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FET，MOSFET （55612）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -测试
IPS60R360PFD7SAKMA1	1.4100	RFQ	982	Infineon技术	CoolMos™PFD7	管子	不适合新设计		-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	IPS60R		MOSFET （金属 o化物）		pg-to251-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道					650 v	10A（TC）	10V	360MOHM @ 2.9a，10V	4.5V @ 140µA	12.7 NC @ 10 V	±20V	534 PF @ 400 V	-	43W（TC）
IPZA60R099P7XKSA1	6.6000	RFQ	5587	Infineon技术	Coolmos™P7	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-4	IPZA60		MOSFET （金属 o化物）		pg-to247-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	240		n通道					600 v	31a（TC）	10V	99mohm @ 10.5a，10v	4V @ 530µA	45 NC @ 10 V	±20V	1952 PF @ 400 V	-	117W（TC）
GTVA262701FA-V2-R0	152.3168	RFQ	4351	Wolfspeed，Inc。	甘	胶带和卷轴（（tr）	积极的	125 v		表面安装	H-87265J-2	GTVA262701	2.62GHZ〜2.69GHz	hemt		H-87265J-2	下载				1697-GTVA262701FA-V2-R0TR	Ear99	8541.29.0075	50			-	320 MA	270W	17dB											-	48 v
AS3401	0.2900	RFQ	61	Anbon 半导体（（Int'l）	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道					30 V	4.4a（ta）	2.5V，10V	55MOHM @ 4.4A，10V	1.4V @ 250µA	7.2 NC @ 10 V	±12V	680 pf @ 15 V	-	1.2W（TA）
PMN30Unex	0.4800	RFQ	5700	Nexperia USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-74，SOT-457	PMN30		MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道					20 v	4.8A（ta）	1.5V，4.5V	36mohm @ 4.8A，4.5V	900mv @ 250µA	9 NC @ 4.5 V	±8V	558 pf @ 10 V	-	530MW（TA），4.46W（tc）
SQS482ENW-T1_GE3	0.9200	RFQ	4814	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8W	SQS482		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8W	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道					30 V	16A（TC）	4.5V，10V	8.5MOHM @ 16.4a，10V	2.5V @ 250µA	39 NC @ 10 V	±20V	1865 PF @ 25 V	-	62W（TC）
psmn2r2-40ysdx	1.8400	RFQ	1	Nexperia USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669	PSMN2R2		MOSFET （金属 o化物）		LFPAK56，Power-SO8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道					40 V	180a（ta）	10V	2.2MOHM @ 25A，10V	3.6V @ 1mA	63 NC @ 10 V	±20V	5130 PF @ 20 V	-	166W（TA）
IRFAF42	6.5000	RFQ	60	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的		-	通过洞	TO-204AE			MOSFET （金属 o化物）		TO-204AE	下载	Rohs不合规	3（168））	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	1		n通道					500 v	7a		-	-		-		-	125W
Auirru024Z	0.4800	RFQ	13	国际整流器	Hexfet®	大部分	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道					55 v	16A（TC）	4.5V，10V	58mohm @ 9.6a，10V	3V @ 250µA	9.9 NC @ 5 V	±16V	380 pf @ 25 V	-	35W（TC）
IRFH4210DTRPBF	2.5800	RFQ	1	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	IRFH4210		MOSFET （金属 o化物）		PQFN（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道					25 v	44A（TA）	4.5V，10V	1.1MOHM @ 50A，10V	2.1V @ 100µA	77 NC @ 10 V	±20V	4812 PF @ 13 V	-	3.5W（TA），125W（tc）
S2M0040120K	24.9100	RFQ	128	SMC二极管解决方案	-	管子	积极的		-	通过洞	TO-247-4			sicfet （碳化硅）		TO-247-4	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	30		n通道					1200 v	-	-	-	-		-		-	-
AUIRR3705Z	1.4700	RFQ	8	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道					55 v	75A（TC）	4.5V，10V	8mohm @ 52a，10v	3V @ 250µA	60 NC @ 5 V	±16V	2880 pf @ 25 V	-	130W（TC）
IRFR7746TRPBF	-	RFQ	8932	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	176-LQFP			MOSFET （金属 o化物）		176-LQFP（24x24）	下载					Ear99	8542.39.0001	1		n通道					75 v	56A（TC）	6V，10V	11.2MOHM @ 35A，10V	3.7V @ 100µA	89 NC @ 10 V	±20V	3107 PF @ 25 V	-	99W（TC）
NTJS4405NT4G	-	RFQ	7406	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	NTJS44		MOSFET （金属 o化物）		SC-88/SC70-6/SOT-363	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000		n通道					25 v	1A（1A）	2.7V，4.5V	350MOHM @ 600mA，4.5V	1.5V @ 250µA	1.5 NC @ 4.5 V	±8V	60 pf @ 10 V	-	630MW（TA）
FQP70N08	-	RFQ	9549	Onmi	QFET®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FQP7		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					80 V	70A（TC）	10V	17mohm @ 35a，10v	4V @ 250µA	98 NC @ 10 V	±25V	2700 PF @ 25 V	-	155W（TC）
SIZF906BDT-T1-GE3	2.0200	RFQ	29	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	SIZF906		MOSFET （金属 o化物）	4.5W（TA），38W（ta（5W（ta），83W（（ta）	8-Powerpair®（6x5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SIZF906BDT-T1-GE3CT	Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双），肖特基						30V	（36a）（105a t tc）（63a ta）（257a t c）（TC）		2.1MOHM @ 15a，10v，680µhm @ 20a，10v	2.2V @ 250µA	49nc @ 10v，165nc @ 10V		1630pf @ 15V，5550pf @ 15V	-
IRF7526D1TR	-	RFQ	1153	Infineon技术	Fetky™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）			MOSFET （金属 o化物）		micro8™	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		P通道					30 V	2A（TA）	4.5V，10V	200mohm @ 1.2A，10V	1V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±20V	180 pf @ 25 V	Schottky 二极管（孤立）	1.25W（TA）
FDP22N50N	3.8600	RFQ	4	Onmi	Unifet™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FDP22		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					500 v	22a（TC）	10V	220MOHM @ 11a，10v	5V @ 250µA	65 NC @ 10 V	±30V	3200 PF @ 25 V	-	312.5W（TC）
BSS84AKS/ZLX	-	RFQ	3609	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	BSS84		MOSFET （金属 o化物）	445MW	6-TSSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934070249115	Ear99	8541.21.0095	3,000	2（p 通道（双）						50V	160mA（TA）		7.5OHM @ 100mA，10V	2.1V @ 250µA	0.35nc @ 5V		36pf @ 25V	逻辑级别门
FDD050N03B	-	RFQ	6481	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FDD050		MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					30 V	50A（TC）	4.5V，10V	5mohm @ 25a，10v	3V @ 250µA	43 NC @ 10 V	±16V	2875 PF @ 15 V	-	65W（TC）
FDB031N08	6.7700	RFQ	1840年	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	FDB031		MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	FDB031N08TR	Ear99	8541.29.0095	800		n通道					75 v	120A（TC）	10V	3.1MOHM @ 75A，10V	4.5V @ 250µA	220 NC @ 10 V	±20V	15160 pf @ 25 V	-	375W（TC）
APTMC120TAM12CTPAG	-	RFQ	5849	微芯片技术	-	大部分	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP6	APTMC120		（SIC）	925W	sp6-p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	6 n通道（3相桥）						1200V（1.2kV）	220A（TC）		12mohm @ 150a，20v	2.4V @ 30mA ty（typ）	483nc @ 20V		8400pf @ 1000V	-
NVTFWS052P04M8LTAG	0.9100	RFQ	8917	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	NVTFWS052		MOSFET （金属 o化物）		8-WDFN（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		P通道					40 V	4.7a（ta），13.2a（TC）	4.5V，10V	69mohm @ 5A，10V	2.4V @ 95µA	6.3 NC @ 10 V	±20V	424 pf @ 20 V	-	2.9W（23w），23W（tc）
IXFT4N100Q	-	RFQ	4613	ixys	Hiperfet™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	ixft4		MOSFET （金属 o化物）		TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道					1000 v	4A（TC）	10V	3ohm @ 2a，10v	5V @ 1.5mA	39 NC @ 10 V	±20V	1050 pf @ 25 V	-	150W（TC）
STD4N62K3	1.9100	RFQ	433	Stmicroelectronics	SuperMesh3™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD4N62		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					620 v	3.8A（TC）	10V	1.95OHM @ 1.9A，10V	4.5V @ 50µA	14 NC @ 10 V	±30V	450 pf @ 50 V	-	70W（TC）
SIHP14N50D-GE3	1.4464	RFQ	6015	Vishay Siliconix	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SIHP14		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					500 v	14A（TC）	10V	400mohm @ 7a，10v	5V @ 250µA	58 NC @ 10 V	±30V	1144 PF @ 100 V	-	208W（TC）
SQD45P03-12-T4_GE3	0.6597	RFQ	7337	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SQD45		MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SQD45P03-12-T4_GE3TR	Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道					30 V	50A（TC）	4.5V，10V	10mohm @ 15a，10v	2.5V @ 250µA	83 NC @ 10 V	±20V	3495 pf @ 15 V	-	71W（TC）
IPD90R1K2C3ATMA1	0.8583	RFQ	7116	Infineon技术	coolmos™	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD90		MOSFET （金属 o化物）		pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					900 v	5.1A（TC）	10V	1.2OHM @ 2.8A，10V	3.5V @ 310µA	28 NC @ 10 V	±20V	710 PF @ 100 V	-	83W（TC）
SFR9034TM	-	RFQ	1457	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道					60 V	14A（TC）	10V	140MOHM @ 7A，10V	4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±25V	1155 PF @ 25 V	-	2.5W（ta），49W（tc）
SIHP22N60E-GE3	4.0300	RFQ	7870	Vishay Siliconix	e	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SIHP22		MOSFET （金属 o化物）			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					600 v	21a（TC）	10V	180mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	86 NC @ 10 V	±30V	1920 PF @ 100 V	-	227W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

FET，MOSFET （55612）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²