RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

门司机（（7161）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	sic可编程	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	频道类型	驱动配置	驾驶员数量	门类型	逻辑电压 -vil，vih	电流 -峰值输出（源，水槽，水槽）	上升 /秋季t （典型）	高侧电压 -最大（引导程序）
IRS25091STRPBF	0.6100	RFQ	17	国际整流器	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRS25091	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载	不适用	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.2V	200mA，350mA	150NS，50NS	600 v
ADP3419JRM-REEL	-	RFQ	4973	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	10-tfsop，10-msop （0.118英寸，3.00mm宽度）	ADP3419		未行业行业经验证	4.6V〜6V	10-msop	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	同步	半桥	2					30 V
TC1410NCPA	1.8400	RFQ	5353	微芯片技术	-	管子	积极的	0°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	TC1410	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜16V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC1410NCPA-NDR	Ear99	8542.39.0001	60	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2V	500mA，500mA	25n，25n
adp3611mnr2g	-	RFQ	9105	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-10°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-vfdfn裸露的垫子	ADP3611	反转，无变形	未行业行业经验证	4.6V〜5.5V	8-DFN（2x2）	下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	同步	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2V	-	20N，15n
HIP2101IR	2.5700	RFQ	3	Intersil	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	16-VQFN暴露垫	HIP2101	不转变	未行业行业经验证	9V〜14V	16 QFN（5x5）	下载	Rohs不合规				Ear99	8542.39.0001	60	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	2a，2a	10n，10n	114 v
ixdd630myi	9.7600	RFQ	4	ixys集成电路部门	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-6，D²Pak（5 + tab），TO-263BA	IXDD630	不转变	未行业行业经验证	9V〜35V	TO-263-5	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，3.5V	30a，30a	11n，11ns
MCZ33285EF	-	RFQ	8529	NXP USA Inc.	-	管子	过时的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MCZ33285	不转变	未行业行业经验证	7v〜40V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.31.0001	98	同步	高方向	2	n通道MOSFET	0.7V，1.7V	-	-
ISL6613IRZ-TR5214	-	RFQ	3811	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-vfdfn暴露垫	ISL6613	不转变	未行业行业经验证	10.8v〜13.2v	10-DFN （3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	6,000	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
IR44272LTRPBF	-	RFQ	2565	Infineon技术	µHVIC™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	SC-74A，SOT-753	IR44272	不转变	未行业行业经验证	5v〜18V	PG-SOT23-5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	单身的	低侧	1	IGBT，N通道MOSFET	0.6V，2.7V	1.5a，1.5a	10n，10n
MPQ1925HR-LF-Z	2.8400	RFQ	2138	Monolithic Power Systems Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-vdfn暴露垫		不转变		8v〜15v	8-qfn （4x4）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响				5,000	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	-	4a，5.9a	15ns，10ns	115 v
IR21271	-	RFQ	3558	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	IR21271	不转变	未行业行业经验证	9v〜20V	8-pdip	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IR21271	Ear99	8542.39.0001	50	单身的	高方面或低侧	1	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，3V	250mA，500mA	80n，40n	600 v
UC3706DW	8.3000	RFQ	236	Texas Instruments	-	管子	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	UC3706	反转，无变形	未行业行业经验证	5V〜40V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	40	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	1.5a，1.5a	40n，30ns
TPS2831PWP	-	RFQ	4006	Texas Instruments	-	管子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	14-POWERTSOP （0.173英寸，4.40mm（（4.40mm））	TPS2831	反转	未行业行业经验证	4.5V〜15V	14-htssop	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	90	同步	高方向	2	n通道MOSFET	-	2.7a，2.4a	50n，50n	28 V
max5054aata+t	3.8250	RFQ	7428	ADI/MAXIM集成	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-WDFN暴露垫	Max5054	反转，无变形	未行业行业经验证	4V〜15V	8-tdfn （3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	-	4a，4a	32ns，26ns
UCC27201ADRCR	2.3600	RFQ	7263	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C 〜140°C（TJ）	表面安装	10-vfdfn暴露垫，9条线索	UCC27201	不转变	未行业行业经验证	8v〜17V	9-VSON （3x3）	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.5V	3a，3a	8NS，7NS	120 v
TC4426VMF	0.9600	RFQ	5493	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-vdfn暴露垫	TC4426	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-DFN-S（ 6x5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC4426VMF-NDR	Ear99	8542.39.0001	60	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	19NS，19NS
IRS2106pbf	-	RFQ	4508	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	IRS2106	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001542812	Ear99	8542.39.0001	50	独立的	高方面或低侧	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	290mA，600mA	100NS，35NS	600 v
IR2101S	-	RFQ	5125	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IR2101	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	95	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，3V	210mA，360mA	100NS，50NS	600 v
TC4426AEOA713	1.7800	RFQ	6451	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TC4426	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,300	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	25n，25n
LM5100AM/NOPB	3.1000	RFQ	263	Texas Instruments	-	大部分	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	LM5100	不转变	未行业行业经验证	9V〜14V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	95	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	2.3V， -	3a，3a	430ns，260ns	118 v
ISL6207CRZ-T	-	RFQ	5840	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-10°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-vqfn裸露的垫子	ISL6207	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜5.5V	8-qfn （3x3）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	6,000	同步	半桥	2	n通道MOSFET	1V，2V	2a，2a	8ns，8ns	36 V
IR2105S	-	RFQ	6454	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IR2105	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	95	同步	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，3V	210mA，360mA	100NS，50NS	600 v
IR2153	-	RFQ	1151	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	IR2153	RC输入电路	未行业行业经验证	10v〜15.6V	8-pdip	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IR2153	Ear99	8542.39.0001	50	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	-	80n，40n	600 v
EL7243CM-T13	-	RFQ	9684	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	20-SOIC （0.295英寸，7.50mm宽度）	EL7243	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜16V	20-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	2a，2a	10n，10ns （最大）
TC4421MJA	-	RFQ	6277	微芯片技术	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	8-CDIP （0.300英寸，7.62mm）	TC4421	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-Cerdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC4421MJA-NDR	Ear99	8542.39.0001	56	单身的	低侧	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2.4V	9a，9a	60n，60n
IR2110STR	-	RFQ	6419	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	IR2110	不转变	未行业行业经验证	3.3v〜20V	16-Soic	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	SP001539642	Ear99	8542.39.0001	1,000	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	6V，9.5V	2a，2a	25ns，17ns	500 v
UCC27201DRMR	2.3600	RFQ	3	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C 〜140°C（TJ）	表面安装	8-vdfn暴露垫	UCC27201	不转变	未行业行业经验证	8v〜17V	8-VSON （4x4）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.5V	3a，3a	8NS，7NS	120 v
TC4467COE713	4.1600	RFQ	4853	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	TC4467	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC4467COE713-NDR	Ear99	8542.39.0001	1,000	独立的	低侧	4	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.2a，1.2a	15ns，15ns
EL7202CS-T13	-	RFQ	2427	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	EL7202	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜15V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	2a，2a	7.5NS，10NS
HIP2100IBZ	4.4500	RFQ	3	Renesas Electronics America Inc	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	HIP2100	不转变	未行业行业经验证	9V〜14V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	98	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	4V，7V	2a，2a	10n，10n	114 v

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

门司机（（7161）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²