SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 sic可编程 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 频道类型 驱动配置 驾驶员数量 门类型 逻辑电压 -vil,vih 电流 -峰值输出(源,水槽,水槽) 上升 /秋季t (典型) 高侧电压 -最大(引导程序)
FAN3226TMX onsemi FAN3226TMX 1.6300
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 上次购买 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) FAN3226 反转 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 低侧 2 n通道MOSFET 0.8V,2V 3a,3a 12ns,9ns
MIC4129YME Microchip Technology MIC4129ME 1.5700
RFQ
ECAD 3828 0.00000000 微芯片技术 - 管子 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) MIC4129 反转 未行业行业经验证 4.5V〜20V 8-SOIC-EP 下载 rohs3符合条件 2(1年) 到达不受影响 576-1446 Ear99 8542.39.0001 95 单身的 低侧 1 n通道,p通道MOSFET 0.8V,2.4V 6a,6a 12n,13ns
LTC7003MPMSE#PBF ADI LTC7003MPMSE #PBF 18.5000
RFQ
ECAD 2632 0.00000000 模拟设备公司 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 16-tfsop (0.118,3.00mm宽) LTC7003 不转变 未行业行业经验证 3.5V〜15V 16-msop-ep 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 37 单身的 高方向 1 n通道MOSFET - - 90NS,40NS 60 V
LTC4440AIMS8E-5#TRPBF ADI LTC4440AIMS8E-5 trpbf 3.4500
RFQ
ECAD 1155 0.00000000 模拟设备公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-tssop,8-msop (0.118英寸,3.00mm宽) LTC4440 不转变 未行业行业经验证 4V〜15V 8-msop-ep 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 ltc4440aims8e-5 trpbftr Ear99 8542.39.0001 2,500 单身的 高方向 1 n通道MOSFET 1.2V,1.6V 1.1a,1.1a 10n,7ns 80 V
TPIC46L02DBRG4 Texas Instruments TPIC46L02DBRG4 -
RFQ
ECAD 5778 0.00000000 Texas Instruments - 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 28SSOP(0.209英寸,宽度为5.30mm) TPIC46L02 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜5.5V 28 sop 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,000 独立的 低侧 6 n通道MOSFET - 1.2mA,1.2mA 3.5µs,3µs
IXDD609YI IXYS Integrated Circuits Division ixdd609yi 3.8300
RFQ
ECAD 969 0.00000000 ixys集成电路部门 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-263-6,D²Pak(5 + tab),TO-263BA IXDD609 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜35V TO-263-5 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 50 单身的 低侧 1 Igbt,n通道,p通道Mosfet 0.8V,3V 9a,9a 22ns,15ns
SN75372PG4 Texas Instruments SN75372PG4 -
RFQ
ECAD 8957 0.00000000 Texas Instruments - 管子 在sic中停产 0°C〜70°C(TA) 通过洞 8 点点(0.300英寸,7.62mm) SN75372 反转 未行业行业经验证 4.75V〜5.25V,4.75V〜24V 8-pdip 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 50 同步 低侧 2 n通道MOSFET 0.8V,2V 500mA,500mA -
NCD5701CDR2G onsemi NCD5701CDR2G 2.2300
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) NCD5701 - 未行业行业经验证 20V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 同步 高方面或低侧 1 IGBT - 7.8a,6.8a 18NS,19NS
TC4428AEOA713 Microchip Technology TC4428AEOA713 1.7800
RFQ
ECAD 5636 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) TC4428 反转,无变形 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 3,300 独立的 低侧 2 n通道,p通道MOSFET 0.8V,2.4V 1.5a,1.5a 25n,25n
MAX15070AEUT+T ADI/Maxim Integrated Max15070aeut+t -
RFQ
ECAD 2552 0.00000000 ADI/MAXIM集成 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 SOT-23-6 Max15070 反转,无变形 未行业行业经验证 4V〜14V SOT-6 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 单身的 低侧 1 n通道MOSFET 0.8V,2V 3a,7a 25ns,14ns
IXDI509D1T/R IXYS IXDI509D1T/r -
RFQ
ECAD 9676 0.00000000 ixys - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 6-vdfn裸露的垫子 IXDI509 反转 未行业行业经验证 4.5V〜30V 6-DFN (4x5) 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 1,000 单身的 低侧 1 Igbt,n通道,p通道Mosfet 0.8V,2.4V 9a,9a 25ns,23ns
UCC27538DBVR Texas Instruments UCC27538DBVR 1.3100
RFQ
ECAD 8385 0.00000000 Texas Instruments - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C 〜140°C(TJ) 表面安装 SOT-23-6 UCC27538 不转变 未行业行业经验证 10v〜32v SOT-23-6 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 3,000 单身的 低侧 1 IGBT,N通道MOSFET 1.2V,2.2V 2.5a,5a 15ns,7ns
ADP3120AJRZ-RL onsemi adp3120ajrz-rl 0.8000
RFQ
ECAD 7593 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -20°C〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) ADP3120 反转,无变形 未行业行业经验证 4.6V〜13.2V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 同步 半桥 2 n通道MOSFET 0.8V,2V - 20N,11n 35 v
TC1410NEUA713 Microchip Technology TC1410NEUA713 1.7600
RFQ
ECAD 7974 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 8-tssop,8-msop(0.118英寸,3.00mm宽度) TC1410 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜16V 8-msop 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 TC1410NEUA713-NDR Ear99 8542.39.0001 2,500 单身的 低侧 1 n通道,p通道MOSFET 0.8V,2V 500mA,500mA 25n,25n
HIP2101IBZT7A Renesas Electronics America Inc HIP2101IBZT7A 4.7400
RFQ
ECAD 19 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) HIP2101 不转变 未行业行业经验证 9V〜14V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 250 独立的 半桥 2 n通道MOSFET 0.8V,2.2V 2a,2a 10n,10n 114 v
EL7158IS-T13 Renesas Electronics America Inc EL7158IS-T13 -
RFQ
ECAD 1360 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) EL7158 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜12V 8-SOIC 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 单身的 高方面或低侧 1 IGBT 0.8V,2.4V 12a,12a 12ns,12.2ns
IXJ611S1T/R IXYS IXJ611S1T/r -
RFQ
ECAD 7970 0.00000000 ixys - 胶带和卷轴((tr) 过时的 - 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) IXJ611 - 未行业行业经验证 - 8-SOIC - (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 - - - - - -
TC427EUA713 Microchip Technology TC427EUA713 -
RFQ
ECAD 1160 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-tssop,8-msop(0.118英寸,3.00mm宽度) TC427 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-msop - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 TC427EUA713-NDR Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 低侧 2 n通道,p通道MOSFET 0.8V,2.4V 1.5a,1.5a 30ns,30ns
TPS2839PWP Texas Instruments TPS2839PWP -
RFQ
ECAD 2025 0.00000000 Texas Instruments - 管子 在sic中停产 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 16-Powertssop (0.173英寸,4.40mm) TPS2839 反转 未行业行业经验证 10v〜15V 16-HTSSOP 下载 rohs3符合条件 2(1年) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 90 同步 半桥 2 n通道MOSFET 1V,2V 4a,4a 65ns,65ns 29 v
MCP1404-E/SN Microchip Technology MCP1404-E/SN 2.6200
RFQ
ECAD 679 0.00000000 微芯片技术 - 管子 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) MCP1404 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 MCP1404ESN Ear99 8542.39.0001 100 独立的 低侧 2 Igbt,n通道,p通道Mosfet 0.8V,2.4V 4.5a,4.5a 15NS,18NS
LTC1155IN8#PBF ADI ltc1155in8#pbf 12.4900
RFQ
ECAD 276 0.00000000 模拟设备公司 - 管子 积极的 -40°C〜85°C(TA) 通过洞 8 点点(0.300英寸,7.62mm) LTC1155 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-pdip 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 -2735-LTC1155in8 #PBF Ear99 8542.39.0001 50 独立的 高方向 2 n通道MOSFET 0.8V,2V - -
2EDL05I06PJXUMA1 Infineon Technologies 2EDL05I06PJXUMA1 2.2900
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Infineon技术 eicedriver™ 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 14- 材料( 0.154英寸,宽度为3.90mm) 2EDL05 不转变 未行业行业经验证 10v〜20V PG-DSO-14 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 半桥 2 n通道,p通道MOSFET 1.1V,1.7V 250mA,500mA 48ns,24ns 600 v
UCC37323P Texas Instruments UCC37323P 0.9900
RFQ
ECAD 4538 0.00000000 Texas Instruments - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 8 点点(0.300英寸,7.62mm) UCC37323 反转 未行业行业经验证 4.5V〜15V 8-pdip 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 50 独立的 低侧 2 n通道,p通道MOSFET 1V,2V 4a,4a 20N,15n
DGD0507AFN-7 Diodes Incorporated DGD0507AFN-7 0.9300
RFQ
ECAD 2 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 10-WFDFN暴露垫 DGD0507 CMOS/TTL 未行业行业经验证 8v〜14V W-DFN3030-10 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 3,000 独立的 半桥 2 n通道MOSFET 0.8V,2.4V 1.5a,2a 16NS,18NS 50 V
CS8312YDR8 onsemi CS8312YDR8 -
RFQ
ECAD 4722 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) CS8312 不转变 未行业行业经验证 7v〜10V 8-SOIC 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 CS8312YDR8OS Ear99 8542.39.0001 2,500 单身的 低侧 1 IGBT,N通道MOSFET - - -
ISL6612IBZ-T Renesas Electronics America Inc ISL6612IBZ-T -
RFQ
ECAD 2000 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) ISL6612 不转变 未行业行业经验证 10.8v〜13.2v 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 同步 半桥 2 n通道MOSFET - 1.25a,2a 26NS,18NS 36 V
FAN3228TMPX onsemi FAN3228TMPX -
RFQ
ECAD 6006 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 8-WDFN暴露垫 FAN3228 反转,无变形 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-mlp (3x3) 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 3,000 独立的 低侧 2 n通道MOSFET 0.8V,2V 3a,3a 12ns,9ns
TC4421EMF713 Microchip Technology TC4421EMF713 2.1000
RFQ
ECAD 1378 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 8-vdfn暴露垫 TC4421 反转 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-DFN-S( 6x5) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 TC4421EMF713-NDR Ear99 8542.39.0001 3,300 单身的 低侧 1 Igbt,n通道,p通道Mosfet 0.8V,2.4V 9a,9a 60n,60n
IR2102STRPBF Infineon Technologies IR2102STRPBF 3.5300
RFQ
ECAD 16 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) IR2102 - 未行业行业经验证 10v〜20V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 2(1年) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 半桥 2 IGBT,N通道MOSFET 0.8V,3V 210mA,360mA 100NS,50NS 600 v
EL7242CS-T7 Renesas Electronics America Inc EL7242CS-T7 -
RFQ
ECAD 6891 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) EL7242 反转,无变形 未行业行业经验证 4.5V〜16V 8-SOIC 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 1,000 独立的 低侧 2 n通道,p通道MOSFET 0.8V,2.4V 2a,2a 10n,10n
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库