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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 输入类型 | sic可编程 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 频道类型 | 驱动配置 | 驾驶员数量 | 门类型 | 逻辑电压 -vil,vih | 电流 -峰值输出(源,水槽,水槽) | 上升 /秋季t (典型) | 高侧电压 -最大(引导程序) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IR2153 | - | ![]() | 1151 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 8 点点(0.300英寸,7.62mm) | IR2153 | RC输入电路 | 未行业行业经验证 | 10v〜15.6V | 8-pdip | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | *IR2153 | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | - | - | 80n,40n | 600 v | |
NCV5701CDR2G | 2.3000 | ![]() | 7663 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | NCV5701 | 反转 | 未行业行业经验证 | 20V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 单身的 | 高方面或低侧 | 1 | IGBT | 0.75V,4.3V | 20mA,15mA | 9.2NS,7.9NS | ||||
![]() | TC428EUA713 | - | ![]() | 9964 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-tssop,8-msop(0.118英寸,3.00mm宽度) | TC428 | 反转,无变形 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 8-msop | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | TC428EUA713-NDR | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道,p通道MOSFET | 0.8V,2.4V | 1.5a,1.5a | 30ns,30ns | ||
UCC27533DBVR | 1.3100 | ![]() | 4272 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C 〜140°C(TJ) | 表面安装 | SC-74A,SOT-753 | UCC27533 | 反转,无变形 | 未行业行业经验证 | 10v〜32v | SOT-23-5 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 单身的 | 低侧 | 1 | IGBT,N通道MOSFET | 1.2V,2.2V | 2.5a,5a | 15ns,7ns | ||||
![]() | IR4426STR | - | ![]() | 7040 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | IR4426 | 反转 | 未行业行业经验证 | 6v〜20V | 8-SOIC | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 独立的 | 低侧 | 2 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,2.7V | 2.3a,3.3a | 15ns,10ns | |||
![]() | TC4427AVMF | 1.3050 | ![]() | 6336 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-vdfn暴露垫 | TC4427 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 8-DFN-S( 6x5) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | TC4427AVMF-NDR | Ear99 | 8542.39.0001 | 60 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道,p通道MOSFET | 0.8V,2.4V | 1.5a,1.5a | 25n,25n | ||
![]() | ixdd430ci | - | ![]() | 7996 | 0.00000000 | ixys | - | 盒子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-5 | IXDD430 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 8.5V〜35V | TO-220-5 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | 单身的 | 低侧 | 1 | Igbt,n通道,p通道Mosfet | 0.8V,3.5V | 30a,30a | 18NS,16NS | ||||
![]() | FAN7171MX-F085 | 3.0700 | ![]() | 3167 | 0.00000000 | Onmi | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | Fan7171 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 单身的 | 高方向 | 1 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,2.5V | 4a,4a | 25ns,15ns | 600 v | ||
![]() | adp3417jr | - | ![]() | 5419 | 0.00000000 | Onmi | - | 管子 | 过时的 | ADP3417 | - | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 98 | |||||||||||||||||
![]() | IX2R11S3T/r。 | - | ![]() | 4802 | 0.00000000 | ixys | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | IX2R11 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10v〜35V | 16-Soic | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT,N通道MOSFET | 6V,9.6V | 2a,2a | 8NS,7NS | 500 v | |||
![]() | L6385 | - | ![]() | 4365 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 8 点点(0.300英寸,7.62mm) | L6385 | 反转 | 未行业行业经验证 | (17V)) | 8微米浸 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT,N通道MOSFET | 1.5V,3.6V | 400mA,650mA | 50ns,30ns | 600 v | ||
2EDS8265HXUMA1 | 4.3900 | ![]() | 7965 | 0.00000000 | Infineon技术 | eicedriver™ | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | 2EDS8265 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 20V | PG-DSO-16-30 | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 独立的 | 半桥 | 2 | n通道,p通道MOSFET | - ,1.65V | 4a,8a | 6.5NS,4.5NS | ||||
IXRFDSM607x2 | - | ![]() | 9959 | 0.00000000 | ixys-rf | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜85°C | 表面安装 | 16-SMD | IXRFDSM607 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 8v〜18V | - | - | (1 (无限) | Ear99 | 8542.39.0001 | 25 | 单身的 | 低侧 | 2 | n通道,p通道MOSFET | 0.8V,3.5V | 15a,15a | 4NS,4NS | ||||||
MAX4429CSA+ | 4.7700 | ![]() | 58 | 0.00000000 | ADI/MAXIM集成 | - | 管子 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | Max4429 | 反转 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | -4941-MAX4429CSA+ | Ear99 | 8542.39.0001 | 100 | 单身的 | 低侧 | 1 | n通道,p通道MOSFET | 0.8V,2.4V | 6a,6a | 25n,25n | |||
TC4425VPA | 4.1700 | ![]() | 180 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 8 点点(0.300英寸,7.62mm) | TC4425 | 反转,无变形 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 8-pdip | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | TC4425VPA-NDR | Ear99 | 8542.39.0001 | 60 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道,p通道MOSFET | 0.8V,2.4V | 3a,3a | 23ns,25ns | |||
![]() | max8552etb+ | 3.0100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | ADI/MAXIM集成 | * | 条 | 积极的 | MAX8552 | 未行业行业经验证 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 175-MAX8552ETB+ | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | |||||||||||||||
![]() | UCC37324DR | 1.7400 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | UCC37324 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜15V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道,p通道MOSFET | 1V,2V | 4a,4a | 20N,15n | |||
![]() | MIC4422ACM-TR | - | ![]() | 1256 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | 0°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | MIC4422 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 8-SOIC | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 单身的 | 低侧 | 1 | n通道MOSFET | 0.8V,3V | 9a,9a | 20N,24NS | |||
![]() | LM5111-4MX/NOPB | - | ![]() | 4678 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | LM5111 | 反转,无变形 | 未行业行业经验证 | 3.5V〜14V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道MOSFET | 0.8V,2.2V | 3a,5a | 14ns,12ns | |||
![]() | ltc1693-2cs8 trpbf | 3.0600 | ![]() | 2637 | 0.00000000 | 模拟设备公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 0°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | LTC1693 | 反转,无变形 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜13.2V | 8-so | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 独立的 | 高方面或低侧 | 2 | n通道MOSFET | 1.7V,2.2V | 1.5a,1.5a | 16ns,16ns | |||
![]() | 1Sp0340v2m0c-xxxx (2)(3)(4)(4) | 273.0783 | ![]() | 8758 | 0.00000000 | 电源集成 | - | 大部分 | 积极的 | - | 596-1SP0340V2M0C-XXXX(2)(3)(3)(4) | 6 | ||||||||||||||||||||||
![]() | UCC27525DR | 2.1000 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C 〜140°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | UCC27525 | 反转,无变形 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 独立的 | 低侧 | 2 | IGBT,N通道MOSFET | 1V,2.3V | 5a,5a | 7NS,6NS | |||
![]() | ISL89160FBEAZ | - | ![]() | 3425 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | ISL89160 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜16V | 8-SOIC-EP | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | -isl89160fbeaz | Ear99 | 8542.39.0001 | 98 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道MOSFET | 1.22V,2.08V | 6a,6a | 20N,20N | ||
MCP14E9-E/p | 2.4200 | ![]() | 231 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 8 点点(0.300英寸,7.62mm) | MCP14E9 | 反转 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 8-pdip | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | MCP14E9EP | Ear99 | 8542.39.0001 | 60 | 独立的 | 低侧 | 2 | Igbt,n通道,p通道Mosfet | 0.8V,2.4V | 3a,3a | 14ns,17ns | |||
![]() | ISL6609AIRZ | 3.8800 | ![]() | 507 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-vqfn裸露的垫子 | ISL6609 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜5.5V | 8-qfn (3x3) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | -isl6609Airz | Ear99 | 8542.39.0001 | 100 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 1V,2V | - ,4A | 8ns,8ns | 36 V | |
![]() | MAX5055AASA | - | ![]() | 9234 | 0.00000000 | ADI/MAXIM集成 | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | Max5055 | 反转 | 未行业行业经验证 | 4V〜15V | 8-SOIC-EP | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道MOSFET | 0.8V,2.1V | 4a,4a | 32ns,26ns | ||||
![]() | UC2715DTR | 1.7730 | ![]() | 6763 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | UC2715 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 7v〜20V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 2(1年) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 同步 | 低侧 | 2 | n通道,p通道MOSFET | 0.8V,2V | 500mA,1a | 30ns,25ns | |||
![]() | L6569D013TR | - | ![]() | 1892年 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | L6569 | RC输入电路 | 未行业行业经验证 | 10v〜16.6V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 同步 | 半桥 | 2 | IGBT,N通道MOSFET | - | 170mA,270mA | - | 600 v | ||
TC4427CPAG | - | ![]() | 9478 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 通过洞 | 8 点点(0.300英寸,7.62mm) | TC4427 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 8-pdip | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | TC4427CPAG-NDR | Ear99 | 8542.39.0001 | 60 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道,p通道MOSFET | 0.8V,2.4V | 1.5a,1.5a | 19NS,19NS | |||
![]() | LM5101CMYE/NOPB | 4.2000 | ![]() | 2762 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-POWERTSOP,8-MSOP (0.118英寸,3.00mm宽度) | LM5101 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 9V〜14V | 8-HVSOP | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 250 | 独立的 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 2.3V, - | 1a,1a | 990NS,715NS | 118 v |
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