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FET，MOSFET （55612）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -测试
FDY2001PZ	-	RFQ	5042	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	FDY20		MOSFET （金属 o化物）	446MW	SOT-563F	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2（p 通道（双）						20V	150mA		8ohm @ 150mA，4.5V	1.5V @ 250µA	1.4NC @ 4.5V		100pf @ 10V	逻辑级别门
STP26N60DM6	4.0100	RFQ	2354	Stmicroelectronics	MDMESH™DM6	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP26		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-18499	Ear99	8541.29.0095	350		n通道					600 v	18A（TC）	10V	195mohm @ 9a，10v	4.75V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±25V	940 pf @ 100 V	-	130W（TC）
MSCSM120HRM311AG	156.8300	RFQ	3496	微芯片技术	-	大部分	积极的		-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块			（SIC）	395W（TC），365W （TC）	-	-				150-MSCSM120HRM311AG			1	（4 n 通道（三级逆变器）						1200V（1.2kV），700V	89A（TC），124A （TC）		31mohm @ 40a，20v，19mohm @ 40a，20v	2.8V @ 3mA，2.4V @ 4mA	232nc @ 20v，215nc @ 20V		3020pf @ 1000V，4500pf @ 700V	（SIC）
IRFS4410pbf	-	RFQ	4835	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3-2	-	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道					100 v	88A（TC）		10mohm @ 58a，10v	4V @ 150µA	180 NC @ 10 V	±20V	5150 PF @ 50 V	-	200W（TC）
RF1S9630SM	0.9700	RFQ	1	哈里斯公司	-	大部分	积极的		-	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		TO-263AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1		P通道					200 v	6.5a	-	-	-		-		-	-
AUIRFR3504Z	-	RFQ	3217	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道					40 V	42A（TC）	10V	9mohm @ 42a，10v	4V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±20V	1510 PF @ 25 V	-	90W（TC）
FDPF3860T	1.5100	RFQ	2576	Onmi	PowerTrench®	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FDPF3860		MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					100 v	20A（TC）	10V	38.2MOHM @ 5.9A，10V	4.5V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±20V	1800 pf @ 25 V	-	33.8W（TC）
DMT10H009SPS-13	0.9100	RFQ	2	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	DMT10		MOSFET （金属 o化物）		PowerDI5060-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					100 v	（14A）（ta），80a（tc）	10V	8.5mohm @ 20a，10v	4V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±20V	2085 PF @ 50 V	-	1.3W（TA）
MRF8P23160WHSR3	-	RFQ	9830	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v			NI-780-4	MRF8	2.32GHz	MOSFET		NI-780-4	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935310859128	Ear99	8541.29.0095	250	n通道		-	600 MA	30W	14.1db											-	28 V
STH6N95K5-2	2.8400	RFQ	9290	Stmicroelectronics	MDMESH™K5	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STH6		MOSFET （金属 o化物）		H2PAK-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					950 v	6A（TC）	10V	1.25OHM @ 3A，10V	5V @ 100µA	13 NC @ 10 V	±30V	450 pf @ 100 V	-	110W（TC）
SSF2320Y	0.2600	RFQ	6	好公园的半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜150°C	表面安装	SOT-523			MOSFET （金属 o化物）		SOT-523	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0080	3,000		n通道					20 v	800mA（TC）	1.2V，4.5V	300mohm @ 500mA，4.5V	1V @ 250µA	1 NC @ 4.5 V	±8V	75 pf @ 10 V	-	312MW（TC）
PMV50ENEA215	-	RFQ	4345	NXP半导体	*	大部分	积极的					PMV50					下载					Ear99	8541.29.0095	1
IPP50R350CPHKSA1	-	RFQ	4050	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP50R		MOSFET （金属 o化物）		pg-to220-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP000236069	Ear99	8541.29.0095	500		n通道					500 v	10A（TC）	10V	350MOHM @ 5.6A，10V	3.5V @ 370µA	25 NC @ 10 V	±20V	1020 PF @ 100 V	-	89W（TC）
NVTFS4C05NWFTAG	1.8600	RFQ	5068	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	NVTFS4		MOSFET （金属 o化物）		8-WDFN（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道					30 V	22a（22A），102a（tc）	4.5V，10V	3.6mohm @ 30a，10v	2.2V @ 250µA	31 NC @ 10 V	±20V	1988 pf @ 15 V	-	3.2W（TA），68W （TC）
AOD603A	0.3807	RFQ	5734	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-5，DPAK（ + 4 +选项卡，TO-252AD	AOD603		MOSFET （金属 o化物）	2W	TO-252-4L	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n和p通道，普通排水						60V	3.5a，3a		60mohm @ 12a，10v	3V @ 250µA	10NC @ 10V		540pf @ 30V	逻辑级别门
MHT1008NT1515	-	RFQ	4157	自由度半导体	-	大部分	积极的	65 v		表面安装	PLD-1.5W		2.45GHz	ldmos		PLD-1.5W	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定				1,000			10µA	110 MA	12.5W	20.9db											-	28 V
STB60NF06LT4	2.0900	RFQ	3018	Stmicroelectronics	StripFet™II	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STB60		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					60 V	60a（TC）	5V，10V	14mohm @ 30a，10v	1V @ 250µA	66 NC @ 4.5 V	±15V	2000 pf @ 25 V	-	110W（TC）
NP80N055KLE-E2-AY	-	RFQ	4564	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的										-	rohs3符合条件	供应商不确定			过时的	0000.00.0000	3,000								80A（TC）
STH110N10F7-6	-	RFQ	5678	Stmicroelectronics	DeepGate™，diplfet™VII	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）	STH110		MOSFET （金属 o化物）		H2PAK-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					100 v	110A（TC）	10V	6.5MOHM @ 55A，10V	4.5V @ 250µA	72 NC @ 10 V	±20V	5117 PF @ 50 V	-	150W（TC）
PMZ600UNE/S500YL	0.0300	RFQ	6491	Nexperia USA Inc.	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-101，SOT-883			MOSFET （金属 o化物）		DFN1006-3	-				2156-PMZ600UNE/S500YL			9,000		n通道					20 v	600mA（TA）	1.2V，4.5V	620MOHM @ 600mA，4.5V	0.95V @ 250µA	0.7 NC @ 4.5 V	±8V	21.3 pf @ 10 V	-	360MW（TA），2.7W（TC）
PJA3415A_R1_00001	0.4400	RFQ	7	Panjit International Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PJA3415		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	3757-PJA3415A_R1_00001DKR	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道					20 v	4.5A（ta）	1.8V，4.5V	46mohm @ 4.5A，4.5V	1.3V @ 250µA	10 NC @ 4.5 V	±12V	980 pf @ 10 V	-	1.25W（TA）
FQPF19N10L	-	RFQ	5958	Onmi	QFET®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FQPF1		MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					100 v	13.6A（TC）	5V，10V	100mohm @ 6.8a，10v	2V @ 250µA	18 nc @ 5 V	±20V	870 pf @ 25 V	-	38W（TC）
APT51F50J	30.4800	RFQ	7013	微芯片技术	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	APT51F50		MOSFET （金属 o化物）		isotop®	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道					500 v	51A（TC）	10V	75MOHM @ 37A，10V	5V @ 2.5mA	290 NC @ 10 V	±30V	11600 PF @ 25 V	-	480W（TC）
CPH3340-TL-E	0.2300	RFQ	42	Onmi	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	表面安装	SC-96			MOSFET （金属 o化物）		3-CPH	-	不适用				Ear99	0000.00.0000	3,000		P通道					20 v	5A（5A）		45mohm @ 2.5a，4V	-	16 NC @ 4 V		1875 PF @ 10 V	-	1.2W（TA）
tpc8134，lq（s	0.7300	RFQ	2	东芝半导体和存储	U-Mosvi	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TPC8134		MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道					40 V	5A（5A）	4.5V，10V	52MOHM @ 2.5A，10V	2V @ 100µA	20 nc @ 10 V	+20V，-25V	890 pf @ 10 V	-	1W（ta）
BUK75150-55A，127	-	RFQ	6536	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	Buk75		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					55 v	11A（TC）	10V	150MOHM @ 5A，10V	4V @ 1mA	5.5 NC @ 10 V	±20V	322 PF @ 25 V	-	36W（TC）
IXUC200N055	-	RFQ	3077	ixys	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	ISOPLUS220™	IXUC200		MOSFET （金属 o化物）		ISOPLUS220™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					55 v	200a（TC）	10V	5.1MOHM @ 100A，10V	4V @ 2mA	200 NC @ 10 V	±20V		-	300W（TC）
TSM320N03CX	0.3118	RFQ	6160	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	TSM320		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM320N03CXTR	Ear99	8541.29.0095	12,000		n通道					30 V	（4a ta），5.5A（5A）（TC）	2.5V，4.5V	32MOHM @ 4A，4.5V	900mv @ 250µA	8.9 NC @ 4.5 V	±12V	792 PF @ 15 V	-	1W（TA），1.8W（TC）
TSM4NB65CH	0.9576	RFQ	7165	台湾半导体公司	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	TSM4		MOSFET （金属 o化物）		TO-251（IPAK）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM4NB65CH	Ear99	8541.29.0095	15,000		n通道					650 v	4A（TC）	10V	3.37OHM @ 2A，10V	4.5V @ 250µA	13.46 NC @ 10 V	±30V	549 pf @ 25 V	-	50W（TC）
TSM480P06CH	0.9337	RFQ	8510	台湾半导体公司	-	管子	积极的		-50°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK	TSM480		MOSFET （金属 o化物）		TO-251（i-pak SL）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM480P06CH	Ear99	8541.29.0095	15,000		P通道					60 V	20A（TC）	4.5V，10V	48mohm @ 8a，10v	2.2V @ 250µA	22.4 NC @ 10 V	±20V	1250 pf @ 30 V	-	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

FET，MOSFET （55612）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²