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门司机（（7161）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	sic可编程	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	频道类型	驱动配置	驾驶员数量	门类型	逻辑电压 -vil，vih	电流 -峰值输出（源，水槽，水槽）	上升 /秋季t （典型）	高侧电压 -最大（引导程序）	sic可编程
TC4424COE	3.4100	RFQ	513	微芯片技术	-	管子	积极的	0°C〜150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	TC4424	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC4424COE-NDR	Ear99	8542.39.0001	47	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	3a，3a	23ns，25ns
IR21084SPBF	-	RFQ	8084	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm）	IR21084	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	14-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,980	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.9V	200mA，350mA	150NS，50NS	600 v
IR21363SPBF	-	RFQ	5339	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	28-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	IR21363	反转	未行业行业经验证	12v〜20V	28-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,000	3相	半桥	6	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，3V	200mA，350mA	125ns，50ns	600 v
L6569D013TR	-	RFQ	1892年	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	L6569	RC输入电路	未行业行业经验证	10v〜16.6V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	-	170mA，270mA	-	600 v
MIC4424CN	-	RFQ	2955	微芯片技术	-	管子	过时的	0°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	MIC4424	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-pdip	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	3a，3a	28ns，32ns
IR2235	-	RFQ	7350	Infineon技术	-	管子	过时的	125°C（TJ）	通过洞	28- 浸（0.600英寸，15.24毫米）	IR2235	反转	未行业行业经验证	10v〜20V	28-pdip	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	13	3相	半桥	6	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2V	250mA，500mA	90NS，40NS	1200 v
TPIC46L02DB	2.2459	RFQ	3583	Texas Instruments	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	28SSOP（0.209英寸，宽度为5.30mm）	TPIC46L02	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜5.5V	28 sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	独立的	低侧	6	n通道MOSFET	-	1.2mA，1.2mA	3.5µs，3µs
IR2117STR	-	RFQ	7317	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IR2117	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	SP001533132	Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	高方向	1	IGBT，N通道MOSFET	6V，9.5V	250mA，500mA	80n，40n	600 v
IRS2336JTRPBF	-	RFQ	5449	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	44-LCC（J-LEAD），32个领先优势	IRS2336	反转	未行业行业经验证	10v〜20V	44-PLCC，32 条线索（16.58x16.58）	下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	500	3相	半桥	6	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	200mA，350mA	125ns，50ns	600 v
UCC37321DRG4	-	RFQ	8509	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	UCC37321	反转		4V〜15V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	1.1V，2.7V	9a，9a	20N，20N		未行业行业经验证
TPS28225D	1.9600	RFQ	31	Texas Instruments	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TPS28225	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜8.8V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	75	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	-	10n，10n	33 V
IRS21867SPBF	1.2838	RFQ	9391	Infineon技术	-	管子	上次购买	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRS21867	CMOS，TTL	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	95	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	4a，4a	22NS，18NS	600 v
FAN3121TMPX	1.9800	RFQ	2	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-WDFN暴露垫	FAN3121	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-mlp （3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	单身的	低侧	1	n通道MOSFET	0.8V，2V	10.6a，11.4a	23ns，19ns
MC33153DR2G	2.4400	RFQ	11	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MC33153	反转	未行业行业经验证	11V〜20V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	低侧	1	IGBT，N通道MOSFET	1.2V，3.2V	1a，2a	17ns，17ns
NCP5359ADR2G	-	RFQ	9699	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	NCP5359	不转变	未行业行业经验证	10v〜13.2V	8-SOIC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	n通道MOSFET	1V，2V	-	16ns，15ns	30 V
adp3413jr	-	RFQ	3756	Onmi	-	管子	过时的				ADP3413					-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	98
TC427COA713	1.9000	RFQ	2	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TC427	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,300	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	30ns，30ns
FAN3226CMX-F085	1.3200	RFQ	4	Fairchild半导体	汽车，AEC-Q100	大部分	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FAN3226	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.31.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	-	3a，3a	12ns，9ns
V62/11601-02YE	4.5855	RFQ	9982	Texas Instruments	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-	rohs3符合条件			296-V62/11601-02 YETR			2,500
LM5100CMY/NOPB	1.1500	RFQ	5	国家半导体	*	大部分	积极的				LM5100		未行业行业经验证			下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-LM5100CMY/NOPB-14			1
UCC37323P	0.9900	RFQ	4538	Texas Instruments	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	UCC37323	反转	未行业行业经验证	4.5V〜15V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	1V，2V	4a，4a	20N，15n
TC1427COA713	1.4900	RFQ	61	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TC1427	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜16V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,300	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，3V	1.2a，1.2a	35ns，25n
stsr3cd-tr	-	RFQ	7036	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	STSR3	不转变	未行业行业经验证	4v〜5.5V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	低侧	1	n通道MOSFET	-	2a，3.5a	40n，30ns
RT7020GS	1.1200	RFQ	2	Richtek USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	RT7020	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-sop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	300mA，600mA	70ns，35ns	600 v
2SC0535T2A1-33	191.4400	RFQ	6880	电源集成	Scale™-2	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	模块	2SC0535	-	未行业行业经验证	14.5v〜15.5V	模块	下载		（1 （无限）		1810-1031	Ear99	8473.30.1180	12	独立的	高方面或低侧	2	IGBT	-	35a，35a	20N，25n	3300 v
NCP4420DR2	0.4800	RFQ	21	Onmi	*	大部分	积极的				NCP4420		未行业行业经验证			下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		Ear99	8542.39.0001	1
LM5101M/NOPB	4.5300	RFQ	2	Texas Instruments	-	管子	不适合新设计	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	LM5101	不转变	未行业行业经验证	9V〜14V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	95	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	1.6a，1.6a	600NS，600NS	118 v
IXD611P1	-	RFQ	7259	ixys	-	盒子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	IXD611	不转变	未行业行业经验证	10v〜35V	8点	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	500	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	2.4V，2.7V	600mA，600mA	28NS，18NS	600 v
LTC444444MPMS8E-5 trpbf	5.1900	RFQ	3621	模拟设备公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop （0.118英寸，3.00mm宽）	LTC4444	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜13.5V	8-msop-ep	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	1.85V，3.25V	2.5a，3a	8NS，5NS	114 v
MIC4424BM	-	RFQ	3239	微芯片技术	-	管子	在sic中停产	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MIC4424	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	95	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	3a，3a	28ns，32ns

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

门司机（（7161）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²