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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	sic可编程	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	频道类型	驱动配置	驾驶员数量	门类型	逻辑电压 -vil，vih	电流 -峰值输出（源，水槽，水槽）	上升 /秋季t （典型）	高侧电压 -最大（引导程序）
ISL89168FBEAZ	-	RFQ	1189	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ISL89168	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜16V	8-SOIC-EP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	98	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	1.22V，2.08V	6a，6a	20N，20N
IXDF602SIA	1.7100	RFQ	1	ixys集成电路部门	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IXDF602	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜35V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	100	独立的	低侧	2	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，3V	2a，2a	7.5NS，6.5NS
MCP14E10-E/SN	2.3900	RFQ	2735	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MCP14E10	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	MCP14E10ESN	Ear99	8542.39.0001	100	独立的	低侧	2	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2.4V	3a，3a	25n，25n
SC1302FSTRT	-	RFQ	2028	Semtech Corporation	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SC1302	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5v〜16.5V	8-SOIC	-		（1 （无限）			Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2V	2a，2a	20N，20N
ISL6612BEIB	1.1400	RFQ	33	Intersil	-	管子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ISL6612	不转变	未行业行业经验证	7v〜13.2v	8-SOIC-EP	下载	Rohs不合规				Ear99	8542.39.0001	98	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
UCC37323DGN	-	RFQ	8018	单位树	*	大部分	积极的									-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-UCC37323DGN-600018			1
2ED2183S06FXUMA1	3.2400	RFQ	4	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	2ED2183	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	PG-DSO-8-53	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	1	IGBT，N通道MOSFET	1.1V，1.7V	2.5a，2.5a	15ns，15ns	650 v
DGD2003S8-13	0.9200	RFQ	21	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	DGD2003	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-so类型th	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.5V	290mA，600mA	70ns，35ns	200 v
isl6612bib-t	-	RFQ	1038	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ISL6612	不转变	未行业行业经验证	7v〜13.2v	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
ISL6612BCRZ-T	-	RFQ	2650	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-vfdfn暴露垫	ISL6612	不转变	未行业行业经验证	7v〜13.2v	10-DFN （3x3）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	6,000	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
MIC4425YWM	1.8900	RFQ	9406	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	MIC4425	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	47	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	3a，3a	28ns，32ns
2EDL8123GXUMA1	2.1800	RFQ	11	Infineon技术	eicedriver™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-vdfn暴露垫	2EDL8123	不转变	未行业行业经验证	8v〜17V	PG-VDSON-8-4	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	6,000	独立的	高侧和低侧	2	n通道MOSFET	-	3a，3a	45ns，45ns	90 v
ISL6609ACBZ-TS2568	1.0000	RFQ	5	Intersil	*	大部分	积极的				ISL6609		未行业行业经验证			-	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	2,500
NCP5351MNR2G	-	RFQ	6800	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-30°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-vfdfn暴露垫	NCP5351	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜6.5V	10-DFN （3x3）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	同步	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2V	4a，4a	8NS，14NS	25 v
LM5102mm	-	RFQ	1098	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-tfsop，10-msop （0.118英寸，3.00mm宽度）	LM5102	不转变	未行业行业经验证	9V〜14V	10-VSSOP	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	1.6a，1.6a	600NS，600NS	118 v
ISL6613CBZ	-	RFQ	6106	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ISL6613	不转变	未行业行业经验证	10.8v〜13.2v	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	98	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
ISL6614ACRZ-T	3.1600	RFQ	4	Intersil	-	大部分	积极的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	16-VQFN暴露垫	ISL6614	不转变	未行业行业经验证	10.8v〜13.2v	16 QFN （4x4）	下载					Ear99	8542.39.0001	1	同步	半桥	4	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
2SB315B-CM1200DC-34N	-	RFQ	7400	电源集成	Scale™-1	大部分	过时的	-	底盘安装	模块	2SB315	-	未行业行业经验证	0v〜16V	模块	下载		（1 （无限）			Ear99	8473.30.1180	2	单身的	半桥	2	Igbt，n通道，p通道Mosfet	-	-	-
2EDN7534GXTMA1	1.6300	RFQ	4124	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-WDFN暴露垫	2EDN7534	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜20V	PG-WSON-8-1	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	4,000	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET		5a，5a
Fan7380m	-	RFQ	1086	Onmi	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	Fan7380	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	8,100	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	90mA，180mA	230ns，90ns	600 v
2EDN8533RXTMA1	1.3300	RFQ	7425	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）	2EDN8533	反转	未行业行业经验证	4.5V〜20V	PG-TSSOP-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	5,000	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET		5a，5a
1SC0450V2B0-65	280.9400	RFQ	8560	电源集成	Scale™-2	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	模块	1SC0450	-	未行业行业经验证	14.5v〜15.5V	模块	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		1810-1080	Ear99	8543.70.9860	12	单身的	高方面或低侧	1	IGBT	-	50a，50a	30ns，25ns	6500 v
AOZ7200CI	1.4300	RFQ	530	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	SC-74A，SOT-753	AOZ7200	不转变	未行业行业经验证	18V	SOT-23-5	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	独立的	全桥	2	n通道MOSFET	-	300mA，300mA	-	600 v
DGD2012S8-13	-	RFQ	4140	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	DGD2012	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-so	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.5V	1.9a，2.3a	40NS，20NS	200 v
2DMB51507CC	-	RFQ	1858年	塔穆拉	-	大部分	过时的	-40°C〜85°C	通过洞	模块	2DMB51507	不转变	未行业行业经验证	3v〜5.5V	模块	下载	rohs3符合条件	不适用		132-2DMB51507CC	Ear99	8542.39.0001	120	独立的	半桥	2	IGBT，SIC MOSFET	-	5mA， -	500NS，500NS
TLE9183QKXUMA1	8.2500	RFQ	8218	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	-	-	TLE9183	-	未行业行业经验证	-	-	-	rohs3符合条件		到达不受影响				1,900	3相	半桥	3	n通道MOSFET	-	-	-
MCP14A0302T-E/KBA	1.1100	RFQ	4	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装，可润湿的侧面	8-WFDFN暴露垫	MCP14A0302	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-WDFN （2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	单身的	高方面或低侧	1	IGBT	0.8V，2V	3a，3a	13ns，12ns
MCP14A0901T-E/SN	1.5150	RFQ	8509	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MCP14A0901	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,300	同步	高方面或低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2V	9a，9a	22ns，22ns
ISL6622AIRZ-TS2705	-	RFQ	7911	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	10-vfdfn暴露垫	ISL6622	不转变	未行业行业经验证	6.8v〜13.2V	10-DFN （3x3）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	20-ISL6622AIRZ-TS2705	Ear99	8542.39.0001	1	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
PX3516ADDGR4XTMA1	-	RFQ	2984	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-25°C〜150°C（TJ）	表面安装	10-vfdfn暴露垫	PX3516	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜6V	PG-TDSON-10-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	4,000	同步	半桥	2	n通道MOSFET	1.3V，1.9V	2a，2a	10n，10n	30 V

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

门司机（（7161）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²