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FET，MOSFET （55612）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
FDPF18N50	3.0600	RFQ	9	Onmi	Unifet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FDPF18	MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	500 v	18A（TC）	10V	265MOHM @ 9A，10V	5V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±30V	2860 pf @ 25 V	-	38.5W（TC）
BSL207NH6327XTSA1	-	RFQ	1113	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-74，SOT-457	BSL207	MOSFET （金属 o化物）	500MW	PG-TSOP-6-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001100648	Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）		20V	2.1a		70MOHM @ 2.1a，4.5V	1.2V @ 11µA	2.1nc @ 4.5V		419pf @ 10V	逻辑水平门，2.5V
FCPF190N65FL1-F154	4.7500	RFQ	971	Onmi	FRFET®，SuperFet®II	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FCPF190	MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	650 v	20.6A（TC）		190mohm @ 10a，10v	5V @ 2mA	78 NC @ 10 V	±20V	3055 PF @ 100 V	-	39W（TC）
BUK664R8-75C，118	-	RFQ	1126	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	75 v	120A（TC）	4.5V，10V	5mohm @ 25a，10v	2.8V @ 1mA	177 NC @ 10 V	±16V	11400 PF @ 25 V	-	263W（TC）
2SK536-MTK-TB-E	-	RFQ	8288	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	125°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	2SK536	-		3-CP	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		-		100mA（TJ）	10V	-	-		±12V		-	-
AOTF600A60L	0.8024	RFQ	4025	Alpha＆欧米茄半导体公司	AMOS5™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	AOTF600	MOSFET （金属 o化物）		TO-220F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	785-AOTF600A60L	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	8a（TJ）	10V	600mohm @ 2.1a，10v	3.5V @ 250µA	11.5 NC @ 10 V	±20V	608 pf @ 100 V	-	27.5W（TC）
IMT65R163M1HXTMA1	-	RFQ	2086	Infineon技术	*	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产				IMT65R				-	rohs3符合条件		到达不受影响				2,000
STF20N60M2-EP	1.1772	RFQ	6860	Stmicroelectronics	MDMESH™M2-EP	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STF20	MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	600 v	13A（TC）	10V	-	4.75V @ 250µA	22 NC @ 10 V	±25V		-	-
IPP80N06S207AKSA1	-	RFQ	5177	Infineon技术	Optimos™	管子	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ipp80n	MOSFET （金属 o化物）		pg-to220-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道	55 v	80A（TC）	10V	6.6mohm @ 68a，10v	4V @ 180µA	110 NC @ 10 V	±20V	3400 PF @ 25 V	-	250W（TC）
PJMF390N65EC_T0_001	3.1600	RFQ	2	Panjit International Inc.	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	PJMF390	MOSFET （金属 o化物）		ITO-220AB-F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	3757-PJMF390N65EC_T0_00001	Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	650 v	10A（TC）	10V	390MOHM @ 5A，10V	4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±30V	726 PF @ 400 V	-	29.5W（TC）
IXFH320N10T2	16.0900	RFQ	5524	ixys	HiperFet™，Trencht2™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH320	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AD（IXFH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道	100 v	320a（TC）	10V	3.5MOHM @ 100A，10V	4V @ 250µA	430 NC @ 10 V	±20V	26000 PF @ 25 V	-	1000W（TC）
SIHD9N60E-GE3	1.9500	RFQ	9189	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SIHD9	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	600 v	9A（TC）	10V	368mohm @ 4.5A，10V	4.5V @ 250µA	52 NC @ 10 V	±30V	778 PF @ 100 V	-	78W（TC）
IPS135N03LGAKMA1	-	RFQ	5866	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK		MOSFET （金属 o化物）		PG-TO251-3-11	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道	30 V	30A（TC）	4.5V，10V	13.5mohm @ 30a，10v	2.2V @ 250µA	10 NC @ 10 V	±20V	1000 pf @ 15 V	-	31W（TC）
2SK2595AXTB-E	8.3900	RFQ	13	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的								下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1,000
2SK3709	2.6200	RFQ	22	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）		TO-220毫升	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	100		n通道	100 v	37a（ta）		25mohm @ 19a，10v	-	117 NC @ 10 V		6250 pf @ 20 V	-	2W（TA），35W（tc）（TC）
BUK962R1-40E，118	-	RFQ	6166	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	Buk96	MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	40 V	120A（TC）	5V，10V	1.8mohm @ 25a，10v	2.1V @ 1mA	87.8 NC @ 5 V	±10V	13160 PF @ 25 V	-	293W（TC）
IRF6215LPBF	-	RFQ	2346	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		MOSFET （金属 o化物）		TO-262	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001564822	Ear99	8541.29.0095	50		P通道	150 v	13A（TC）	10V	290MOHM @ 6.6A，10V	4V @ 250µA	66 NC @ 10 V	±20V	860 pf @ 25 V	-	3.8W（TA），110W（tc）
AOWF15S65	1.4876	RFQ	6975	Alpha＆欧米茄半导体公司	AMOS™	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	AOWF15	MOSFET （金属 o化物）		TO-262F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	650 v	15A（TC）	10V	290MOHM @ 7.5A，10V	4V @ 250µA	17.2 NC @ 10 V	±30V	841 PF @ 100 V	-	28W（TC）
BSH111,215	0.0600	RFQ	357	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的				BSH1				-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000
STW9N80K5	3.2200	RFQ	492	Stmicroelectronics	MDMESH™K5	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STW9	MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道	800 v	7A（TC）	10V	900MOHM @ 3.5A，10V	5V @ 100µA	12 nc @ 10 V	±30V	340 pf @ 100 V	-	110W（TC）
SI5513CDC-T1-GE3	0.6200	RFQ	7886	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	SI5513	MOSFET （金属 o化物）	3.1W	1206-8 chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n和p通道		20V	4a，3.7a		55mohm @ 4.4A，4.5V	1.5V @ 250µA	4.2nc @ 5V		285pf @ 10V	逻辑级别门
MSJP08N90A-BP	3.3500	RFQ	4	微商业公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	MSJP08	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB（H）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	353-MSJP08N90A-BP	Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道	900 v	8A（TC）	10V	1.62OHM @ 2.5A，10V	4V @ 250µA	13.6 NC @ 10 V	±30V	474 PF @ 25 V	-	113W（TC）
SIHFR1N60ATR-GE3	0.3410	RFQ	2692	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	sihfr1	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	600 v	1.4A（TC）	10V	7ohm @ 840mA，10V	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±30V	229 pf @ 25 V	-	36W（TC）
FDY2001PZ	-	RFQ	5042	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	FDY20	MOSFET （金属 o化物）	446MW	SOT-563F	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2（p 通道（双）		20V	150mA		8ohm @ 150mA，4.5V	1.5V @ 250µA	1.4NC @ 4.5V		100pf @ 10V	逻辑级别门
STP26N60DM6	4.0100	RFQ	2354	Stmicroelectronics	MDMESH™DM6	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP26	MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-18499	Ear99	8541.29.0095	350		n通道	600 v	18A（TC）	10V	195mohm @ 9a，10v	4.75V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±25V	940 pf @ 100 V	-	130W（TC）
IRFS4410pbf	-	RFQ	4835	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3-2	-	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道	100 v	88A（TC）		10mohm @ 58a，10v	4V @ 150µA	180 NC @ 10 V	±20V	5150 PF @ 50 V	-	200W（TC）
RF1S9630SM	0.9700	RFQ	1	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		TO-263AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1		P通道	200 v	6.5a	-	-	-		-		-	-
AUIRFR3504Z	-	RFQ	3217	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	42A（TC）	10V	9mohm @ 42a，10v	4V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±20V	1510 PF @ 25 V	-	90W（TC）
FDPF3860T	1.5100	RFQ	2576	Onmi	PowerTrench®	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FDPF3860	MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	100 v	20A（TC）	10V	38.2MOHM @ 5.9A，10V	4.5V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±20V	1800 pf @ 25 V	-	33.8W（TC）
DMT10H009SPS-13	0.9100	RFQ	2	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	DMT10	MOSFET （金属 o化物）		PowerDI5060-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	100 v	（14A）（ta），80a（tc）	10V	8.5mohm @ 20a，10v	4V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±20V	2085 PF @ 50 V	-	1.3W（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

FET，MOSFET （55612）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²