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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 输入类型 | sic可编程 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 频道类型 | 驱动配置 | 驾驶员数量 | 门类型 | 逻辑电压 -vil,vih | 电流 -峰值输出(源,水槽,水槽) | 上升 /秋季t (典型) | 高侧电压 -最大(引导程序) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IR2181 | - | ![]() | 5950 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 8 点点(0.300英寸,7.62mm) | IR2181 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 8-pdip | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | *IR2181 | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,2.7V | 1.9a,2.3a | 40NS,20NS | 600 v | |
![]() | ixdi502pi | - | ![]() | 8823 | 0.00000000 | ixys | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 8 点点(0.300英寸,7.62mm) | IXDI502 | 反转 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜30V | 8点 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | 独立的 | 低侧 | 2 | Igbt,n通道,p通道Mosfet | 0.8V,3V | 2a,2a | 7.5NS,6.5NS | ||||
tps2811pwle | 0.5400 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-TSSOP (0.173英寸,4.40mm宽度) | TPS2811 | 反转 | 未行业行业经验证 | 4V〜14V | 8-tssop | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 同步 | 低侧 | 2 | n通道,p通道MOSFET | - | 2a,2a | 14ns,15ns | ||||
![]() | FAN3181TMX | 1.7000 | ![]() | 303 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | FAN3181 | 不转变 | 未行业行业经验证 | (25V)) | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 单身的 | 低侧 | 1 | IGBT | 0.8V,2V | 1.5a,2a | 15ns,10ns | |||
![]() | SM74101SDX/NOPB | 0.7590 | ![]() | 4603 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 6-WDFN暴露垫 | SM74101 | 反转,无变形 | 未行业行业经验证 | 3.5V〜14V | 6-wson(3x3) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 4,500 | 单身的 | 低侧 | 1 | n通道,p通道MOSFET | 0.8V,2.3V | 3a,7a | 14ns,12ns | |||
![]() | IRS2112STRPBF | 3.4200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | IRS2112 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 16-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT,N通道MOSFET | 6V,9.5V | 290mA,600mA | 75ns,35ns | 600 v | ||
![]() | ixdd614si | 7.7000 | ![]() | 6 | 0.00000000 | ixys集成电路部门 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | IXDD614 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜35V | 8-SOIC-EP | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 100 | 单身的 | 低侧 | 1 | Igbt,n通道,p通道Mosfet | 0.8V,3V | 14a,14a | 25NS,18NS | |||
![]() | LM5101BSD/NOPB | 2.3760 | ![]() | 8633 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 10-wdfn暴露垫 | LM5101 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 9V〜14V | 10-wson(4x4) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 独立的 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 2.3V, - | 2a,2a | 570NS,430NS | 118 v | ||
![]() | IR4426 | - | ![]() | 9127 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 8 点点(0.300英寸,7.62mm) | IR4426 | 反转 | 未行业行业经验证 | 6v〜20V | 8-pdip | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | *IR4426 | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | 独立的 | 低侧 | 2 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,2.7V | 2.3a,3.3a | 15ns,10ns | ||
![]() | IGD616 | - | ![]() | 9659 | 0.00000000 | 电源集成 | Scale™-1 | 盒子 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 通过洞 | 36浸,24条线索 | IGD616 | - | 未行业行业经验证 | 14V〜16V | 模块 | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8542.39.0001 | 30 | 单身的 | 高方面或低侧 | 1 | Igbt,n通道,p通道Mosfet | 0.9V,3.8V | 16a,16a | 100NS,80NS | |||||
ADP3416JRZ-REEL | - | ![]() | 8586 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | ADP3416 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.15V〜7.5V | 8-SOIC | - | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 0.8V,2V | - | 25NS,20NS | 30 V | ||||
![]() | L6388D013TR | - | ![]() | 7615 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | L6388 | 反转 | 未行业行业经验证 | (17V)) | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT,N通道MOSFET | 1.1V,1.8V | 400mA,650mA | 70NS,40NS | 600 v | ||
![]() | IRS2336DMTRPBF | 7.5100 | ![]() | 2455 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 48-VFQFN暴露垫,34条线索 | IRS2336 | 反转 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 48-mLPQ,34 条线索(7x7) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 3相 | 半桥 | 6 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,2.5V | 200mA,350mA | 125ns,50ns | 600 v | ||
![]() | MCP14E3-E/SL | - | ![]() | 9467 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 积极的 | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | MCP14E3 | 反转 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | 低侧 | 2 | |||||||||
![]() | LTC444444EMS8E#trpbf | 5.8100 | ![]() | 6230 | 0.00000000 | 模拟设备公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-tssop,8-msop (0.118英寸,3.00mm宽) | LTC4444 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 7.2v〜13.5V | 8-msop-ep | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 独立的 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 1.85V,3.25V | 2.5a,3a | 8NS,5NS | 114 v | ||
![]() | NCP81166MNTBG | 0.6500 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | NCP81166 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜13.2V | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 0.7V,3.4V | - | 16ns,11ns | 35 v | |||||
![]() | 米奇4420亿 | - | ![]() | 1314 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 8 点点(0.300英寸,7.62mm) | MIC4420 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 8-pdip | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | 单身的 | 低侧 | 1 | n通道,p通道MOSFET | 0.8V,2.4V | 6a,6a | 12n,13ns | |||
![]() | UCC27538DBVR | 1.3100 | ![]() | 8385 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C 〜140°C(TJ) | 表面安装 | SOT-23-6 | UCC27538 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10v〜32v | SOT-23-6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 单身的 | 低侧 | 1 | IGBT,N通道MOSFET | 1.2V,2.2V | 2.5a,5a | 15ns,7ns | |||
![]() | MIC4421亿 | - | ![]() | 6661 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 8 点点(0.300英寸,7.62mm) | MIC4421 | 反转 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 8-pdip | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | 单身的 | 低侧 | 1 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,2.4V | 9a,9a | 20N,24NS | |||
![]() | IRS2336DJPBF | - | ![]() | 8208 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 在sic中停产 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 44-LCC(J-LEAD),32个领先优势 | IRS2336 | 反转 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 44-PLCC,32 条线索(16.58x16.58) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 27 | 3相 | 半桥 | 6 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,2.5V | 200mA,350mA | 125ns,50ns | 600 v | ||
![]() | IXDI509D1T/r | - | ![]() | 9676 | 0.00000000 | ixys | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 6-vdfn裸露的垫子 | IXDI509 | 反转 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜30V | 6-DFN (4x5) | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 单身的 | 低侧 | 1 | Igbt,n通道,p通道Mosfet | 0.8V,2.4V | 9a,9a | 25ns,23ns | ||||
![]() | FAN3213TMX | 1.5600 | ![]() | 9172 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | FAN3213 | 反转 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 同步 | 低侧 | 2 | n通道MOSFET | 0.8V,2V | 5a,5a | 12ns,9ns | |||
![]() | MIC4422ABM | - | ![]() | 8011 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 在sic中停产 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | MIC4422 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 8-SOIC | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 95 | 单身的 | 低侧 | 1 | n通道MOSFET | 0.8V,3V | 9a,9a | 20N,24NS | |||
![]() | ISL6609ACBZ | - | ![]() | 1744年 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 过时的 | 0°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | ISL6609 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜5.5V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 980 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 1V,2V | - ,4A | 8ns,8ns | 36 V | ||
![]() | stsr3cd | - | ![]() | 8874 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | STSR3 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4v〜5.5V | 8-SOIC | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 100 | 单身的 | 低侧 | 1 | n通道MOSFET | - | 2a,3.5a | 40n,30ns | |||
![]() | TC4429VMF | 1.4850 | ![]() | 1570年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-vdfn暴露垫 | TC4429 | 反转 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 8-DFN-S( 6x5) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | TC4429VMF-NDR | Ear99 | 8542.39.0001 | 60 | 单身的 | 低侧 | 1 | n通道,p通道MOSFET | 0.8V,2.4V | 6a,6a | 25n,25n | ||
![]() | IXJ611S1T/r | - | ![]() | 7970 | 0.00000000 | ixys | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | - | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | IXJ611 | - | 未行业行业经验证 | - | 8-SOIC | - | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | - | - | - | - | - | - | |||||
UCC21222QDQ1 | 5.0700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Texas Instruments | 汽车,AEC-Q100 | 管子 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 16-Soic(0.154英寸,宽度为3.90mm) | UCC21222 | CMOS/TTL | 未行业行业经验证 | 3v〜5.5V | 16-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 296-48847 | Ear99 | 8542.39.0001 | 40 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT,N通道MOSFET | 1.25V,1.6V | 4a,6a | 5n,6ns | |||
![]() | TPS2848PWP | - | ![]() | 6621 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 14-POWERTSOP (0.173英寸,4.40mm((4.40mm)) | TPS2848 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10v〜15V | 14-htssop | 下载 | rohs3符合条件 | 2(1年) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 90 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 1V,2V | 4a,4a | 65ns,65ns | 29 v | ||
![]() | TC4427ACOA | 1.5400 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | TC4427 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | TC4427ACOA-NDR | Ear99 | 8542.39.0001 | 100 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道,p通道MOSFET | 0.8V,2.4V | 1.5a,1.5a | 25n,25n |
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