场效应管、MOSFET(55612)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	频率	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	额定电流（安培）	当前-测试	功率-输出	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	噪声系数	电压 - 测试
JAN2N6802U	-	询价	7033	美高森美公司	军事，MIL-PRF-19500/557	大部分	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	18-CLCC			MOSFET（金属O化物）		18-ULCC (9.14x7.49)	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道					500V	2.5A（温度）	10V	1.6欧姆@2.5A，10V	4V@250μA	33nC@10V	±20V		-	800mW（Ta）、25W（Tc）
BLF7G10LS-250	-	询价	3834	Ampleon美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	65V		安装结构	SOT-502B		869MHz～960MHz	LDMOS		SOT502B	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行				100			5微安	1.8安	250W	19.5分贝											-	30V
FTD2017A-TL-E	-	询价	3521	onsemi	*	大部分	的积极										-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0095	3,000
BUK7608-40B,118	0.7600	询价	1	恩智浦	*	大部分	的积极					山毛洼76					-	符合ROHS3标准		REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800
SCTH40N120G2V7AG	21.3300	询价	9081	意法半导体	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-8、D²Pak（7引脚+接片）、TO-263CA	SCTH40		SiCFET（碳化硅）		H2PAK-7	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	497-SCTH40N120G2V7AGTR	EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道					650伏	33A（温度）	18V	105毫欧@20A，18V	5V@1mA	63nC@18V	+22V，-10V	800V时为1230pF	-	250W（温度）
BUK7C3R1-80EJ	-	询价	8251	恩智浦	-	卷带式 (TR)	的积极		-	表面贴装	TO-263-7，D²Pak（6引脚+接片）	山毛凹7C3		MOSFET（金属O化物）		D2PAK-7	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	934067493118	EAR99	8541.29.0095	800		N沟道					80V	-		-	-				-	-
BUK9E3R7-60E,127	-	询价	6212	恩智浦	TrenchMOS™	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA	布克9		MOSFET（金属O化物）		I2PAK	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道					60V	120A（温度）	5V、10V	3.4毫欧@25A，10V	2.1V@1mA	95nC@5V	±10V	13490pF@25V	-	293W（温度）
IXUN350N10	-	询价	5138	IXYS	-	管子	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	安装结构	SOT-227-4，迷你块	IXUN350		MOSFET（金属O化物）		SOT-227B	下载		1（无限制）	REACH 不出行	Q3672970	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道					100伏	350A（温度）	10V	2.5毫欧@175A，10V	4V@3mA	640nC@10V	±20V	27000pF@25V	-	830W（温度）
BLF7G24LS-140	-	询价	1619	Ampleon美国公司	-	托盘	过时的	65V		安装结构	SOT-502B		2.3GHz～2.4GHz	LDMOS		SOT502B	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		过时的		20			5微安	1.3A	140W	18.5分贝											-	28V
TSM042N03CS	0.8059	询价	8384	台积电	-	卷带式 (TR)	的积极		175°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	TSM042		MOSFET（金属O化物）		8-SOP	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行	1801-TSM042N03CSTR	EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道					30V	30A（温度）	4.5V、10V	4.2毫欧@12A，10V	2.5V@250μA	24nC@4.5V	±20V	2200pF@25V	-	7W（温度）
AOSP21311C	0.2390	询价	4382	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AOSP213		MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	785-AOSP21311CTR	EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道					30V	6A（塔）	4.5V、10V	42mOhm@6A，10V	2.2V@250μA	23nC@10V	±20V	720pF@15V	-	2.5W（塔）
MRFG35002N6T1	11.0600	询价	2	飞思卡尔半导体	-	大部分	的积极	8V			PLD-1.5	MRFG35	3.55GHz	pHEMT场效应管		PLD-1.5	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	0000.00.0000	1,000			-	65毫安	1.5W	10分贝											-	6V
BLC8G27LS-140AV518-AMP	1.0000	询价	2	Ampleon美国公司	BLC	大部分	的积极	65V		安装结构	SOT-1275-1		2.496GHz～2.69GHz	LDMOS		SOT-1275-1	下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0075	100	双重、共同来源		1.4微安	320毫安	140W	14.5分贝											-	28V
DMP22D5UFO-7B	0.0367	询价	3198	分散公司	-	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	3-XFDFN	DMP22		MOSFET（金属O化物）		X2-DFN0604-3	下载			REACH 不出行	31-DMP22D5UFO-7BTR	EAR99	8541.21.0095	10,000		P沟道					20V	530mA（塔）	1.5V、4.5V	1.9欧姆@100mA，4.5V	1V@250μA	0.3nC@4.5V	±8V	17pF@16V	-	340毫W（塔）
FDMS3606AS	1.0900	询价	7	仙童	PowerTrench®	大部分	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTDFN	FDMS3606		MOSFET（金属O化物）	1W	8-PQFN (5x6)	下载					EAR99	8542.39.0001	1	2 N 沟道（双）不定价						30V	13A、27A		8毫欧@13A，10V	2.7V@250μA	29nC@10V		1695pF@15V	逻辑电平门
STB12NM50FDT4	-	询价	4372	意法半导体	FDmesh™	卷带式 (TR)	过时的		-65°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+片）、TO-263AB	机顶盒12N		MOSFET（金属O化物）		D2PAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道					500V	12A（温度）	10V	400mOhm@6A，10V	5V@250μA	12nC@10V	±30V	1000pF@25V	-	160W（温度）
DIW085N06	4.5997	询价	5286	德欧泰克半导体	-	大部分	的积极			通孔						TO-247-3L	下载	符合ROHS3标准	不适用	供应商未定义	2796-DIW085N06		8541.29.0000	450		N沟道						85A								240W
STF36N60M6	6.3400	询价	6727	意法半导体	MDmesh™ M6	管子	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	STF36		MOSFET（金属O化物）		TO-220FP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道					600伏	30A（温度）	10V	99毫欧@15A，10V	4.75V@250μA	10V时为44.3nC	±25V	1960pF@100V	-	40W（温度）
SSM5H12TU(TE85L,F)	-	询价	5864	东芝半导体和存储	U-MOSⅢ	卷带式 (TR)	过时的		150°C（太焦）	表面贴装	6-SMD（5 英尺），浅浅	SSM5H12		MOSFET（金属O化物）		超短波病毒	下载		1（无限制）			EAR99	8541.21.0095	3,000		N沟道					30V	1.9A（塔）	1.8V、4V	133mOhm@1A，4V	1V@1mA	1.9nC@4V	±12V	123pF@15V	肖特基分散（隔离）	500毫W（塔）
NTTFS4C025NTAG	0.7091	询价	7686	onsemi	*	卷带式 (TR)	的积极										-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	488-NTTFS4C025NTAGTR	EAR99	8541.29.0095	1,500人
RFIS40N10LE	1.3700	询价	800	哈里斯公司	*	大部分	的积极					RF信息系统40		-			-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8542.39.0001	1															-
PJU7NA60_T0_00001	-	询价	5275	强茂国际有限公司	-	管子	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA	PJU7NA60		MOSFET（金属O化物）		TO-251AA	-				3757-PJU7NA60_T0_00001	过时的		1		N沟道					600伏	7A（塔）	10V	1.2欧姆@3.5A，10V	4V@250μA	15.2nC@10V	±30V	723pF@25V	-	140W（温度）
DMN6070SSDQ-13	0.1710	询价	9959	分散公司	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	DMN6070		MOSFET（金属O化物）	1.2W（塔）	8-SO	下载			REACH 不出行	31-DMN6070SSDQ-13TR	EAR99	8541.29.0095	2,500人	2 个 N 沟道（双）						60V	2.7A（塔）		87毫欧@4.5A，10V	3V@250μA	12.3nC@10V		588pF@30V	-
AUIRFS4127TRL	1.0000	询价	4627	国际校正器公司	汽车、AEC-Q101、HEXFET®	大部分	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）		PG-TO263-3	下载					EAR99	8541.29.0095	1		N沟道					200V	72A（温度）	10V	22毫欧@44A，10V	5V@250μA	150nC@10V	±20V	5380pF@50V	-	375W（温度）
BUK764R2-80E,118	-	询价	6782	恩智浦	汽车、AEC-Q101、TrenchMOS™	大部分	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）		D2PAK	下载					EAR99	8541.29.0095	1		N沟道					80V	120A（温度）	10V	4.2毫欧@25A，10V	4V@1mA	136nC@10V	±20V	10426pF@25V	-	324W（温度）
2SK3055(1)-AZ	2.4200	询价	107	瑞萨电子美国公司	*	大部分	的积极										-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1
BUK98150-55A/CU,135	-	询价	4243	安世半导体美国公司	*	大部分	的积极										下载					EAR99	8541.29.0095	1
DMT67M8LSS-13	0.3274	询价	5407	分散公司	-	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）			MOSFET（金属O化物）		8-SO	下载			REACH 不出行	31-DMT67M8LSS-13TR	EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道					60V	12A（塔）	4.5V、10V	6.6毫欧@16.5A，10V	3V@250μA	10V时为37.5nC	±20V	2130pF@30V	-	1.4W（塔）
DMTH84M1SPS-13	0.8379	询价	6708	分散公司	-	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	8-PowerTDFN	DMTH84		MOSFET（金属O化物）		PowerDI5060-8	下载			REACH 不出行	31-DMTH84M1SPS-13TR	EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道					80V	100A（温度）	6V、10V	4mOhm@20A，10V	4V@250μA	63nC@10V	±20V	4209pF@40V	-	1.6W（Ta）、136W（Tc）
ISZ0804NLSATMA1	1.5000	询价	7	英飞凌科技	OptiMOS™5	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTDFN	ISZ0804N		MOSFET（金属O化物）		PG-TSDSON-8-26	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道					100伏	11A（Ta）、58A（Tc）	4.5V、10V	11.5毫欧@20A，10V	2.3V@28μA	24nC@10V	±20V	1600pF@50V	-	2.1W（Ta）、60W（Tc）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

场效应管、MOSFET(55612)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²