场效应管、MOSFET(55612)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	频率	技术	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	场效应管类型	额定电流（安培）	当前-测试	功率-输出	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	噪声系数	电压 - 测试
DMPH4025SFVWQ-13	0.3426	询价	6593	分散公司	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装，可湿侧面	8-PowerVDFN	DMPH4025		MOSFET（金属O化物）	PowerDI3333-8(SWP)UX型	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000	P沟道					40V	8.7A（Ta）、40A（Tc）	4.5V、10V	25毫欧@30A，10V	1.8V@250μA	10V时为38.6nC	±20V	1918pF@20V	-	2.3W（Ta）、60W（Tc）
NTR4501NST1G	0.4700	询价	1	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的		-	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	NTR4501		-	SOT-23-3 (TO-236)	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000	-						3.2A（塔）		-	-				-	-
GT060N04D3	0.6600	询价	13	高福德半导体	-	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN			MOSFET（金属O化物）	8-DFN (3.15x3.05)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000	N沟道					40V	40A（温度）	4.5V、10V	6.5毫欧@30A，10V	2.5V@250μA	32nC@10V	±20V	1282pF@20V	-	36W（温度）
HUFA75645P3	1.1800	询价	5354	仙童	超场效应晶体管™	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）	TO-220-3	下载	符合ROHS3标准				EAR99	8541.29.0095	2	N沟道					100伏	75A（温度）	10V	14毫欧@75A，10V	4V@250μA	238nC@20V	±20V	3790pF@25V	-	310W（温度）
FQA13N50CF_F109	-	询价	2080	onsemi	FRFET®	管子	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-3P-3、SC-65-3	常见Q题解答1		MOSFET（金属O化物）	TO-3PN	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	450	N沟道					500V	15A（温度）	10V	480毫欧@7.5A，10V	4V@250μA	56nC@10V	±30V	2055pF@25V	-	218W（温度）
NP80N04MLG-S18-AY	1.8400	询价	7	瑞萨电子美国公司	-	管子	过时的		175°C（太焦）	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）	TO-220	下载	符合ROHS3标准				EAR99	8541.29.0095	50	N沟道					40V	80A（温度）		4.8毫欧@40A，10V	2.5V@250μA	135nC@10V		6900pF@25V	-	1.8W（Ta）、115W（Tc）
NTTFS010N10MCLTAG	1.7200	询价	2611	onsemi	PowerTrench®	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerWDFN	NTTFS010		MOSFET（金属O化物）	8-WDFN (3.3x3.3)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,500人	N沟道					100伏	10.7A（Ta）、50A（Tc）	4.5V、10V	10.6毫欧@15A，10V	3V@85μA	30nC@10V	±20V	2150pF@50V		2.3W(Ta),52W(Tc)
UPA2396AT1P-E1-A#YJ1	-	询价	6500	瑞萨电子美国公司	*	托盘	过时的									-				559-UPA2396AT1P-E1-A#YJ1	过时的		1
DMN3110LCP3-7	-	询价	8071	分散公司	-	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	3-XFDFN	DMN3110		MOSFET（金属O化物）	X2-DFN1006-3	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000	N沟道					30V	3.2A（塔）	1.8V、8V	69毫欧@500mA，8V	1.1V@250μA	1.52nC@4.5V	12V	150pF@15V	-	1.38W
SSM3J56ACT，L3F	0.3900	询价	32	东芝半导体和存储	U-MOSVI	卷带式 (TR)	的积极		150℃	表面贴装	SC-101、SOT-883	SSM3J56		MOSFET（金属O化物）	CST3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.21.0095	10,000	P沟道					20V	1.4A（塔）	1.2V、4.5V	390毫欧@800毫安，4.5伏	1V@1mA	1.6nC@4.5V	±8V	100pF@10V	-	500毫W（塔）
SI8424DB-T1-E1	-	询价	6622	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	4-XFBGA、CSPBGA	SI8424		MOSFET（金属O化物）	4-微足	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000	N沟道					8V	12.2A（温度）	1.2V、4.5V	31毫欧@1A，4.5V	1V@250μA	33nC@5V	±5V	1950pF@4V	-	2.78W（Ta）、6.25W（Tc）
IXFN25N90	-	询价	2735	IXYS	HiPerFET™	管子	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	安装结构	SOT-227-4，迷你块	IXFN25		MOSFET（金属O化物）	SOT-227B	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	10	N沟道					900伏	25A（温度）	10V	330mOhm@500mA，10V	5V@8mA	240nC@10V	±20V	10800pF@25V	-	600W（温度）
STP5N80K5	1.8700	询价	1	意法半导体	MDmesh™	管子	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	STP5N80		MOSFET（金属O化物）	TO-220	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	497-16933	EAR99	8541.29.0095	50	N沟道					800V	4A（温度）	10V	1.75欧姆@2A，10V	5V@100μA	5nC@10V	±30V	177pF@100V	-	60W（温度）
E4D10120E	5.2651	询价	第1567章	沃尔夫斯皮德公司	-	管子	的积极					E4D10120				-				1697-E4D10120E			75
RJK5012DPP-E0#T2	-	询价	4228	瑞萨电子美国公司	-	管子	过时的		150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包			MOSFET（金属O化物）	TO-220FP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8541.29.0095	1	N沟道					500V	12A（塔）	10V	620毫欧@6A，10V	-	29nC@10V	±30V	1100pF@25V	-	30W（温度）
NTB25P06T4	-	询价	3032	onsemi	-	大部分	过时的			表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+片）、TO-263AB	NTB25		MOSFET（金属O化物）	D²PAK	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800	P沟道					60V	27.5A（塔）		82毫欧@25A，10V	4V@250μA	50nC@10V		1680pF@25V	-
NTLJS7D2P02P8ZTAG	0.8700	询价	25	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	6-PowerWDFN	NTLJS7		MOSFET（金属O化物）	6-PQFN (2x2)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000	P沟道					20V	7.9A（塔）	2.5V、4.5V	9毫欧@10A，4.5V	1.5V@250μA	26.7nC@4.5V	±8V	10V时为2790pF	-	860毫W（塔）
SPD30N03S2L-20G	0.3000	询价	8	英飞凌科技	*	大部分	的积极									下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1
SSF0910S	0.3800	询价	6	固锝半导体	-	卷带式 (TR)	的积极		-50°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3			MOSFET（金属O化物）	SOT-23	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0080	3,000	N沟道					100伏	2A（温度）	4.5V、10V	200毫欧@2A，10V	2.5V@250μA	21nC@10V	±20V	1190pF@50V	-	1.56W（温度）
BSZ011NE2LS5IATMA1	3.1900	询价	8	英飞凌科技	OptiMOS™5	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTDFN	BSZ011		MOSFET（金属O化物）	PG-TSDSON-8-FL	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000	N沟道					25V	35A（Ta）、40A（Tc）	4.5V、10V	1.1毫欧@20A，10V	2V@250μA	50nC@10V	±16V	3400pF@12V	-	2.1W（Ta）、69W（Tc）
DMP2110UW-13	0.0658	询价	7728	分散公司	-	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SC-70、SOT-323	DMP2110		MOSFET（金属O化物）	SOT-323	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	31-DMP2110UW-13TR	EAR99	8541.29.0095	10,000	P沟道					20V	2A（塔）	1.8V、4.5V	100mOhm@1.5A，4.5V	900mV@250μA	6nC@4.5V	±12V	443pF@6V	标准	490毫W
JAN2N6796	-	询价	9131	美高森美公司	军事，MIL-PRF-19500/557	大部分	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-205AF 金属罐			MOSFET（金属O化物）	TO-39	-	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1	N沟道					100伏	8A（温度）	10V	195毫欧@8A，10V	4V@250μA	10V时为28.51nC	±20V		-	800mW（Ta）、25W（Tc）
IRFH8337TRPBF	1.0000	询价	7798	国际校正器公司	HEXFET®	大部分	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTDFN			MOSFET（金属O化物）	PQFN (5x6)	下载						0000.00.0000	1	N沟道					30V	12A（Ta）、35A（Tc）	4.5V、10V	12.8毫欧@16.2A，10V	2.35V@25μA	10nC@10V	±20V	790pF@10V	-	3.2W（Ta）、27W（Tc）
IPW60R070P6XKSA1	8.7100	询价	146	英飞凌科技	CoolMOS™ P6	管子	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3	IPW60R070		MOSFET（金属O化物）	PG-TO247-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	30	N沟道					600伏	53.5A（温度）	10V	70毫欧@20.6A，10V	4.5V@1.72mA	100nC@10V	±20V	4750pF@100V	-	391W（温度）
MRFE6S9046GNR1	-	询价	5531	飞思卡尔半导体	-	大部分	的积极	66伏		表面贴装	TO-270BB		920MHz～960MHz	LDMOS	TO-270 WB-4海鸥	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	1		10微安	300毫安	35.5W	19分贝											-	28V
IPS70R900P7SAKMA1	0.8500	询价	第964章	英飞凌科技	CoolMOS™ P7	管子	的积极		-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA	IPS70R900		MOSFET（金属O化物）	PG-TO251-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	75	N沟道					700伏	6A（温度）	10V	900毫欧@1.1A，10V	3.5V@60μA	6.8nC@10V	±16V	211 pF @ 400 V	-	30.5W（温度）
HUF76139S3STK	0.5000	询价	24	仙童	-	大部分	的积极		-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）	TO-263AB	下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	800	N沟道					30V	75A（温度）	4.5V、10V	7.5毫欧@75A，10V	3V@250μA	78nC@10V	±20V	2700pF@25V	-	165W（温度）
FDP15N65	1.4400	询价	9042	仙童	UniFET™	管子	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）	TO-220-3	下载	符合ROHS3标准				EAR99	8541.29.0095	163	N沟道					650伏	15A（温度）	10V	440毫欧@7.5A，10V	5V@250μA	63nC@10V	±30V	3095pF@25V	-	250W（温度）
STWA65N023M9	21.6900	询价	100	意法半导体	-	管子	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3	STWA65		MOSFET（金属O化物）	TO-247 长住宅	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	497-STWA65N023M9			30	N沟道					650伏	95A（温度）	10V	23毫欧@48A，10V	4.2V@250μA	230nC@10V	±30V	8844pF@400V	-	463W（温度）
SI5618A-TP	0.4100	询价	3676	微商公司	-	大部分	的积极		-55℃～150℃	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	SI5618		MOSFET（金属O化物）	SOT-23	下载				353-SI5618A-TP	EAR99	8541.29.0095	1	P沟道					60V	1.6A（塔）	4.5V、10V	160mOhm@1.5A，10V	2.5V@250μA	12nC@10V	±20V	380pF@30V	-	1.5W

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

场效应管、MOSFET(55612)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²