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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	sic可编程	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	频道类型	驱动配置	驾驶员数量	门类型	逻辑电压 -vil，vih	电流 -峰值输出（源，水槽，水槽）	上升 /秋季t （典型）	高侧电压 -最大（引导程序）
TSC426MJA/883B	-	RFQ	2670	ADI/MAXIM集成	军事，MIL-STD-883	管子	积极的	-55°C〜125°C（TA）	通过洞	8-CDIP （0.300英寸，7.62mm）	TSC426	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-Cerdip	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	25n，25n
2EDL8114GXUMA1	1.1954	RFQ	7699	Infineon技术	eicedriver™	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-vdfn暴露垫	2EDL8114	不转变	未行业行业经验证	8v〜17V	PG-VDSON-8-4	-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	6,000	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	-	5a，6a	-	120 v
IRS2607DSPBF	-	RFQ	9284	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRS2607	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载		2（1年）	到达不受影响	SP001547148	Ear99	8542.39.0001	95	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.2V	200mA，350mA	150NS，50NS	600 v
L6571BD013TR	2.5900	RFQ	5115	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	L6571	RC输入电路	未行业行业经验证	10v〜16.6V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-L6571BD013TRDKR	Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	-	170mA，270mA	-	600 v
MIC4428ZM	1.4500	RFQ	9181	微芯片技术	-	管子	积极的	0°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MIC4428	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	95	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	20N，29NS
ix6r11m6t/r	-	RFQ	9046	ixys	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	16-vdfn暴露垫	IX6R11	不转变	未行业行业经验证	10v〜35V	16-MLP（7x6）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	6V，9.5V	-	25ns，17ns	600 v
MCP14A0154-E/SN	1.1400	RFQ	402	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MCP14A0154	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2V	1.5a，1.5a	11.5NS，10NS
UCC37322DGN	1.5600	RFQ	9133	Texas Instruments	-	管子	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	8-tssop，8-msop （0.118英寸，3.00mm宽）	UCC37322	不转变	未行业行业经验证	4V〜15V	8-HVSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	80	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	1.1V，2.7V	9a，9a	20N，20N
ISL6610CBZ-T	-	RFQ	1762年	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm）	ISL6610	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜5.5V	14-Soic	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	4	n通道MOSFET	-	- ，4A	8ns，8ns	36 V
ltc444444ems8e＃wtrpbf	-	RFQ	5407	模拟设备公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop （0.118英寸，3.00mm宽）	LTC4444	不转变	未行业行业经验证	7.2v〜13.5V	8-msop-ep	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	1.85V，3.25V	2.5a，3a	8NS，5NS	114 v
TC427COA713	1.9000	RFQ	2	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TC427	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,300	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	30ns，30ns
MIC4426ZM-TR	1.4500	RFQ	51	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MIC4426	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	20N，29NS
MIC4428YM-TR	1.4500	RFQ	7606	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MIC4428	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	20N，29NS
UCC27526DSDT	1.5000	RFQ	8628	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C 〜140°C（TJ）	表面安装	8-WDFN暴露垫	UCC27526	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-son （3x3）	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	250	独立的	低侧	2	IGBT，N通道MOSFET	1V，2.3V	5a，5a	7NS，6NS
FAN3225CMX	-	RFQ	7374	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FAN3225	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	-	5a，5a	12ns，9ns
tps2816dbvr	1.8100	RFQ	146	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	SC-74A，SOT-753	TPS2816	反转	未行业行业经验证	4V〜14V	SOT-23-5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	单身的	低侧	1	n通道MOSFET	1V，4V	2a，2a	14ns，14ns
UCC27524DSDR	2.1000	RFQ	19	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C 〜140°C（TJ）	表面安装	8-WDFN暴露垫	UCC27524	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-son （3x3）	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	独立的	低侧	2	IGBT，N通道MOSFET	1V，2.3V	5a，5a	7NS，6NS
ISL6613EIB	-	RFQ	5982	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ISL6613	不转变	未行业行业经验证	10.8v〜13.2v	8-SOIC-EP	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	98	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
FAN7190MX-F085	-	RFQ	1135	Onmi	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	Fan7190	不转变	未行业行业经验证	10v〜22v	8-SOIC	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	1.2V，2.5V	4.5a，4.5a	25NS，20NS	600 v
UCC27525D	2.5200	RFQ	102	Texas Instruments	-	管子	积极的	-40°C 〜140°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	UCC27525	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	75	独立的	低侧	2	IGBT，N通道MOSFET	1V，2.3V	5a，5a	7NS，6NS
MCP14A0452T-E/SN	1.4300	RFQ	3	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MCP14A0452	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,300	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2V	4.5a，4.5a	9.5NS，9NS
SI9978DW-E3	-	RFQ	5514	Vishay Siliconix	-	大部分	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	24-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	SI9978	不转变	未行业行业经验证	14.5v〜17.5V	24-Soic	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SI9978DWE3	Ear99	8542.39.0001	300	同步	半桥	4	n通道MOSFET	1V，4V	-	110NS，50NS	40 V
TC4420EPA	2.3800	RFQ	3	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	TC4420	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	60	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	6a，6a	25n，25n
TC4426AVMF	1.3050	RFQ	8953	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-vdfn暴露垫	TC4426	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-DFN-S（ 6x5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC4426AVMF-NDR	Ear99	8542.39.0001	60	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	25n，25n
L6498DTR	2.6700	RFQ	6	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	L6498	CMOS/TTL	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	高方面或低侧	2	IGBT，N通道MOSFET	1.45V，2V	2a，2.5a	25n，25n	500 v
IRS2186PBF	2.0276	RFQ	7023	Infineon技术	-	管子	上次购买	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	IRS2186	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001546318	Ear99	8542.39.0001	50	独立的	高方面或低侧	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	4a，4a	22NS，18NS	600 v
IR2135JPBF	12.6300	RFQ	3	Infineon技术	-	管子	上次购买	125°C（TJ）	表面安装	44-LCC（J-LEAD），32个领先优势	IR2135	反转	未行业行业经验证	10v〜20V	44-PLCC，32 条线索（16.58x16.58）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,134	3相	半桥	6	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.2V	250mA，500mA	90NS，40NS	600 v
adp3634arhz	3.4600	RFQ	262	模拟设备公司	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop （0.118英寸，3.00mm宽）	ADP3634	不转变	未行业行业经验证	9.5V〜18V	8-msop-ep	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2V	4a，4a	10n，10n
MIC4125YML-TR	2.1600	RFQ	5791	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-VFDFN暴露垫，8-MLF®	MIC4125	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜20V	8-MLF®（2x2）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	5,000	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	3a，3a	11n，11ns
UCC27321P	2.1900	RFQ	258	Texas Instruments	-	管子	积极的	-40°C〜105°C（TA）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	UCC27321	反转	未行业行业经验证	4V〜15V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	1.1V，2.7V	9a，9a	20N，20N

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

门司机（（7161）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²