SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 sic可编程 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 频道类型 驱动配置 驾驶员数量 门类型 逻辑电压 -vil,vih 电流 -峰值输出(源,水槽,水槽) 上升 /秋季t (典型) 高侧电压 -最大(引导程序) sic可编程
IX4340UE IXYS Integrated Circuits Division IX4340UE 1.2800
RFQ
ECAD 6 0.00000000 ixys集成电路部门 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-tssop,8-msop (0.118英寸,3.00mm宽) IX4340 不转变 未行业行业经验证 5v〜20V 8-msop-ep 下载 rohs3符合条件 2(1年) 到达不受影响 212-ix4340ue Ear99 8542.39.0001 100 独立的 低侧 2 n通道,p通道MOSFET 0.8V,2.5V 5a,5a 7n,7ns
2EDF5215GXUMA1 Infineon Technologies 2EDF5215GXUMA1 1.6387
RFQ
ECAD 2751 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 未行业行业经验证 - rohs3符合条件 到达不受影响 5,000
FAN3227CMX onsemi FAN3227CMX 2.1900
RFQ
ECAD 2223 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) FAN3227 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 低侧 2 n通道MOSFET - 3a,3a 12ns,9ns
IRS2127STRPBF Infineon Technologies IRS2127STRPBF 2.0400
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) IRS2127 不转变 未行业行业经验证 12v〜20V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 2(1年) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 单身的 高方向 1 IGBT,N通道MOSFET 0.8V,2.5V 290mA,600mA 80n,40n 600 v
5962-0052102VFA Texas Instruments 5962-0052102VFA -
RFQ
ECAD 2002 0.00000000 Texas Instruments * 管子 积极的 下载 rohs3符合条件 不适用 296-5962-0052102VFA 1
ISL6610ACRZ-T Intersil ISL6610ACRZ-T 1.7700
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Intersil - 大部分 过时的 0°C〜125°C(TJ) 表面安装 16-VQFN暴露垫 ISL6610 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜5.5V 16 QFN (4x4) 下载 rohs3符合条件 Ear99 8542.39.0001 6,000 同步 半桥 4 n通道MOSFET - - ,4A 8ns,8ns 36 V
MAX44270AUK+ ADI/Maxim Integrated max44270auk+ 2.1900
RFQ
ECAD 2 0.00000000 ADI/MAXIM集成 * 大部分 积极的 MAX44270 未行业行业经验证 - 不适用 3(168)) 供应商不确定 Ear99 8542.33.0001 1
LTC7067RMSE#TRPBF ADI LTC7067RMSE#trpbf -
RFQ
ECAD 1225 0.00000000 模拟设备公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 12-tssop (0.118英寸,3.00mm宽) LTC7067 不转变 未行业行业经验证 140V 12-msop-ep 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 高方向 2 n通道MOSFET - 3a,3a 18NS,14NS 15 v
ISL6209CBZ-T Renesas Electronics America Inc ISL6209CBZ-T -
RFQ
ECAD 8218 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -10°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) ISL6209 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜5.5V 8-SOIC - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 同步 半桥 2 n通道MOSFET 1.8V,3.1V 2a,2a 8ns,8ns 33 V
TD350ID STMicroelectronics TD350ID -
RFQ
ECAD 7461 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 14- 材料( 0.154英寸,宽度为3.90mm) TD350 不转变 未行业行业经验证 12v〜26V 14件事 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 50 单身的 高方向 1 IGBT,N通道MOSFET 0.8V,4.2V 1.5a,2.3a 130NS,75NS (最大)
MP1923GRE-Z Monolithic Power Systems Inc. MP1923GRE-Z -
RFQ
ECAD 1444 0.00000000 Monolithic Power Systems Inc. MP 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 10-vdfn裸露的垫子 不转变 5v〜17V 10-qfn (4x4) - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 1589-MP1923GRE-ZTR 5,000 独立的 半桥 2 n通道MOSFET - 7a,8a 7.2NS,5.5NS 120 v
ISL89163FBEBZ Intersil ISL89163FBEBZ 2.5600
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Intersil - 大部分 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) ISL89163 不转变 4.5V〜16V 8-SOIC-EP 下载 Ear99 8542.39.0001 118 独立的 低侧 2 n通道MOSFET 1.85V,3.15V 6a,6a 20N,20N 未行业行业经验证
2EDL8024G3CXTMA1 Infineon Technologies 2EDL8024G3CXTMA1 1.7900
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-vdfn暴露垫 2EDL8024 不转变 未行业行业经验证 8v〜17V PG-VDSON-8-4 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 3,000 独立的 半桥 2 n通道MOSFET - 4a,5a 45ns,45ns 120 v
NCP51100ASNT1G onsemi NCP51100ASNT1G 0.8700
RFQ
ECAD 4533 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 SC-74A,SOT-753 NCP51100 不转变 未行业行业经验证 11V〜18V SOT-23-5 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 单身的 低侧 1 IGBT,N通道MOSFET 2V,0.8V 3a,3a 14ns,7ns
ISL6207CB-T Renesas Electronics America Inc ISL6207CB-T -
RFQ
ECAD 4159 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -10°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) ISL6207 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜5.5V 8-SOIC 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 同步 半桥 2 n通道MOSFET 1V,2V 2a,2a 8ns,8ns 36 V
MIC4421YN Microchip Technology MIC4421YN 3.2800
RFQ
ECAD 489 0.00000000 微芯片技术 - 管子 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 通过洞 8 点点(0.300英寸,7.62mm) MIC4421 反转 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-pdip 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 50 单身的 低侧 1 IGBT,N通道MOSFET 0.8V,2.4V 9a,9a 20N,24NS
IR4426PBF Infineon Technologies IR4426pbf -
RFQ
ECAD 4604 0.00000000 Infineon技术 - 管子 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 通过洞 8 点点(0.300英寸,7.62mm) IR4426 反转 未行业行业经验证 6v〜20V 8-pdip 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 3,000 独立的 低侧 2 IGBT,N通道MOSFET 0.8V,2.7V 2.3a,3.3a 15ns,10ns
2EDL8123GXUMA1 Infineon Technologies 2EDL8123GXUMA1 2.1800
RFQ
ECAD 11 0.00000000 Infineon技术 eicedriver™ 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-vdfn暴露垫 2EDL8123 不转变 未行业行业经验证 8v〜17V PG-VDSON-8-4 下载 rohs3符合条件 2(1年) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 6,000 独立的 高侧和低侧 2 n通道MOSFET - 3a,3a 45ns,45ns 90 v
ISL6609ACBZ-TS2568 Intersil ISL6609ACBZ-TS2568 1.0000
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Intersil * 大部分 积极的 ISL6609 未行业行业经验证 - 不适用 3(168)) 供应商不确定 Ear99 8542.39.0001 2,500
UCC27531D Texas Instruments UCC27531D 1.4800
RFQ
ECAD 120 0.00000000 Texas Instruments - 管子 积极的 -40°C 〜140°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) UCC27531 不转变 未行业行业经验证 10v〜32v 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 75 单身的 低侧 1 IGBT,N通道MOSFET 1.2V,2.2V 2.5a,5a 15ns,7ns
ISL89165FRTAZ Renesas Electronics America Inc ISL89165FRTAZ 4.6900
RFQ
ECAD 21 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 管子 过时的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-WDFN暴露垫 ISL89165 反转,无变形 未行业行业经验证 4.5V〜16V 8-tdfn (3x3) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 -isl89165frtaz Ear99 8542.39.0001 1,000 独立的 低侧 2 n通道MOSFET 1.22V,2.08V 6a,6a 20N,20N
LM2722MX/NOPB Texas Instruments LM2722MX/NOPB -
RFQ
ECAD 7725 0.00000000 Texas Instruments - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) LM2722 不转变 未行业行业经验证 4V〜7V 8-SOIC - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 同步 半桥 2 n通道MOSFET 0.8V,2.4V 3a,3.2a 17ns,12ns
ADP3414JRZ-REEL ADI ADP3414JRZ-REEL -
RFQ
ECAD 1140 0.00000000 模拟设备公司 - 大部分 过时的 - Rohs不合规 供应商不确定 2156-ADP3414JRZ-REEL-505 1
NCV7512FTR2G onsemi NCV7512FTR2G -
RFQ
ECAD 8979 0.00000000 Onmi 汽车,AEC-Q100,FlexMos™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 32-LQFP NCV7512 不转变 未行业行业经验证 4.75V〜5.25V 32-LQFP (7x7) 下载 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,000 独立的 低侧 4 n通道MOSFET 0.8V,2V - 1.4µs,1.4µs (最大)
MAX8702ETP+ ADI/Maxim Integrated max8702etp+ -
RFQ
ECAD 8267 0.00000000 ADI/MAXIM集成 - 管子 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 20-WFQFN暴露垫 Max8702 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜28V 20-TQFN (4x4) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 75 同步 半桥 4 n通道MOSFET 0.8V,2.4V 1.5a,1.5a 16ns,14ns
LTC4444IMS8E#TRPBF ADI LTC4444IMS8E trpbf 3.3000
RFQ
ECAD 5485 0.00000000 模拟设备公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-tssop,8-msop (0.118英寸,3.00mm宽) LTC4444 不转变 未行业行业经验证 7.2v〜13.5V 8-msop-ep 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 半桥 2 n通道MOSFET 1.85V,3.25V 2.5a,3a 8NS,5NS 114 v
TPS51601ADRBT Texas Instruments TPS51601ADRBT 1.6700
RFQ
ECAD 126 0.00000000 Texas Instruments - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜105°C(TJ) 表面安装 8-vdfn暴露垫 TPS51601 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜5.5V 8-son (3x3) 下载 rohs3符合条件 2(1年) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 250 同步 半桥 2 n通道MOSFET 0.7V,4V - 15ns,10ns
2EG01XCCN11N Tamura 2EG01XCCN11N 77.8500
RFQ
ECAD 30 0.00000000 塔穆拉 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C 底盘安装 模块 2EG01 不转变 未行业行业经验证 13.5v〜26.4V 模块 下载 rohs3符合条件 不适用 132-2EG01XCCN11N Ear99 8543.70.9860 30 同步 半桥 2 IGBT 0.5V,3.3V - 500NS,500NS 1700 v
MCP14A1201T-E/MS Microchip Technology MCP14A1201T-E/MS 1.7400
RFQ
ECAD 8503 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 8-tssop,8-msop(0.118英寸,3.00mm宽度) MCP14A1201 反转 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-msop 下载 rohs3符合条件 2(1年) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 单身的 低侧 1 Igbt,n通道,p通道Mosfet 0.8V,2V 12a,12a 25n,25n
LTC7004HMSE#TRPBF ADI LTC7004HMSE#trpbf 8.3500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 模拟设备公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 10-tfsop,10-msop (0.118英寸,3.00mm宽) LTC7004 不转变 未行业行业经验证 3.5V〜15V 10-msop-ep 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 单身的 高方向 1 n通道MOSFET - - 90NS,40NS 60 V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库