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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	sic可编程	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	频道类型	驱动配置	驾驶员数量	门类型	逻辑电压 -vil，vih	电流 -峰值输出（源，水槽，水槽）	上升 /秋季t （典型）	高侧电压 -最大（引导程序）
EL7457CU-T7	-	RFQ	4948	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	16ssop （0.154英寸，宽度为3.90mm）	EL7457	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	16-qsop	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	独立的	高方面或低侧	4	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2V	2a，2a	13.5ns，13ns
IR1166STRPBF	-	RFQ	7086	Infineon技术	SmarTrectifier™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-25°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IR1166	不转变	未行业行业经验证	11.4v〜18v	8-SOIC	下载		2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	低侧	1	n通道MOSFET	2V，2.15V	1A，4A	21ns，10ns
1SP0635V2M1-33	327.4600	RFQ	32	电源集成	Scale™-2	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	模块	1Sp0635	-	未行业行业经验证	14.5v〜15.5V	模块	下载	Rohs不合规	（1 （无限）		1810-1020	Ear99	8473.30.1180	6	单身的	高方面或低侧	1	IGBT	-	35a，35a	9ns，30ns	3300 v
2EDL8024GXUMA1	2.1800	RFQ	5	Infineon技术	eicedriver™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-vdfn暴露垫	2EDL8024	不转变	未行业行业经验证	8v〜17V	PG-VDSON-8-4	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	6,000	独立的	高侧和低侧	2	n通道MOSFET	-	4a，4a	45ns，45ns	90 v
BS2101F-E2	1.6000	RFQ	145	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-SOIC （0.173“，4.40mm宽度）	BS2101	不转变	未行业行业经验证	10v〜18V	8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	高方面或低侧	2	IGBT，N通道MOSFET	1V，2.6V	60mA，130mA	60ns，20ns	600 v
FAN3225TMX	1.6900	RFQ	8636	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FAN3225	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2V	5a，5a	12ns，9ns
TC4627COE	6.1500	RFQ	282	微芯片技术	-	管子	积极的	0°C〜70°C（ta）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	TC4627	不转变	未行业行业经验证	4V〜6V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC4627COE-NDR	Ear99	8542.39.0001	47	单身的	高方面或低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	33ns，27ns
TC4424COE	3.4100	RFQ	513	微芯片技术	-	管子	积极的	0°C〜150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	TC4424	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC4424COE-NDR	Ear99	8542.39.0001	47	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	3a，3a	23ns，25ns
TC4426AEPA	2.0000	RFQ	9929	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	TC4426	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC4426AEPA-NDR	Ear99	8542.39.0001	60	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	25n，25n
EL7222CSZ-T7	5.9600	RFQ	1	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	EL7222	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜15V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	2a，2a	7.5NS，10NS
UCC27201ADRCR	2.3600	RFQ	7263	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C 〜140°C（TJ）	表面安装	10-vfdfn暴露垫，9条线索	UCC27201	不转变	未行业行业经验证	8v〜17V	9-VSON （3x3）	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.5V	3a，3a	8NS，7NS	120 v
MIC4425ZWM	2.4900	RFQ	23	微芯片技术	-	管子	积极的	0°C〜150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	MIC4425	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	47	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	3a，3a	28ns，32ns
ISL6613ECBZ	-	RFQ	4088	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ISL6613	不转变	未行业行业经验证	10.8v〜13.2v	8-SOIC-EP	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	98	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
FAN73893MX	-	RFQ	8518	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	28-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	Fan73893	反转	未行业行业经验证	10v〜20V	28-Soic	下载					Ear99	8542.39.0001	1	3相	半桥	6	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	350mA，650mA	50ns，30ns	600 v
SG1626J	-	RFQ	3674	微芯片技术	军事，MIL-STD-883	管子	积极的	-55°C〜125°C（TJ）	通过洞	14-CDIP （0.300英寸，7.62mm）	SG1626	反转	未行业行业经验证	22V	14-Cerdip	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-SG1626J	Ear99	8542.39.0001	25	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.7V，2V	3a	30ns，30ns
IR25602SPBF-INF	-	RFQ	4911	Infineon技术	-	大部分	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IR25602	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-so	-	不适用	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1	同步	半桥	1	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，3V	210mA，360mA	100NS，50NS	600 v
HIP2101IBZT	4.5800	RFQ	1554年	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	HIP2101	不转变	未行业行业经验证	9V〜14V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	2a，2a	10n，10n	114 v
LTC7000MPMSE＃trpbf	20.9900	RFQ	5696	模拟设备公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	16-tfsop （0.118，3.00mm宽）	LTC7000	不转变	未行业行业经验证	3.5V〜135V	16-msop-ep	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	高方向	1	n通道MOSFET	1.8V，1.7V	-	90NS，40NS	135 v
AUIRS20162STR	-	RFQ	4476	Infineon技术	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜155°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	AUIRS20162	不转变	未行业行业经验证	4.4V〜20V	8-SOIC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	高方向	1	n通道MOSFET	-	250mA，250mA	200NS，200NS	150 v
LM5101CSDX	-	RFQ	2270	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-wdfn暴露垫	LM5101	不转变	未行业行业经验证	9V〜14V	10-wson（4x4）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	4,500	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	2.3V， -	1a，1a	990NS，715NS	118 v
TC1410NCPA	1.8400	RFQ	5353	微芯片技术	-	管子	积极的	0°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	TC1410	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜16V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC1410NCPA-NDR	Ear99	8542.39.0001	60	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2V	500mA，500mA	25n，25n
ISL6613AIBZ-T	-	RFQ	9708	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ISL6613	不转变	未行业行业经验证	10.8v〜13.2v	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
MIC4422AAM	-	RFQ	4699	微芯片技术	-	大部分	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MIC4422	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	95	单身的	低侧	1	n通道MOSFET	0.8V，3V	9a，9a	20N，24NS
FAN7085CMX_F085	-	RFQ	7223	Onmi	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	Fan7085	反转	未行业行业经验证	4.5V〜20V	8-SOIC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	高方向	1	IGBT，N通道MOSFET	-	450mA，450mA	65ns，25ns	300 v
SN75372DR	2.8400	RFQ	501	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（ta）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SN75372	反转	未行业行业经验证	4.75V〜5.25V，4.75V〜24V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2V	500mA，500mA	-
EL7457CU	-	RFQ	3823	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	16ssop （0.154英寸，宽度为3.90mm）	EL7457	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	16-qsop	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	97	独立的	高方面或低侧	4	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2V	2a，2a	13.5ns，13ns
tps2831dr	-	RFQ	7039	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm）	TPS2831	反转	未行业行业经验证	4.5V〜15V	14-Soic	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	高方向	2	n通道MOSFET	-	2.7a，2.4a	50n，50n	28 V
LTC7000ARMSE-1＃PBF	7.4200	RFQ	78	模拟设备公司	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	16-tfsop （0.118英寸，3.00mm宽度），12个铅，裸露的垫子，裸露的垫子	LTC7000	不转变	未行业行业经验证	3.5V〜135V	16-msop-ep	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	37	单身的	高方向	1	n通道MOSFET	1.8V，1.7V	-	90NS，40NS	14 V
max626csa+	5.8600	RFQ	5500	ADI/MAXIM集成	-	管子	积极的	0°C〜70°C（ta）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	Max626	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-4941-MAX626CSA+	Ear99	8542.39.0001	100	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	2a，2a	25NS，20NS
MP1924HR-LF-P	1.7808	RFQ	4004	Monolithic Power Systems Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-vdfn裸露的垫子	MP1924	不转变	未行业行业经验证	9V〜16V	10-qfn （4x4）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	500	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	1V，2.4V	4a，4a	15ns，12ns	118 v

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

门司机（（7161）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²