场效应管、MOSFET(55612)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	场效应管类型	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）
SQJQ140E-T1_GE3	3.4200	询价	215	威世硅科	TrenchFET®第四代	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	PowerPAK® 8 x 8		MOSFET（金属O化物）	PowerPAK® 8 x 8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	2,000	N沟道	40V	701A（TC）	10V	0.53毫欧@20A，10V	3.3V@250μA	288nC@10V	±20V	17000pF@25V	-	600W（温度）
HUFA75852G3	-	询价	3012	onsemi	超场效应晶体管™	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3	胡法75	MOSFET（金属O化物）	TO-247-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	150	N沟道	150伏	75A（温度）	10V	16毫欧@75A，10V	4V@250μA	480nC@20V	±20V	7690pF@25V	-	500W（温度）
PMH400UNEH	0.3600	询价	9298	安世半导体美国公司	汽车、AEC-Q101、TrenchMOS™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	3-XFDFN	PMH400	MOSFET（金属O化物）	DFN0606-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	10,000	N沟道	30V	900mA（塔）	1.5V、4.5V	460mOhm@700mA，4.5V	950mV@250μA	0.93nC@4.5V	±8V	4540pF@15V	-	360mW（Ta），2.23W（Tc）
PJQ4546P-AU_R2_002A1	0.8700	询价	5	强茂国际有限公司	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	8-PowerVDFN	PJQ4546	MOSFET（金属O化物）	DFN3333-8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000	N沟道	40V	15.7A（Ta）、64A（Tc）	4.5V、10V	5.6毫欧@15A，10V	2.3V@50μA	20nC@10V	±20V	1320pF@25V	-	2.5W（Ta）、42W（Tc）
XP3N1R0MT	4.2000年	询价	8982	芯微半导体公司	XP3N1R0	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerLDFN	XP3N	MOSFET（金属O化物）	PMPAK® 5 x 6	-	符合ROHS3标准	1（无限制）					3,000	N沟道	30V	54.2A（Ta）、245A（Tc）	4.5V、10V	1.05毫欧@20A，10V	2.2V@250μA	120nC@4.5V	±20V	12320pF@15V	-	5W（Ta）、104W（Tc）
TSM120N06LCR RLG	1.5122	询价	4314	台积电	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTDFN	TSM120	MOSFET（金属O化物）	8-PDFN (5x6)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人	N沟道	60V	54A（温度）	4.5V、10V	12毫欧@10A，10V	2.5V@250μA	10V时为36.5nC	±20V	2116pF@30V	-	69W（温度）
NTMT090N65S3HF	8.2900	询价	7856	onsemi	SuperFET® III、FRFET®	卷带式 (TR)	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	4-PowerTSFN		MOSFET（金属O化物）	4-PQFN (8x8)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000	N沟道	650伏	36A（温度）	10V	90毫欧@18A，10V	5V@860μA	66nC@10V	±30V	2930 pF @ 400 V	-	272W（温度）
SI4472DY-T1-E3	-	询价	1495	威世硅科	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	SI4472	MOSFET（金属O化物）	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	2,500人	N沟道	150伏	7.7A（温度）	8V、10V	45毫欧@5A，10V	4.5V@250μA	43nC@10V	±20V	1735pF@50V	-	3.1W（Ta）、5.9W（Tc）
NTB25P06G	-	询价	8907	onsemi	-	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+片）、TO-263AB	NTB25	MOSFET（金属O化物）	D²PAK	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50	P沟道	60V	27.5A（塔）	10V	82毫欧@25A，10V	4V@250μA	50nC@10V	±15V	1680pF@25V	-	120W（焦）
NVTFS040N10MCLTAG	0.2880	询价	5499	onsemi	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	8-PowerWDFN		MOSFET（金属O化物）	8-WDFN (3.3x3.3)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	488-NVTFS040N10MCLTAGTR	EAR99	8541.29.0095	1,500人	N沟道	100伏	6.1A（Ta）、21A（Tc）	4.5V、10V	38毫欧@5A，10V	3V@26μA	10V时为8.6nC	±20V	520pF@50V	-	3.1W（Ta）、36W（Tc）
DI050N04PT-AQ	0.5621	询价	4905	德欧泰克半导体	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerWDFN	DI050N04	MOSFET（金属O化物）	8-QFN (3x3)	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	供应商未定义	2796-DI050N04PT-AQTR		8541.21.0000	5,000	N沟道	40V	50A（温度）	4.5V、10V	6.5毫欧@10A、10V	2.5V@250μA	59nC@10V	±20V	3255pF@25V	-	37W（温度）
SISH112DN-T1-GE3	1.4900	询价	8296	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-50°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	PowerPAK® 1212-8SH	SISH112	MOSFET（金属O化物）	PowerPAK® 1212-8SH	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000	N沟道	30V	11.3A（温度）	4.5V、10V	7.5毫欧@17.8A，10V	1.5V@250μA	27nC@4.5V	±12V	15V时为2610pF	-	1.5W（温度）
HUF76129D3ST	0.5200	询价	42	仙童	超场效应晶体管™	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63		MOSFET（金属O化物）	TO-252-3（DPAK）	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8541.29.0095	1	N沟道	30V	20A（温度）	4.5V、10V	16毫欧@20A，10V	3V@250μA	46nC@10V	±20V	1425pF@25V	-	105W（温度）
AUIRF3007	1.2000年	询价	9	国际校正器公司	HEXFET®	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3		MOSFET（金属O化物）	TO-220AB	下载	符合ROHS3标准				EAR99	8541.29.0095	1,000	N沟道	75V	75A（温度）	10V	12.6毫欧@48A，10V	4V@250μA	130nC@10V	±20V	3270pF@25V	-	200W（温度）
BUK6215-75C,118	-	询价	4160	恩智浦	汽车、AEC-Q101、TrenchMOS™	大部分	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63		MOSFET（金属O化物）	DPAK	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8541.29.0095	1	N沟道	75V	57A（塔）		15毫欧@15A，10V	2.8V@1mA	61.8nC@10V	±16V	3900pF@25V	-	128W（塔）
IRFW540ATM	0.6900	询价	30	仙童	-	大部分	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+片）、TO-263AB		MOSFET（金属O化物）	D2PAK (TO-263)	下载	符合ROHS3标准				EAR99	8541.29.0095	800	N沟道	100伏	28A（温度）	10V	52毫欧@14A，10V	4V@250μA	78nC@10V	±20V	1710pF@25V	-	3.8W（Ta）、107W（Tc）
IRFH7934TR2PBF	-	询价	2412	英飞凌科技	-	切带 (CT)	过时的		表面贴装	8-PowerTDFN		MOSFET（金属O化物）	8-PQFN (5x6)	下载		2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	400	N沟道	30V	24A（Ta）、76A（Tc）		3.5毫欧@24A，10V	2.35V@50μA	30nC@4.5V		15V时为3100pF	-
IRF6603TR1	-	询价	6580	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	DirectFET™ 等距 MT		MOSFET（金属O化物）	DIRECTFET™ MT	下载		3（168小时）	REACH 不出行	SP001531594	EAR99	8541.29.0095	1,000	N沟道	30V	27A（Ta）、92A（Tc）	4.5V、10V	3.4毫欧@25A，10V	2.5V@250μA	72nC@4.5V	+20V，-12V	6590pF@15V	-	3.6W（Ta）、42W（Tc）
APT5020BVFRG	10.6100	询价	6646	微芯片	功率MOS V®	管子	的积极		通孔	TO-247-3	APT5020	MOSFET（金属O化物）	TO-247 [B]	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1	N沟道	500V	26A（温度）		200毫欧@500毫安，10伏	4V@1mA	225nC@10V		4440pF@25V	-
IRFR48ZTRPBF	1.4900	询价	6	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	IRFR48	MOSFET（金属O化物）	D-帕克	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,000	N沟道	55V	42A（温度）	10V	11毫欧@37A，10V	4V@50μA	60nC@10V	±20V	1720pF@25V	-	91W（温度）
G10P03	0.4900	询价	4	高福德半导体	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN		MOSFET（金属O化物）	8-DFN (3.15x3.05)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000	P沟道	30V	10A			1.5V@250μA	27nC@4.5V	±12V	1550pF@15V		20W
IXFH80N08	-	询价	8934	IXYS	HiPerFET™	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3	IXFH80	MOSFET（金属O化物）	TO-247AD (IXFH)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	30	N沟道	80V	80A（温度）	10V	9毫欧@40A，10V	4V@4mA	180nC@10V	±20V	4800pF@25V	-	300W（温度）
IXTY1N100P-TRL	1.2663	询价	6740	IXYS	腹部	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	IXTY1	MOSFET（金属O化物）	TO-252AA	-	符合ROHS3标准		REACH 不出行	238-IXTY1N100P-TRLTR	EAR99	8541.29.0095	2,500人	N沟道	1000伏	1A（温度）	10V	15欧姆@500mA，10V	4.5V@50μA	15.5nC@10V	±20V	331pF@25V	-	50W（温度）
IPD055N08NF2SATMA1	1.8700	询价	2	英飞凌科技	强IRFET™2	切带 (CT)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63		MOSFET（金属O化物）	PG-TO252-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,000	N沟道	80V	17A（Ta）、98A（Tc）	6V、10V	5.5毫欧@60A，10V	3.8V@55μA	54nC@10V	±20V	2500pF@40V	-	3W（Ta）、107W（Tc）
IRF2903ZSTRRP	-	询价	3075	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+片）、TO-263AB		MOSFET（金属O化物）	D2PAK	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800	N沟道	30V	75A（温度）	10V	2.4毫欧@75A，10V	4V@150μA	240nC@10V	±20V	6320pF@25V	-	290W（温度）
FDU6688	1.3900	询价	8	仙童	PowerTrench®	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA		MOSFET（金属O化物）	I-PAK	下载	符合ROHS3标准				EAR99	8541.29.0095	75	N沟道	30V	84A（塔）	4.5V、10V	5毫欧@18A，10V	3V@250μA	56nC@5V	±20V	15V时为3845pF	-	83W（塔）
SFP9Z24	0.1900	询价	9251	仙童	-	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3		MOSFET（金属O化物）	TO-220-3	下载	符合ROHS3标准				EAR99	8541.29.0095	1,489	P沟道	60V	9.7A（温度）	10V	280毫欧@4.9A，10V	4V@250μA	19nC@10V	±30V	600pF@25V	-	49W（温度）
SQJ409EP-T1_BE3	1.4900	询价	第1565章	威世硅科	汽车、AEC-Q101、TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	PowerPAK® SO-8		MOSFET（金属O化物）	PowerPAK® SO-8	下载		1（无限制）		742-SQJ409EP-T1_BE3TR	EAR99	8541.29.0095	3,000	P沟道	40V	60A（温度）	4.5V、10V	7毫欧@10A、10V	2.5V@250μA	260nC@10V	±20V	11000pF@25V	-	68W（温度）
STFI34N65M5	5.4900	询价	1	意法半导体	MDmesh™V	管子	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-262-3全包，I²Pak	STFI34N	MOSFET（金属O化物）	I2PAKFP (TO-281)	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50	N沟道	650伏	28A（温度）	10V	110毫欧@14A，10V	5V@250μA	62.5nC@10V	±25V	2700 pF @ 100 V	-	35W（温度）
IPP057N06N3GXKSA1	1.6200	询价	500	英飞凌科技	OptiMOS™	管子	不适合新设计	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	IPP057	MOSFET（金属O化物）	PG-TO220-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50	N沟道	60V	80A（温度）	10V	5.7毫欧@80A，10V	4V@58μA	82nC@10V	±20V	6600pF@30V	-	115W（温度）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

场效应管、MOSFET(55612)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²