqfn（5x6）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	n通道					80 V	22a（22a）	10V	3.9mohm @ 50a，10v	3.6V @ 150µA	54 NC @ 10 V	±20V	2311 pf @ 40 V	-	3.6W（TA），156W（TC）
IPP65R150CFDXKSA2	4.6900	RFQ	6540	Infineon技术	CoolMos™CFD2	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP65R150		MOSFET （金属 o化物）	pg-to220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道					650 v	22.4a（TC）	10V	150MOHM @ 9.3a，10V	4.5V @ 900µA	86 NC @ 10 V	±20V	2340 pf @ 100 V	-	195.3W（TC）
AUIRFR3607	-	RFQ	7019	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	AUIRFR3607		MOSFET （金属 o化物）	D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1	n通道					75 v	56A（TC）	10V	9MOHM @ 46A，10V	4V @ 100µA	84 NC @ 10 V	±20V	3070 pf @ 50 V	-	140W（TC）
IRLR8743PBF	-	RFQ	9970	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）	D-pak	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1	n通道					30 V	160a（TC）	4.5V，10V	3.1MOHM @ 25A，10V	2.35V @ 100µA	59 NC @ 4.5 V	±20V	4880 pf @ 15 V	-	135W（TC）
APT34F100B2	23.5000	RFQ	3018	微芯片技术	Power MOS 8™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	APT34F100		MOSFET （金属 o化物）	T-MAX™[B2]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	n通道					1000 v	35A（TC）	10V	380MOHM @ 18A，10V	5V @ 2.5mA	305 NC @ 10 V	±30V	9835 pf @ 25 V	-	1135W（TC）
G1K1P06HH	0.0790	RFQ	7	戈福德半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA			MOSFET （金属 o化物）	SOT-223	下载	Rohs符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	P通道					60 V	4.5A（TC）	10V	110MOHM @ 4A，10V	4V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±20V	981 PF @ 30 V	-	3.1W（TC）
IRF6623Tr1pbf	-	RFQ	9338	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距St			MOSFET （金属 o化物）	DirectFet™st	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道					20 v	16a（16A），55a（tc）	4.5V，10V	5.7MOHM @ 15A，10V	2.2V @ 250µA	17 NC @ 4.5 V	±20V	1360 pf @ 10 V	-	1.4W（ta），42W（（（（（（（
YJS15G10A	0.4210	RFQ	400	Yangjie技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-	Rohs符合条件		到达不受影响	4617-YJS15G10ATR	Ear99		4,000
DMPH4029LFGQ-13	0.2701	RFQ	9535	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	DMPH4029		MOSFET （金属 o化物）	PowerDI3333-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	DMPH4029LFGQ-13DI	Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道					40 V	8a（8a ta），22a （TC）	4.5V，10V	29mohm @ 3a，10v	3V @ 250µA	34 NC @ 10 V	±20V	1626 PF @ 20 V	-	1.2W（TA）
TN0610N3-G-P003	1.0500	RFQ	7832	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	TN0610		MOSFET （金属 o化物）	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000	n通道					100 v	500mA（TJ）	3V，10V	1.5OHM @ 750mA，10V	2V @ 1mA		±20V	150 pf @ 25 V	-	1W（TC）
AON3402	0.2741	RFQ	7338	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	AON340		MOSFET （金属 o化物）	8-DFN （3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道					20 v	12.6a（ta）	1.8V，4.5V	13mohm @ 12a，4.5V	1V @ 250µA	17.9 NC @ 4.5 V	±12V	1810 PF @ 10 V	-	3.1W（TA）
PSMN012-25YLC，115	-	RFQ	1882年	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669	PSMN0		MOSFET （金属 o化物）	LFPAK56，Power-SO8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500	n通道					25 v	33A（TC）	4.5V，10V	12.6mohm @ 10a，10v	1.95V @ 1mA	8.3 NC @ 10 V	±20V	528 pf @ 12 V	-	26W（TC）
IPB60R299CPATMA1	-	RFQ	4761	Infineon技术	Coolmos™CP	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB60R		MOSFET （金属 o化物）	pg-to263-3-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道					600 v	11A（TC）	10V	299MOHM @ 6.6a，10V	3.5V @ 440µA	29 NC @ 10 V	±20V	1100 PF @ 100 V	-	96W（TC）
BUZ73AE3046	0.4200	RFQ	9834	Infineon技术	Sipmos®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）	pg-to220-3-1	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	500	n通道					200 v	5.5A（TC）	10V	600MOHM @ 4.5A，10V	4V @ 1mA		±20V	530 pf @ 25 V	-	40W（TC）
MRF6V122550HR3	-	RFQ	1994	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	100 v		底盘安装	SOT-957A	MRF6	1.03GHz	ldmos	NI-780H-2L	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	250		-	100 ma	275W	20.3db											-	50 V
SQJ488EP-T1_GE3	1.5800	RFQ	4062	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SQJ488		MOSFET （金属 o化物）	PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道					100 v	42A（TC）	4.5V，10V	21mohm @ 7.4a，10v	2.5V @ 250µA	27 NC @ 10 V	±20V	979 PF @ 25 V	-	83W（TC）
PJC7439-AU_R1_000A1	0.3600	RFQ	38	Panjit International Inc.	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	PJC7439		MOSFET （金属 o化物）	SOT-323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	3757-PJC7439-AU_R1_000A1DKR	Ear99	8541.21.0095	3,000	P通道					60 V	250mA（ta）	2.5V，10V	4ohm @ 500mA，10v	2.5V @ 250µA	1.1 NC @ 4.5 V	±20V	51 pf @ 25 V	-	350MW（TA）
MCU01N60A-TP	0.5600	RFQ	2227	微商业公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	MCU01		MOSFET （金属 o化物）	DPAK（（TO-252）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	5,000	n通道					600 v	1.3A（TC）	10V	9ohm @ 500mA，10v	4.2V @ 250µA	6 NC @ 10 V	±30V	125 pf @ 20 V	-	37.8W（TJ）
XP9561GI	2.9100	RFQ	1882年	Xsemi Corporation	XP9561	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	XP9561		MOSFET （金属 o化物）	TO-220CFM	-	rohs3符合条件	（1 （无限）		5048-XP9561GI			50	P通道					40 V	36a（TC）	4.5V，10V	16mohm @ 30a，10v	3V @ 250µA	40 NC @ 4.5 V	±20V	2780 pf @ 25 V	-	33.7W（TC）
NTLUS3A18PZCTCG	-	RFQ	4015	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-	表面安装	6-udfn暴露垫	ntlus3		MOSFET （金属 o化物）	6-udfn （2x2）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道					20 v	5.1a（ta）	1.5V，4.5V	18mohm @ 7a，4.5V	1V @ 250µA	28 NC @ 4.5 V	±8V	2240 pf @ 15 V	-	-
FQL50N40	7.1600	RFQ	338	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA			MOSFET （金属 o化物）	HPM F2	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	375	n通道					400 v	50A（TC）	10V	75mohm @ 25a，10v	5V @ 250µA	210 NC @ 10 V	±30V	7500 PF @ 25 V	-	460W（TC）
RFP2N10	0.2900	RFQ	1	哈里斯公司	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）	TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1	n通道					100 v	2A（TC）	10V	1.05OHM @ 2A，5V	4V @ 250µA		±20V	200 pf @ 25 V	-	25W（TC）
SIHFR120-GE3	0.7000	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）	TO-252AA	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道					100 v	7.7A（TC）	10V	270MOHM @ 4.6A，10V	4V @ 250µA	16 NC @ 10 V	±20V	360 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

FET，MOSFET （55612）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²