RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

门司机（（7161）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	sic可编程	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	频道类型	驱动配置	驾驶员数量	门类型	逻辑电压 -vil，vih	电流 -峰值输出（源，水槽，水槽）	上升 /秋季t （典型）	高侧电压 -最大（引导程序）
ISL2110ABZ	5.6700	RFQ	17	Renesas Electronics America Inc	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ISL2110	不转变	未行业行业经验证	8v〜14V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-isl2110abz	Ear99	8542.39.0001	980	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	3.7V，7.4V	3a，4a	9NS，7.5NS	114 v
VLA504-01	-	RFQ	2878	Powerex Inc.	-	大部分	过时的	-20°C〜60°C（TA）	通过洞	14 sip模块，12条线索	VLA504	不转变	未行业行业经验证	14V〜15V	模块	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	单身的	高方面或低侧	1	IGBT	-	3a，3a	300NS，300NS
UCC27526DSDT	1.5000	RFQ	8628	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C 〜140°C（TJ）	表面安装	8-WDFN暴露垫	UCC27526	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-son （3x3）	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	250	独立的	低侧	2	IGBT，N通道MOSFET	1V，2.3V	5a，5a	7NS，6NS
MCP14A0155T-E/SN	1.1400	RFQ	7713	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MCP14A0155	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,300	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2V	1.5a，1.5a	11.5NS，10NS
IXDN430CI	-	RFQ	8483	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-5	IXDN430	不转变	未行业行业经验证	8.5V〜35V	TO-220-5	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，3.5V	30a，30a	18NS，16NS
LTC444444IMS8E-5 trpbf	3.3000	RFQ	7203	模拟设备公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop （0.118英寸，3.00mm宽）	LTC4444	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜13.5V	8-msop-ep	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	1.85V，3.25V	2.5a，3a	8NS，5NS	114 v
MIC4426CN	-	RFQ	8025	微芯片技术	-	大部分	过时的	0°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	MIC4426	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-pdip	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	20N，29NS
IRS2111STRPBF	1.3617	RFQ	3299	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRS2111	反转，无变形	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	8.3V，12.6V	290mA，600mA	75ns，35ns	600 v
tps2813d	1.8519	RFQ	4034	Texas Instruments	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TPS2813	反转，无变形	未行业行业经验证	4V〜14V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	75	同步	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	1V，4V	2a，2a	14ns，15ns
UCC27528QDRQ1	1.2570	RFQ	5280	Texas Instruments	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C 〜140°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	UCC27528	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	IGBT，N通道MOSFET	-	5a，5a	7NS，6NS
MCP14628-E/SN	1.8900	RFQ	2	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MCP14628	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜5.5V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	MCP14628ESN	Ear99	8542.39.0001	100	同步	半桥	2	n通道MOSFET	0.5V，2V	2a，2a	10n，10n	36 V
2DUD51008CFP3	-	RFQ	3132	塔穆拉	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	底盘安装	模块	2DUD51008	不转变	未行业行业经验证	13v〜28V	模块	-	Rohs符合条件	不适用		132-2DUD51008CFP3	Ear99	8542.39.0001	20	同步	半桥	2	IGBT	-	-	-	1200 v
SCV7512FTR2G	0.8100	RFQ	40	Onmi	*	大部分	积极的				SCV7512		未行业行业经验证			-	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	2,000
TPD7107F，BXH	1.3254	RFQ	8343	东芝半导体和存储	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-WFDFN暴露垫	TPD7107	不转变	未行业行业经验证	5.75V〜26V	10-wson（3x3）	下载					Ear99	8542.39.0001	4,000	单身的	高方向	1	n通道MOSFET	0.6V，2.4V	5mA	-
ixdd614si	7.7000	RFQ	6	ixys集成电路部门	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IXDD614	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜35V	8-SOIC-EP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	单身的	低侧	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，3V	14a，14a	25NS，18NS
HIP6601BCBZ-T	-	RFQ	3766	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	HIP6601	不转变	未行业行业经验证	10.8v〜13.2v	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	-	20N，20N	15 v
IRS21844MTRPBF	3.3600	RFQ	4140	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	16-VFQFN暴露垫，14个线索	IRS21844	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	16-MLPQ （4x4）	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	同步	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.5V	1.9a，2.3a	40NS，20NS	600 v
DRV8300NRGER	1.5200	RFQ	28	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	24-VFQFN暴露垫	DRV8300	不转变	未行业行业经验证	5v〜20V	24-VQFN （4x4）	下载	不适用	2（1年）		296-DRV8300NRGERTR	Ear99	8542.39.0001	3,000	3相	高侧和低侧	3	n通道MOSFET	0.8V，2V	750mA，1.5a	12n，12ns	105 v
MIC4422AYN	3.2800	RFQ	4164	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	MIC4422	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	n通道MOSFET	0.8V，3V	9a，9a	20N，24NS
TC427EUA713	-	RFQ	1160	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）	TC427	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-msop	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC427EUA713-NDR	Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	30ns，30ns
LM5104MX	-	RFQ	5785	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	LM5104	反转，无变形	未行业行业经验证	9V〜14V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	1.6a，1.6a	600NS，600NS	118 v
ISL6700IR-T	0.6800	RFQ	5	Intersil	-	大部分	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	12-VQFN暴露垫	ISL6700	不转变	未行业行业经验证	9V〜15V	12-qfn （4x4）	下载	Rohs不合规				Ear99	8542.39.0001	6,000	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	1.4a，1.3a	5n，5ns	80 V
2DM150606CM	-	RFQ	2529	塔穆拉	-	托盘	积极的	-30°C〜85°C（TA）	通过洞	34浸模块，31条线索	2DM150606	-	未行业行业经验证	15V〜24V	0502	下载	Rohs符合条件	不适用			Ear99	8542.39.0001	25	独立的	半桥	2	IGBT	0.8V，2V	-	-
LM5100AMRX/NOPB	1.4595	RFQ	4070	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Powersoic（0.154英寸，3.90mm宽度）	LM5100	不转变	未行业行业经验证	9V〜14V	8-SO POWERPAD	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	2.3V， -	3a，3a	430ns，260ns	118 v
MC34151DR2	-	RFQ	1442	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MC34151	反转	未行业行业经验证	6.5v〜18V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.6V	1.5a，1.5a	31ns，32ns
TCK421G，L3F	0.8500	RFQ	5	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	6-XFBGA，WLCSP	TCK421	不转变	未行业行业经验证	2.7V〜28V	6-WCSPG（0.8x1.2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8542.39.0001	5,000	同步	高侧和低侧	2	n通道MOSFET	0.4V，1.2V	-	-
UCC27321DR	1.6300	RFQ	810	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	UCC27321	反转	未行业行业经验证	4V〜15V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	1.1V，2.7V	9a，9a	20N，20N
MIC4421ACN	-	RFQ	6900	微芯片技术	-	大部分	过时的	0°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	MIC4421	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-pdip	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	n通道MOSFET	0.8V，3V	9a，9a	20N，24NS
ISL6207CB	1.4600	RFQ	285	Intersil	-	管子	过时的	-10°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ISL6207	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜5.5V	8-SOIC	下载	Rohs不合规				Ear99	8542.39.0001	98	同步	半桥	2	n通道MOSFET	1V，2V	2a，2a	8ns，8ns	36 V
MCP14A0304-E/SN	1.1400	RFQ	159	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜125°C	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MCP14A0304	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	独立的	高方面或低侧	2	IGBT	0.8V，2V	3a，3a	12n，12ns

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

门司机（（7161）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²