RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

门司机（（7161）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	sic可编程	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	频道类型	驱动配置	驾驶员数量	门类型	逻辑电压 -vil，vih	电流 -峰值输出（源，水槽，水槽）	上升 /秋季t （典型）	高侧电压 -最大（引导程序）
IR2118	-	RFQ	9512	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	IR2118	反转	未行业行业经验证	10v〜20V	8-pdip	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IR2118	Ear99	8542.39.0001	50	单身的	高方向	1	IGBT，N通道MOSFET	6V，9.5V	250mA，500mA	80n，40n	600 v
IR2235	-	RFQ	7350	Infineon技术	-	管子	过时的	125°C（TJ）	通过洞	28- 浸（0.600英寸，15.24毫米）	IR2235	反转	未行业行业经验证	10v〜20V	28-pdip	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	13	3相	半桥	6	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2V	250mA，500mA	90NS，40NS	1200 v
IRS21858STRPBF	-	RFQ	5234	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm）	IRS21858	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	16-Soic	下载		2（1年）	到达不受影响	SP001542838	Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	高方向	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，3.5V	290mA，600mA	60ns，20ns	600 v
TC4422AVPA	2.8200	RFQ	417	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	TC4422	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	60	单身的	低侧	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2.4V	10a，10a	38ns，33ns
MC33152PG	1.6000	RFQ	1818年	Onmi	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	MC33152	不转变	未行业行业经验证	6.1v〜18V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	MC33152PGO	Ear99	8542.39.0001	50	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.6V	1.5a，1.5a	36ns，32ns
EL7156CSZ-T7	8.7000	RFQ	3	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	EL7156	不转变	未行业行业经验证	4.5v〜16.5V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	单身的	高方面或低侧	1	IGBT	0.8V，2.4V	3.5a，3.5a	14.5ns，15ns
LTC1157CS8 ＃PBF	8.1000	RFQ	190	模拟设备公司	-	管子	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	LTC1157	不转变	未行业行业经验证	3.3V〜5V	8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	LTC1157CS8PBF	Ear99	8542.39.0001	100	独立的	高方面或低侧	2	n通道MOSFET	-	-	-
IR2153SPBF	2.7500	RFQ	6	Infineon技术	-	管子	不适合新设计	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IR2153	RC输入电路	未行业行业经验证	10v〜15.6V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	95	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	-	80ns，45ns	600 v
NCP5181PG	-	RFQ	2377	Onmi	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	NCP5181	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.3V	1.4a，2.2a	40NS，20NS	600 v
LM5109BSDX	-	RFQ	4216	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-WDFN暴露垫	LM5109	不转变	未行业行业经验证	8v〜14V	8-wson（4x4）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	4,500	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	1a，1a	15ns，15ns	108 v
IRS21850STRPBF	-	RFQ	8741	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRS21850	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载		2（1年）	到达不受影响	SP001548758	Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	高方向	1	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	4a，4a	15ns，15ns	600 v
IR21531STRPBF	2.9600	RFQ	22	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IR21531	RC输入电路	未行业行业经验证	10v〜15.6V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	-	80ns，45ns	600 v
TC4429EMF713	1.3350	RFQ	2682	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-vdfn暴露垫	TC4429	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-DFN-S（ 6x5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC4429EMF713-NDR	Ear99	8542.39.0001	3,300	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	6a，6a	25n，25n
MIC4422YN	3.2100	RFQ	1282	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	MIC4422	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	576-1195	Ear99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.4V	9a，9a	20N，24NS
TD351IDT	2.9100	RFQ	10	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TD351	不转变	未行业行业经验证	12v〜26V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	单身的	高方向	1	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，4.2V	1.3a，1.7a	100NS，100NS （最大）
MPQ1922GV-AEC1-P	4.5200	RFQ	500	Monolithic Power Systems Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜165°C（TJ）	表面安装	22-VFQFN暴露垫	MPQ1922	不转变	未行业行业经验证	0v〜100V	22-qfn （4x5）	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响	1589-MPQ1922GV-AEC1-PTR	Ear99	8542.39.0001	500	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	3a，4a	-	115 v
TC427EUA	-	RFQ	8345	微芯片技术	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）	TC427	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-msop	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC427EUA-NDR	Ear99	8542.39.0001	100	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	30ns，30ns
IX6R11P7	-	RFQ	2961	ixys	-	管子	过时的	-40°C〜125°C（TA）	通过洞	14 浸（0.300英寸，7.62mm）	IX6R11	不转变	未行业行业经验证	10v〜35V	14-PDIP	下载		不适用	到达不受影响	Q3231395	Ear99	8542.39.0001	25	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	6V，9.6V	6a，6a	25ns，17ns	600 v
IXDF602SI	1.2928	RFQ	1826年	ixys集成电路部门	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IXDF602	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜35V	8-SOIC-EP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	独立的	低侧	2	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，3V	2a，2a	7.5NS，6.5NS
IR2113-1PBF	-	RFQ	8840	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	14浸入0.300英寸，7.62mm），13个线索	IR2113	不转变	未行业行业经验证	3.3v〜20V	14-PDIP	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	25	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	6V，9.5V	2a，2a	25ns，17ns	600 v
LTC1163CS8 ＃PBF	9.0300	RFQ	6984	模拟设备公司	-	管子	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	LTC1163	不转变	未行业行业经验证	1.8V〜6V	8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	独立的	高方向	3	n通道MOSFET	-	-	-
MAX4426CSA+	5.9300	RFQ	404	ADI/MAXIM集成	-	管子	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	Max4426	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-4941-MAX4426CSA+	Ear99	8542.39.0001	100	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	20N，20N
IXDF602PI	0.7753	RFQ	8574	ixys集成电路部门	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	IXDF602	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜35V	8点	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	独立的	低侧	2	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，3V	2a，2a	7.5NS，6.5NS
TC4422EPA	4.3600	RFQ	2242	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	TC4422	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC4422EPA-NDR	Ear99	8542.39.0001	60	单身的	低侧	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2.4V	9a，9a	60n，60n
max15492gta/v+t	-	RFQ	6858	ADI/MAXIM集成	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-WFDFN暴露垫	Max15492	不转变	未行业行业经验证	4.2V〜5.5V	8-TDFN-EP（2x2）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	175-MAX15492GTA/V+TTR	Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	2.2a，2.7a	14ns，7ns	30 V
6EDL04N02PRXUMA1	4.3700	RFQ	8	Infineon技术	eicedriver™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	28-TSSOP （0.173英寸，4.40mm）	6EDL04	不转变	未行业行业经验证	10v〜17.5V	PG-TSSOP-28	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	3相	半桥	6	Igbt，n通道，p通道Mosfet	1.1V，1.7V	-	60ns，26ns	200 v
2DUC51008DXE1	77.8500	RFQ	87	塔穆拉	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	底盘安装	模块	2DUC51008	不转变	未行业行业经验证	13v〜28V	模块	-	Rohs符合条件	不适用		132-2DUC51008DXE1	Ear99	8542.39.0001	30	同步	半桥	2	IGBT	-	-	-
NCV33152DR2	-	RFQ	4992	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	NCV33152	不转变	未行业行业经验证	6.1v〜18V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	NCV33152DR2OS	Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.6V	1.5a，1.5a	36ns，32ns
TPIC44L01DB	-	RFQ	3110	Texas Instruments	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	24SSOP （0.209“，5.30mm宽度）	TPIC44L01	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜5.5V	24 SSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	60	独立的	低侧	4	n通道，p通道MOSFET	-	1.2mA，1.2mA	3.5µs，3µs
1SC0450V2B0-45	244.7600	RFQ	6683	电源集成	Scale™-2	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	模块	1SC0450	-	未行业行业经验证	14.5v〜15.5V	模块	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		1810-1079	Ear99	8543.70.9860	12	单身的	高方面或低侧	1	IGBT	-	50a，50a	30ns，25ns	4500 v

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

门司机（（7161）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²