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FET，MOSFET （55612）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 fet （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（）
PMN50UPE,115 NXP USA Inc. PMN50UPE，115 1.0000
RFQ
 ECAD 3851 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SC-74，SOT-457 MOSFET （金属 o化物） 6-TSOP 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.21.0095 3,000 P通道 20 v 3.6a（ta） 1.8V，4.5V 66mohm @ 3.6A，4.5V 900mv @ 250µA 15.7 NC @ 10 V ±8V 24 pf @ 10 V - 510MW（TA）
UF3C065040T3S Qorvo UF3C065040T3S 13.1900
RFQ
 ECAD 629 0.00000000 Qorvo - 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 UF3C065040 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 2312-UF3C065040T3S Ear99 8541.29.0095 50 n通道 650 v 54A（TC） 12V 52MOHM @ 40a，12v 6V @ 10mA 51 NC @ 15 V ±25V 1500 pf @ 100 V - 326W（TC）
R6515KNZC17 Rohm Semiconductor R6515knzc17 4.9800
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-3P-3 R6515 MOSFET （金属 o化物） to-3pf 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-R6515KNZC17 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 650 v 15A（TC） 10V 315MOHM @ 6.5A，10V 5V @ 430µA 27.5 NC @ 10 V ±20V 1050 pf @ 25 V - 60W（TC）
R6030ENZM12C8 Rohm Semiconductor R6030ENZM12C8 -
RFQ
 ECAD 1373 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-3P-3 R6030 MOSFET （金属 o化物） to-3pf 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达受影响 846-R6030ENZM12C8 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 600 v 30A（TC） 10V 130MOHM @ 14.5A，10V 4V @ 1mA 85 NC @ 10 V ±20V 2100 PF @ 25 V - 120W（TC）
R6520ENZC8 Rohm Semiconductor R6520ENZC8 -
RFQ
 ECAD 9518 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-3P-3 R6520 MOSFET （金属 o化物） to-3pf 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达受影响 846-R6520ENZC8 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 650 v 20A（TC） 10V 205mohm @ 9.5A，10V 4V @ 630µA 61 NC @ 10 V ±20V 1400 pf @ 25 V - 68W（TC）
HUFA75309P3 Fairchild Semiconductor HUFA753093 0.2500
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 Fairchild半导体 Ultrafet™ 管子 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 MOSFET （金属 o化物） TO-220-3 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.29.0095 400 n通道 55 v 19a（tc） 10V 70mohm @ 19a，10v 4V @ 250µA 24 NC @ 20 V ±20V 350 pf @ 25 V - 55W（TC）
FQPF9N50T Fairchild Semiconductor FQPF9N50T 0.9600
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Fairchild半导体 QFET® 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 MOSFET （金属 o化物） TO-220F-3 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 500 v 5.3A（TC） 10V 730MOHM @ 2.65a，10V 5V @ 250µA 36 NC @ 10 V ±30V 1450 pf @ 25 V - 50W（TC）
HUFA75332S3ST Fairchild Semiconductor HUFA75332S3ST 0.4700
RFQ
 ECAD 44 0.00000000 Fairchild半导体 Ultrafet™ 大部分 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB MOSFET （金属 o化物） D2PAK（TO-263） 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.29.0095 800 n通道 55 v 60a（TC） 10V 19mohm @ 60a，10v 4V @ 250µA 85 NC @ 20 V ±20V 1300 pf @ 25 V - 145W（TC）
FQNL2N50BBU Fairchild Semiconductor FQNL2N50BBU -
RFQ
 ECAD 4931 0.00000000 Fairchild半导体 QFET® 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3） MOSFET （金属 o化物） TO-92-3 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.29.0095 6,000 n通道 500 v 350mA（TC） 10V 5.3OHM @ 175mA，10v 3.7V @ 250µA 8 nc @ 10 V ±30V 230 pf @ 25 V - 1.5W（TC）
FQPF10N20 Fairchild Semiconductor FQPF10N20 0.4100
RFQ
 ECAD 3066 0.00000000 Fairchild半导体 QFET® 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 MOSFET （金属 o化物） TO-220F-3 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.29.0095 16 n通道 200 v 6.8A（TC） 10V 360MOHM @ 3.4A，10V 5V @ 250µA 18 nc @ 10 V ±30V 670 pf @ 25 V - 40W（TC）
NTD2955-001 onsemi NTD2955-001 -
RFQ
 ECAD 8005 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 NTD29 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 75
FDZ208P Fairchild Semiconductor FDZ208P 1.3400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Fairchild半导体 PowerTrench® 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 30-WFBGA MOSFET （金属 o化物） 30-BGA （4x3.5） 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 30 V 12.5A（TA） 4.5V，10V 10.5MOHM @ 12.5A，10V 3V @ 250µA 35 NC @ 5 V ±25V 2409 PF @ 15 V - 2.2W（ta）
FQP3N60 Fairchild Semiconductor FQP3N60 0.5900
RFQ
 ECAD 45 0.00000000 Fairchild半导体 QFET® 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 MOSFET （金属 o化物） TO-220-3 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 600 v 3A（TC） 10V 3.6OHM @ 1.5A，10V 5V @ 250µA 13 NC @ 10 V ±30V 450 pf @ 25 V - 75W（TC）
FQPF9N25CT Fairchild Semiconductor FQPF9N25CT 0.5700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Fairchild半导体 QFET® 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 MOSFET （金属 o化物） TO-220F-3 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 250 v 8.8A（TC） 10V 430MOHM @ 4.4A，10V 4V @ 250µA 35 NC @ 10 V ±30V 710 PF @ 25 V - 38W（TC）
RJK0368DPA-00#J0 Renesas Electronics America Inc RJK0368DPA-00＃j0 0.4400
RFQ
 ECAD 61 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 大部分 过时的 150°C（TJ） 表面安装 8-Powerwdfn MOSFET （金属 o化物） 8-wpak - 不适用 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 30 V 20A（TA） 14.3mohm @ 10a，10v 2.5V @ 1mA 6.2 NC @ 4.5 V 730 pf @ 10 V - 25W（TC）
FQPF30N06 Fairchild Semiconductor FQPF30N06 0.5300
RFQ
 ECAD 85 0.00000000 Fairchild半导体 QFET® 管子 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 MOSFET （金属 o化物） TO-220F-3 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 60 V 21a（TC） 10V 40mohm @ 10.5a，10v 4V @ 250µA 25 NC @ 10 V ±25V 945 PF @ 25 V - 39W（TC）
FQP32N12V2 Fairchild Semiconductor FQP32N12V2 0.5900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Fairchild半导体 QFET® 管子 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 MOSFET （金属 o化物） TO-220-3 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 120 v 32A（TC） 10V 50mohm @ 16a，10v 4V @ 250µA 53 NC @ 10 V ±30V 1860 pf @ 25 V - 150W（TC）
HUF75329D3S Fairchild Semiconductor HUF75329D3S 0.9600
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Fairchild半导体 Ultrafet™ 管子 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） TO-252，（-d-pak） 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.29.0095 1,800 n通道 55 v 20A（TC） 10V 26mohm @ 20a，10v 4V @ 250µA 65 NC @ 20 V ±20V 1060 pf @ 25 V - 128W（TC）
NVHL020N090SC1 onsemi NVHL020N090SC1 47.7200
RFQ
 ECAD 307 0.00000000 Onmi 汽车，AEC-Q101 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 NVHL020 sicfet （碳化硅） TO-247-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 488-NVHL020N090SC1 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 900 v 118a（TC） 15V 28mohm @ 60a，15v 4.3V @ 20mA 196 NC @ 15 V +19V，-10V 4415 PF @ 450 V - 503W（TC）
NVTFS014P04M8LTAG onsemi NVTFS014P04M8LTAG 1.0500
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Onmi 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-Powerwdfn NVTFS014 MOSFET （金属 o化物） 8-WDFN（3.3x3.3） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 P通道 40 V 11.3a（ta），49A（tc） 4.5V，10V 13.8mohm @ 15a，10v 2.4V @ 420µA 26.5 NC @ 10 V ±20V 1734 PF @ 20 V - 3.2W（TA），61W（TC）
NTHL020N090SC1 onsemi NTHL020N090SC1 41.1400
RFQ
 ECAD 3911 0.00000000 Onmi - 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 NTHL020 sicfet （碳化硅） TO-247-3 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 900 v 118a（TC） 15V 28mohm @ 60a，15v 4.3V @ 20mA 196 NC @ 15 V +19V，-10V 4415 PF @ 450 V - 503W（TC）
NVBG020N090SC1 onsemi NVBG020N090SC1 52.8300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Onmi 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-263-8，D²Pak（7 + Tab），TO-263CA NVBG020 sicfet （碳化硅） D2PAK-7 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 800 n通道 900 v 9.8A（ta），112a（tc） 15V 28mohm @ 60a，15v 4.3V @ 20mA 200 NC @ 15 V +19V，-10V 4415 PF @ 450 V - 3.7W（ta），477W（tc）
IXFA72N30X3-TRL IXYS IXFA72N30x3-Trl 6.6640
RFQ
 ECAD 8017 0.00000000 ixys Hiperfet™，Ultra X3 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB IXFA72 MOSFET （金属 o化物） TO-263（D2PAK） - rohs3符合条件 到达不受影响 238-ixfa72n30x3-trltr Ear99 8541.29.0095 800 n通道 300 v 72A（TC） 10V 19mohm @ 36a，10v 4.5V @ 1.5mA 82 NC @ 10 V ±20V 5400 PF @ 25 V - 390W（TC）
IXFA5N100P-TRL IXYS IXFA5N100P-TRL 3.6333
RFQ
 ECAD 7860 0.00000000 ixys Hiperfet™，极性 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB IXFA5N100 MOSFET （金属 o化物） TO-263（D2PAK） - rohs3符合条件 到达不受影响 238-ixfa5n100p-trltr Ear99 8541.29.0095 800 n通道 1000 v 5A（TC） 10V 2.8ohm @ 2.5a，10v 6V @ 250µA 33.4 NC @ 10 V ±30V 1830 pf @ 25 V - 250W（TC）
IXTA3N100D2-TRL IXYS ixta3n100d2-trl 3.7112
RFQ
 ECAD 6244 0.00000000 ixys 消耗 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB ixta3 MOSFET （金属 o化物） TO-263（D2PAK） - rohs3符合条件 到达不受影响 238-ixta3n100d2-trltr Ear99 8541.29.0095 800 n通道 1000 v 3A（TJ） 0V 6ohm @ 1.5a，0v 4.5V @ 250µA 37.5 NC @ 5 V ±20V 1020 PF @ 25 V 耗尽模式 125W（TC）
TK099V65Z,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK099V65Z，LQ 5.5600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 dtmosvi 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 4-VSFN暴露垫 TK099V65 MOSFET （金属 o化物） 5-DFN（8x8） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 650 v 30a（TA） 10V 99mohm @ 15a，10v 4V @ 1.27mA 47 NC @ 10 V ±30V 2780 pf @ 300 V - 230W（TC）
IXTY4N65X2-TRL IXYS IXTY4N65X2-TRL 1.2663
RFQ
 ECAD 1584年 0.00000000 ixys Ultra X2 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 ixty4 MOSFET （金属 o化物） TO-252AA - rohs3符合条件 到达不受影响 238-ixty4nnnnn65x2-trltr Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 650 v 4A（TC） 10V 850MOHM @ 2A，10V 5V @ 250µA 8.3 NC @ 10 V ±30V 455 pf @ 25 V - 80W（TC）
IXTA10P15T IXYS IXTA10P15T 3.6584
RFQ
 ECAD 5013 0.00000000 ixys Trechp™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB ixta10 MOSFET （金属 o化物） TO-263（D2PAK） - rohs3符合条件 到达不受影响 238-ixta10p15t Ear99 8541.29.0095 50 P通道 150 v 10A（TC） 10V 350MOHM @ 5A，10V 4.5V @ 250µA 36 NC @ 10 V ±15V 2210 PF @ 25 V - 83w（ta）
IXTA1R6N100D2-TRL IXYS ixta1r6n100d2-trl 2.0243
RFQ
 ECAD 4868 0.00000000 ixys 消耗 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB ixta1 MOSFET （金属 o化物） TO-263（D2PAK） - rohs3符合条件 到达不受影响 238-ixta1r6n100d2-trltr Ear99 8541.29.0095 800 n通道 1000 v 1.6A（TJ） 0V 10ohm @ 800mA，0v 4.5V @ 100µA 27 NC @ 5 V ±20V 645 pf @ 25 V - 100W（TC）
IXTA80N10T-TRL IXYS ixta80n10t-trl 2.4137
RFQ
 ECAD 7279 0.00000000 ixys 沟 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB ixta80 MOSFET （金属 o化物） TO-263（D2PAK） - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 238-ixta80n10t-trltr Ear99 8541.29.0095 800 n通道 100 v 80A（TC） 10V 14mohm @ 25a，10v 5V @ 100µA 60 NC @ 10 V ±20V 3040 pf @ 25 V - 230W（TC）
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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