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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	sic可编程	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	频道类型	驱动配置	驾驶员数量	门类型	逻辑电压 -vil，vih	电流 -峰值输出（源，水槽，水槽）	上升 /秋季t （典型）	高侧电压 -最大（引导程序）
TC1411COA	1.1100	RFQ	4562	微芯片技术	-	管子	积极的	0°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TC1411	反转	未行业行业经验证	4.5V〜16V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC1411COA-NDR	Ear99	8542.39.0001	100	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2V	1a，1a	25n，25n
LM5112Q1SD/NOPB	-	RFQ	1189	国家半导体	汽车，AEC-Q100	大部分	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫		反转，无变形		3.5V〜14V	6-wson（3x3）	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-LM5112Q1SD/NOPB-14			1	单身的	低侧	1	n通道MOSFET	0.8V，2.3V	3a，7a	14ns，12ns
1SD210F2-FZ250R65KE3	-	RFQ	4667	电源集成	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C	底盘安装	模块	1SD210F2	-	未行业行业经验证	15.5v〜16.8V	模块	-		（1 （无限）		1810-1SD210F2-FZ250R65KE3	过时的		20	单身的	高方面或低侧	1	IGBT	-	6a，10a	100NS，100NS	1200 v
DGD05473FN-7	0.8200	RFQ	7636	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	10-WFDFN暴露垫	DGD05473	CMOS/TTL	未行业行业经验证	0.3V〜60V	W-DFN3030-10	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，2.5a	16ns，12ns	50 V
MIC4424YM	2.0600	RFQ	2	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MIC4424	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	576-1198	Ear99	8542.39.0001	95	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	3a，3a	28ns，32ns
MIC4129ME	1.5700	RFQ	3828	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MIC4129	反转	未行业行业经验证	4.5V〜20V	8-SOIC-EP	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响	576-1446	Ear99	8542.39.0001	95	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	6a，6a	12n，13ns
LTC1981ES5＃trpbf	4.2400	RFQ	4	模拟设备公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	SOT-23-5薄，TSOT-23-5	LTC1981	反转	未行业行业经验证	1.8V〜5.5V	TSOT-23-5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.31.0001	2,500	单身的	高方向	1	n通道MOSFET	0.6V，1.4V	-	-
MIC4429YMM-TR	1.5600	RFQ	5538	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）	MIC4429	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-msop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	6a，6a	12n，13ns
IR2112STRPBF	4.1700	RFQ	1	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	IR2112	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	独立的	高方面或低侧	2	IGBT，N通道MOSFET	6V，9.5V	250mA，500mA	80n，40n	600 v
MIC4428YM-TR	1.4500	RFQ	7606	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MIC4428	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	20N，29NS
IR4427	-	RFQ	2890	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	IR4427	不转变	未行业行业经验证	6v〜20V	8-pdip	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IR4427	Ear99	8542.39.0001	50	独立的	低侧	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.7V	2.3a，3.3a	15ns，10ns
TC1411EPA	1.3600	RFQ	8858	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	TC1411	反转	未行业行业经验证	4.5V〜16V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC1411EPA-NDR	Ear99	8542.39.0001	60	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2V	1a，1a	25n，25n
ISL6605IBZ	-	RFQ	3508	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ISL6605	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜5.5V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-isl6605ibz	Ear99	8542.39.0001	980	同步	半桥	2	n通道MOSFET	1V，2V	2a，2a	8ns，8ns	33 V
SG1626L-883B	-	RFQ	9752	微芯片技术	军事，MIL-STD-883	托盘	积极的	-55°C〜125°C（TJ）	表面安装	20-CLCC	SG1626	反转	未行业行业经验证	22V	20-CLCC（8.89x8.89）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-SG1626L-883B	Ear99	8542.39.0001	50	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.7V，2V	3a	30ns，30ns
TC4421AVAT	3.3900	RFQ	8	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-5	TC4421	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	TO-220-5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2.4V	10a，10a	38ns，33ns
VLA542-11R	16.4800	RFQ	3	Powerex Inc.	-	大部分	积极的	-20°C〜70°C	通过洞	14 sip模块，12条线索	VLA542	CMOS	未行业行业经验证	14v〜17V	模块	下载		（1 （无限）			Ear99	8542.39.0001	1	单身的	半桥	1	IGBT	-	5a，5a	400NS，300NS
TC4426EOA	1.7800	RFQ	41	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TC4426	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC4426EOA-NDR	Ear99	8542.39.0001	100	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	19NS，19NS
IR2113	-	RFQ	5817	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	14 浸（0.300英寸，7.62mm）	IR2113	不转变	未行业行业经验证	3.3v〜20V	14浸	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	25	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	6V，9.5V	2a，2a	25ns，17ns	600 v
ltc1155in8＃pbf	12.4900	RFQ	276	模拟设备公司	-	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	LTC1155	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-2735-LTC1155in8 ＃PBF	Ear99	8542.39.0001	50	独立的	高方向	2	n通道MOSFET	0.8V，2V	-	-
FAN3224TMPX	1.0532	RFQ	5665	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫	FAN3224	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-mlp （3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2V	5a，5a	12ns，9ns
NCP5901BEMNTBG	-	RFQ	4091	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-vfdfn裸露的垫子	NCP5901	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜13.2V	8-DFN（2x2）	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	同步	半桥	2	n通道MOSFET	1V，2V	-	16ns，11ns	35 v
UC3705N	11.2700	RFQ	19	Texas Instruments	-	管子	积极的	0°C〜70°C（TA）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	UC3705	反转，无变形	未行业行业经验证	5V〜40V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	1.5a，1.5a	60n，60n
Max15024AATB/V+t	5.0400	RFQ	7595	ADI/MAXIM集成	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	10-WFDFN暴露垫	Max15024	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜28V	10-tdfn （3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	低侧	1	n通道MOSFET	0.8V，2V	4a，8a	22ns，16ns
MP18024HN-LF-Z	1.3650	RFQ	5290	Monolithic Power Systems Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MP18024	不转变	未行业行业经验证	9V〜16V	8-soice	下载	rohs3符合条件	2a （4周）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	1V，2.4V	-	15ns，9ns	100 v
tps2836dr	1.4415	RFQ	4922	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TPS2836	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜15V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	n通道MOSFET	1V，2V	2.7a，2.4a	50n，40n	28 V
A6387dtr	1.0781	RFQ	1284	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的				A6387					下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500
ISL6620AIRZ	-	RFQ	3613	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-vfdfn暴露垫	ISL6620	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜5.5V	10-DFN （3x3）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	-isl6620Airz	Ear99	8542.39.0001	100	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	2a，2a	8ns，8ns	36 V
MIC4427BM-TR	-	RFQ	2225	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MIC4427	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	20N，29NS
PX3519XTMA1	0.9000	RFQ	1	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-vfdfn裸露的垫子	PX3519	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜8V	PG-VDSON-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	同步	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.5V	2a，2a	10n，10n	30 V
IR2131J	-	RFQ	9843	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	44-LCC（J-LEAD），32个领先优势	IR2131	反转	未行业行业经验证	10v〜20V	44-PLCC，32 条线索（16.58x16.58）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IR2131J	Ear99	8542.39.0001	27	独立的	半桥	6	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.2V	250mA，500mA	80n，40n	600 v

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

门司机（（7161）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²