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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 输入类型 | sic可编程 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 频道类型 | 驱动配置 | 驾驶员数量 | 门类型 | 逻辑电压 -vil,vih | 电流 -峰值输出(源,水槽,水槽) | 上升 /秋季t (典型) | 高侧电压 -最大(引导程序) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | LTC3900IS8#trpbf | 4.6800 | ![]() | 1231 | 0.00000000 | 模拟设备公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | LTC3900 | 反转,无变形 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜11V | 8-so | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 同步 | 低侧 | 2 | n通道MOSFET | - | 2a,2a | 15ns,15ns | |||
![]() | TC1412NEOA | 1.8900 | ![]() | 2649 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | TC1412 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜16V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | TC1412NEOA-NDR | Ear99 | 8542.39.0001 | 100 | 单身的 | 低侧 | 1 | n通道,p通道MOSFET | 0.8V,2V | 2a,2a | 18N,18NS | ||
![]() | MIC4422ACM-TR | - | ![]() | 1256 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | 0°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | MIC4422 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 8-SOIC | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 单身的 | 低侧 | 1 | n通道MOSFET | 0.8V,3V | 9a,9a | 20N,24NS | |||
![]() | ISL6614CRZ-T | - | ![]() | 6878 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 16-VQFN暴露垫 | ISL6614 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10.8v〜13.2v | 16 QFN (4x4) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 6,000 | 同步 | 半桥 | 4 | n通道MOSFET | - | 1.25a,2a | 26NS,18NS | 36 V | ||
LTC7003HMSE#trpbf | 5.2350 | ![]() | 2875 | 0.00000000 | 模拟设备公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 16-tfsop (0.118,3.00mm宽) | LTC7003 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 3.5V〜15V | 16-msop-ep | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 单身的 | 高方向 | 1 | n通道MOSFET | - | - | 90NS,40NS | 60 V | |||
![]() | UC2714N | - | ![]() | 7979 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 8 点点(0.300英寸,7.62mm) | UC2714 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 7v〜20V | 8-pdip | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | 同步 | 低侧 | 2 | n通道,p通道MOSFET | 0.8V,2V | 500mA,1a | 30ns,25ns | |||
![]() | FAN7385MX | 0.8479 | ![]() | 8175 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 上次购买 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 14- 材料( 0.154英寸,宽度为3.90mm) | Fan7385 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 14分 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 独立的 | 高方向 | 2 | IGBT,N通道MOSFET | 1.3V,2.5V | 350mA,650mA | 50ns,30ns | 600 v | ||
![]() | 2EDF7275KXUMA1 | 3.6300 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Infineon技术 | eicedriver™ | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 13-tflga | 2EDF7275 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 20V | PG-TFLGA-13-1 | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 4,000 | 独立的 | 半桥 | 2 | n通道,p通道MOSFET | - ,1.65V | 4a,8a | 6.5NS,4.5NS | |||
![]() | MIC4426YN | 1.9300 | ![]() | 150 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 8 点点(0.300英寸,7.62mm) | MIC4426 | 反转 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 8-pdip | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 576-1203 | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道,p通道MOSFET | 0.8V,2.4V | 1.5a,1.5a | 20N,29NS | ||
MCP1404-E/p | 2.8000 | ![]() | 6678 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 8 点点(0.300英寸,7.62mm) | MCP1404 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 8-pdip | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | MCP1404EP | Ear99 | 8542.39.0001 | 60 | 独立的 | 低侧 | 2 | Igbt,n通道,p通道Mosfet | 0.8V,2.4V | 4.5a,4.5a | 15NS,18NS | |||
![]() | LM2724LD | - | ![]() | 1370 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | LM2724 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.3V〜6.8V | 8-wson(4x4) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | - | 3a,3.2a | 17ns,12ns | 35 v | ||
![]() | NCP5106BPG | - | ![]() | 9930 | 0.00000000 | Onmi | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜125°C(TJ) | 通过洞 | 8 点点(0.300英寸,7.62mm) | NCP5106 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 8-pdip | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,2.3V | 250mA,500mA | 85ns,35ns | 600 v | |||
![]() | ltc4444hms8e#wtrpbf | - | ![]() | 6254 | 0.00000000 | 模拟设备公司 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-tssop,8-msop (0.118英寸,3.00mm宽) | LTC4444 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 7.2v〜13.5V | 8-msop-ep | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 独立的 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 1.85V,3.25V | 2.5a,3a | 8NS,5NS | 114 v | ||
![]() | IR21141SSPBF | - | ![]() | 2675 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 24SSOP (0.209“,5.30mm宽度) | IR21141 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 11.5v〜20V | 24 SSOP | 下载 | 3(168)) | 到达不受影响 | SP001538030 | Ear99 | 8542.39.0001 | 55 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT | 0.8V,2V | 2a,3a | 24ns,7ns | 600 v | ||
![]() | L6387DTR | - | ![]() | 4427 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -45°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | L6387 | 反转 | 未行业行业经验证 | (17V)) | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT,N通道MOSFET | 1.5V,3.6V | 400mA,650mA | 50ns,30ns | 600 v | ||
![]() | ISL6622AIBZ-T | - | ![]() | 8322 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | ISL6622 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 6.8v〜13.2V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | - | 1.25a,2a | 26NS,18NS | 36 V | ||
![]() | IR2131 | - | ![]() | 1310 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 28- 浸(0.600英寸,15.24毫米) | IR2131 | 反转 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 28-pdip | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | *IR2131 | Ear99 | 8542.39.0001 | 13 | 独立的 | 半桥 | 6 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,2.2V | 250mA,500mA | 80n,40n | 600 v | |
TPS2818DBVR | 1.8100 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | SC-74A,SOT-753 | TPS2818 | 反转 | 未行业行业经验证 | 4V〜14V | SOT-23-5 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 单身的 | 低侧 | 1 | n通道MOSFET | 1V,4V | 2a,2a | 14ns,14ns | ||||
![]() | TD350ETR | 3.0700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 14- 材料( 0.154英寸,宽度为3.90mm) | TD350 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 12v〜26V | 14件事 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 单身的 | 高方向 | 1 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,4.2V | 1.5a,2.3a | 130NS,75NS (最大) | |||
![]() | tps28225dr | 1.6300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | TPS28225 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜8.8V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | - | - | 10n,10n | 33 V | ||
![]() | LTC1623CS8 #PBF | 4.2167 | ![]() | 5275 | 0.00000000 | 模拟设备公司 | - | 管子 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | LTC1623 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 2.7V〜5.5V | 8-so | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 100 | 同步 | 高方向 | 2 | n通道MOSFET | 0.6V,1.4V | - | - | |||
![]() | MIC4424BM | - | ![]() | 3239 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 在sic中停产 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | MIC4424 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 8-SOIC | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 95 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道,p通道MOSFET | 0.8V,2.4V | 3a,3a | 28ns,32ns | |||
![]() | FAN73901M | - | ![]() | 8649 | 0.00000000 | Onmi | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | Fan73901 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 8-SOIC | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 90 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT,N通道MOSFET | 1.2V,2.5V | 2.5a,2.5a | 25NS,20NS | 600 v | |||
![]() | FAN7390MX | 1.0014 | ![]() | 3266 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 上次购买 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | Fan7390 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10v〜22v | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT,N通道MOSFET | 1.2V,2.5V | 4.5a,4.5a | 25NS,20NS | 600 v | ||
max5056basa+ | 11.7700 | ![]() | 262 | 0.00000000 | ADI/MAXIM集成 | - | 管子 | 不适合新设计 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | Max5056 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4V〜15V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 100 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道MOSFET | 0.8V,2.1V | 4a,4a | 32ns,26ns | ||||
![]() | CHL8510CRT | 1.2300 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 上次购买 | 0°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 10-vfdfn暴露垫 | CHL8510 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10.8v〜13.2v | 10-DFN (3x3) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 0.8V,1V | 3a,4a | 21NS,18NS | 35 v | ||
![]() | MCP14A0302-E/MS | 1.0500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-tssop,8-msop(0.118英寸,3.00mm宽度) | MCP14A0302 | 反转,无变形 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 8-msop | 下载 | rohs3符合条件 | 2(1年) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 100 | 单身的 | 高方面或低侧 | 1 | IGBT | 0.8V,2V | 3a,3a | 13ns,12ns | |||
![]() | TC4425VMF | 1.9350 | ![]() | 8767 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-vdfn暴露垫 | TC4425 | 反转,无变形 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 8-DFN-S( 6x5) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | TC4425VMF-NDR | Ear99 | 8542.39.0001 | 60 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道,p通道MOSFET | 0.8V,2.4V | 3a,3a | 23ns,25ns | ||
![]() | ISL6613IRZ-TR5214 | - | ![]() | 3811 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 10-vfdfn暴露垫 | ISL6613 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10.8v〜13.2v | 10-DFN (3x3) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 6,000 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | - | 1.25a,2a | 26NS,18NS | 36 V | ||
![]() | IR2106S | - | ![]() | 8353 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | IR2106 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 8-SOIC | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 95 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,2.9V | 200mA,350mA | 150NS,50NS | 600 v |
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