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门司机（（7161）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 输入类型 | sic可编程 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 频道类型 | 驱动配置 | 驾驶员数量 | 门类型 | 逻辑电压 -vil，vih | 电流 -峰值输出（源，水槽，水槽） | 上升 /秋季t （典型） | 高侧电压 -最大（引导程序） |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | stsr3cd | - |  | 8874 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜125°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | STSR3 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4v〜5.5V | 8-SOIC | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 100 | 单身的 | 低侧 | 1 | n通道MOSFET | - | 2a，3.5a | 40n，30ns | |||
 | LM5101M/NOPB | 4.5300 | | 2 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 管子 | 不适合新设计 | -40°C〜125°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | LM5101 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 9V〜14V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 95 | 独立的 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 0.8V，2.2V | 1.6a，1.6a | 600NS，600NS | 118 v | ||
 | ixdd509siat/r | - | | 6072 | 0.00000000 | ixys | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | IXDD509 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜30V | 8-SOIC | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 单身的 | 低侧 | 1 | Igbt，n通道，p通道Mosfet | 0.8V，2.4V | 9a，9a | 25ns，23ns | ||||
 | TC4424VMF713 | 1.9350 | | 8058 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-vdfn暴露垫 | TC4424 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 8-DFN-S（ 6x5） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | TC4424VMF713-NDR | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,300 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道，p通道MOSFET | 0.8V，2.4V | 3a，3a | 23ns，25ns | ||
 | IR2104 | - | | 7581 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜150°C（TJ） | 通过洞 | 8 点点（0.300英寸，7.62mm） | IR2104 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 8-pdip | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | *IR2104 | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | 同步 | 半桥 | 2 | IGBT，N通道MOSFET | 0.8V，3V | 210mA，360mA | 100NS，50NS | 600 v | |
 | LTC4449IDCB | - | | 9286 | 0.00000000 | 模拟设备公司 | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜125°C（TJ） | 表面安装 | 8-WFDFN暴露垫 | LTC4449 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4V〜6.5V | 8-DFN（2x3） | - | （1 （无限） | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 3V，6.5V | 3.2a，4.5a | 8NS，7NS | 42 v | ||||
 | NCP5355DG | - | | 4005 | 0.00000000 | Onmi | - | 管子 | 过时的 | 0°C〜125°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | NCP5355 | 反转，无变形 | 未行业行业经验证 | 8v〜14V | 8-SOIC | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 98 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 0.8V，2V | 2a，2a | 15ns，15ns | 26 V | |||
 | max5048caut+t | 1.8000 | | 12 | 0.00000000 | ADI/MAXIM集成 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜150°C（TJ） | 表面安装 | SOT-23-6 | Max5048 | 反转，无变形 | 未行业行业经验证 | 4V〜14V | SOT-6 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 单身的 | 低侧 | 1 | n通道MOSFET | 0.8V，2V | 3a，7a | 28ns，13ns | |||
 | UCC27425PG4 | - | | 4763 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 管子 | 在sic中停产 | -40°C〜125°C（TA） | 通过洞 | 8 点点（0.300英寸，7.62mm） | UCC27425 | 反转，无变形 | 未行业行业经验证 | 4V〜15V | 8-pdip | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道，p通道MOSFET | 1V，2V | 4a，4a | 20N，15n | |||
 | LTC1154CN8 ＃PBF | 4.5681 | | 5604 | 0.00000000 | 模拟设备公司 | - | 管子 | 积极的 | 0°C〜70°C（TA） | 通过洞 | 8 点点（0.300英寸，7.62mm） | LTC1154 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 8-pdip | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | 单身的 | 高方向 | 1 | n通道MOSFET | 0.8V，2V | - | - | |||
 | SC1301Aisktrt | - | | 5921 | 0.00000000 | Semtech Corporation | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | SC-74A，SOT-753 | SC1301 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5v〜16.5V | SOT-23-5 | - | （1 （无限） | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 单身的 | 低侧 | 1 | n通道MOSFET | 0.8V，2V | 2a，2a | 20N，20N | |||||
 | DGD0507AFN-7 | 0.9300 | | 2 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜125°C（TA） | 表面安装 | 10-WFDFN暴露垫 | DGD0507 | CMOS/TTL | 未行业行业经验证 | 8v〜14V | W-DFN3030-10 | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 独立的 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 0.8V，2.4V | 1.5a，2a | 16NS，18NS | 50 V | ||
| TPS2815DG4 | - | | 4865 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 管子 | 在sic中停产 | -40°C〜125°C（TA） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | TPS2815 | 反转 | 未行业行业经验证 | 4V〜14V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 75 | 同步 | 低侧 | 2 | n通道，p通道MOSFET | 1V，4V | 2a，2a | 14ns，15ns | |||
 | TC4426EPA | 2.0000 | | 7301 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 通过洞 | 8 点点（0.300英寸，7.62mm） | TC4426 | 反转 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 8-pdip | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 60 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道，p通道MOSFET | 0.8V，2.4V | 1.5a，1.5a | 19NS，19NS | |||
 | MP1923GS-Z | - | | 2978 | 0.00000000 | Monolithic Power Systems Inc. | MP | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜125°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | 不转变 | 5v〜17V | 8-SOIC | - | rohs3符合条件 | 2（1年） | 到达不受影响 | 1589-MP1923GS-ZTR | 2,500 | 独立的 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | - | 7a，8a | 7.2NS，5.5NS | 120 v | |||||
 | TC4426VUA | 2.1300 | | 7215 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜125°C（TA） | 表面安装 | 8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度） | TC4426 | 反转 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 8-msop | 下载 | rohs3符合条件 | 2（1年） | 到达不受影响 | TC4426VUA-NDR | Ear99 | 8542.39.0001 | 100 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道，p通道MOSFET | 0.8V，2.4V | 1.5a，1.5a | 19NS，19NS | ||
 | IR2131 | - | | 1310 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜150°C（TJ） | 通过洞 | 28- 浸（0.600英寸，15.24毫米） | IR2131 | 反转 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 28-pdip | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | *IR2131 | Ear99 | 8542.39.0001 | 13 | 独立的 | 半桥 | 6 | IGBT，N通道MOSFET | 0.8V，2.2V | 250mA，500mA | 80n，40n | 600 v | |
| LTC1154CN8 | - | | 8396 | 0.00000000 | 模拟设备公司 | - | 管子 | 积极的 | 0°C〜70°C（TA） | 通过洞 | 8 点点（0.300英寸，7.62mm） | LTC1154 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 8-pdip | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | 单身的 | 高方向 | 1 | n通道MOSFET | 0.8V，2V | - | - | |||
 | ZXGD3107N8TC | 1.1900 | | 3938 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | ZXGD3107 | 不转变 | 未行业行业经验证 | （40V）） | 8-so | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 单身的 | 低侧 | 1 | n通道MOSFET | - | 2a，7a | 175NS，20NS | |||
| EL7154CSZ | 6.6400 | | 31 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜125°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | EL7154 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜16V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 97 | 同步 | 高方面或低侧 | 2 | IGBT，N通道MOSFET | 0.6V，2.4V | 4a，4a | 4NS，4NS | |||
 | IR21834SPBF | 4.6300 | | 7598 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 不适合新设计 | -40°C〜150°C（TJ） | 表面安装 | 14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm） | IR21834 | 反转，无变形 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 14-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,980 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT，N通道MOSFET | 0.8V，2.7V | 1.9a，2.3a | 40NS，20NS | 600 v | ||
 | IR2133S | - | | 4853 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 过时的 | 125°C（TJ） | 表面安装 | 28-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） | IR2133 | 反转 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 28-Soic | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | *IR2133S | Ear99 | 8542.39.0001 | 25 | 3相 | 半桥 | 6 | IGBT，N通道MOSFET | 0.8V，2.2V | 250mA，500mA | 90NS，40NS | 600 v | |
 | HIP2100IBZ | 4.4500 | | 3 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | HIP2100 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 9V〜14V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 98 | 独立的 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 4V，7V | 2a，2a | 10n，10n | 114 v | ||
| TC4427AEUA713 | 2.4500 | | 2 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度） | TC4427 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 8-msop | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道，p通道MOSFET | 0.8V，2.4V | 1.5a，1.5a | 25n，25n | |||
 | TC4467EPD | 4.2000 | | 2693 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜150°C（TJ） | 通过洞 | 14 浸（0.300英寸，7.62mm） | TC4467 | 反转 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 14-PDIP | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | TC4467EPD-NDR | Ear99 | 8542.39.0001 | 30 | 独立的 | 低侧 | 4 | n通道，p通道MOSFET | 0.8V，2.4V | 1.2a，1.2a | 15ns，15ns | ||
| IXDF602PI | 0.7753 | | 8574 | 0.00000000 | ixys集成电路部门 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通过洞 | 8 点点（0.300英寸，7.62mm） | IXDF602 | 反转，无变形 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜35V | 8点 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | 独立的 | 低侧 | 2 | Igbt，n通道，p通道Mosfet | 0.8V，3V | 2a，2a | 7.5NS，6.5NS | |||
 | LM5134AMF/NOPB | 1.0920 | | 1157 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜125°C（TJ） | 表面安装 | SOT-23-6 | LM5134 | 反转，无变形 | 未行业行业经验证 | 4v〜12.6V | SOT-23-6 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 单身的 | 低侧 | 1 | n通道MOSFET | - | 4.5a，7.6a | 3n，2ns | |||
| adp3417jr | - | | 5419 | 0.00000000 | Onmi | - | 管子 | 过时的 | ADP3417 | - | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 98 | |||||||||||||||||
| IHD260 | - | | 3292 | 0.00000000 | 电源集成 | Scale™-1 | 盒子 | 过时的 | -40°C〜85°C（TA） | 通过洞 | 36浸，24条线索 | IHD260 | - | 未行业行业经验证 | 14V〜16V | 模块 | 下载 | （1 （无限） | Ear99 | 8543.70.9860 | 30 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT，N通道MOSFET | - | - | 100NS，80NS | |||||
 | HIP6602BCR | - | | 2742 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 过时的 | 0°C〜125°C（TJ） | 表面安装 | 16-VQFN暴露垫 | HIP6602 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10.8v〜13.2v | 16 QFN（5x5） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 60 | 同步 | 半桥 | 4 | n通道MOSFET | - | - | 20N，20N | 15 v |
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