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门司机（（7161）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 重量（ kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 sic可编程 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 频道类型 驱动配置 驾驶员数量 门类型 逻辑电压 -vil，vih 电流 -峰值输出（源，水槽，水槽） 上升 /秋季t （典型） 高侧电压 -最大（引导程序）
IR21363SPBF Infineon Technologies IR21363SPBF -
RFQ
 ECAD 5339 0.00000000 Infineon技术 - 管子 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 28-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） IR21363 反转 未行业行业经验证 12v〜20V 28-Soic 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,000 3相 半桥 6 IGBT，N通道MOSFET 0.8V，3V 200mA，350mA 125ns，50ns 600 v
TC4428VUA713 Microchip Technology TC4428VUA713 1.6200
RFQ
 ECAD 4811 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度） TC4428 反转，无变形 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-msop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 TC4428VUA713-NDR Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 低侧 2 n通道，p通道MOSFET 0.8V，2.4V 1.5a，1.5a 19NS，19NS
IHD660IC2 Power Integrations IHD660IC2 -
RFQ
 ECAD 1558年 0.00000000 电源集成 Scale™-1 托盘 过时的 -40°C〜85°C（TA） 通过洞 36浸，24条线索 IHD660 反转 未行业行业经验证 14V〜16V 模块 下载 1810-IHD660IC2 Ear99 8542.39.0001 1 独立的 半桥 2 IGBT，N通道MOSFET - - 100NS，80NS
IR2181 Infineon Technologies IR2181 -
RFQ
 ECAD 5950 0.00000000 Infineon技术 - 管子 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 通过洞 8 点点（0.300英寸，7.62mm） IR2181 不转变 未行业行业经验证 10v〜20V 8-pdip 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 *IR2181 Ear99 8542.39.0001 50 独立的 半桥 2 IGBT，N通道MOSFET 0.8V，2.7V 1.9a，2.3a 40NS，20NS 600 v
LM5109ASD Texas Instruments LM5109ASD -
RFQ
 ECAD 4796 0.00000000 Texas Instruments - 胶带和卷轴（（tr） 在sic中停产 -40°C〜125°C（TJ） 表面安装 8-WDFN暴露垫 LM5109 不转变 未行业行业经验证 8v〜14V 8-wson（4x4） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 1,000 独立的 半桥 2 n通道MOSFET 0.8V，2.2V 1a，1a 15ns，15ns 108 v
UCC27538DBVR Texas Instruments UCC27538DBVR 1.3100
RFQ
 ECAD 8385 0.00000000 Texas Instruments - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜140°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6 UCC27538 不转变 未行业行业经验证 10v〜32v SOT-23-6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 3,000 单身的 低侧 1 IGBT，N通道MOSFET 1.2V，2.2V 2.5a，5a 15ns，7ns
IXDI504SIA IXYS IXDI504SIA -
RFQ
 ECAD 5492 0.00000000 ixys - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IXDI504 反转 未行业行业经验证 4.5V〜30V 8-SOIC 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 94 独立的 低侧 2 Igbt，n通道，p通道Mosfet 0.8V，3V 4a，4a 9NS，8NS
IXDD414YI IXYS ixdd414yi -
RFQ
 ECAD 8558 0.00000000 ixys - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-6，D²Pak（5 + tab），TO-263BA IXDD414 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜35V TO-263-5 下载 （1 （无限） 到达不受影响 ixdd414yi-ndr Ear99 8542.39.0001 50 单身的 低侧 1 Igbt，n通道，p通道Mosfet 0.8V，3.5V 14a，14a 25ns，22ns
TPS28225D Texas Instruments TPS28225D 1.9600
RFQ
 ECAD 31 0.00000000 Texas Instruments - 管子 积极的 -40°C〜125°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） TPS28225 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜8.8V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 75 同步 半桥 2 n通道MOSFET - - 10n，10n 33 V
IRS2001PBF-INF Infineon Technologies IRS2001pbf-Inf 1.7900
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 Infineon技术 - 大部分 积极的 -40°C〜125°C（TJ） 通过洞 8 点点（0.300英寸，7.62mm） IRS2001 不转变 未行业行业经验证 10v〜20V 8点 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 1 独立的 半桥 2 IGBT，N通道MOSFET 0.8V，2.5V 290mA，600mA 70ns，35ns 200 v
IR4427 Infineon Technologies IR4427 -
RFQ
 ECAD 2890 0.00000000 Infineon技术 - 管子 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 通过洞 8 点点（0.300英寸，7.62mm） IR4427 不转变 未行业行业经验证 6v〜20V 8-pdip 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 *IR4427 Ear99 8542.39.0001 50 独立的 低侧 2 IGBT，N通道MOSFET 0.8V，2.7V 2.3a，3.3a 15ns，10ns
CS8312YDR8 onsemi CS8312YDR8 -
RFQ
 ECAD 4722 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） CS8312 不转变 未行业行业经验证 7v〜10V 8-SOIC 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 CS8312YDR8OS Ear99 8542.39.0001 2,500 单身的 低侧 1 IGBT，N通道MOSFET - - -
UCC27523DSDT Texas Instruments UCC27523DSDT 1.8100
RFQ
 ECAD 104 0.00000000 Texas Instruments - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜140°C（TJ） 表面安装 8-WDFN暴露垫 UCC27523 反转 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-son （3x3） 下载 rohs3符合条件 2（1年） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 250 独立的 低侧 2 IGBT，N通道MOSFET 1V，2.3V 5a，5a 7NS，6NS
IR2112S Infineon Technologies IR2112S -
RFQ
 ECAD 9781 0.00000000 Infineon技术 - 管子 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） IR2112 不转变 未行业行业经验证 10v〜20V 16-Soic 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 *IR2112S Ear99 8542.39.0001 45 独立的 高方面或低侧 2 IGBT，N通道MOSFET 6V，9.5V 250mA，500mA 80n，40n 600 v
MAX5055AASA+ ADI/Maxim Integrated max5055555aasa+ 5.2510
RFQ
 ECAD 6267 0.00000000 ADI/MAXIM集成 - 管子 不适合新设计 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） Max5055 反转 未行业行业经验证 4V〜15V 8-SOIC-EP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 100 独立的 低侧 2 n通道MOSFET 0.8V，2.1V 4a，4a 32ns，26ns
MIC4425YN Microchip Technology MIC4425YN 2.5800
RFQ
 ECAD 63 0.00000000 微芯片技术 - 管子 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 通过洞 8 点点（0.300英寸，7.62mm） MIC4425 反转，无变形 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-pdip 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 576-1201 Ear99 8542.39.0001 50 独立的 低侧 2 n通道，p通道MOSFET 0.8V，2.4V 3a，3a 28ns，32ns
UCC27524DSDR Texas Instruments UCC27524DSDR 2.1000
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 Texas Instruments - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜140°C（TJ） 表面安装 8-WDFN暴露垫 UCC27524 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-son （3x3） 下载 rohs3符合条件 2（1年） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 3,000 独立的 低侧 2 IGBT，N通道MOSFET 1V，2.3V 5a，5a 7NS，6NS
IX6R11M6T/R IXYS ix6r11m6t/r -
RFQ
 ECAD 9046 0.00000000 ixys - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 16-vdfn暴露垫 IX6R11 不转变 未行业行业经验证 10v〜35V 16-MLP（7x6） 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 3,000 独立的 半桥 2 IGBT，N通道MOSFET 6V，9.5V - 25ns，17ns 600 v
98-0119PBF Infineon Technologies 98-0119pbf -
RFQ
 ECAD 5537 0.00000000 Infineon技术 - 管子 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 通过洞 16 浸（0.300英寸，7.62毫米），14个线索 IR2113 不转变 未行业行业经验证 3.3v〜20V 16-PDIP 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 25 独立的 半桥 2 IGBT，N通道MOSFET 6V，9.5V 2a，2a 25ns，17ns 600 v
IX2C11S1 IXYS IX2C11S1 -
RFQ
 ECAD 4280 0.00000000 ixys - 盒子 过时的 - 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IX2C11 - 未行业行业经验证 - 8-SOIC - （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 282 - - - - - -
MCP14E6-E/SN Microchip Technology MCP14E6-E/SN 2.3100
RFQ
 ECAD 178 0.00000000 微芯片技术 - 管子 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） MCP14E6 反转 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 MCP14E6ESN Ear99 8542.39.0001 100 独立的 低侧 2 Igbt，n通道，p通道Mosfet 0.8V，2.4V 2a，2a 12n，15ns
UC2706DW Texas Instruments UC2706DW 5.7280
RFQ
 ECAD 3599 0.00000000 Texas Instruments - 管子 积极的 -25°C〜85°C（TA） 表面安装 16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） UC2706 反转，无变形 未行业行业经验证 5V〜40V 16-Soic 下载 rohs3符合条件 2（1年） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 40 独立的 低侧 2 n通道MOSFET 0.8V，2.2V 1.5a，1.5a 40n，30ns
IR2104S Infineon Technologies IR2104S -
RFQ
 ECAD 7647 0.00000000 Infineon技术 - 管子 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IR2104 不转变 未行业行业经验证 10v〜20V 8-SOIC 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 95 同步 半桥 2 IGBT，N通道MOSFET 0.8V，3V 210mA，360mA 100NS，50NS 600 v
2EDN7524FXTMA1 Infineon Technologies 2EDN7524FXTMA1 1.3000
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Infineon技术 eicedriver™ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） 2EDN7524 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜20V PG-DSO-8-60 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 低侧 2 n通道MOSFET - 5a，5a 5.3NS，4.5NS
LTC1155CS8#PBF ADI LTC1155CS8 ＃PBF 10.6700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 模拟设备公司 - 管子 积极的 0°C〜70°C（ta） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） LTC1155 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-so 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 100 独立的 高方向 2 n通道MOSFET 0.8V，2V - -
TC4426AVMF Microchip Technology TC4426AVMF 1.3050
RFQ
 ECAD 8953 0.00000000 微芯片技术 - 管子 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 8-vdfn暴露垫 TC4426 反转 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-DFN-S（ 6x5） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 TC4426AVMF-NDR Ear99 8542.39.0001 60 独立的 低侧 2 n通道，p通道MOSFET 0.8V，2.4V 1.5a，1.5a 25n，25n
IXDI609CI IXYS Integrated Circuits Division IXDI609CI 3.9400
RFQ
 ECAD 991 0.00000000 ixys集成电路部门 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-5 IXDI609 反转 未行业行业经验证 4.5V〜35V TO-220-5 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 50 单身的 低侧 1 Igbt，n通道，p通道Mosfet 0.8V，3V 9a，9a 22ns，15ns
HIP6602BCBZ-T Renesas Electronics America Inc HIP6602BCBZ-T -
RFQ
 ECAD 8843 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 0°C〜125°C（TJ） 表面安装 14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm） HIP6602 不转变 未行业行业经验证 10.8v〜13.2v 14-Soic 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 同步 半桥 4 n通道MOSFET - - 20N，20N 15 v
MIC4468CWM TR Microchip Technology MIC4468CWM TR -
RFQ
 ECAD 1701 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 0°C〜70°C（ta） 表面安装 16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） MIC4468 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜18V 16-Soic 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 1,000 独立的 低侧 4 n通道，p通道MOSFET 0.8V，2.4V 1.2a，1.2a 14ns，13ns
MIC4429ZM Microchip Technology MIC4429ZM 2.0600
RFQ
 ECAD 2028 0.00000000 微芯片技术 - 管子 积极的 0°C〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） MIC4429 反转 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 95 单身的 低侧 1 n通道，p通道MOSFET 0.8V，2.4V 6a，6a 12n，13ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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