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FET，MOSFET （55612）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -测试
BUK9535-55A127	0.2700	RFQ	2233	NXP USA Inc.	Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）	TO-220AB	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	940		n通道					55 v	34A（TC）	4.5V，10V	32mohm @ 25a，10v	2V @ 1mA		±10V	1173 PF @ 25 V	-	85W（TC）
STW25NM60ND	-	RFQ	5059	Stmicroelectronics	FDMESH™II	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STW25N		MOSFET （金属 o化物）	TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-8455-5	Ear99	8541.29.0095	30		n通道					600 v	21a（TC）	10V	160MOHM @ 10.5a，10V	5V @ 250µA	80 NC @ 10 V	±25V	2400 pf @ 50 V	-	160W（TC）
HUF75545S3S	-	RFQ	5219	Onmi	Ultrafet™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	HUF75		MOSFET （金属 o化物）	d²pak（to-263）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					80 V	75A（TC）	10V	10mohm @ 75a，10v	4V @ 250µA	235 NC @ 20 V	±20V	3750 PF @ 25 V	-	270W（TC）
IRLBA3803P	-	RFQ	4279	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-273AA			MOSFET （金属 o化物）	SUPER-220™to-273AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRLBA3803P	Ear99	8541.29.0095	50		n通道					30 V	179a（TC）		5mohm @ 71a，10v	1V @ 250µA	140 NC @ 4.5 V		5000 pf @ 25 V	-	270W（TC）
MRF136Y	81.0750	RFQ	4429	MACOM技术解决方案	-	托盘	积极的	65 v			319B-02	MRF136	400MHz	MOSFET	319B-02，样式1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		1465-1147	Ear99	8541.29.0095	20	n通道		5a	25 ma	30W	14dB											1dB	28 V
HUF75309D3S	0.2900	RFQ	1	Fairchild半导体	Ultrafet™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）	DPAK	下载	Rohs不合规				Ear99	8541.29.0095	1,800		n通道					55 v	19a（tc）		70mohm @ 19a，10v	4V @ 250µA	24 NC @ 20 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	55W（TC）
PXAC241702FC-V1-R250	80.8964	RFQ	8009	Wolfspeed，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	65 v		底盘安装	H-37248-4	PXAC241702	2.4GHz	ldmos	H-37248-4	下载	Rohs符合条件	3（168））			Ear99	8541.29.0095	250			-	360 MA	28W	16.5db											-	28 V
BSC028N06NSATMA1	2.7600	RFQ	55	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSC028		MOSFET （金属 o化物）	PG-TDSON-8-7	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道					60 V	（23A）（TA），100A （TC）	6V，10V	2.8mohm @ 50a，10v	2.8V @ 50µA	37 NC @ 10 V	±20V	2700 pf @ 30 V	-	2.5W（ta），83W（tc）
IRFH7885TRPBF	-	RFQ	5206	Infineon技术	Fastirfet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-vqfn			MOSFET （金属 o化物）	8-pqfn（5x6）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道					80 V	22a（22a）	10V	3.9mohm @ 50a，10v	3.6V @ 150µA	54 NC @ 10 V	±20V	2311 pf @ 40 V	-	3.6W（TA），156W（TC）
AOB260L	1.9870	RFQ	2686	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	AOB260		MOSFET （金属 o化物）	TO-263（D2PAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道					60 V	20A（20A），140a （TC）	10V	2.2MOHM @ 20A，10V	3.2V @ 250µA	180 NC @ 10 V	±20V	14200 PF @ 30 V	-	1.9W（TA），330W（tc）
IPP65R150CFDXKSA2	4.6900	RFQ	6540	Infineon技术	CoolMos™CFD2	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP65R150		MOSFET （金属 o化物）	pg-to220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					650 v	22.4a（TC）	10V	150MOHM @ 9.3a，10V	4.5V @ 900µA	86 NC @ 10 V	±20V	2340 pf @ 100 V	-	195.3W（TC）
FQA9N50	-	RFQ	4882	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3			MOSFET （金属 o化物）	to-3p	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	220		n通道					500 v	9.6A（TC）	10V	730MOHM @ 4.8A，10V	5V @ 250µA	36 NC @ 10 V	±30V	1450 pf @ 25 V	-	160W（TC）
MRF6S9160HSR3	97.0400	RFQ	47	自由度半导体	-	大部分	积极的	68 v		底盘安装	NI-780		880MHz〜960MHz	ldmos	NI-780	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1			10µA	1.2 a	35W	20.9db											-	28 V
AUIRFR3607	-	RFQ	7019	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	AUIRFR3607		MOSFET （金属 o化物）	D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道					75 v	56A（TC）	10V	9MOHM @ 46A，10V	4V @ 100µA	84 NC @ 10 V	±20V	3070 pf @ 50 V	-	140W（TC）
IXFA76N15T2	5.2060	RFQ	6564	ixys	HiperFet™，Trencht2™	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IXFA76		MOSFET （金属 o化物）	TO-263AA（IXFA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					150 v	76A（TC）	10V	20mohm @ 38a，10v	4.5V @ 250µA	97 NC @ 10 V	±20V	5800 pf @ 25 V	-	350W（TC）
IRLR8743PBF	-	RFQ	9970	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）	D-pak	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道					30 V	160a（TC）	4.5V，10V	3.1MOHM @ 25A，10V	2.35V @ 100µA	59 NC @ 4.5 V	±20V	4880 pf @ 15 V	-	135W（TC）
AOD4T60	-	RFQ	8301	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	AOD4		MOSFET （金属 o化物）	TO-252（DPAK）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					600 v	4A（TC）	10V	2.1OHM @ 1A，10V	5V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±30V	460 pf @ 100 V	-	83W（TC）
PJF60R290E_T0_00001	1.1079	RFQ	2265	Panjit International Inc.	-	管子	不适合新设计		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	PJF60R290E		MOSFET （金属 o化物）	ITO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	3757-PJF60R290E_T0_00001	Ear99	8541.29.0095	50		n通道					600 v	1.7A（15a），15a （TC）	10V	290MOHM @ 6.5A，10V	4V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±20V	1013 PF @ 25 V	-	60W（TC）
DMN3016LFDF-7	0.4600	RFQ	30	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-udfn暴露垫	DMN3016		MOSFET （金属 o化物）	U-DFN2020-6（f型）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道					30 V	12a（12a）	4.5V，10V	12mohm @ 11a，10v	2V @ 250µA	25.1 NC @ 10 V	±20V	1415 pf @ 15 V	-	2.02W（TA）
APT34F100B2	23.5000	RFQ	3018	微芯片技术	Power MOS 8™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	APT34F100		MOSFET （金属 o化物）	T-MAX™[B2]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道					1000 v	35A（TC）	10V	380MOHM @ 18A，10V	5V @ 2.5mA	305 NC @ 10 V	±30V	9835 pf @ 25 V	-	1135W（TC）
SUM90330E-GE3	1.7200	RFQ	9823	Vishay Siliconix	Thunderfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	sum90330		MOSFET （金属 o化物）	TO-263（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道					200 v	35.1A（TC）	7.5V，10V	37.5MOHM @ 12.2a，10V	4V @ 250µA	32 NC @ 10 V	±20V	1172 PF @ 100 V	-	125W（TC）
G1K1P06HH	0.0790	RFQ	7	戈福德半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA			MOSFET （金属 o化物）	SOT-223	下载	Rohs符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道					60 V	4.5A（TC）	10V	110MOHM @ 4A，10V	4V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±20V	981 PF @ 30 V	-	3.1W（TC）
IRF6623Tr1pbf	-	RFQ	9338	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距St			MOSFET （金属 o化物）	DirectFet™st	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					20 v	16a（16A），55a（tc）	4.5V，10V	5.7MOHM @ 15A，10V	2.2V @ 250µA	17 NC @ 4.5 V	±20V	1360 pf @ 10 V	-	1.4W（ta），42W（（（（（（（
YJS15G10A	0.4210	RFQ	400	Yangjie技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-	Rohs符合条件		到达不受影响	4617-YJS15G10ATR	Ear99		4,000
DMT4001LPS-13	-	RFQ	1181	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	DMT4001		MOSFET （金属 o化物）	POWERDI5060-8（k型）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	DMT4001LPS-13DI	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					40 V	100A（TC）	4.5V，10V	1mohm @ 30a，10v	3V @ 250µA	160.5 NC @ 10 V	±20V	12121 PF @ 20 V	-	2.6W
DMPH4029LFGQ-13	0.2701	RFQ	9535	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	DMPH4029		MOSFET （金属 o化物）	PowerDI3333-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	DMPH4029LFGQ-13DI	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道					40 V	8a（8a ta），22a （TC）	4.5V，10V	29mohm @ 3a，10v	3V @ 250µA	34 NC @ 10 V	±20V	1626 PF @ 20 V	-	1.2W（TA）
TN0610N3-G-P003	1.0500	RFQ	7832	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	TN0610		MOSFET （金属 o化物）	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道					100 v	500mA（TJ）	3V，10V	1.5OHM @ 750mA，10V	2V @ 1mA		±20V	150 pf @ 25 V	-	1W（TC）
AON3402	0.2741	RFQ	7338	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	AON340		MOSFET （金属 o化物）	8-DFN （3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道					20 v	12.6a（ta）	1.8V，4.5V	13mohm @ 12a，4.5V	1V @ 250µA	17.9 NC @ 4.5 V	±12V	1810 PF @ 10 V	-	3.1W（TA）
PSMN012-25YLC，115	-	RFQ	1882年	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669	PSMN0		MOSFET （金属 o化物）	LFPAK56，Power-SO8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道					25 v	33A（TC）	4.5V，10V	12.6mohm @ 10a，10v	1.95V @ 1mA	8.3 NC @ 10 V	±20V	528 pf @ 12 V	-	26W（TC）
IPN80R1K4P7ATMA1	1.1500	RFQ	76	Infineon技术	Coolmos™P7	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	IPN80R1		MOSFET （金属 o化物）	PG-SOT223	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道					800 v	4A（TC）	10V	1.4OHM @ 1.4A，10V	3.5V @ 70µA	10 NC @ 10 V	±20V	250 pf @ 500 V	-	7W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

FET，MOSFET （55612）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²