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门司机（（7161）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	sic可编程	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	频道类型	驱动配置	驾驶员数量	门类型	逻辑电压 -vil，vih	电流 -峰值输出（源，水槽，水槽）	上升 /秋季t （典型）	高侧电压 -最大（引导程序）	sic可编程
UCC37323D	0.8820	RFQ	8191	Texas Instruments	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	UCC37323	反转	未行业行业经验证	4.5V〜15V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	75	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	1V，2V	4a，4a	20N，15n
TC4432VPA	4.2900	RFQ	11	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	TC4432	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜30V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	60	单身的	高方面或低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	25ns，33ns
MIC4426ZM-TR	1.4500	RFQ	51	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MIC4426	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	20N，29NS
UC3708NE	11.7600	RFQ	127	Texas Instruments	-	管子	积极的	0°C〜70°C（TA）	通过洞	16 浸（0.300英寸，7.62mm）	UC3708	不转变	未行业行业经验证	5v〜35V	16-PDIP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	25	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2V	3a，3a	25n，25n
UC3706DW	8.3000	RFQ	236	Texas Instruments	-	管子	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	UC3706	反转，无变形	未行业行业经验证	5V〜40V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	40	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	1.5a，1.5a	40n，30ns
ltc1154hs8 trpbf	7.4700	RFQ	5504	模拟设备公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	LTC1154	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	高方向	1	n通道MOSFET	0.8V，2V	-	-
IX4424G	-	RFQ	4771	ixys集成电路部门	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	IX4424	CMOS/TTL	未行业行业经验证	4.5V〜35V	8点	-			到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	独立的	低侧	2	IGBT	0.8V，3V	3a，3a	18N，18NS
UC2715DTR	1.7730	RFQ	6763	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	UC2715	不转变	未行业行业经验证	7v〜20V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2V	500mA，1a	30ns，25ns
MIC4427YM-TR	1.4500	RFQ	9642	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MIC4427	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	20N，29NS
TC429EOA	2.2600	RFQ	93	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TC429	反转	未行业行业经验证	7v〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC429EOA-NDR	Ear99	8542.39.0001	100	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	6a，6a	23ns，25ns
IR4426STR	-	RFQ	7040	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IR4426	反转	未行业行业经验证	6v〜20V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.7V	2.3a，3.3a	15ns，10ns
SN75372DR	2.8400	RFQ	501	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SN75372	反转	未行业行业经验证	4.75V〜5.25V，4.75V〜24V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2V	500mA，500mA	-
LTC7000MPMSE-1	-	RFQ	4060	模拟设备公司	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	16-tfsop （0.118英寸，3.00mm宽度），12个铅，裸露的垫子，裸露的垫子	LTC7000	不转变	未行业行业经验证	3.5V〜135V	16-msop-ep	-		（1 （无限）		161-LTC7000MPMSE-1	过时的		37	单身的	高方向	1	n通道MOSFET	1.8V，1.7V	-	90NS，40NS	135 v
max4420esa+	5.9100	RFQ	1	ADI/MAXIM集成	-	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	Max4420	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-4941-MAX4420ESA+	Ear99	8542.39.0001	100	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	6a，6a	25n，25n
MIC4609YWM	-	RFQ	6681	微芯片技术	-	管子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	28-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	MIC4609	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	28-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））		150-MIC4609YWM	过时的		27	3相	半桥	6	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2.2V	1a，1a	20N，20N	600 v
L6393dtr	2.2000	RFQ	2370	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm）	L6393	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	14件事	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	1.1V，1.9V	290mA，430mA	75ns，35ns	600 v
TC4424COE	3.4100	RFQ	513	微芯片技术	-	管子	积极的	0°C〜150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	TC4424	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC4424COE-NDR	Ear99	8542.39.0001	47	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	3a，3a	23ns，25ns
TC4424VMF	1.9350	RFQ	3454	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-vdfn暴露垫	TC4424	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-DFN-S（ 6x5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC4424VMF-NDR	Ear99	8542.39.0001	60	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	3a，3a	23ns，25ns
max627csa+t	5.8700	RFQ	12	ADI/MAXIM集成	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	Max627	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	2a，2a	25NS，20NS
IX4340NETR	-	RFQ	8865	ixys集成电路部门	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IX4340	不转变	未行业行业经验证	5v〜20V	8-SOIC-EP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	4,000	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.5V	5a，5a	7n，7ns
2SP0325V2A1-CM1800DY-34	-	RFQ	4313	电源集成	Scale™-2	托盘	过时的	-40°C〜85°C	底盘安装	模块	2SP0325	-	未行业行业经验证	14.5v〜15.5V	模块	下载	请求库存验证			1810-2SP0325V2A1-CM1800DY-34	Ear99	8542.39.0001	1	独立的	半桥	2	IGBT	-	25a， -	600NS，750NS
LT1162CN ＃PBF	-	RFQ	2364	模拟设备公司	-	管子	过时的	0°C〜125°C（TJ）	通过洞	24- 浸（0.300英寸，7.62mm）	LT1162	不转变	未行业行业经验证	10v〜15V	24-PDIP	下载		（1 （无限）			Ear99	8542.39.0001	15	独立的	半桥	4	n通道MOSFET	0.8V，2V	1.5a，1.5a	130ns，60ns	60 V
LTC1157CN8 ＃PBF	7.6200	RFQ	7888	模拟设备公司	-	管子	积极的	0°C〜70°C（TA）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	LTC1157	不转变	未行业行业经验证	3.3V〜5V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	独立的	高方面或低侧	2	n通道MOSFET	-	-	-
TC4428VOA	1.7800	RFQ	1	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TC4428	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC4428VOA-NDR	Ear99	8542.39.0001	100	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	19NS，19NS
UCD7100PWP	-	RFQ	4837	单位树	-	大部分	积极的	-40°C〜105°C（TJ）	表面安装	14-POWERTSOP （0.173英寸，4.40mm（（4.40mm））	UCD7100	不转变	未行业行业经验证	4.25V〜15V	14-htssop	下载					Ear99	8542.39.0001	1	单身的	低侧	1	n通道MOSFET	1.16V，2.08V	4a，4a	10n，10n
ISL6613BIRZ	2.6500	RFQ	450	Intersil	-	管子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-vfdfn暴露垫	ISL6613	不转变	未行业行业经验证	7v〜13.2v	10-DFN （3x3）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8542.39.0001	100	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
IR2110	-	RFQ	3488	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	14 浸（0.300英寸，7.62mm）	IR2110	不转变	未行业行业经验证	3.3v〜20V	14浸	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	25	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	6V，9.5V	2a，2a	25ns，17ns	500 v
TC1427EPA	1.5100	RFQ	7651	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	TC1427	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜16V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	60	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，3V	1.2a，1.2a	35ns，25n
EL7222CS-T7	-	RFQ	1609年	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	EL7222	反转，无变形		4.5V〜15V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	2a，2a	7.5NS，10NS		未行业行业经验证
ixdd408yi	-	RFQ	6967	ixys	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-6，D²Pak（5 + tab），TO-263BA	IXDD408	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜25V	TO-263-5	下载		（1 （无限）	到达不受影响	IXDD408YI-NDR	Ear99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，3.5V	8a，8a	14ns，15ns

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

门司机（（7161）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²