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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	sic可编程	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	频道类型	驱动配置	驾驶员数量	门类型	逻辑电压 -vil，vih	电流 -峰值输出（源，水槽，水槽）	上升 /秋季t （典型）	高侧电压 -最大（引导程序）
MCP14E7T-E/SN	1.9650	RFQ	2268	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MCP14E7	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,300	独立的	低侧	2	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2.4V	2a，2a	12n，15ns
IR3598MTRPBF	3.0000	RFQ	1	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	0°C〜85°C（TA）	表面安装	16-VFQFN暴露垫	IR3598	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜5.5V	16 QFN （3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	同步	半桥	4	n通道MOSFET	-	-	15ns，12ns
MCP1406-E/MF	1.5200	RFQ	3110	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-vdfn暴露垫	MCP1406	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-DFN-S（ 6x5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	60	单身的	低侧	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2.4V	6a，6a	20N，20N
ix4428mtr	1.3200	RFQ	17	ixys集成电路部门	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-vdfn暴露垫	IX4428	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜30V	8-DFN （3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,000	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	10n，8ns
MP1924AHR-LF-P	1.7808	RFQ	5636	Monolithic Power Systems Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-vdfn裸露的垫子	MP1924	-	未行业行业经验证	4.5V〜18V	10-qfn （4x4）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	500	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	-	2.6a，4.5a	15ns，12ns	115 v
IR3537MTRPBF	1.1000	RFQ	913	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-vfdfn暴露垫	IR3537	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜13.2V	10-DFN （3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	3a，4a	-
FAN3223TMX	1.3100	RFQ	1	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FAN3223	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2V	5a，5a	12ns，9ns
IR2213	-	RFQ	4337	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	14 浸（0.300英寸，7.62mm）	IR2213	不转变	未行业行业经验证	12v〜20V	14浸	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	25	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	6V，9.5V	2a，2.5a	25ns，17ns	1200 v
MC33285D	-	RFQ	3516	NXP USA Inc.	-	管子	过时的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MC33285	不转变	未行业行业经验证	7v〜40V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	98	同步	高方向	2	n通道MOSFET	0.7V，1.7V	-	-
ISL6612BIBZ-T	-	RFQ	4614	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ISL6612	不转变	未行业行业经验证	7v〜13.2v	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
ISL6605IRZ	-	RFQ	6734	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-vqfn裸露的垫子	ISL6605	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜5.5V	8-qfn （3x3）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	同步	半桥	2	n通道MOSFET	1V，2V	2a，2a	8ns，8ns	33 V
IGD515EI	187.8200	RFQ	238	电源集成	Scale™-1	大部分	不适合新设计	-40°C〜85°C（TA）	通过洞	模块	IGD515	-	未行业行业经验证	12v〜16V	模块	下载		（1 （无限）			Ear99	8542.39.0001	24	单身的	高方面或低侧	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.9V，3.8V	15a，15a	40n，40n
LM5106mm	-	RFQ	6793	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-tfsop，10-msop （0.118英寸，3.00mm宽度）	LM5106	不转变	未行业行业经验证	8v〜14V	10-VSSOP	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	同步	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	1.2a，1.8a	15ns，10ns	118 v
max628epa	-	RFQ	3086	ADI/MAXIM集成	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	Max628	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-pdip	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	2a，2a	25NS，20NS
MAX5057AASA	-	RFQ	7401	ADI/MAXIM集成	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	Max5057	反转，无变形	未行业行业经验证	4V〜15V	8-SOIC-EP	-	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8542.39.0001	1	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.1V	4a，4a	32ns，26ns
ISL89160FRTBZ-T	-	RFQ	9865	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-WDFN暴露垫	ISL89160	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜16V	8-tdfn （3x3）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	6,000	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	1.85V，3.15V	6a，6a	20N，20N
MC33152PG	1.6000	RFQ	1818年	Onmi	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	MC33152	不转变	未行业行业经验证	6.1v〜18V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	MC33152PGO	Ear99	8542.39.0001	50	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.6V	1.5a，1.5a	36ns，32ns
EL7222CSZ-T7	5.9600	RFQ	1	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	EL7222	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜15V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	2a，2a	7.5NS，10NS
ISL89166FBEAZ	-	RFQ	3586	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ISL89166	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜16V	8-SOIC-EP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-isl89166fbeaz	Ear99	8542.39.0001	98	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	1.22V，2.08V	6a，6a	20N，20N
Fan3100cmpx	1.1900	RFQ	5709	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫	Fan3100	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	6-microfet（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	单身的	低侧	1	n通道MOSFET	-	3a，3a	13ns，9ns
AOZ7270DI	3.6200	RFQ	1	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	12-powertdfn	AOZ7270	不转变	未行业行业经验证	16V	12-DFN-EP（5x7）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	独立的	全桥	2	n通道MOSFET	-	-	-	600 v
ixdd414si	-	RFQ	5034	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm）	IXDD414	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜35V	14-Soic	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，3.5V	14a，14a	25ns，22ns
IR21091STRPBF	3.1700	RFQ	2	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IR21091	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.9V	200mA，350mA	150NS，50NS	600 v
IR2136JPBF	-	RFQ	3829	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	44-LCC（J-LEAD），32个领先优势	IR2136	反转	未行业行业经验证	10v〜20V	44-PLCC，32 条线索（16.58x16.58）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,134	3相	半桥	6	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，3V	200mA，350mA	125ns，50ns	600 v
TPS2839PWP	-	RFQ	2025	Texas Instruments	-	管子	在sic中停产	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	16-Powertssop （0.173英寸，4.40mm）	TPS2839	反转	未行业行业经验证	10v〜15V	16-HTSSOP	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	90	同步	半桥	2	n通道MOSFET	1V，2V	4a，4a	65ns，65ns	29 v
FAN3225TMX	1.6900	RFQ	8636	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FAN3225	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2V	5a，5a	12ns，9ns
L6384	-	RFQ	3367	Stmicroelectronics	-	管子	过时的	-45°C〜125°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	L6384	反转	未行业行业经验证	14.6v〜16.6v	8微米浸	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	同步	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	1.5V，3.6V	400mA，650mA	50ns，30ns	600 v
IR2233pbf	22.7000	RFQ	9433	Infineon技术	-	管子	积极的	125°C（TJ）	通过洞	28- 浸（0.600英寸，15.24毫米）	IR2233	反转	未行业行业经验证	10v〜20V	28-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	494	3相	半桥	6	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2V	250mA，500mA	90NS，40NS	1200 v
IR2117STR	-	RFQ	7317	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IR2117	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	SP001533132	Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	高方向	1	IGBT，N通道MOSFET	6V，9.5V	250mA，500mA	80n，40n	600 v
ISL6615CBZ	-	RFQ	4022	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ISL6615	不转变	未行业行业经验证	6.8v〜13.2V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	-isl6615cbz	Ear99	8542.39.0001	98	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	2.5a，4a	13ns，10ns	36 V

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

门司机（（7161）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²