场效应管、MOSFET(55612)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	频率	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	额定电流（安培）	当前-测试	功率-输出	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	噪声系数	电压 - 测试
AOB292L	1.9487	询价	8164	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	不适合新设计		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+片）、TO-263AB	AOB292		MOSFET（金属O化物）		TO-263（D2Pak）	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道					100伏	14.5A（Ta）、105A（Tc）	6V、10V	4.1毫欧@20A，10V	2.2V@250μA	126nC@10V	±20V	50V时为6775pF	-	2.1W（Ta）、300W（Tc）
IPP60R600C6XKSA1	-	询价	8458	英飞凌科技	CoolMOS™	管子	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	IPP60R		MOSFET（金属O化物）		PG-TO220-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	500		N沟道					600伏	7.3A（温度）	10V	600毫欧@2.4A，10V	3.5V@200μA	10V时为20.5nC	±20V	100V时为440pF	-	63W（温度）
IRL520NSPBF	-	询价	7791	国际校正器公司	-	大部分	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）		D2PAK	-				2156-IRL520NSPBF			1		N沟道					100伏	10A（温度）	4V、10V	180mOhm@6A，10V	2V@250μA	20nC@5V	±16V	440pF@25V	-	3.8W（Ta）、48W（Tc）
FDS8949	1.1500	询价	274	onsemi	PowerTrench®	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	FDS89		MOSFET（金属O化物）	2W	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	FDS8949TR	EAR99	8541.29.0095	2,500人	2 个 N 沟道（双）						40V	6A		29毫欧@6A，10V	3V@250μA	11nC@5V		955pF@20V	逻辑电平门
AUIRFC8407TR	0.5200	询价	2	英飞凌科技	*	大部分	的积极										-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0040	1
NP82N04MLG-S18-AY	2.3500	询价	1	瑞萨电子美国公司	-	管子	过时的		175°C（太焦）	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220-3	下载	符合ROHS3标准				EAR99	8541.29.0095	900		N沟道					40V	82A（温度）		4.2毫欧@41A，10V	2.5V@250μA	150nC@10V		9pF@25V	-	1.8W（Ta）、143W（Tc）
2N7002DW-G	0.5500	询价	5	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	2N7002		MOSFET（金属O化物）	200毫W（塔）	SC-88/SC70-6/SOT-363	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000	2 个 N 沟道（双）						60V	115mA（塔）		2欧姆@500mA，10V	2V@250μA	-		50pF@25V	-
AO3162	0.4400	询价	5	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	不适合新设计		-50°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	AO31		MOSFET（金属O化物）		SOT-23A-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道					600伏	34mA（塔）	10V	500欧姆@16mA，10V	4.1V@8μA	10V时为0.15nC	±30V	6pF@25V	-	1.39W（塔）
SIHG026N60EF-GE3	14.3000	询价	4124	威世硅科	-	管子	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3			MOSFET（金属O化物）		TO-247AC	下载		1（无限制）		742-SIHG026N60EF-GE3	EAR99	8541.29.0095	500		N沟道					600伏	95A（温度）	10V	26毫欧@38A，10V	5V@250μA	227nC@10V	±30V	7926pF@100V	-	521W（温度）
MSC035SMA070S	15.9800	询价	3045	微芯片	-	管子	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-268-3、D³Pak（2引脚+片）、TO-268AA	MSC035		SiCFET（碳化硅）		D3PAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	60		N沟道					700伏	65A（温度）	20V	44毫欧@30A，20V	2.7V@1mA	99nC@20V	+23V，-10V	2010 pF @ 700 V	-	206W（温度）
AFV09P350-04GNR3	233.1000	询价	第253章	飞思卡尔半导体	-	大部分	的积极	105V		表面贴装	OM-780G-4L		920兆赫	LDMOS		OM-780G-4L	下载					5A991G	8541.29.0075	1	双重的		-	第860章	100W	19.5分贝											-	48V
FDS4435A	1.2100	询价	27	仙童	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）			MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载	符合ROHS3标准				EAR99	8541.29.0095	2,500人		P沟道					30V	9A（塔）	4.5V、10V	17毫欧@9A，10V	2V@250μA	30nC@5V	±20V	2010pF@15V	-	2.5W（塔）
SCT4026DEC11	22.3100	询价	450	罗姆半导体	-	管子	的积极		175°C（太焦）	通孔	TO-247-3	SCT4026		SiCFET（碳化硅）		TO-247N	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	846-SCT4026DEC11	EAR99	8541.29.0095	30		N沟道					750伏	56A（温度）	18V	34毫欧@29A，18V	4.8V@15.4mA	94nC@18V	+21V，-4V	2320 pF @ 500 V	-	176W
TSM60NB600CP	1.6363	询价	2157	台积电	-	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	TSM60		MOSFET（金属O化物）		TO-252，（D-Pak）	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行	1801-TSM60NB600CPTR	EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道					600伏	7A（温度）	10V	600毫欧@2.1A，10V	4V@250μA	13nC@10V	±30V	516pF@100V	-	63W（温度）
DI010N03PW	0.2314	询价	7076	德欧泰克半导体	-	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerUDFN	DI010N03		MOSFET（金属O化物）		8-QFN (2x2)	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	供应商未定义			8541.21.0000	3,000		N沟道					30V	10A（温度）	4.5V、10V	12毫欧@10A，10V	2V@250μA	25nC@10V	±20V	1120pF@15V	-	1.4W（温度）
FDMC8200	-	询价	7271	仙童	*	大部分	的积极										下载		1（无限制）	REACH 不出行	2156-FDMC8200-600039	EAR99	8541.29.0095	1
HAT1089C-EL-E	-	询价	9103	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	表面贴装	6-SMD，写入			MOSFET（金属O化物）		6-CMFPAK	-				2156-HAT1089C-EL-E			1		P沟道					20V	2A（塔）	2.5V、4.5V	103mOhm@1A，4.5V	1.4V@1mA	4.5nC@4.5V	±12V	365pF@10V	-	850毫W（塔）
SFR9214TF	0.1400	询价	56	仙童	-	大部分	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63			MOSFET（金属O化物）		TO-252-3（DPAK）	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	2,000		P沟道					250伏	1.53A（温度）	10V	4欧姆@770mA，10V	4V@250μA	11nC@10V	±30V	295pF@25V	-	2.5W（Ta）、19W（Tc）
2SK2480-AZ	2.7400	询价	第347章	瑞萨电子美国公司	*	大部分	的积极										下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1
APT40M70LVRG	22.3000	询价	15	微芯片	功率MOS V®	管子	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-264-3、TO-264AA	APT40		MOSFET（金属O化物）		TO-264（大）	-		1（无限制）	REACH 不出行	150-APT40M70LVRG	EAR99	8541.29.0095	1		N沟道					400V	57A（温度）	10V	70毫欧@28.5A，10V	4V@2.5mA	495nC@10V	±30V	8890pF@25V	-	520W（温度）
SI7117DN-T1-E3	1.3200	询价	2	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	PowerPAK® 1212-8	SI7117		MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® 1212-8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道					150伏	2.17A（温度）	6V、10V	1.2欧姆@500mA，10V	4.5V@250μA	12nC@10V	±20V	510pF@25V	-	3.2W（Ta）、12.5W（Tc）
BUK9C10-65BIT,118	-	询价	9263	安世半导体美国公司	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-7，D²Pak（6引脚+接片）			MOSFET（金属O化物）		D2PAK-7	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	934063235118	EAR99	8541.29.0095	1		N沟道					65V	75A（塔）	4.5V、10V	8.3毫欧@25A，10V	2V@1mA	59.6nC@5V	±15V	4170pF@25V	-	171W（塔）
RM2333A	0.0680	询价	4902	瑞创美国	-	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3			MOSFET（金属O化物）		SOT-23	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		2516-RM2333ATR		8541.10.0080	30,000		P沟道					12V	6A（塔）	2.5V、4.5V	30毫欧@6A，4.5V	1V@250μA		±12V	1100pF@6V	-	1.8W（塔）
IAUZ40N06S5L050ATMA1	1.2600	询价	3	英飞凌科技	汽车、AEC-Q101、OptiMOS™-5	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	8-PowerTDFN			MOSFET（金属O化物）		PG-TSDSON-8-33	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道					60V	90A（Tj）	4.5V、10V	5毫欧@20A，10V	2.2V@29μA	10V时为36.7nC	±16V	2500pF@30V	-	71W（温度）
SUP45P03-09-GE3	-	询价	2149	威世硅科	-	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	桨板45		MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载		1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	500		P沟道					30V	45A（温度）	4.5V、10V	8.7毫欧@20A，10V	2.5V@250μA	90nC@10V	±20V	2700pF@15V	-	73.5W（温度）
MCU120N04-TP	0.5700	询价	2015年	微商公司	-	大部分	的积极		-55℃～150℃	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	单片机120		MOSFET（金属O化物）		DPAK (TO-252)	下载				353-MCU120N04-TP	EAR99	8541.29.0095	1		N沟道					40V	120A	4.5V、10V	3.5毫欧@15A，10V	2.5V@250μA	102nC@10V	±20V	4645pF@20V	-	110W（焦）
SPB02N60S5	1.0000	询价	6983	英飞凌科技	CoolMOS™	大部分	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）		PG-TO263-3-2	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道					600伏	1.8A（温度）	10V	3欧姆@1.1A，10V	5.5V@80μA	9.5nC@10V	±20V	240pF@25V	-	25W（温度）
NTP6N60	0.8500	询价	79	onsemi	*	大部分	的积极										下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8541.29.0095	1
SIHD7N60ET4-GE3	0.8080	询价	2938	威世硅科	B	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	SIHD7		MOSFET（金属O化物）		TO-252AA	下载		1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道					600伏	7A（温度）	10V	600毫欧@3.5A，10V	4V@250μA	40nC@10V	±30V	680 pF @ 100 V	-	78W（温度）
MCH6627-TL-E	-	询价	9291	onsemi	*	大部分	过时的										-	不符合 RoHS 指令		供应商未定义	2156-MCH6627-TL-E-488			1

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

场效应管、MOSFET(55612)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²