SIC
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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 输入类型 SIC 电压 - 电源 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 通道类型 驱动配置 司机X 闸门类型 逻辑电压 - VIL、VIH 电流 - 热输出(拉电流、灌电流) 上升/下降T(典型值) 高侧电压 - 顶部(自举) SIC
LM5100CMA/NOPB National Semiconductor LM5100CMA/NOPB -
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ECAD 7092 0.00000000 国家安全委员会 - 大部分 过时的 -40°C ~ 125°C(太焦) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) 非反相 9V~14V 8-SOIC - 不符合 RoHS 指令 供应商未定义 2156-LM5100CMA/NOPB-14 1 独立的 半桥 2 N沟道MOSFET 2.3V,- 1A、1A 8纳秒,8纳秒 118V
2ED2388S06FXUMA1 Infineon Technologies 2ED2388S06FXUMA1 0.6885
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ECAD 3585 0.00000000 英飞凌科技 - 卷带式 (TR) 的积极 未验证 - 符合ROHS3标准 REACH 不出行 2,500人
R2J20657BNP#G2 Renesas Electronics America Inc R2J20657BNP#G2 7.8500
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ECAD 2 0.00000000 瑞萨电子美国公司 * 大部分 的积极 R2J20657 未验证 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 2,500人
MCP14A0901T-E/SN Microchip Technology MCP14A0901T-E/SN 1.5150
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ECAD 8509 0.00000000 微芯片 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 125°C (TA) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) MCP14A0901 反相 未验证 4.5V~18V 8-SOIC 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 3,300 同步化 高侧或低侧 1 N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、2V 9A, 9A 22纳秒, 22纳秒
LTC7000ARMSE-1#PBF ADI LTC7000ARMSE-1#PBF 7.4200
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ECAD 78 0.00000000 模拟器件公司 - 管子 的积极 -40°C ~ 125°C(太焦) 表面贴装 16-TFSOP(0.118英寸,3.00毫米宽),12引脚,裸露焊盘 LTC7000 非反相 未验证 3.5V~135V 16-MSOP-EP - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 37 单身的 高侧 1 N沟道MOSFET 1.8V、1.7V - 90纳秒、40纳秒 14V
IRS2330JTRPBF International Rectifier IRS2330JTRPBF 3.7000
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ECAD 8 0.00000000 国际校正器公司 - 大部分 的积极 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 44-LCC(J 引脚),32 引脚 国税局2330 反相 未验证 10V~20V 44-PLCC,32端口 (16.58x16.58) 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 500 土耳其 半桥 6 IGBT、N沟道MOSFET 0.8V、2.2V 250毫安、500毫安 80纳秒、35纳秒 600伏
UCC27322MDEP Texas Instruments UCC27322MDEP 8.7300
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ECAD 1 0.00000000 Texas Instruments - 管子 的积极 -55°C ~ 125°C(太焦) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) UCC27322 非反相 未验证 4V~15V 8-SOIC 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 75 单身的 低侧 1 N沟道、P沟道MOSFET 1V、2V 9A, 9A 20纳秒, 20纳秒
MIC4426ZM TR Microchip Technology MIC4426ZM TR -
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ECAD 3826 0.00000000 微芯片 - 大部分 的积极 0°C ~ 70°C (太焦) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) 麦克风4426 反相 未验证 4.5V~18V 8-SOIC 下载 EAR99 8542.39.0001 1 独立的 低侧 2 N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、2.4V 1.5A、1.5A 18纳秒、15纳秒
1EDN7126UXTSA1 Infineon Technologies 1EDN7126UXTSA1 1.0300
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ECAD 4 0.00000000 英飞凌科技 * 卷带式 (TR) 的积极 1EDN7126 未验证 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 4,500
IXDN514D1T/R IXYS IXDN514D1T/R -
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ECAD 1580 0.00000000 IXYS - 卷带式 (TR) 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 6-VDFN 裸露焊盘 IXDN514 非反相 未验证 4.5V~30V 6-DFN (4x5) 下载 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 1,000 单身的 低侧 1 IGBT、N沟道、P沟道MOSFET 1V、2.5V 14A, 14A 25纳秒、22纳秒
LM9061MX/NOPB Texas Instruments LM9061MX/NOPB 2.8600
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ECAD 4 0.00000000 Texas Instruments - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) LM9061 非反相 未验证 7V~26V 8-SOIC 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 单身的 高侧 1 N沟道MOSFET 1.5V、3.5V - -
LT8672IDDB#TRPBF ADI LT8672IDDB#TRPBF 3.8850
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ECAD 第1562章 0.00000000 模拟器件公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 125°C(太焦) 表面贴装 10-WFDFN 裸露焊盘 LT8672 非反相 未验证 3V~42V 10-DFN (3x2) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 单身的 高侧 1 N沟道MOSFET - - -
2ED2104S06FXUMA1 Infineon Technologies 2ED2104S06FXUMA1 1.4100
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ECAD 9484 0.00000000 英飞凌科技 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 125°C (TA) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) 2ED2104 非反相 未验证 10V~20V PG-DSO-8-69 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 独立的 半桥 2 IGBT、N沟道MOSFET 1.1V、1.7V 290毫安、700毫安 70纳秒、35纳秒 650伏
2CG010DBC12N Tamura 2CG010DBC12N 73.2700
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ECAD 2579 0.00000000 田村 - 托盘 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 通孔 模块 2CG010 非反相 未验证 13V~28V 模块 下载 符合ROHS3标准 不适用 REACH 不出行 EAR99 8543.70.9860 30 独立的 半桥 2 IGBT、碳化硅MOSFET 1.65V、3.85V 500纳秒、500纳秒
DGD2164MS14-13 Diodes Incorporated DGD2164MS14-13 -
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ECAD 6859 0.00000000 分散公司 * 卷带式 (TR) 的积极 DGD2164 未验证 - 符合RoHS标准 1(无限制) REACH 不出行 31-DGD2164MS14-13TR EAR99 8542.39.0001 2,500人
VLA513-01R Powerex Inc. VLA513-01R -
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ECAD 2402 0.00000000 动力克斯公司 - 大部分 的积极 -20°C ~ 70°C (TA) 通孔 8-SIP模块,5接口 VLA513 非反相 未验证 14V~15V 模块 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 835-1187 EAR99 8542.39.0001 1 单身的 低侧 1 IGBT - 5A、5A 300纳秒、300纳秒
R2A25110KSP#U50 Renesas Electronics America Inc R2A25110KSP#U50 7.1997
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ECAD 7107 0.00000000 瑞萨电子美国公司 - 托盘 的积极 -40°C ~ 125°C (TA) 表面贴装 48-SSOP(0.240英寸,6.10毫米宽) 非反相 48-SSOP - 符合ROHS3标准 3(168小时) 559-R2A25110KSP#U50 240 同步化 高侧或低侧 2 IGBT 1.65V、3.85V 10A、10A -
ISL6612IBZ-T Renesas Electronics America Inc ISL6612IBZ-T -
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ECAD 2000年 0.00000000 瑞萨电子美国公司 - 卷带式 (TR) 过时的 -40°C ~ 125°C(太焦) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) ISL6612 非反相 未验证 10.8V~13.2V 8-SOIC 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 同步化 半桥 2 N沟道MOSFET - 1.25A、2A 26纳秒、18纳秒 36V
ISL66223VW Renesas Electronics America Inc ISL66223大众 -
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ECAD 第1574章 0.00000000 瑞萨电子美国公司 - 管子 过时的 ISL66223 未验证 - 符合ROHS3标准 REACH 不出行 20-ISL66223VW 过时的 100
MPQ18024HN-AEC1-LF-P Monolithic Power Systems Inc. MPQ18024HN-AEC1-LF-P 2.3766
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ECAD 5428 0.00000000 单片电力系统公司 汽车、AEC-Q100、MPQ 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 125°C(太焦) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽)裸露焊盘 非反相 9V~16V 8-SOIC-EP 下载 符合ROHS3标准 2A(4周) REACH 不出行 1589-MPQ18024HN-AEC1-LF-PTR 500 独立的 半桥 2 N沟道MOSFET - 4A, 4A 15纳秒、9纳秒 110V
IR2109SPBF International Rectifier IR2109SPBF 1.6700
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ECAD 405 0.00000000 国际校正器公司 - 大部分 的积极 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) IR2109 非反相 10V~20V 8-SOIC 下载 EAR99 8542.39.0001 180 同步化 半桥 2 IGBT、N沟道MOSFET 0.8V、2.9V 200毫安、350毫安 150纳秒、50纳秒 600伏 未验证
ISL78434AVEZ-T Renesas Electronics America Inc ISL78434AVEZ-T 2.9726
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ECAD 3664 0.00000000 瑞萨电子美国公司 汽车,AEC-Q100 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 140°C (TJ) 表面贴装 14-TSSOP(0.173",4.40mm宽)裸露焊盘 ISL78434 反相、同相 未验证 8V~18V 14-高温SSOP 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 20-ISL78434AVEZ-TTR EAR99 8542.39.0001 2,500人 同步化 半桥 2 N沟道MOSFET 1V、2.1V 3A、4A 10纳秒,10纳秒 100伏
MIC4605-1YMVAO Microchip Technology MIC4605-1YMVAO -
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ECAD 5054 0.00000000 微芯片 汽车,AEC-Q100 管子 的积极 -40°C ~ 125°C(太焦) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) 麦克风4605 非反相 未验证 5.5V~16V 8-SOIC 下载 REACH 不出行 150-MIC4605-1YMVAO EAR99 8542.39.0001 95 独立的 半桥 2 N沟道MOSFET 0.8V、2.2V 1A、1A 20纳秒, 20纳秒 108V
LM9061M Texas Instruments LM9061M -
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ECAD 8763 0.00000000 Texas Instruments - 管子 过时的 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) LM9061 非反相 未验证 7V~26V 8-SOIC 下载 不符合 RoHS 指令 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 95 单身的 高侧 1 N沟道MOSFET 1.5V、3.5V - -
ISL6612IRZ Renesas Electronics America Inc ISL6612IRZ -
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ECAD 2667 0.00000000 瑞萨电子美国公司 - 管子 过时的 -40°C ~ 125°C(太焦) 表面贴装 10-VFDFN 裸露焊盘 ISL6612 非反相 未验证 10.8V~13.2V 10-DFN (3x3) 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 100 同步化 半桥 2 N沟道MOSFET - 1.25A、2A 26纳秒、18纳秒 36V
IR2135 Infineon Technologies IR2135 -
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ECAD 2414 0.00000000 英飞凌科技 - 管子 过时的 125°C(太焦) 通孔 28-DIP(0.600英寸,15.24毫米) IR2135 反相 未验证 10V~20V 28-PDIP 下载 不符合 RoHS 指令 1(无限制) REACH 不出行 *IR2135 EAR99 8542.39.0001 13 土耳其 半桥 6 IGBT、N沟道MOSFET 0.8V、2.2V 250毫安、500毫安 90纳秒、40纳秒 600伏
LM5111-1MX/NOPB National Semiconductor LM5111-1MX/NOPB -
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ECAD 4178 0.00000000 国家安全委员会 * 大部分 的积极 - 不符合 RoHS 指令 供应商未定义 2156-LM5111-1MX/NOPB-14 1
IXD611P7 IXYS IXD611P7 -
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ECAD 8646 0.00000000 IXYS - 盒子 过时的 -40°C ~ 150°C (TJ) 通孔 14-DIP(0.300英寸,7.62毫米) IXD611 非反相 未验证 10V~35V 14-PDIP 下载 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 400 独立的 半桥 2 IGBT、N沟道MOSFET 2.4V、2.7V 600毫安,600毫安 28纳秒、18纳秒 600伏
UCC27200ADRMR Texas Instruments UCC27200ADRMR 1.0500
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ECAD 8996 0.00000000 Texas Instruments - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 140°C (TJ) 表面贴装 8-VDFN 裸露焊盘 UCC27200 非反相 未验证 8V~17V 8-VSON (4x4) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 3,000 独立的 半桥 2 N沟道MOSFET 3V、8V 3A、3A 8纳秒、7纳秒 120V
UC1709J Texas Instruments UC1709J -
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ECAD 2822 0.00000000 Texas Instruments * 大部分 的积极 UC1709 未验证 下载 EAR99 8542.39.0001 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库