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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	sic可编程	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	频道类型	驱动配置	驾驶员数量	门类型	逻辑电压 -vil，vih	电流 -峰值输出（源，水槽，水槽）	上升 /秋季t （典型）	高侧电压 -最大（引导程序）
IXDI404SI-16	-	RFQ	9121	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	IXDI404	反转	未行业行业经验证	4.5V〜35V	16-Soic	下载		（1 （无限）	到达不受影响	IXDI404SI-16-NDR	Ear99	8542.39.0001	47	独立的	低侧	2	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2.5V	4a，4a	16ns，13ns
MCP14A0301-E/MS	1.0500	RFQ	1	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）	MCP14A0301	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-msop	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	单身的	高方面或低侧	1	IGBT	0.8V，2V	3a，3a	13ns，12ns
LM5106mmx	-	RFQ	4877	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-tfsop，10-msop （0.118英寸，3.00mm宽度）	LM5106	不转变	未行业行业经验证	8v〜14V	10-VSSOP	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,500	同步	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	1.2a，1.8a	15ns，10ns	118 v
MIC4428YN	1.9300	RFQ	3120	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	MIC4428	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	20N，29NS
MCP14E10-E/SN	2.3900	RFQ	2735	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MCP14E10	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	MCP14E10ESN	Ear99	8542.39.0001	100	独立的	低侧	2	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2.4V	3a，3a	25n，25n
MIC4422CTL2	-	RFQ	3783	微芯片技术	-	大部分	过时的	0°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-5	MIC4422	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	TO-220-5	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	300	单身的	低侧	1	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.4V	9a，9a	20N，24NS
ISL6605CRZ-TK	-	RFQ	3456	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-vqfn裸露的垫子	ISL6605	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜5.5V	8-qfn （3x3）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	同步	半桥	2	n通道MOSFET	1V，2V	2a，2a	8ns，8ns	33 V
MD1812K6-G	3.5700	RFQ	9442	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-25°C〜125°C（TA）	表面安装	16-VQFN暴露垫	MD1812	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜13V	16 QFN （4x4）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,300	独立的	半桥	4	n通道，p通道MOSFET	0.3V，1.7V	2a，2a	6ns，6ns
TC4421EPA	4.3600	RFQ	129	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	TC4421	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC4421EPA-NDR	Ear99	8542.39.0001	60	单身的	低侧	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2.4V	9a，9a	60n，60n
IR2183STRPBF	4.0200	RFQ	18	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IR2183	反转，无变形	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.7V	1.9a，2.3a	40NS，20NS	600 v
NCP81075MTTXG	3.4200	RFQ	8629	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C 〜140°C（TJ）	表面安装	10-wdfn暴露垫	NCP81075	不转变	未行业行业经验证	8.5V〜20V	10-WDFN （4x4）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	4,000	独立的	高方面或低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.7V	4a，4a	8NS，7NS	200 v
LM5109MAX	-	RFQ	5468	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	LM5109	不转变	未行业行业经验证	8v〜14V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）			Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	1a，1a	15ns，15ns	118 v
IR2131SPBF	-	RFQ	8723	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	28-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	IR2131	反转	未行业行业经验证	10v〜20V	28-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	25	独立的	半桥	6	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.2V	250mA，500mA	80n，40n	600 v
IRS2509C	-	RFQ	3597	Infineon技术	-	大部分	过时的				IRS2509		未行业行业经验证			下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001534988	Ear99	8542.39.0001	1
MCP1416T-E/OT	0.8800	RFQ	358	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	SC-74A，SOT-753	MCP1416	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	SOT-23-5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	单身的	低侧	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	20N，20N
IXB611P1	-	RFQ	1513年	ixys	-	盒子	过时的	-	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	IXB611	-	未行业行业经验证	-	8点	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	450	-	-		-	-	-	-
UCC27201DRMR	2.3600	RFQ	3	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C 〜140°C（TJ）	表面安装	8-vdfn暴露垫	UCC27201	不转变	未行业行业经验证	8v〜17V	8-VSON （4x4）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.5V	3a，3a	8NS，7NS	120 v
ISL95808WR5999	-	RFQ	7334	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的	-	-	-	ISL95808	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜5.5V	-	-				20-ISL95808WR5999	过时的		1	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	2a，2a	8ns，8ns	36 V
TC1427CUA713	-	RFQ	7893	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）	TC1427	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜16V	8-msop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC1427CUA713-NDR	Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，3V	1.2a，1.2a	35ns，25n
IXDI609CI	3.9400	RFQ	991	ixys集成电路部门	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-5	IXDI609	反转	未行业行业经验证	4.5V〜35V	TO-220-5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，3V	9a，9a	22ns，15ns
EL7222CSZ-T13	2.2712	RFQ	3388	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	EL7222	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜15V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	2a，2a	7.5NS，10NS
TPS2835DRG4	-	RFQ	5563	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm）	TPS2835	反转	未行业行业经验证	4.5V〜15V	14-Soic	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	n通道MOSFET	1V，2V	2.7a，2.4a	50n，40n	28 V
EL7104CNZ	6.6900	RFQ	1	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	EL7104	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜16V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-EL7104CNZ	Ear99	8542.39.0001	1,000	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	4a，4a	7.5NS，10NS
MIC4428CN	-	RFQ	2087	微芯片技术	-	大部分	过时的	0°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	MIC4428	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-pdip	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	20N，29NS
UCC27211ADRMT	2.3500	RFQ	4910	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C 〜140°C（TJ）	表面安装	8-vdfn暴露垫	UCC27211	不转变	未行业行业经验证	8v〜17V	8-VSON （4x4）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	250	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	1.3V，2.7V	4a，4a	7.2NS，5.5NS	120 v
stsr3cd-tr	-	RFQ	7036	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	STSR3	不转变	未行业行业经验证	4v〜5.5V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	低侧	1	n通道MOSFET	-	2a，3.5a	40n，30ns
LTC1154CN8	-	RFQ	8396	模拟设备公司	-	管子	积极的	0°C〜70°C（TA）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	LTC1154	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	单身的	高方向	1	n通道MOSFET	0.8V，2V	-	-
ISL6612ACBZ	2.9200	RFQ	369	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ISL6612	不转变	未行业行业经验证	10.8v〜13.2v	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	98	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
MC34151DR2	-	RFQ	1442	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MC34151	反转	未行业行业经验证	6.5v〜18V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.6V	1.5a，1.5a	31ns，32ns
TPIC46L02DB	2.2459	RFQ	3583	Texas Instruments	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	28SSOP（0.209英寸，宽度为5.30mm）	TPIC46L02	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜5.5V	28 sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	独立的	低侧	6	n通道MOSFET	-	1.2mA，1.2mA	3.5µs，3µs

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

门司机（（7161）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²