SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 sic可编程 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 频道类型 驱动配置 驾驶员数量 门类型 逻辑电压 -vil,vih 电流 -峰值输出(源,水槽,水槽) 上升 /秋季t (典型) 高侧电压 -最大(引导程序)
UC2714N Texas Instruments UC2714N -
RFQ
ECAD 7979 0.00000000 Texas Instruments - 管子 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 通过洞 8 点点(0.300英寸,7.62mm) UC2714 不转变 未行业行业经验证 7v〜20V 8-pdip 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 50 同步 低侧 2 n通道,p通道MOSFET 0.8V,2V 500mA,1a 30ns,25ns
UC2705DG4 Texas Instruments UC2705DG4 -
RFQ
ECAD 8062 0.00000000 Texas Instruments - 管子 在sic中停产 -25°C〜85°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) UC2705 反转,无变形 未行业行业经验证 5V〜40V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 2(1年) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 75 单身的 低侧 1 n通道MOSFET 0.8V,2.2V 1.5a,1.5a 60n,60n
LM5100ASD Texas Instruments LM5100ASD 2.2920
RFQ
ECAD 1932年 0.00000000 Texas Instruments - 胶带和卷轴((tr) 不适合新设计 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 10-wdfn暴露垫 LM5100 不转变 未行业行业经验证 9V〜14V 10-wson(4x4) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 1,000 独立的 半桥 2 n通道MOSFET 2.3V, - 3a,3a 430ns,260ns 118 v
DRV8300NRGER Texas Instruments DRV8300NRGER 1.5200
RFQ
ECAD 28 0.00000000 Texas Instruments - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 24-VFQFN暴露垫 DRV8300 不转变 未行业行业经验证 5v〜20V 24-VQFN (4x4) 下载 不适用 2(1年) 296-DRV8300NRGERTR Ear99 8542.39.0001 3,000 3相 高侧和低侧 3 n通道MOSFET 0.8V,2V 750mA,1.5a 12n,12ns 105 v
IR2151 Infineon Technologies IR2151 -
RFQ
ECAD 4056 0.00000000 Infineon技术 - 管子 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 通过洞 8 点点(0.300英寸,7.62mm) IR2151 RC输入电路 未行业行业经验证 10v〜20V 8-pdip 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 *IR2151 Ear99 8542.39.0001 50 同步 半桥 2 IGBT,N通道MOSFET - 125mA,250mA 80n,40n 600 v
EL7457CUZ Renesas Electronics America Inc EL7457CUZ 6.5900
RFQ
ECAD 9371 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 管子 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 16ssop (0.154英寸,宽度为3.90mm) EL7457 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜18V 16-qsop 下载 rohs3符合条件 2(1年) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 97 独立的 高方面或低侧 4 n通道,p通道MOSFET 0.8V,2V 2a,2a 13.5ns,13ns
MAX628CSA+T ADI/Maxim Integrated max628csa+t 3.2700
RFQ
ECAD 5852 0.00000000 ADI/MAXIM集成 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) Max628 反转,无变形 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 低侧 2 n通道,p通道MOSFET 0.8V,2.4V 2a,2a 25NS,20NS
LTC4440IS6#TRPBF ADI LTC4440IS6#trpbf 3.6000
RFQ
ECAD 4341 0.00000000 模拟设备公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 SOT-23-6薄,TSOT-23-6 LTC4440 不转变 未行业行业经验证 8v〜15v TSOT-23-6 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 单身的 高方向 1 n通道MOSFET 1.3V,1.6V 2.4a,2.4a 10n,7ns 80 V
DGD2101MS8-13 Diodes Incorporated DGD2101MS8-13 1.2900
RFQ
ECAD 2 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) DGD2101 不转变 未行业行业经验证 10v〜20V 8-so 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 高方面或低侧 2 IGBT,N通道MOSFET 0.8V,2.5V 290mA,600mA 70ns,35ns 600 v
UCC27528QDRQ1 Texas Instruments UCC27528QDRQ1 1.2570
RFQ
ECAD 5280 0.00000000 Texas Instruments 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C 〜140°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) UCC27528 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 2(1年) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 低侧 2 IGBT,N通道MOSFET - 5a,5a 7NS,6NS
MIC4468CWM TR Microchip Technology MIC4468CWM TR -
RFQ
ECAD 1701 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) MIC4468 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜18V 16-Soic 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 1,000 独立的 低侧 4 n通道,p通道MOSFET 0.8V,2.4V 1.2a,1.2a 14ns,13ns
UCC27212AQDDARQ1 Texas Instruments UCC27212AQDDARQ1 4.7500
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Texas Instruments 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C 〜140°C(TJ) 表面安装 8-Powersoic(0.154英寸,3.90mm宽度) UCC27212 不转变 未行业行业经验证 7v〜17v 8-SO POWERPAD 下载 rohs3符合条件 2(1年) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 半桥 2 n通道MOSFET 1.6V,2.3V 4a,4a 7.8NS,6NS
98-0334PBF Infineon Technologies 98-0334pbf -
RFQ
ECAD 2704 0.00000000 Infineon技术 - 管子 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 44-LCC(J-LEAD),32个领先优势 IR21368 反转 未行业行业经验证 10v〜20V 44-PLCC,32 条线索(16.58x16.58) 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 513 3相 半桥 6 IGBT,N通道MOSFET 0.8V,2.5V 200mA,350mA 125ns,50ns 600 v
IR2118 Infineon Technologies IR2118 -
RFQ
ECAD 9512 0.00000000 Infineon技术 - 管子 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 通过洞 8 点点(0.300英寸,7.62mm) IR2118 反转 未行业行业经验证 10v〜20V 8-pdip 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 *IR2118 Ear99 8542.39.0001 50 单身的 高方向 1 IGBT,N通道MOSFET 6V,9.5V 250mA,500mA 80n,40n 600 v
MIC4469CWM Microchip Technology MIC4469CWM -
RFQ
ECAD 3301 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) MIC4469 反转,无变形 未行业行业经验证 4.5V〜18V 16-Soic 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 47 独立的 低侧 4 n通道,p通道MOSFET 0.8V,2.4V 1.2a,1.2a 14ns,13ns
MCP14A0154T-E/SN Microchip Technology MCP14A0154T-E/SN 0.9450
RFQ
ECAD 3999 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) MCP14A0154 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,300 独立的 低侧 2 n通道,p通道MOSFET 0.8V,2V 1.5a,1.5a 11.5NS,10NS
MCP1405T-E/SNVAO Microchip Technology MCP1405T-E/SNVAO -
RFQ
ECAD 8181 0.00000000 微芯片技术 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) MCP1405 反转,无变形 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 3,300 独立的 低侧 2 Igbt,n通道,p通道Mosfet 0.8V,2.4V 4.5a,4.5a 15NS,18NS
LTC1693-5CMS8#TRPBF ADI LTC1693-5CMS8 trpbf 3.6750
RFQ
ECAD 7239 0.00000000 模拟设备公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜150°C(TJ) 表面安装 8-tssop,8-msop(0.118英寸,3.00mm宽度) LTC1693 反转,无变形 未行业行业经验证 4.5V〜13.2V 8-msop 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 单身的 高方向 1 P通道MOSFET 1.7V,2.2V 1.5a,1.5a 16ns,16ns
EL7243CM-T13 Renesas Electronics America Inc EL7243CM-T13 -
RFQ
ECAD 9684 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 20-SOIC (0.295英寸,7.50mm宽度) EL7243 反转,无变形 未行业行业经验证 4.5V〜16V 20-SOIC 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 1,000 独立的 低侧 2 n通道,p通道MOSFET 0.8V,2.4V 2a,2a 10n,10ns (最大)
TC1411NEOA Microchip Technology TC1411NEOA 1.5600
RFQ
ECAD 6830 0.00000000 微芯片技术 - 管子 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) TC1411 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜16V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 TC1411NEOA-NDR Ear99 8542.39.0001 100 单身的 低侧 1 n通道,p通道MOSFET 0.8V,2V 1a,1a 25n,25n
TLF11251EPXUMA1 Infineon Technologies TLF11251EPXUMA1 3.4300
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Infineon技术 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 14-POWERTSOP (0.154英寸,3.90mm) TLF11251 不转变 未行业行业经验证 2.35V〜7V PG-TSDSO-14-5 下载 rohs3符合条件 2a (4周) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 3,000 单身的 半桥 1 n通道,p通道MOSFET 2.31V,4.69V 2.5a,2.5a 60n,60n
NCP5351DG onsemi NCP5351DG -
RFQ
ECAD 9625 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 -30°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) NCP5351 反转,无变形 未行业行业经验证 4.5V〜6.5V 8-SOIC 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 98 同步 半桥 2 n通道MOSFET 0.8V,2V 4a,4a 8NS,14NS 25 v
ADP3611JRMZ-REEL onsemi ADP3611JRMZ-REEL -
RFQ
ECAD 3677 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -10°C 〜150°C(TJ) 表面安装 10-tfsop,10-msop (0.118英寸,3.00mm宽度) ADP3611 反转,无变形 未行业行业经验证 4.6V〜5.5V 10-msop 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 同步 半桥 2 n通道MOSFET 0.8V,2V - 20N,15n
SN55451BJG Texas Instruments SN55451BJG -
RFQ
ECAD 7614 0.00000000 Texas Instruments - 管子 积极的 -50°C〜150°C(TJ) 通过洞 8-CDIP (0.300英寸,7.62mm) SN55451 反转 未行业行业经验证 4.5V〜5.5V 8-CDIP 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 50 独立的 低侧 2 - 0.8V,2V 500mA,500mA 5n,7ns
MIC4428ZM Microchip Technology MIC4428ZM 1.4500
RFQ
ECAD 9181 0.00000000 微芯片技术 - 管子 积极的 0°C〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) MIC4428 反转,无变形 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 95 独立的 低侧 2 n通道,p通道MOSFET 0.8V,2.4V 1.5a,1.5a 20N,29NS
MIC4605-1YM-TR Microchip Technology MIC4605-1YM-TR 1.0500
RFQ
ECAD 8302 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) MIC4605 不转变 未行业行业经验证 5.5V〜16V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 半桥 2 n通道MOSFET 0.8V,2.2V 1a,1a 20N,20N 108 v
ISL6612CRZ-TR5238 Renesas Electronics America Inc ISL6612CRZ-TR5238 -
RFQ
ECAD 8722 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜125°C(TJ) 表面安装 10-vfdfn暴露垫 ISL6612 不转变 未行业行业经验证 10.8v〜13.2v 10-DFN (3x3) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 6,000 同步 半桥 2 n通道MOSFET - 1.25a,2a 26NS,18NS 36 V
ISL6610CRZ-T Renesas Electronics America Inc ISL6610CRZ-T -
RFQ
ECAD 5141 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜125°C(TJ) 表面安装 16-VQFN暴露垫 ISL6610 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜5.5V 16 QFN (4x4) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 6,000 同步 半桥 4 n通道MOSFET - - ,4A 8ns,8ns 36 V
TC429EOA Microchip Technology TC429EOA 2.2600
RFQ
ECAD 93 0.00000000 微芯片技术 - 管子 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) TC429 反转 未行业行业经验证 7v〜18V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 TC429EOA-NDR Ear99 8542.39.0001 100 单身的 低侧 1 n通道,p通道MOSFET 0.8V,2.4V 6a,6a 23ns,25ns
UCC27424QDRQ1 Texas Instruments UCC27424QDRQ1 1.2500
RFQ
ECAD 5673 0.00000000 Texas Instruments 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) UCC27424 不转变 未行业行业经验证 4V〜15V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 低侧 2 n通道,p通道MOSFET 1V,2V 4a,4a 20N,15n
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库