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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	sic可编程	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	频道类型	驱动配置	驾驶员数量	门类型	逻辑电压 -vil，vih	电流 -峰值输出（源，水槽，水槽）	上升 /秋季t （典型）	高侧电压 -最大（引导程序）
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IR21094pbf	-	RFQ	5608	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	14 浸（0.300英寸，7.62mm）	IR21094	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	14浸	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,500	同步	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.9V	200mA，350mA	150NS，50NS	600 v
max17605asa+	2.4500	RFQ	20	ADI/MAXIM集成	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	Max17605	反转，无变形	未行业行业经验证	4V〜14V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	独立的	低侧	2	IGBT，SIC MOSFET	2V，4.25V	4a，4a	40ns，25ns
ix2204ne	-	RFQ	6336	ixys集成电路部门	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm）	IX2204	不转变	未行业行业经验证	-10V〜25V	16-Soic	-		（1 （无限）	到达不受影响	CLA410	Ear99	8542.39.0001	50	独立的	低侧	2	IGBT	0.8V，2V	2a，4a	- ，8ns
ISL6605CRZA-T	-	RFQ	1634年	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-vqfn裸露的垫子	ISL6605	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜5.5V	8-qfn （3x3）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	6,000	同步	半桥	2	n通道MOSFET	1V，2V	2a，2a	8ns，8ns	33 V
MP1924HS-LF-Z	1.0050	RFQ	7543	Monolithic Power Systems Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MP1924	不转变	未行业行业经验证	9V〜16V	8-SOIC	-	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	1V，2.4V	4a，4a	15ns，12ns	118 v
ISL6620IRZ	-	RFQ	7254	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-vfdfn暴露垫	ISL6620	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜5.5V	10-DFN （3x3）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	2a，2a	8ns，8ns	36 V
max5063casa+	6.6900	RFQ	152	ADI/MAXIM集成	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	Max5063	不转变	未行业行业经验证	8v〜12.6V	8-SOIC-EP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-4941-MAX5063CASA+	Ear99	8542.39.0001	100	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2V	2a，2a	65ns，65ns	125 v
FAN7382MX	1.5300	RFQ	29	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	Fan7382	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	350mA，650mA	60n，30ns	600 v
SC1302DSTRT	-	RFQ	8561	Semtech Corporation	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SC1302	不转变	未行业行业经验证	4.5v〜16.5V	8-SOIC	-	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2V	2a，2a	20N，20N
MCP1403-E/SN	2.4900	RFQ	4838	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MCP1403	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	MCP1403ESN	Ear99	8542.39.0001	100	独立的	低侧	2	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2.4V	4.5a，4.5a	15NS，18NS
PX3516ADDGR4XTMA1	-	RFQ	2984	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-25°C〜150°C（TJ）	表面安装	10-vfdfn暴露垫	PX3516	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜6V	PG-TDSON-10-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	4,000	同步	半桥	2	n通道MOSFET	1.3V，1.9V	2a，2a	10n，10n	30 V
TC4424AVPA	2.5300	RFQ	1	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	TC4424	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	60	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	4.5a，4.5a	12n，12ns
LTC3900HS8＃trpbf	5.1900	RFQ	3351	模拟设备公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	LTC3900	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜11V	8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	低侧	2	n通道MOSFET	-	2a，2a	15ns，15ns
IRS2608DSTRPBF	-	RFQ	8663	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRS2608	反转，无变形	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载		2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.2V	200mA，350mA	150NS，50NS	600 v
TC4426EPA	2.0000	RFQ	7301	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	TC4426	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	60	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	19NS，19NS
FAN7385MX	0.8479	RFQ	8175	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm）	Fan7385	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	14分	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	独立的	高方向	2	IGBT，N通道MOSFET	1.3V，2.5V	350mA，650mA	50ns，30ns	600 v
MIC4426YN	1.9300	RFQ	150	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	MIC4426	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	576-1203	Ear99	8542.39.0001	50	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	20N，29NS
MCP1404-E/p	2.8000	RFQ	6678	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	MCP1404	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	MCP1404EP	Ear99	8542.39.0001	60	独立的	低侧	2	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2.4V	4.5a，4.5a	15NS，18NS
TC428EOA713	1.4400	RFQ	4482	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TC428	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC428EOA713-NDR	Ear99	8542.39.0001	3,300	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	30ns，30ns
LM2724LD	-	RFQ	1370	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-WDFN暴露垫	LM2724	不转变	未行业行业经验证	4.3V〜6.8V	8-wson（4x4）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	3a，3.2a	17ns，12ns	35 v
EL7242CN	-	RFQ	3849	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	EL7242	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜16V	8-pdip	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	2a，2a	10n，10n
ixdn430yi	-	RFQ	4577	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-6，D²Pak（5 + tab），TO-263BA	IXDN430	不转变	未行业行业经验证	8.5V〜35V	TO-263-5	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，3.5V	30a，30a	18NS，16NS
NCV7512FTR2G	-	RFQ	8979	Onmi	汽车，AEC-Q100，FlexMos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	32-LQFP	NCV7512	不转变	未行业行业经验证	4.75V〜5.25V	32-LQFP （7x7）	下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,000	独立的	低侧	4	n通道MOSFET	0.8V，2V	-	1.4µs，1.4µs （最大）
FAN3226CMX-F085	-	RFQ	4132	Onmi	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FAN3226	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	-	3a，3a	12ns，9ns
米奇4420亿	-	RFQ	1314	微芯片技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	MIC4420	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-pdip	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	6a，6a	12n，13ns
TC4426AEPA	2.0000	RFQ	9929	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	TC4426	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC4426AEPA-NDR	Ear99	8542.39.0001	60	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	25n，25n
ltc4444hms8e＃wtrpbf	-	RFQ	6254	模拟设备公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop （0.118英寸，3.00mm宽）	LTC4444	不转变	未行业行业经验证	7.2v〜13.5V	8-msop-ep	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	1.85V，3.25V	2.5a，3a	8NS，5NS	114 v
ISL6610ACBZ	1.4400	RFQ	2	Intersil	-	管子	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm）	ISL6610	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜5.5V	14-Soic	下载	rohs3符合条件				Ear99	8542.39.0001	50	同步	半桥	4	n通道MOSFET	-	- ，4A	8ns，8ns	36 V
MCP14628-E/MF	2.1000	RFQ	5984	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-vdfn暴露垫	MCP14628	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜5.5V	8-DFN （3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	120	同步	半桥	2	n通道MOSFET	0.5V，2V	2a，2a	10n，10n	36 V

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

门司机（（7161）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²