SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 sic可编程 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 频道类型 驱动配置 驾驶员数量 门类型 逻辑电压 -vil,vih 电流 -峰值输出(源,水槽,水槽) 上升 /秋季t (典型) 高侧电压 -最大(引导程序)
LTC3900IS8#TRPBF ADI LTC3900IS8#trpbf 4.6800
RFQ
ECAD 1231 0.00000000 模拟设备公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) LTC3900 反转,无变形 未行业行业经验证 4.5V〜11V 8-so 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 同步 低侧 2 n通道MOSFET - 2a,2a 15ns,15ns
TC1412NEOA Microchip Technology TC1412NEOA 1.8900
RFQ
ECAD 2649 0.00000000 微芯片技术 - 管子 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) TC1412 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜16V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 TC1412NEOA-NDR Ear99 8542.39.0001 100 单身的 低侧 1 n通道,p通道MOSFET 0.8V,2V 2a,2a 18N,18NS
MIC4422ACM-TR Microchip Technology MIC4422ACM-TR -
RFQ
ECAD 1256 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 0°C〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) MIC4422 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-SOIC 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 单身的 低侧 1 n通道MOSFET 0.8V,3V 9a,9a 20N,24NS
ISL6614CRZ-T Renesas Electronics America Inc ISL6614CRZ-T -
RFQ
ECAD 6878 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜125°C(TJ) 表面安装 16-VQFN暴露垫 ISL6614 不转变 未行业行业经验证 10.8v〜13.2v 16 QFN (4x4) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 6,000 同步 半桥 4 n通道MOSFET - 1.25a,2a 26NS,18NS 36 V
LTC7003HMSE#TRPBF ADI LTC7003HMSE#trpbf 5.2350
RFQ
ECAD 2875 0.00000000 模拟设备公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 16-tfsop (0.118,3.00mm宽) LTC7003 不转变 未行业行业经验证 3.5V〜15V 16-msop-ep 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 单身的 高方向 1 n通道MOSFET - - 90NS,40NS 60 V
UC2714N Texas Instruments UC2714N -
RFQ
ECAD 7979 0.00000000 Texas Instruments - 管子 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 通过洞 8 点点(0.300英寸,7.62mm) UC2714 不转变 未行业行业经验证 7v〜20V 8-pdip 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 50 同步 低侧 2 n通道,p通道MOSFET 0.8V,2V 500mA,1a 30ns,25ns
FAN7385MX onsemi FAN7385MX 0.8479
RFQ
ECAD 8175 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 上次购买 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 14- 材料( 0.154英寸,宽度为3.90mm) Fan7385 不转变 未行业行业经验证 10v〜20V 14分 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 3,000 独立的 高方向 2 IGBT,N通道MOSFET 1.3V,2.5V 350mA,650mA 50ns,30ns 600 v
2EDF7275KXUMA1 Infineon Technologies 2EDF7275KXUMA1 3.6300
RFQ
ECAD 11 0.00000000 Infineon技术 eicedriver™ 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 13-tflga 2EDF7275 不转变 未行业行业经验证 20V PG-TFLGA-13-1 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 4,000 独立的 半桥 2 n通道,p通道MOSFET - ,1.65V 4a,8a 6.5NS,4.5NS
MIC4426YN Microchip Technology MIC4426YN 1.9300
RFQ
ECAD 150 0.00000000 微芯片技术 - 管子 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 通过洞 8 点点(0.300英寸,7.62mm) MIC4426 反转 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-pdip 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 576-1203 Ear99 8542.39.0001 50 独立的 低侧 2 n通道,p通道MOSFET 0.8V,2.4V 1.5a,1.5a 20N,29NS
MCP1404-E/P Microchip Technology MCP1404-E/p 2.8000
RFQ
ECAD 6678 0.00000000 微芯片技术 - 管子 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 通过洞 8 点点(0.300英寸,7.62mm) MCP1404 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-pdip 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 MCP1404EP Ear99 8542.39.0001 60 独立的 低侧 2 Igbt,n通道,p通道Mosfet 0.8V,2.4V 4.5a,4.5a 15NS,18NS
LM2724LD Texas Instruments LM2724LD -
RFQ
ECAD 1370 0.00000000 Texas Instruments - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-WDFN暴露垫 LM2724 不转变 未行业行业经验证 4.3V〜6.8V 8-wson(4x4) 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 1,000 同步 半桥 2 n通道MOSFET - 3a,3.2a 17ns,12ns 35 v
NCP5106BPG onsemi NCP5106BPG -
RFQ
ECAD 9930 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 -40°C〜125°C(TJ) 通过洞 8 点点(0.300英寸,7.62mm) NCP5106 不转变 未行业行业经验证 10v〜20V 8-pdip 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 50 独立的 半桥 2 IGBT,N通道MOSFET 0.8V,2.3V 250mA,500mA 85ns,35ns 600 v
LTC4444HMS8E#WTRPBF ADI ltc4444hms8e#wtrpbf -
RFQ
ECAD 6254 0.00000000 模拟设备公司 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 8-tssop,8-msop (0.118英寸,3.00mm宽) LTC4444 不转变 未行业行业经验证 7.2v〜13.5V 8-msop-ep 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 半桥 2 n通道MOSFET 1.85V,3.25V 2.5a,3a 8NS,5NS 114 v
IR21141SSPBF Infineon Technologies IR21141SSPBF -
RFQ
ECAD 2675 0.00000000 Infineon技术 - 管子 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 24SSOP (0.209“,5.30mm宽度) IR21141 不转变 未行业行业经验证 11.5v〜20V 24 SSOP 下载 3(168)) 到达不受影响 SP001538030 Ear99 8542.39.0001 55 独立的 半桥 2 IGBT 0.8V,2V 2a,3a 24ns,7ns 600 v
L6387DTR STMicroelectronics L6387DTR -
RFQ
ECAD 4427 0.00000000 Stmicroelectronics - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -45°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) L6387 反转 未行业行业经验证 (17V)) 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 半桥 2 IGBT,N通道MOSFET 1.5V,3.6V 400mA,650mA 50ns,30ns 600 v
ISL6622AIBZ-T Renesas Electronics America Inc ISL6622AIBZ-T -
RFQ
ECAD 8322 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) ISL6622 不转变 未行业行业经验证 6.8v〜13.2V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 同步 半桥 2 n通道MOSFET - 1.25a,2a 26NS,18NS 36 V
IR2131 Infineon Technologies IR2131 -
RFQ
ECAD 1310 0.00000000 Infineon技术 - 管子 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 通过洞 28- 浸(0.600英寸,15.24毫米) IR2131 反转 未行业行业经验证 10v〜20V 28-pdip 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 *IR2131 Ear99 8542.39.0001 13 独立的 半桥 6 IGBT,N通道MOSFET 0.8V,2.2V 250mA,500mA 80n,40n 600 v
TPS2818DBVR Texas Instruments TPS2818DBVR 1.8100
RFQ
ECAD 12 0.00000000 Texas Instruments - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 SC-74A,SOT-753 TPS2818 反转 未行业行业经验证 4V〜14V SOT-23-5 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 3,000 单身的 低侧 1 n通道MOSFET 1V,4V 2a,2a 14ns,14ns
TD350ETR STMicroelectronics TD350ETR 3.0700
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Stmicroelectronics - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 14- 材料( 0.154英寸,宽度为3.90mm) TD350 不转变 未行业行业经验证 12v〜26V 14件事 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 单身的 高方向 1 IGBT,N通道MOSFET 0.8V,4.2V 1.5a,2.3a 130NS,75NS (最大)
TPS28225DR Texas Instruments tps28225dr 1.6300
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Texas Instruments - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) TPS28225 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜8.8V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 同步 半桥 2 n通道MOSFET - - 10n,10n 33 V
LTC1623CS8#PBF ADI LTC1623CS8 #PBF 4.2167
RFQ
ECAD 5275 0.00000000 模拟设备公司 - 管子 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) LTC1623 不转变 未行业行业经验证 2.7V〜5.5V 8-so 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 100 同步 高方向 2 n通道MOSFET 0.6V,1.4V - -
MIC4424BM Microchip Technology MIC4424BM -
RFQ
ECAD 3239 0.00000000 微芯片技术 - 管子 在sic中停产 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) MIC4424 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-SOIC 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 95 独立的 低侧 2 n通道,p通道MOSFET 0.8V,2.4V 3a,3a 28ns,32ns
FAN73901M onsemi FAN73901M -
RFQ
ECAD 8649 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) Fan73901 不转变 未行业行业经验证 10v〜20V 8-SOIC 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 90 独立的 半桥 2 IGBT,N通道MOSFET 1.2V,2.5V 2.5a,2.5a 25NS,20NS 600 v
FAN7390MX onsemi FAN7390MX 1.0014
RFQ
ECAD 3266 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 上次购买 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) Fan7390 不转变 未行业行业经验证 10v〜22v 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 3,000 独立的 半桥 2 IGBT,N通道MOSFET 1.2V,2.5V 4.5a,4.5a 25NS,20NS 600 v
MAX5056BASA+ ADI/Maxim Integrated max5056basa+ 11.7700
RFQ
ECAD 262 0.00000000 ADI/MAXIM集成 - 管子 不适合新设计 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) Max5056 不转变 未行业行业经验证 4V〜15V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 100 独立的 低侧 2 n通道MOSFET 0.8V,2.1V 4a,4a 32ns,26ns
CHL8510CRT Infineon Technologies CHL8510CRT 1.2300
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 上次购买 0°C〜125°C(TJ) 表面安装 10-vfdfn暴露垫 CHL8510 不转变 未行业行业经验证 10.8v〜13.2v 10-DFN (3x3) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 3,000 同步 半桥 2 n通道MOSFET 0.8V,1V 3a,4a 21NS,18NS 35 v
MCP14A0302-E/MS Microchip Technology MCP14A0302-E/MS 1.0500
RFQ
ECAD 1 0.00000000 微芯片技术 - 管子 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 8-tssop,8-msop(0.118英寸,3.00mm宽度) MCP14A0302 反转,无变形 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-msop 下载 rohs3符合条件 2(1年) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 100 单身的 高方面或低侧 1 IGBT 0.8V,2V 3a,3a 13ns,12ns
TC4425VMF Microchip Technology TC4425VMF 1.9350
RFQ
ECAD 8767 0.00000000 微芯片技术 - 管子 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 8-vdfn暴露垫 TC4425 反转,无变形 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-DFN-S( 6x5) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 TC4425VMF-NDR Ear99 8542.39.0001 60 独立的 低侧 2 n通道,p通道MOSFET 0.8V,2.4V 3a,3a 23ns,25ns
ISL6613IRZ-TR5214 Renesas Electronics America Inc ISL6613IRZ-TR5214 -
RFQ
ECAD 3811 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 10-vfdfn暴露垫 ISL6613 不转变 未行业行业经验证 10.8v〜13.2v 10-DFN (3x3) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 6,000 同步 半桥 2 n通道MOSFET - 1.25a,2a 26NS,18NS 36 V
IR2106S Infineon Technologies IR2106S -
RFQ
ECAD 8353 0.00000000 Infineon技术 - 管子 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) IR2106 不转变 未行业行业经验证 10v〜20V 8-SOIC 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 95 独立的 半桥 2 IGBT,N通道MOSFET 0.8V,2.9V 200mA,350mA 150NS,50NS 600 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库