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| 参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 输入类型 | SIC | 电压 - 电源 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 通道类型 | 驱动配置 | 司机X | 闸门类型 | 逻辑电压 - VIL、VIH | 电流 - 热输出(拉电流、灌电流) | 上升/下降T(典型值) | 高侧电压 - 顶部(自举) | SIC | 
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]()  |                                                           LM5100CMA/NOPB | - | ![]()  |                              7092 | 0.00000000 | 国家安全委员会 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C ~ 125°C(太焦) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | 非反相 | 9V~14V | 8-SOIC | - | 不符合 RoHS 指令 | 供应商未定义 | 2156-LM5100CMA/NOPB-14 | 1 | 独立的 | 半桥 | 2 | N沟道MOSFET | 2.3V,- | 1A、1A | 8纳秒,8纳秒 | 118V | |||||||
![]()  |                                                           2ED2388S06FXUMA1 | 0.6885 | ![]()  |                              3585 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 未验证 | - | 符合ROHS3标准 | REACH 不出行 | 2,500人 | |||||||||||||||||||||
![]()  |                                                           R2J20657BNP#G2 | 7.8500 | ![]()  |                              2 | 0.00000000 | 瑞萨电子美国公司 | * | 大部分 | 的积极 | R2J20657 | 未验证 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500人 | |||||||||||||||||
![]()  |                                                           MCP14A0901T-E/SN | 1.5150 | ![]()  |                              8509 | 0.00000000 | 微芯片 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 125°C (TA) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | MCP14A0901 | 反相 | 未验证 | 4.5V~18V | 8-SOIC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 3,300 | 同步化 | 高侧或低侧 | 1 | N沟道、P沟道MOSFET | 0.8V、2V | 9A, 9A | 22纳秒, 22纳秒 | ||||
| LTC7000ARMSE-1#PBF | 7.4200 | ![]()  |                              78 | 0.00000000 | 模拟器件公司 | - | 管子 | 的积极 | -40°C ~ 125°C(太焦) | 表面贴装 | 16-TFSOP(0.118英寸,3.00毫米宽),12引脚,裸露焊盘 | LTC7000 | 非反相 | 未验证 | 3.5V~135V | 16-MSOP-EP | - | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 37 | 单身的 | 高侧 | 1 | N沟道MOSFET | 1.8V、1.7V | - | 90纳秒、40纳秒 | 14V | ||||
![]()  |                                                           IRS2330JTRPBF | 3.7000 | ![]()  |                              8 | 0.00000000 | 国际校正器公司 | - | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 表面贴装 | 44-LCC(J 引脚),32 引脚 | 国税局2330 | 反相 | 未验证 | 10V~20V | 44-PLCC,32端口 (16.58x16.58) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 500 | 土耳其 | 半桥 | 6 | IGBT、N沟道MOSFET | 0.8V、2.2V | 250毫安、500毫安 | 80纳秒、35纳秒 | 600伏 | |||
![]()  |                                                           UCC27322MDEP | 8.7300 | ![]()  |                              1 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 管子 | 的积极 | -55°C ~ 125°C(太焦) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | UCC27322 | 非反相 | 未验证 | 4V~15V | 8-SOIC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 75 | 单身的 | 低侧 | 1 | N沟道、P沟道MOSFET | 1V、2V | 9A, 9A | 20纳秒, 20纳秒 | ||||
![]()  |                                                           MIC4426ZM TR | - | ![]()  |                              3826 | 0.00000000 | 微芯片 | - | 大部分 | 的积极 | 0°C ~ 70°C (太焦) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | 麦克风4426 | 反相 | 未验证 | 4.5V~18V | 8-SOIC | 下载 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 独立的 | 低侧 | 2 | N沟道、P沟道MOSFET | 0.8V、2.4V | 1.5A、1.5A | 18纳秒、15纳秒 | |||||||
![]()  |                                                           1EDN7126UXTSA1 | 1.0300 | ![]()  |                              4 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | * | 卷带式 (TR) | 的积极 | 1EDN7126 | 未验证 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 4,500 | |||||||||||||||||
![]()  |                                                           IXDN514D1T/R | - | ![]()  |                              1580 | 0.00000000 | IXYS | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | 6-VDFN 裸露焊盘 | IXDN514 | 非反相 | 未验证 | 4.5V~30V | 6-DFN (4x5) | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 单身的 | 低侧 | 1 | IGBT、N沟道、P沟道MOSFET | 1V、2.5V | 14A, 14A | 25纳秒、22纳秒 | |||||
![]()  |                                                           LM9061MX/NOPB | 2.8600 | ![]()  |                              4 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | LM9061 | 非反相 | 未验证 | 7V~26V | 8-SOIC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,500人 | 单身的 | 高侧 | 1 | N沟道MOSFET | 1.5V、3.5V | - | - | ||||
![]()  |                                                           LT8672IDDB#TRPBF | 3.8850 | ![]()  |                              第1562章 | 0.00000000 | 模拟器件公司 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 125°C(太焦) | 表面贴装 | 10-WFDFN 裸露焊盘 | LT8672 | 非反相 | 未验证 | 3V~42V | 10-DFN (3x2) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,500人 | 单身的 | 高侧 | 1 | N沟道MOSFET | - | - | - | ||||
![]()  |                                                           2ED2104S06FXUMA1 | 1.4100 | ![]()  |                              9484 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 125°C (TA) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | 2ED2104 | 非反相 | 未验证 | 10V~20V | PG-DSO-8-69 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,500人 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT、N沟道MOSFET | 1.1V、1.7V | 290毫安、700毫安 | 70纳秒、35纳秒 | 650伏 | |||
![]()  |                                                           2CG010DBC12N | 73.2700 | ![]()  |                              2579 | 0.00000000 | 田村 | - | 托盘 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 通孔 | 模块 | 2CG010 | 非反相 | 未验证 | 13V~28V | 模块 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 不适用 | REACH 不出行 | EAR99 | 8543.70.9860 | 30 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT、碳化硅MOSFET | 1.65V、3.85V | 500纳秒、500纳秒 | |||||
![]()  |                                                           DGD2164MS14-13 | - | ![]()  |                              6859 | 0.00000000 | 分散公司 | * | 卷带式 (TR) | 的积极 | DGD2164 | 未验证 | - | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 31-DGD2164MS14-13TR | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,500人 | ||||||||||||||||
![]()  |                                                           VLA513-01R | - | ![]()  |                              2402 | 0.00000000 | 动力克斯公司 | - | 大部分 | 的积极 | -20°C ~ 70°C (TA) | 通孔 | 8-SIP模块,5接口 | VLA513 | 非反相 | 未验证 | 14V~15V | 模块 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 835-1187 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 单身的 | 低侧 | 1 | IGBT | - | 5A、5A | 300纳秒、300纳秒 | ||||
![]()  |                                                           R2A25110KSP#U50 | 7.1997 | ![]()  |                              7107 | 0.00000000 | 瑞萨电子美国公司 | - | 托盘 | 的积极 | -40°C ~ 125°C (TA) | 表面贴装 | 48-SSOP(0.240英寸,6.10毫米宽) | 非反相 | 48-SSOP | - | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | 559-R2A25110KSP#U50 | 240 | 同步化 | 高侧或低侧 | 2 | IGBT | 1.65V、3.85V | 10A、10A | - | |||||||||
![]()  |                                                           ISL6612IBZ-T | - | ![]()  |                              2000年 | 0.00000000 | 瑞萨电子美国公司 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | -40°C ~ 125°C(太焦) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | ISL6612 | 非反相 | 未验证 | 10.8V~13.2V | 8-SOIC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,500人 | 同步化 | 半桥 | 2 | N沟道MOSFET | - | 1.25A、2A | 26纳秒、18纳秒 | 36V | |||
![]()  |                                                           ISL66223大众 | - | ![]()  |                              第1574章 | 0.00000000 | 瑞萨电子美国公司 | - | 管子 | 过时的 | ISL66223 | 未验证 | - | 符合ROHS3标准 | REACH 不出行 | 20-ISL66223VW | 过时的 | 100 | ||||||||||||||||||
![]()  |                                                           MPQ18024HN-AEC1-LF-P | 2.3766 | ![]()  |                              5428 | 0.00000000 | 单片电力系统公司 | 汽车、AEC-Q100、MPQ | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 125°C(太焦) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽)裸露焊盘 | 非反相 | 9V~16V | 8-SOIC-EP | 下载 | 符合ROHS3标准 | 2A(4周) | REACH 不出行 | 1589-MPQ18024HN-AEC1-LF-PTR | 500 | 独立的 | 半桥 | 2 | N沟道MOSFET | - | 4A, 4A | 15纳秒、9纳秒 | 110V | ||||||
![]()  |                                                           IR2109SPBF | 1.6700 | ![]()  |                              405 | 0.00000000 | 国际校正器公司 | - | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | IR2109 | 非反相 | 10V~20V | 8-SOIC | 下载 | EAR99 | 8542.39.0001 | 180 | 同步化 | 半桥 | 2 | IGBT、N沟道MOSFET | 0.8V、2.9V | 200毫安、350毫安 | 150纳秒、50纳秒 | 600伏 | 未验证 | ||||||
![]()  |                                                           ISL78434AVEZ-T | 2.9726 | ![]()  |                              3664 | 0.00000000 | 瑞萨电子美国公司 | 汽车,AEC-Q100 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 140°C (TJ) | 表面贴装 | 14-TSSOP(0.173",4.40mm宽)裸露焊盘 | ISL78434 | 反相、同相 | 未验证 | 8V~18V | 14-高温SSOP | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 20-ISL78434AVEZ-TTR | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,500人 | 同步化 | 半桥 | 2 | N沟道MOSFET | 1V、2.1V | 3A、4A | 10纳秒,10纳秒 | 100伏 | ||
![]()  |                                                           MIC4605-1YMVAO | - | ![]()  |                              5054 | 0.00000000 | 微芯片 | 汽车,AEC-Q100 | 管子 | 的积极 | -40°C ~ 125°C(太焦) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | 麦克风4605 | 非反相 | 未验证 | 5.5V~16V | 8-SOIC | 下载 | REACH 不出行 | 150-MIC4605-1YMVAO | EAR99 | 8542.39.0001 | 95 | 独立的 | 半桥 | 2 | N沟道MOSFET | 0.8V、2.2V | 1A、1A | 20纳秒, 20纳秒 | 108V | ||||
![]()  |                                                           LM9061M | - | ![]()  |                              8763 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 管子 | 过时的 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | LM9061 | 非反相 | 未验证 | 7V~26V | 8-SOIC | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 95 | 单身的 | 高侧 | 1 | N沟道MOSFET | 1.5V、3.5V | - | - | ||||
![]()  |                                                           ISL6612IRZ | - | ![]()  |                              2667 | 0.00000000 | 瑞萨电子美国公司 | - | 管子 | 过时的 | -40°C ~ 125°C(太焦) | 表面贴装 | 10-VFDFN 裸露焊盘 | ISL6612 | 非反相 | 未验证 | 10.8V~13.2V | 10-DFN (3x3) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 100 | 同步化 | 半桥 | 2 | N沟道MOSFET | - | 1.25A、2A | 26纳秒、18纳秒 | 36V | |||
![]()  |                                                           IR2135 | - | ![]()  |                              2414 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | - | 管子 | 过时的 | 125°C(太焦) | 通孔 | 28-DIP(0.600英寸,15.24毫米) | IR2135 | 反相 | 未验证 | 10V~20V | 28-PDIP | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 1(无限制) | REACH 不出行 | *IR2135 | EAR99 | 8542.39.0001 | 13 | 土耳其 | 半桥 | 6 | IGBT、N沟道MOSFET | 0.8V、2.2V | 250毫安、500毫安 | 90纳秒、40纳秒 | 600伏 | ||
![]()  |                                                           LM5111-1MX/NOPB | - | ![]()  |                              4178 | 0.00000000 | 国家安全委员会 | * | 大部分 | 的积极 | - | 不符合 RoHS 指令 | 供应商未定义 | 2156-LM5111-1MX/NOPB-14 | 1 | |||||||||||||||||||||
![]()  |                                                           IXD611P7 | - | ![]()  |                              8646 | 0.00000000 | IXYS | - | 盒子 | 过时的 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 通孔 | 14-DIP(0.300英寸,7.62毫米) | IXD611 | 非反相 | 未验证 | 10V~35V | 14-PDIP | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 400 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT、N沟道MOSFET | 2.4V、2.7V | 600毫安,600毫安 | 28纳秒、18纳秒 | 600伏 | ||||
![]()  |                                                           UCC27200ADRMR | 1.0500 | ![]()  |                              8996 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 140°C (TJ) | 表面贴装 | 8-VDFN 裸露焊盘 | UCC27200 | 非反相 | 未验证 | 8V~17V | 8-VSON (4x4) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 独立的 | 半桥 | 2 | N沟道MOSFET | 3V、8V | 3A、3A | 8纳秒、7纳秒 | 120V | |||
![]()  |                                                           UC1709J | - | ![]()  |                              2822 | 0.00000000 | Texas Instruments | * | 大部分 | 的积极 | UC1709 | 未验证 | 下载 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 

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