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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 输入类型 | sic可编程 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 频道类型 | 驱动配置 | 驾驶员数量 | 门类型 | 逻辑电压 -vil,vih | 电流 -峰值输出(源,水槽,水槽) | 上升 /秋季t (典型) | 高侧电压 -最大(引导程序) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | EL7242CSZ-T7 | 5.2500 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | EL7242 | 反转,无变形 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜16V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道,p通道MOSFET | 0.8V,2.4V | 2a,2a | 10n,10n | |||
![]() | LM5111-3M | - | ![]() | 5380 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | LM5111 | 反转,无变形 | 未行业行业经验证 | 3.5V〜14V | 8-SOIC | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 95 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道MOSFET | 0.8V,2.2V | 3a,5a | 14ns,12ns | |||
![]() | LTC444444EMS8E#wpbf | - | ![]() | 7176 | 0.00000000 | 模拟设备公司 | 汽车,AEC-Q100 | 管子 | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-tssop,8-msop (0.118英寸,3.00mm宽) | LTC4444 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 7.2v〜13.5V | 8-msop-ep | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 250 | 独立的 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 1.85V,3.25V | 2.5a,3a | 8NS,5NS | 114 v | ||
![]() | MIC4423Y | 2.0600 | ![]() | 697 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | MIC4423 | 反转 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 95 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道,p通道MOSFET | 0.8V,2.4V | 3a,3a | 28ns,32ns | |||
![]() | TC4469MJD | - | ![]() | 2632 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 14-CDIP (0.300英寸,7.62mm) | TC4469 | 反转,无变形 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 14-Cerdip | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | TC4469MJD-NDR | Ear99 | 8542.39.0001 | 29 | 独立的 | 低侧 | 4 | n通道,p通道MOSFET | 0.8V,2.4V | 1.2a,1.2a | 15ns,15ns | ||
![]() | LM5110-1SD | 1.9065 | ![]() | 1864年 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 10-wdfn暴露垫 | LM5110 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 3.5V〜14V | 10-wson(4x4) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道MOSFET | 0.8V,2.2V | 3a,5a | 14ns,12ns | |||
![]() | LM5101BMA | - | ![]() | 6242 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | LM5101 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 9V〜14V | 8-SOIC | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 95 | 独立的 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 2.3V, - | 2a,2a | 570NS,430NS | 118 v | ||
![]() | IXDI409CI | - | ![]() | 1818年 | 0.00000000 | ixys | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-5 | IXDI409 | 反转 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜35V | TO-220-5 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | 单身的 | 低侧 | 1 | Igbt,n通道,p通道Mosfet | 0.8V,3.5V | 9a,9a | 10n,10n | ||||
![]() | MCP1407-E/SN | 1.3700 | ![]() | 5532 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | MCP1407 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | MCP1407ESN | Ear99 | 8542.39.0001 | 100 | 单身的 | 低侧 | 1 | Igbt,n通道,p通道Mosfet | 0.8V,2.4V | 6a,6a | 20N,20N | ||
![]() | EL7222CS-T13 | - | ![]() | 3589 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | EL7222 | 反转,无变形 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜15V | 8-SOIC | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道,p通道MOSFET | 0.8V,2.4V | 2a,2a | 7.5NS,10NS | |||
![]() | UCC27512MDRSTEP | 4.2200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 6-WDFN暴露垫 | UCC27512 | 反转,无变形 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 6(3x3) | 下载 | rohs3符合条件 | 2(1年) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 250 | 单身的 | 低侧 | 1 | IGBT,N通道MOSFET | 1V,2.4V | 4a,8a | 8NS,7NS | |||
![]() | MCP14E11-E/SN | 2.3900 | ![]() | 8558 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | MCP14E11 | 反转,无变形 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | MCP14E11ESN | Ear99 | 8542.39.0001 | 100 | 独立的 | 低侧 | 2 | Igbt,n通道,p通道Mosfet | 0.8V,2.4V | 3a,3a | 25n,25n | ||
![]() | 2SD300C17A2 | 123.1617 | ![]() | 1121 | 0.00000000 | 电源集成 | Scale™-2 | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 模块 | 2SD300 | - | 未行业行业经验证 | 14V〜16V | 模块 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 1810-1035 | Ear99 | 8473.30.1180 | 12 | - | 半桥 | 2 | IGBT | - | 30a,30a | - | |||
![]() | FAN3121TMPX | 1.9800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | FAN3121 | 反转 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 8-mlp (3x3) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 单身的 | 低侧 | 1 | n通道MOSFET | 0.8V,2V | 10.6a,11.4a | 23ns,19ns | |||
![]() | UCC27322MDREP | 4.5855 | ![]() | 6647 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | UCC27322 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4V〜15V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 单身的 | 低侧 | 1 | n通道,p通道MOSFET | 1.1V,2.7V | 9a,9a | 20N,20N | |||
![]() | TC4451VOA | 2.9900 | ![]() | 8239 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | TC4451 | 反转 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 100 | 单身的 | 低侧 | 1 | Igbt,n通道,p通道Mosfet | 0.8V,2.4V | 13a,13a | 30ns,32ns | |||
![]() | IRS2011SPBF | 3.4600 | ![]() | 3579 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 上次购买 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | IRS2011 | 反转 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 2(1年) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 95 | 独立的 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 0.8V,2.7V | 1a,1a | 25ns,15ns | 200 v | ||
![]() | MIC5013BM-TR | - | ![]() | 4669 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | MIC5013 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 7v〜32v | 8-SOIC | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 单身的 | 高方面或低侧 | 1 | n通道MOSFET | 2V,4.5V | - | - | |||
max5063basa-t | - | ![]() | 4238 | 0.00000000 | ADI/MAXIM集成 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | Max5063 | 反转,无变形 | 未行业行业经验证 | 8v〜12.6V | 8-SOIC | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 独立的 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 0.8V,2V | 2a,2a | 65ns,65ns | 125 v | ||||
TPS2814PWRG4 | - | ![]() | 2026 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-TSSOP (0.173英寸,4.40mm宽度) | TPS2814 | 反转,无变形 | 未行业行业经验证 | 4V〜14V | 8-tssop | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,000 | 同步 | 低侧 | 2 | n通道,p通道MOSFET | 1V,4V | 2a,2a | 14ns,15ns | ||||
![]() | SI9913DY-T1-E3 | - | ![]() | 8044 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | SI9913 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜5.5V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | - | 1a,1a | 30ns,20ns | 30 V | ||
![]() | ISL6596IRZ-T | 3.0561 | ![]() | 7724 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 10-vfdfn暴露垫 | ISL6596 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜5.5V | 10-DFN (3x3) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 6,000 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | - | - ,4A | 8ns,8ns | 36 V | ||
![]() | IRS25091SPBF | - | ![]() | 3426 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | IRS25091 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 8-SOIC | 下载 | 2(1年) | 到达不受影响 | SP001543180 | Ear99 | 8542.39.0001 | 95 | 同步 | 半桥 | 2 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,2.2V | 200mA,350mA | 150NS,50NS | 600 v | ||
![]() | MIC4426Y | 1.4500 | ![]() | 1221 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | MIC4426 | 反转 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 95 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道,p通道MOSFET | 0.8V,2.4V | 1.5a,1.5a | 20N,29NS | |||
![]() | max8552etb+t | 1.6800 | ![]() | 7183 | 0.00000000 | ADI/MAXIM集成 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 10-WFDFN暴露垫 | MAX8552 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜6.5V | 10-tdfn (3x3) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 0.8V,2.5V | - | 14ns,9ns | |||
![]() | EL7412CMZ-T13 | - | ![]() | 8908 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 20-SOIC (0.295英寸,7.50mm宽度) | EL7412 | 反转 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜15V | 20-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 独立的 | 半桥 | 4 | n通道,p通道MOSFET | 0.8V,2.4V | 2a,2a | 7.5NS,10NS | |||
![]() | IX4340N | 1.2800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | ixys集成电路部门 | - | 管子 | 积极的 | -55°C〜150°C | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | IX4340 | CMOS/TTL | 未行业行业经验证 | 5v〜20V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 100 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道,p通道MOSFET | 0.8V,2.5V | 5a,5a | 7n,7ns | |||
![]() | MIC4429YMM | 2.0600 | ![]() | 180 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-tssop,8-msop(0.118英寸,3.00mm宽度) | MIC4429 | 反转 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 8-msop | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 100 | 单身的 | 低侧 | 1 | n通道,p通道MOSFET | 0.8V,2.4V | 6a,6a | 12n,13ns | |||
![]() | ISL2110ABZ | 5.6700 | ![]() | 17 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | ISL2110 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 8v〜14V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | -isl2110abz | Ear99 | 8542.39.0001 | 980 | 独立的 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 3.7V,7.4V | 3a,4a | 9NS,7.5NS | 114 v | |
![]() | UCC27425D | 2.1200 | ![]() | 305 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | UCC27425 | 反转,无变形 | 未行业行业经验证 | 4V〜15V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 75 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道,p通道MOSFET | 1V,2V | 4a,4a | 20N,15n |
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