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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 输入类型 | sic可编程 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 频道类型 | 驱动配置 | 驾驶员数量 | 门类型 | 逻辑电压 -vil,vih | 电流 -峰值输出(源,水槽,水槽) | 上升 /秋季t (典型) | 高侧电压 -最大(引导程序) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MIC4224YM | 2.7800 | ![]() | 219 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | MIC4224 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 576-3549-5 | Ear99 | 8542.39.0001 | 95 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道MOSFET | 0.8V,2.4V | 4a,4a | 15ns,15ns | ||
![]() | Auirs2127 | - | ![]() | 9511 | 0.00000000 | Infineon技术 | 汽车,AEC-Q100 | 管子 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | Auirs2127 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 12v〜20V | 8-SOIC | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | SP001511392 | Ear99 | 8542.39.0001 | 95 | 单身的 | 高方向 | 1 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,2.5V | 290mA,600mA | 80n,40n | 600 v | ||
![]() | max15025hatb+t | - | ![]() | 8401 | 0.00000000 | ADI/MAXIM集成 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 10-WFDFN暴露垫 | Max15025 | 反转,无变形 | 未行业行业经验证 | 6.5V〜28V | 10-tdfn (3x3) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道MOSFET | - | 2a,4a | 48ns,32ns | |||
![]() | LM5111-3MYX/NOPB | - | ![]() | 6494 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-tssop,8-msop (0.118英寸,3.00mm宽) | LM5111 | 反转,无变形 | 未行业行业经验证 | 3.5V〜14V | 8-HVSOP | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,500 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道MOSFET | 0.8V,2.2V | 3a,5a | 14ns,12ns | |||
![]() | MCP14E11-E/MF | 2.0850 | ![]() | 3659 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-vdfn暴露垫 | MCP14E11 | 反转,无变形 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 8-DFN-S( 6x5) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | MCP14E11EMF | Ear99 | 8542.39.0001 | 60 | 独立的 | 低侧 | 2 | Igbt,n通道,p通道Mosfet | 0.8V,2.4V | 3a,3a | 25n,25n | ||
TC4427EPA | 2.0000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 通过洞 | 8 点点(0.300英寸,7.62mm) | TC4427 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 8-pdip | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 60 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道,p通道MOSFET | 0.8V,2.4V | 1.5a,1.5a | 19NS,19NS | ||||
![]() | ISL6208IRZ-T | 1.2525 | ![]() | 7817 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-vqfn裸露的垫子 | ISL6208 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜5.5V | 8-qfn (3x3) | 下载 | rohs3符合条件 | 2(1年) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 6,000 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 0.5V,2V | 2a,2a | 8ns,8ns | 33 V | ||
![]() | UCC27282QDDAQ1 | 1.9600 | ![]() | 8880 | 0.00000000 | Texas Instruments | 汽车,AEC-Q100 | 管子 | 积极的 | -40°C〜125°C | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | UCC27282 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 5.5V〜16V | 8-SOIC | - | 不适用 | 2(1年) | 296-UCC27282QDDAQ1 | Ear99 | 8542.39.0001 | 75 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 1.3V,1.9V | 2.5a,3.5a | 12n,10n | 120 v | ||
![]() | IRS26302DJTRPBF | 8.3335 | ![]() | 9496 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 上次购买 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 44-LCC(J-LEAD),32个领先优势 | IRS26302 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 44-PLCC,32 条线索(16.58x16.58) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 500 | 3相 | 半桥 | 6 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,2.5V | 200mA,350mA | 125ns,50ns | 600 v | ||
![]() | IR3537MTRPBF | 1.1000 | ![]() | 913 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 上次购买 | 0°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 10-vfdfn暴露垫 | IR3537 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜13.2V | 10-DFN (3x3) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | - | 3a,4a | - | |||
![]() | ISL89162FBEAZ | - | ![]() | 8434 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | ISL89162 | 反转,无变形 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜16V | 8-SOIC-EP | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | -isl89162fbeaz | Ear99 | 8542.39.0001 | 98 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道MOSFET | 1.22V,2.08V | 6a,6a | 20N,20N | ||
![]() | ISL6605IR-T | - | ![]() | 3683 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-vqfn裸露的垫子 | ISL6605 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜5.5V | 8-qfn (3x3) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 6,000 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 1V,2V | 2a,2a | 8ns,8ns | 33 V | ||
![]() | MIC4426亿 | - | ![]() | 4565 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 8 点点(0.300英寸,7.62mm) | MIC4426 | 反转 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 8-pdip | - | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道,p通道MOSFET | 0.8V,2.4V | 1.5a,1.5a | 20N,29NS | |||
![]() | IR2302pbf | 7.6000 | ![]() | 910 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 上次购买 | -40°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 8 点点(0.300英寸,7.62mm) | IR2302 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 5v〜20V | 8-pdip | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | 同步 | 半桥 | 2 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,2.9V | 200mA,350mA | 130ns,50ns | 600 v | ||
![]() | BD2320EFJ-LAE2 | 3.0100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | BD2320 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 7.5V〜14.5V | 8-HTSOP-J | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 独立的 | 高侧和低侧 | 2 | n通道MOSFET | 1.7V,1.5V | 3.5a,4.5a | 8ns,6ns | 100 v | ||
![]() | ISL6610AIBZ | - | ![]() | 3364 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 14- 材料( 0.154英寸,宽度为3.90mm) | ISL6610 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜5.5V | 14-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | 2(1年) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | 同步 | 半桥 | 4 | n通道MOSFET | - | - ,4A | 8ns,8ns | 36 V | ||
![]() | MIC4426YN | 1.9300 | ![]() | 150 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 8 点点(0.300英寸,7.62mm) | MIC4426 | 反转 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 8-pdip | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 576-1203 | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道,p通道MOSFET | 0.8V,2.4V | 1.5a,1.5a | 20N,29NS | ||
![]() | NCP303151AMNTWG | - | ![]() | 7681 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 上次购买 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 39-PowerVFQFN | NCP303151 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜5.5V | 39-pqfn (5x6) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 单身的 | 高侧和低侧 | 2 | n通道MOSFET | 0.65V,2.7V | 80a,80a | - | 32 v | ||
![]() | ADUM4221CRIZ-RL | 4.9200 | ![]() | 1315 | 0.00000000 | 模拟设备公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | ADUM4221 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 2.5V〜6.5V | 16-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 同步 | 半桥 | 2 | IGBT | 1.5V,3.5V | 4a,6a | 25ns,30ns | |||
![]() | 2SB315B-5SND0800M170100 | - | ![]() | 5781 | 0.00000000 | 电源集成 | Scale™-1 | 大部分 | 过时的 | - | 底盘安装 | 模块 | 2SB315 | - | 未行业行业经验证 | 0v〜16V | 模块 | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8473.30.1180 | 2 | 单身的 | 半桥 | 2 | Igbt,n通道,p通道Mosfet | - | - | - | |||||
MCP14A0052T-E/CH | 0.8300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-23-6 | MCP14A0052 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | SOT-23-6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 单身的 | - | 1 | n通道,p通道MOSFET | 0.8V,2V | 500mA,500mA | 40ns,28ns | ||||
![]() | IR21368SPBF | - | ![]() | 7388 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 28-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | IR21368 | 反转 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 28-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,000 | 3相 | 半桥 | 6 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,2.5V | 200mA,350mA | 125ns,50ns | 600 v | ||
![]() | IR25600pbf | - | ![]() | 2103 | 0.00000000 | 国际整流器 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 8 点点(0.300英寸,7.62mm) | IR25600 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 6v〜20V | 8-pdip | - | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 独立的 | 低侧 | 2 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,2.7V | 2.3a,3.3a | 15ns,10ns | ||||||
![]() | MC33883HEG | - | ![]() | 1888年 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 管子 | 过时的 | 表面安装 | 20-SOIC (0.295英寸,7.50mm宽度) | MC33883 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 5.5V〜55V | 20-SOIC | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 935311765574 | Ear99 | 8542.39.0001 | 38 | 半桥 | 4 | ||||||||
![]() | MP1924HR-LF-P | 1.7808 | ![]() | 4004 | 0.00000000 | Monolithic Power Systems Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 10-vdfn裸露的垫子 | MP1924 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 9V〜16V | 10-qfn (4x4) | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 500 | 独立的 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 1V,2.4V | 4a,4a | 15ns,12ns | 118 v | ||
![]() | IR2104S | - | ![]() | 7647 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | IR2104 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 8-SOIC | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 95 | 同步 | 半桥 | 2 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,3V | 210mA,360mA | 100NS,50NS | 600 v | ||
![]() | EL7242CN | - | ![]() | 2047 | 0.00000000 | Intersil | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜125°C(TJ) | 通过洞 | 8 点点(0.300英寸,7.62mm) | EL7242 | 反转,无变形 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜16V | 8-pdip | - | Rohs不合规 | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道,p通道MOSFET | 0.8V,2.4V | 2a,2a | 10n,10n | |||||
![]() | ICL7667MJA | 79.3600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rochester Electronics,LLC | * | 大部分 | 积极的 | ICL7667 | 未行业行业经验证 | - | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ||||||||||||||||
max15012basa+t | - | ![]() | 3560 | 0.00000000 | ADI/MAXIM集成 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | Max15012 | 反转,无变形 | 未行业行业经验证 | 8v〜12.6V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 半桥 | 2 | 175 v | |||||||||
![]() | 98-0494pbf | - | ![]() | 1405 | 0.00000000 | Infineon技术 | * | 管子 | 过时的 | 98-0494 | 未行业行业经验证 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 95 |
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