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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	sic可编程	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	频道类型	驱动配置	驾驶员数量	门类型	逻辑电压 -vil，vih	电流 -峰值输出（源，水槽，水槽）	上升 /秋季t （典型）	高侧电压 -最大（引导程序）
ISL6612BCB	-	RFQ	3322	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ISL6612	不转变	未行业行业经验证	7v〜13.2v	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	98	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
TC4626EOE713	5.0100	RFQ	8586	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	TC4626	反转	未行业行业经验证	4V〜6V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC4626EOE713-NDR	Ear99	8542.39.0001	1,000	单身的	高方面或低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	33ns，27ns
IR2155	-	RFQ	2157	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	IR2155	RC输入电路	未行业行业经验证	10v〜20V	8-pdip	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IR2155	Ear99	8542.39.0001	50	同步	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	-	250mA，500mA	80ns，45ns	600 v
HIP6602BCRZ	-	RFQ	9476	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	16-VQFN暴露垫	HIP6602	不转变	未行业行业经验证	10.8v〜13.2v	16 QFN（5x5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	60	同步	半桥	4	n通道MOSFET	-	-	20N，20N	15 v
2EDN8524RXUMA1	-	RFQ	4494	Infineon技术	eicedriver™	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）	2EDN8524	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜20V	PG-TSSOP-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	5,000	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	1.2V，1.9V	5a，5a	5.3NS，4.5NS
ADP3416JR-REEL7	-	RFQ	5064	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的				ADP3416					-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000
IR1176STR	-	RFQ	8130	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	20ssop （0.209英寸，5.30mm宽度）	IR1176	不转变	未行业行业经验证	4v〜5.25V	20ssop	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,500	单身的	低侧	1	n通道MOSFET	-	4a，4a	20N，20N
LTC4440AMPMS8E-5 PBF	13.5800	RFQ	4610	模拟设备公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop （0.118英寸，3.00mm宽）	LTC4440	不转变	未行业行业经验证	4V〜15V	8-msop-ep	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-2735-LTC4440AMPMS8E-5 PBF	Ear99	8542.39.0001	50	单身的	高方向	1	n通道MOSFET	1.2V，1.6V	1.1a，1.1a	10n，7ns	80 V
UCC27712D	1.9100	RFQ	1503	Texas Instruments	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	UCC27712	-	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响	296-47118	Ear99	8542.39.0001	75	独立的	半桥	2	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2.4V	1.8a，2.8a	16ns，10ns	600 v
IRS2186SPBF	3.0300	RFQ	3005	Infineon技术	-	管子	不适合新设计	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRS2186	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	95	独立的	高方面或低侧	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	4a，4a	22NS，18NS	600 v
98-0066	-	RFQ	4465	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IR2127	不转变	未行业行业经验证	12v〜20V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	95	单身的	高方面或低侧	1	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，3V	250mA，500mA	80n，40n	600 v
TPS2812PWR	0.9615	RFQ	9688	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	TPS2812	不转变	未行业行业经验证	4V〜14V	8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,000	同步	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	1V，4V	2a，2a	14ns，15ns
IR21531S	-	RFQ	4021	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IR21531	RC输入电路	未行业行业经验证	10v〜15.6V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IR21531S	Ear99	8542.39.0001	95	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	-	80ns，45ns	600 v
IR2110STR	-	RFQ	6419	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	IR2110	不转变	未行业行业经验证	3.3v〜20V	16-Soic	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	SP001539642	Ear99	8542.39.0001	1,000	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	6V，9.5V	2a，2a	25ns，17ns	500 v
UCC27524DR	1.5100	RFQ	6	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C 〜140°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	UCC27524	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	IGBT，N通道MOSFET	1V，2.3V	5a，5a	7NS，6NS
IRS2004pbf	4.0900	RFQ	881	Infineon技术	-	管子	上次购买	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	IRS2004	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	同步	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	290mA，600mA	70ns，35ns	200 v
UC2715DTR	1.7730	RFQ	6763	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	UC2715	不转变	未行业行业经验证	7v〜20V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2V	500mA，1a	30ns，25ns
IR3103	-	RFQ	8764	Infineon技术	Imotion™	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	11-sip，9个领先	IR3103	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	11-sip	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001535474	Ear99	8542.39.0001	20	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.9V	-	-	500 v
DGD2104S8-13	-	RFQ	9490	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	DGD2104	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-so	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	290mA，600mA	70ns，35ns	600 v
TC4469COE	5.3100	RFQ	316	微芯片技术	-	管子	积极的	0°C〜150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	TC4469	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC4469COE-NDR	Ear99	8542.39.0001	47	独立的	低侧	4	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.2a，1.2a	15ns，15ns
TC4432COA713	2.7900	RFQ	8586	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TC4432	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜30V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC4432COA713-NDR	Ear99	8542.39.0001	3,300	单身的	高方面或低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	25ns，33ns
5962-0052102VFA	-	RFQ	2002	Texas Instruments	*	管子	积极的									下载	rohs3符合条件	不适用		296-5962-0052102VFA			1
IR2301SPBF	2.2200	RFQ	6	Infineon技术	-	管子	不适合新设计	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IR2301	不转变	未行业行业经验证	5v〜20V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	95	独立的	高方面或低侧	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.9V	200mA，350mA	130ns，50ns	600 v
UCC27424QDRQ1	1.2500	RFQ	5673	Texas Instruments	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	UCC27424	不转变	未行业行业经验证	4V〜15V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	1V，2V	4a，4a	20N，15n
max628epa	-	RFQ	3086	ADI/MAXIM集成	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	Max628	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-pdip	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	2a，2a	25NS，20NS
LM5100CMAX/NOPB	1.2975	RFQ	4915	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	LM5100	不转变	未行业行业经验证	9V〜14V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	2.3V， -	1a，1a	990NS，715NS	118 v
2DM150606CM	-	RFQ	2529	塔穆拉	-	托盘	积极的	-30°C〜85°C（TA）	通过洞	34浸模块，31条线索	2DM150606	-	未行业行业经验证	15V〜24V	0502	下载	Rohs符合条件	不适用			Ear99	8542.39.0001	25	独立的	半桥	2	IGBT	0.8V，2V	-	-
ISL6700IBZ	3.1500	RFQ	1	Renesas Electronics America Inc	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ISL6700	不转变	未行业行业经验证	9V〜15V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-isl6700ibz	Ear99	8542.39.0001	98	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	1.4a，1.3a	5n，5ns	80 V
ISL6610ACRZ-T	-	RFQ	3882	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	16-VQFN暴露垫	ISL6610	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜5.5V	16 QFN （4x4）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	6,000	同步	半桥	4	n通道MOSFET	-	- ，4A	8ns，8ns	36 V
LTC1154CN8	-	RFQ	8396	模拟设备公司	-	管子	积极的	0°C〜70°C（TA）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	LTC1154	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	单身的	高方向	1	n通道MOSFET	0.8V，2V	-	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

门司机（（7161）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²