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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 输入类型 | sic可编程 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 频道类型 | 驱动配置 | 驾驶员数量 | 门类型 | 逻辑电压 -vil,vih | 电流 -峰值输出(源,水槽,水槽) | 上升 /秋季t (典型) | 高侧电压 -最大(引导程序) | sic可编程 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | TC4425EOE | 3.5500 | ![]() | 232 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | TC4425 | 反转,无变形 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 16-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | TC4425EOE-NDR | Ear99 | 8542.39.0001 | 47 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道,p通道MOSFET | 0.8V,2.4V | 3a,3a | 23ns,25ns | |||
![]() | AUIRS21844S | - | ![]() | 9501 | 0.00000000 | Infineon技术 | 汽车,AEC-Q100 | 管子 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 14- 材料( 0.154英寸,宽度为3.90mm) | Auirs2184 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 14-Soic | 下载 | 3(168)) | 到达不受影响 | SP001512188 | Ear99 | 8542.39.0001 | 55 | 同步 | 半桥 | 2 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,2.5V | 1.9a,2.3a | 15ns,12ns | 600 v | |||
![]() | LTC4441IS8-1#trpbf | 3.6450 | ![]() | 3738 | 0.00000000 | 模拟设备公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | LTC4441 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 5v〜25V | 8-so | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 单身的 | 低侧 | 1 | n通道MOSFET | 1.8V,2V | 6a,6a | 13ns,8ns | ||||
![]() | UCC37323P | 0.9900 | ![]() | 4538 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 8 点点(0.300英寸,7.62mm) | UCC37323 | 反转 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜15V | 8-pdip | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道,p通道MOSFET | 1V,2V | 4a,4a | 20N,15n | ||||
![]() | DGD0507AFN-7 | 0.9300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 10-WFDFN暴露垫 | DGD0507 | CMOS/TTL | 未行业行业经验证 | 8v〜14V | W-DFN3030-10 | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 独立的 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 0.8V,2.4V | 1.5a,2a | 16NS,18NS | 50 V | |||
![]() | MIC4420CM | - | ![]() | 6095 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 在sic中停产 | 0°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | MIC4420 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 8-SOIC | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 95 | 单身的 | 低侧 | 1 | n通道,p通道MOSFET | 0.8V,2.4V | 6a,6a | 12n,13ns | ||||
![]() | ISL6207HBz | - | ![]() | 8465 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 过时的 | -10°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | ISL6207 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜5.5V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 98 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 1V,2V | 2a,2a | 8ns,8ns | 36 V | |||
LTC7001IMSE #PBF | 7.9200 | ![]() | 4861 | 0.00000000 | 模拟设备公司 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 10-tfsop,10-msop (0.118英寸,3.00mm宽) | LTC7001 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 3.5V〜15V | 10-msop-ep | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | 单身的 | 高方向 | 1 | n通道MOSFET | - | - | 90NS,40NS | 135 v | ||||
![]() | LM5100CMY/NOPB | - | ![]() | 8368 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-POWERTSOP,8-MSOP (0.118英寸,3.00mm宽度) | LM5100 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 9V〜14V | 8-msop PowerPad | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 独立的 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 2.3V, - | 1a,1a | 990NS,715NS | 118 v | |||
![]() | IRS21856SPBF | - | ![]() | 6185 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 14- 材料( 0.154英寸,宽度为3.90mm) | IRS21856 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 14-Soic | 下载 | 2(1年) | 到达不受影响 | SP001534694 | Ear99 | 8542.39.0001 | 55 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,3.5V | 500mA,500mA | 30ns,20ns | 600 v | |||
max5062aasa+t | 2.9900 | ![]() | 4 | 0.00000000 | ADI/MAXIM集成 | - | (CT) | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | Max5062 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 8v〜12.6V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 独立的 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | - | 2a,2a | 65ns,65ns | 125 v | |||||
![]() | ixdn430yi | - | ![]() | 4577 | 0.00000000 | ixys | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-6,D²Pak(5 + tab),TO-263BA | IXDN430 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 8.5V〜35V | TO-263-5 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | 单身的 | 低侧 | 1 | Igbt,n通道,p通道Mosfet | 0.8V,3.5V | 30a,30a | 18NS,16NS | |||||
![]() | 2SP0325V2A1-CM2500DYDYD ODY-24S | - | ![]() | 4431 | 0.00000000 | 电源集成 | Scale™-2 | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C | 底盘安装 | 模块 | 2SP0325 | - | 未行业行业经验证 | 14.5v〜15.5V | 模块 | 下载 | 请求库存验证 | 1810-2SP0325V2A1-CM2500DYDYD ODY-24S | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT | - | 25a, - | 600NS,750NS | |||||
![]() | 2SP0325V2A1-CM1800DY-34 | - | ![]() | 4313 | 0.00000000 | 电源集成 | Scale™-2 | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C | 底盘安装 | 模块 | 2SP0325 | - | 未行业行业经验证 | 14.5v〜15.5V | 模块 | 下载 | 请求库存验证 | 1810-2SP0325V2A1-CM1800DY-34 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT | - | 25a, - | 600NS,750NS | |||||
![]() | IHD660IC2 | - | ![]() | 1558年 | 0.00000000 | 电源集成 | Scale™-1 | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 通过洞 | 36浸,24条线索 | IHD660 | 反转 | 未行业行业经验证 | 14V〜16V | 模块 | 下载 | 1810-IHD660IC2 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT,N通道MOSFET | - | - | 100NS,80NS | ||||||
![]() | IHD660IT1 | - | ![]() | 1198 | 0.00000000 | 电源集成 | Scale™-1 | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 通过洞 | 36浸,24条线索 | IHD660 | 反转 | 未行业行业经验证 | 14V〜16V | 模块 | 下载 | 1810-IHD660IT1 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT,N通道MOSFET | - | - | 100NS,80NS | ||||||
![]() | IHD260IT1 | - | ![]() | 7059 | 0.00000000 | 电源集成 | Scale™-1 | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 通过洞 | 36浸,24条线索 | IHD260 | 反转 | 未行业行业经验证 | 14V〜16V | 模块 | 下载 | 1810-IHD260IT1 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT,N通道MOSFET | - | - | 100NS,80NS | ||||||
![]() | IHD260NC1 | - | ![]() | 5308 | 0.00000000 | 电源集成 | Scale™-1 | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 通过洞 | 36浸,24条线索 | IHD260 | 不转变 | 14V〜16V | 模块 | 下载 | 1810-IHD260NC1 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT,N通道MOSFET | - | - | 100NS,80NS | 未行业行业经验证 | ||||||
![]() | IGD616IT1 | - | ![]() | 4531 | 0.00000000 | 电源集成 | Scale™-1 | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 通过洞 | 36浸,24条线索 | IGD616 | 反转 | 未行业行业经验证 | 14V〜16V | 模块 | 下载 | Rohs符合条件 | 1810-igd616it1 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 单身的 | 高方面或低侧 | 1 | Igbt,n通道,p通道Mosfet | - | - | 100NS,80NS | |||||
![]() | IGD616IC1 | - | ![]() | 9052 | 0.00000000 | 电源集成 | Scale™-1 | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 通过洞 | 36浸,24条线索 | IGD616 | 反转 | 未行业行业经验证 | 14V〜16V | 模块 | 下载 | Rohs符合条件 | 1810-IGD616IC1 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 单身的 | 高方面或低侧 | 1 | Igbt,n通道,p通道Mosfet | - | - | 100NS,80NS | |||||
![]() | SC531ULTRT | - | ![]() | 4557 | 0.00000000 | Semtech Corporation | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜115°C(TA) | 表面安装 | 28-UFQFN暴露垫 | SC531 | 反转 | 未行业行业经验证 | 3.15v〜3.46V | 28-mlpq-ut (4x4) | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 600-SC531ULTRTTR | 过时的 | 3,000 | 3相 | 低侧 | 3 | P通道MOSFET | 0.8V,2.1V | 2a,4a | 10n,5ns | |||||
![]() | SC1210STRT | - | ![]() | 9710 | 0.00000000 | Semtech Corporation | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | SC1210 | - | 未行业行业经验证 | 9V〜15V | 8-SOIC | - | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 600-SC1210STRTTR | 过时的 | 2,500 | 同步 | 高侧和低侧 | 2 | n通道MOSFET | 0.8V,2V | - | 15ns,10ns | |||||
IRS2007MTRPBFXUMA1 | 1.8300 | ![]() | 9043 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 14-VFQFN暴露垫 | IRS2007 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 14-MLPQ (4x4) | 下载 | rohs3符合条件 | 2(1年) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 同步 | 半桥 | 2 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,2.5V | 290mA,600mA | 70NS,30NS | 200 v | ||||
![]() | AOZ7200CI | 1.4300 | ![]() | 530 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | SC-74A,SOT-753 | AOZ7200 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 18V | SOT-23-5 | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 独立的 | 全桥 | 2 | n通道MOSFET | - | 300mA,300mA | - | 600 v | |||
![]() | ZL1505ALNFT1S2568 | - | ![]() | 2778 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 大部分 | 过时的 | ZL1505 | 未行业行业经验证 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 20-ZL1505ALNFT1S2568 | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||
![]() | UCC27282QDDAQ1 | 1.9600 | ![]() | 8880 | 0.00000000 | Texas Instruments | 汽车,AEC-Q100 | 管子 | 积极的 | -40°C〜125°C | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | UCC27282 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 5.5V〜16V | 8-SOIC | - | 不适用 | 2(1年) | 296-UCC27282QDDAQ1 | Ear99 | 8542.39.0001 | 75 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 1.3V,1.9V | 2.5a,3.5a | 12n,10n | 120 v | |||
![]() | RAA2261104GNP #AA0 | 4.9100 | ![]() | 9504 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜125°C | 表面安装 | 16-VQFN暴露垫 | RAA2261104 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 6.5v〜18V | 16 QFN (4x4) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 20-RAA222261104GNP #AA0 | Ear99 | 8542.39.0001 | 25 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道MOSFET | 1.6V,2.3V | 2a,1.2a | 30ns,31ns | |||
![]() | HIP2210FRTZ-T7A | 2.3100 | ![]() | 7911 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 10-wdfn暴露垫 | HIP2210 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 6v〜18V | 10-tdfn (4x4) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 250 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 1.47V,1.84V | 3a,4a | 435ns,365ns | 115 v | |||
![]() | max5054aata+ | 6.9200 | ![]() | 32 | 0.00000000 | ADI/MAXIM集成 | * | 大部分 | 积极的 | Max5054 | 未行业行业经验证 | 下载 | 供应商不确定 | 到达不受影响 | 2156-MAX5054AATA+-175 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | IR25603STRPBFTR | - | ![]() | 2306 | 0.00000000 | Infineon技术 | * | 大部分 | 积极的 | IR25603 | 未行业行业经验证 | 下载 | 供应商不确定 | 到达不受影响 | 2156-IR25603STRPBFTR-448 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 |
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