场效应管、MOSFET(55612)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	频率	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	额定电流（安培）	当前-测试	功率-输出	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	噪声系数	电压 - 测试
SIZ918DT-T1-GE3	1.7200	询价	24	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerWDFN	SIZ918		MOSFET（金属O化物）	29W、100W	8-PowerPair® (6x5)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000	2个N沟道（半桥）						30V	16A、28A		12毫欧@13.8A，10V	2.2V@250μA	21nC@10V		790pF@15V	逻辑电平门
AOB2144L	1.6583	询价	9428	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+片）、TO-263AB	AOB21		MOSFET（金属O化物）		TO-263（D2Pak）	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行	785-AOB2144LTR	EAR99	8541.29.0095	800		N沟道					40V	205A（高温）	4.5V、10V	2.3毫欧@20A，10V	2.4V@250μA	95nC@10V	±20V	5225pF@20V	-	8.3W（Ta）、187W（Tc）
IST011N06NM5AUMA1	6.2100	询价	1	英飞凌科技	OptiMOS™5	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	5-PowerSFN	IST011N		MOSFET（金属O化物）		PG-HSOF-5-1	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道					60V	38A（Ta）、399A（Tc）	6V、10V	1.1毫欧@100A，10V	3.3V@148μA	154nC@10V	±20V	8100pF@30V	-	3.8W（Ta）、313W（Tc）
IRF5800TRPBF	-	询价	3140	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SOT-23-6薄型、TSOT-23-6			MOSFET（金属O化物）		Micro6™(TSOP-6)	下载		2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道					30V	4A（塔）	4.5V、10V	85毫欧@4A，10V	1V@250μA	17nC@10V	±20V	535pF@25V	-	2W（塔）
GT080N08D5	0.3673	询价	3711	高福德半导体	-	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTDFN			MOSFET（金属O化物）		8-DFN (4.9x5.75)	-	符合RoHS标准		REACH 不出行	3141-GT080N08D5TR	EAR99	8541.29.0000	5,000		N沟道					85V	65A（温度）	10V	8毫欧@20A，10V	4V@250μA	39nC@10V	±20V	1885pF@50V	-	69W（温度）
MCU18N20A-TP	0.6053	询价	8057	微商公司	-	大部分	的积极					单片机18					-				353-MCU18N20A-TP	EAR99	8541.29.0095	1
TW107N65C,S1F	9.6200	询价	96	东芝半导体和存储	-	管子	的积极		175℃	通孔	TO-247-3			SiCFET（碳化硅）		TO-247	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	30		N沟道					650伏	20A（温度）	18V	145毫欧@10A，18V	5V@1.2mA	21nC@18V	+25V，-10V	600 pF @ 400 V	-	76W（温度）
SI1011X-T1-GE3	-	询价	8257	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SC-89、SOT-490	SI1011		MOSFET（金属O化物）		SC-89-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000		P沟道					12V	480mA（塔）	1.2V、4.5V	640mOhm@400mA，4.5V	800mV@250μA	4nC@4.5V	±5V	62pF@6V	-	190毫W（塔）
SI2310A	0.5000	询价	2	UMW	UMW	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3			MOSFET（金属O化物）		SOT-23	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道					60V	3A（塔）	4.5V、10V	80毫欧@3A，10V	3V@250μA	10nC@4.5V	±20V	780pF@25V	-	1.38W（塔）
SSM3J15FS,LF	0.2500	询价	10	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		150℃	表面贴装	SC-75、SOT-416	SSM3J15		MOSFET（金属O化物）		SSM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.21.0095	3,000		P沟道					30V	100mA（塔）	2.5V、4V	12欧姆@10mA，4V	1.7V@100μA		±20V	9.1pF@3V	-	100毫W（塔）
BUK6Y10-30PX	1.2200	询价	3	安世半导体美国公司	汽车、AEC-Q101、TrenchMOS™	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	SC-100、SOT-669	山毛蚀刻6Y10		MOSFET（金属O化物）		LFPAK56，电源-SO8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,500人		P沟道					30V	80A（塔）	4.5V、10V	10毫欧@13.5A，10V	3V@250μA	64nC@10V	±20V	15V时为2360pF	-	110W（塔）
MMRF5017HS-1GHZ	-	询价	5591	恩智浦	*	托盘	SIC停产					MMRF5017					下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	1
PJMB390N65EC_R2_00601	2.2700	询价	600	强茂国际有限公司	-	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+片）、TO-263AB	PJMB390		MOSFET（金属O化物）		TO-263	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道					650伏	10A（温度）	10V	390毫欧@5A，10V	4V@250μA	19nC@10V	±30V	726 pF @ 400 V	-	87.5W（温度）
64-2082PBF	-	询价	5191	英飞凌科技	-	管子	过时的										-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		过时的		1								-
AO4478	-	询价	7313	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO44		MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道					30V	9A（塔）	4.5V、10V	19毫欧@9A，10V	2V@250μA	11nC@10V	±25V	560pF@15V	-	3.1W（塔）
IRL8113PBF	-	询价	6729	onsemi	HEXFET®	大部分	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义				1		N沟道					30V	105A（温度）	4.5V、10V	6毫欧@21A，10V	2.25V@250μA	35nC@4.5V	±20V	15V时为2840pF	-	110W（温度）
CPH3320-TL-E	-	询价	2216	三洋	-	大部分	过时的		150℃	表面贴装	SC-96			MOSFET（金属O化物）		3-CPH	-	不符合 RoHS 指令		供应商未定义	2156-CPH3320-TL-E-600057			1		P沟道					12V	2A（塔）	1.8V、4.5V	145mOhm@1A，4.5V	1V@1mA	4.5V时为4.6nC	±8V	310pF@6V	-	1W（塔）
DMN2041L-7	0.3800	询价	206	分散公司	-	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	DMN2041		MOSFET（金属O化物）		SOT-23-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000		N沟道					20V	6.4A（塔）	2.5V、4.5V	28毫欧@6A，4.5V	1.2V@250μA	15.6nC@10V	±12V	550pF@10V	-	780毫W（塔）
FDD9509L	-	询价	3302	onsemi	-	大部分	过时的										-			REACH 不出行	488-FDD9509L	过时的		1
BUK764R0-75C,118-NEX	-	询价	2302	安世半导体美国公司	汽车、AEC-Q101、TrenchMOS™	大部分	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）		D2PAK	-	不适用	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	0000.00.0000	1		N沟道					75V	100A（温度）	10V	4mOhm@25A，10V	4V@1mA	142nC@10V	±20V	11659pF@25V	-	333W（温度）
BLF7G22LS-130,112	-	询价	7432	Ampleon美国公司	-	托盘	过时的	65V		安装结构	SOT-502B	BLF7G22	2.11GHz～2.17GHz	LDMOS		SOT502B	下载		1（无限制）	REACH 不出行		5A991G	8541.29.0075	20			28A	950毫安	30W	18.5分贝											-	28V
IRFHM830DTRPBF	-	询价	5874	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-VQFN 裸露焊盘			MOSFET（金属O化物）		PQFN (3x3)	下载		1（无限制）	REACH 不出行	SP001554840	EAR99	8541.29.0095	4,000		N沟道					30V	20A（Ta）、40A（Tc）	4.5V、10V	4.3毫欧@20A，10V	2.35V@50μA	27nC@10V	±20V	1797pF@25V	-	2.8W（Ta）、37W（Tc）
SIL2308-TP	0.3700	询价	147	微商公司	-	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SOT-23-6	SIL2308		MOSFET（金属O化物）	-	SOT-23-6L	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000	N 和 P 沟道						20V	5A、4A		38mOhm @ 4.5A、4.5V、90mOhm @ 500mA、4.5V	1V@250μA	4.5V时为11nC，2.5V时为12nC		800pF、405pF @ 8V、10V	-
BUK664R8-75C,118	-	询价	1126	安世半导体美国公司	汽车、AEC-Q101、TrenchMOS™	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）		D2PAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道					75V	120A（温度）	4.5V、10V	5毫欧@25A，10V	2.8V@1mA	177nC@10V	±16V	11400pF@25V	-	263W（温度）
SIHG33N60E-E3	4.1309	询价	3921	威世硅科	B	管子	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3	SIHG33		MOSFET（金属O化物）		TO-247AC	下载		1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	500		N沟道					600伏	33A（温度）	10V	99毫欧@16.5A，10V	4V@250μA	150nC@10V	±30V	100V时为3508pF	-	278W（温度）
FMP76-010T	-	询价	3948	IXYS	沟渠™	管子	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	i4-Pac™-5	FMP76		MOSFET（金属O化物）	89W、132W	ISOPLUS i4-PAC™	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	25	N 和 P 沟道						100V	62A、54A		11毫欧@25A，10V	4.5V@250μA	104nC@10V		5080pF @ 25V	-
新台币4N60	0.4100	询价	184	onsemi	*	大部分	的积极										下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8541.29.0095	1
PSMN8R0-30LYC115	1.0000	询价	3272	恩智浦	*	大部分	的积极										下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0075	1
IPI14N03LA	-	询价	5647	英飞凌科技	OptiMOS™	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA	IPI14N		MOSFET（金属O化物）		PG-TO262-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	500		N沟道					25V	30A（温度）	4.5V、10V	13.9毫欧@30A，10V	2V@20μA	5V时为8.3nC	±20V	1043pF@15V	-	46W（温度）
DMT6006LK3-13	0.3508	询价	7132	分散公司	-	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63			MOSFET（金属O化物）		TO-252，（D-Pak）	下载			REACH 不出行	31-DMT6006LK3-13TR	EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道					60V	88A（温度）	4.5V、10V	6.5毫欧@20A，10V	2.5V@250μA	10V时为34.9nC	±20V	2162pF@30V	-	3.1W（Ta）、89.3W（Tc）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

场效应管、MOSFET(55612)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²