场效应管、MOSFET(55612)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	频率	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	额定电流（安培）	当前-测试	功率-输出	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	噪声系数	电压 - 测试
PJL9430A_R2_00001	0.1523	询价	8642	强茂国际有限公司	-	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	PJL9430		MOSFET（金属O化物）		8-SOP	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行	3757-PJL9430A_R2_00001TR	EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道					60V	4.8A（塔）	4.5V、10V	50毫欧@4.8A，10V	2.5V@250μA	14nC@10V	±20V	15V时为815pF	-	2.5W（塔）
IXTP130N10T	3.8500	询价	43	IXYS	沟	管子	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	IXTP130		MOSFET（金属O化物）		TO-220-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道					100伏	130A（温度）	10V	9.1毫欧@25A，10V	4.5V@250μA	10V时为104nC	±30V	5080pF@25V	-	360W（温度）
2SK2406-TL-E	0.5300	询价	23	onsemi	*	大部分	的积极										-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	700
A2T21S260-12SR3	-	询价	5725	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V		安装结构	NI-780-2S2L	A2T21	2.17GHz	LDMOS		NI-780-2S2L	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行	935320716128	EAR99	8541.29.0075	250			-	1.2A	65W	18.7分贝											-	28V
HUF76423S3ST	0.6700	询价	4	仙童	超场效应晶体管®	大部分	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）		TO-263AB	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道					60V	35A（温度）	4.5V、10V	30mOhm@35A，10V	3V@250μA	34nC@10V	±16V	1060pF@25V	-	85W（温度）
NVHL065N65S3F	5.6067	询价	3678	onsemi	SuperFET® III、FRFET®	管子	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3			MOSFET（金属O化物）		TO-247-3	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行	488-NVHL065N65S3F	EAR99	8541.29.0095	30		N沟道					650伏	46A（温度）	10V	65毫欧@23A，10V	5V@1.3mA	98nC@10V	±30V	4075 pF @ 400 V	-	337W（温度）
TSM250NB06CV RGG	1.5500	询价	10	台积电	-	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerWDFN	TSM250		MOSFET（金属O化物）		8-PDFN (3.15x3.1)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道					60V	6A（Ta）、28A（Tc）	7V、10V	25毫欧@6A，10V	4V@250μA	23nC@10V	±20V	1440pF@30V	-	1.9W（Ta）、42W（Tc）
BLC10G22XS-600AVTY	101.2350	询价	3381	Ampleon美国公司	-	卷带式 (TR)	的积极	65V		表面贴装	SOT-1258-4	BLC10	2.11GHz～2.17GHz	LDMOS		SOT1258-4	-	符合ROHS3标准			1603-BLC10G22XS-600AVTYTR			100	2 N 沟道（双）公共源		2.8微安	2A	600W	15分贝											-	32V
FDC5661N-F086	-	询价	8250	onsemi	PowerTrench®	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SOT-23-6薄型、TSOT-23-6	FDC5661		MOSFET（金属O化物）		TSOT-23-6	-				488-FDC5661N-F086TR	EAR99	8541.29.0095	1		N沟道					60V	4.3A（塔）	4.5V、10V	47毫欧@4.3A，10V	3V@250μA	19nC@10V	±20V	763pF@25V	-	1.6W（塔）
NXV40UNR	0.4400	询价	38	安世半导体美国公司	汽车、AEC-Q101、TrenchMOS™	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3			MOSFET（金属O化物）		TO-236AB	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道					20V	2.5A（塔）	1.5V、4.5V	50毫欧@2.5A，4.5V	950mV@250μA	9nC@4.5V	±8V	10V时为347pF	-	340mW（Ta），2.1W（Tc）
PJA3415AE-AU_R1_000A1	0.4000	询价	26	强茂国际有限公司	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	PJA3415		MOSFET（金属O化物）		SOT-23	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	3757-PJA3415AE-AU_R1_000A1TR	EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道					20V	4.3A（塔）	1.8V、4.5V	52毫欧@4.3A，4.5V	1V@250μA	24nC@10V	±8V	907pF@10V	-	1.25W（塔）
IPSH5N03LA G	-	询价	8019	英飞凌科技	OptiMOS™	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-251-3 短截线，IPak	IPSH5N		MOSFET（金属O化物）		PG-TO251-3-11	下载		3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,500人		N沟道					25V	50A（温度）	4.5V、10V	5.4毫欧@50A，10V	2V@35μA	22nC@5V	±20V	15V时为2653pF	-	83W（温度）
IXTA32P05T-TRL	1.7646	询价	6930	IXYS	TrenchP™	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+片）、TO-263AB	IXTA32		MOSFET（金属O化物）		TO-263（D2Pak）	-	符合ROHS3标准		REACH 不出行	238-IXTA32P05T-TRLTR	EAR99	8541.29.0095	800		P沟道					50V	32A（温度）	10V	39毫欧@16A，10V	4.5V@250μA	46nC@10V	±15V	1975pF@25V	-	83W（温度）
MCH5815-TL-E	0.1200	询价	129	三洋	*	大部分	的积极					MCH5815		-			-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8542.39.0001	3,000															-
IXTX200N10L2	36.1500	询价	60	IXYS	线性 L2™	管子	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3 变体	IXTX200		MOSFET（金属O化物）		PLUS247™-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	30		N沟道					100伏	200A（温度）	10V	11毫欧@100A，10V	4.5V@3mA	540nC@10V	±20V	23000pF@25V	-	1040W（温度）
DMP22D4UFO-7B	0.4400	询价	9	分散公司	-	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	3-XFDFN	DMP22		MOSFET（金属O化物）		X2-DFN0604-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	10,000		P沟道					20V	530mA（塔）	1.5V、4.5V	1.9欧姆@100mA，4.5V	1V@250μA	0.4nC@4.5V	±8V	15V时为28.7pF	-	820毫W（塔）
STP23NM50N	5.2500	询价	8505	意法半导体	MDmesh™ II	管子	的积极		150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	STP23		MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道					500V	17A（温度）	10V	190毫欧@8.5A，10V	4V@250μA	45nC@10V	±25V	1330pF@50V	-	125W（温度）
ALD114935SAL	4.9612	询价	1067	先进线性器件公司	EPAD®	管子	的积极		0°C ~ 70°C (太焦)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	ALD114935		MOSFET（金属O化物）	500毫W	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	1014-1068	EAR99	8541.21.0095	50	2 个 N 沟道（双）匹配对						10.6V	12毫安、3毫安		540欧姆@0V	3.45V@1μA	-		2.5pF@5V	成熟模式
MSC090SMA070S	8.5300	询价	3	微芯片	-	管子	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-268-3、D³Pak（2引脚+片）、TO-268AA	MSC090		SiCFET（碳化硅）		D3PAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	691-MSC090SMA070S	EAR99	8541.29.0095	1		N沟道					700伏	25A（温度）	-	-	-		-		-	-
SIHA6N65E-GE3	2.0400	询价	1	威世硅科	B	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包			MOSFET（金属O化物）		TO-220全包	下载		1（无限制）		742-SIHA6N65E-GE3TR	EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道					650伏	7A（温度）	10V	600mOhm@3A，10V	4V@250μA	48nC@10V	±30V	1640pF@100V	-	31W（温度）
BSL205NL6327	-	询价	3099	英飞凌科技	OptiMOS™	大部分	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SOT-23-6薄型、TSOT-23-6	BSL205		MOSFET（金属O化物）	500毫W	PG-TSOP6-6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000	2 个 N 沟道（双）						20V	2.5A		50毫欧@2.5A，4.5V	1.2V@11μA	3.2nC@4.5V		419pF@10V	逻辑电平门
RFD14N05L_NL	0.5200	询价	8832	仙童	-	大部分	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA			MOSFET（金属O化物）		I-PAK	下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	第408章		N沟道					50V	14A（温度）	5V	100mOhm@14A，5V	2V@250μA	40nC@10V	±10V	670pF@25V	-	48W（温度）
AON7264C	0.2503	询价	第1271章	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法SGT™	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	爱安72		MOSFET（金属O化物）		8-DFN-EP (3x3)	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行	785-AON7264CTR	EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道					60V	13A（Ta）、24A（Tc）	4.5V、10V	13.2毫欧@13A，10V	2.2V@250μA	21nC@10V	±20V	895pF@30V	-	4.1W（Ta）、24W（Tc）
SSM3J16FU(TE85L,F)	0.3700	询价	9188	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		150℃	表面贴装	SC-70、SOT-323			MOSFET（金属O化物）		USM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.21.0095	3,000		P沟道					20V	100mA（塔）	1.5V、4V	8欧姆@10mA，4V	1.1V@100μA		±10V	11pF@3V	-	150毫W（塔）
PJQ5468A_R2_00001	0.5900	询价	2	强茂国际有限公司	-	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	PJQ5468		MOSFET（金属O化物）		DFN5060-8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	3757-PJQ5468A_R2_00001CT	EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道					60V	5.5A（Ta）、25A（Tc）	4.5V、10V	34mOhm@15A，10V	2.5V@250μA	20nC@10V	±20V	1173pF@25V	-	2W（Ta）、40W（Tc）
PMPB40SNA115	0.3200	询价	1	恩智浦	-	大部分	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	6-UDFN 裸露焊盘			MOSFET（金属O化物）		DFN2020MD-6	下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道					60V	12.9A（温度）	4.5V、10V	43毫欧@4.8A，10V	3V@250μA	24nC@10V	±20V	612pF@30V	-	1.7W（Ta）、12.5W（Tc）
ACMSP3415-HF	0.6000	询价	2	芯芯科技	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3			MOSFET（金属O化物）		SOT-23-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		641-ACMSP3415-HFTR	EAR99	8541.10.0080	3,000		P沟道					20V	4A（塔）	1.8V、4.5V	50mOhm@4A，4.5V	1V@250μA	11nC@4.5V	±10V	1600pF@10V	-	1.4W（塔）
AUIRFR3504	1.0600	询价	10	国际校正器公司	HEXFET®	大部分	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63			MOSFET（金属O化物）		D-PAK (TO-252AA)	下载	不适用	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	0000.00.0000	1		N沟道					40V	56A（温度）	10V	9.2毫欧@30A，10V	4V@250μA	71nC@10V	±20V	2150pF@25V	-	140W（温度）
FDS9431	-	询价	7646	仙童	*	大部分	的积极					FDS99		-			-	不适用	1（无限制）	供应商未定义				1															-
AO3459	-	询价	1941年	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	3-SMD，SOT-23-3变体	AO34		MOSFET（金属O化物）		SOT-23-3	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	785-AO3459TR	EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道					30V	2.6A（塔）	4.5V、10V	110毫欧@2.6A，10V	2.4V@250μA	12nC@10V	±20V	197pF@15V	-	1.4W（塔）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

场效应管、MOSFET(55612)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²