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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 输入类型 | sic可编程 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 频道类型 | 驱动配置 | 驾驶员数量 | 门类型 | 逻辑电压 -vil,vih | 电流 -峰值输出(源,水槽,水槽) | 上升 /秋季t (典型) | 高侧电压 -最大(引导程序) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
LT8672EMS #PBF | 6.6300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 模拟设备公司 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 10-tfsop,10-msop (0.118英寸,3.00mm宽度) | LT8672 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 3v〜42v | 10-msop | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | 单身的 | 高方向 | 1 | n通道MOSFET | - | - | - | ||||
TC4422AVPA | 2.8200 | ![]() | 417 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 8 点点(0.300英寸,7.62mm) | TC4422 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 8-pdip | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 60 | 单身的 | 低侧 | 1 | Igbt,n通道,p通道Mosfet | 0.8V,2.4V | 10a,10a | 38ns,33ns | ||||
1EDN7512GXTMA1 | 1.2700 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Infineon技术 | eicedriver™ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 6-WDFN暴露垫 | 1EDN7512 | 反转,无变形 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜20V | PG-WSON-6-1 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 4,000 | 单身的 | 低侧 | 1 | n通道MOSFET | - | 4a,8a | 6.5NS,4.5NS | ||||
![]() | UCC27532DBVR | 1.3800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C 〜140°C(TJ) | 表面安装 | SOT-23-6 | UCC27532 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10v〜32v | SOT-23-6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 单身的 | 低侧 | 1 | IGBT,N通道MOSFET | 7.9V,8.8V | 2.5a,5a | 15ns,7ns | |||
![]() | max15019aasa+t | 3.9150 | ![]() | 7503 | 0.00000000 | ADI/MAXIM集成 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | Max15019 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 8v〜12.6V | 8-SOIC-EP | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 独立的 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 0.8V,2V | 3a,3a | 50n,40n | 125 v | ||
![]() | ISL6605CRZ | - | ![]() | 2839 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 过时的 | 0°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-vqfn裸露的垫子 | ISL6605 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜5.5V | 8-qfn (3x3) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 100 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 1V,2V | 2a,2a | 8ns,8ns | 33 V | ||
![]() | IXDD404SI | - | ![]() | 7490 | 0.00000000 | ixys | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | IXDD404 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜35V | 8-SOIC | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | IXDD404SI-NDR | Ear99 | 8542.39.0001 | 94 | 独立的 | 低侧 | 2 | Igbt,n通道,p通道Mosfet | 0.8V,2.5V | 4a,4a | 16ns,13ns | |||
![]() | LM5104M/NOPB | 3.5400 | ![]() | 19 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | LM5104 | 反转,无变形 | 未行业行业经验证 | 9V〜14V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 95 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 0.8V,2.2V | 1.6a,1.6a | 600NS,600NS | 118 v | ||
![]() | auirs2127str | - | ![]() | 3186 | 0.00000000 | Infineon技术 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | Auirs2127 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 12v〜20V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | SP001512314 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 单身的 | 高方向 | 1 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,2.5V | 290mA,600mA | 80n,40n | 600 v | |
![]() | MCP14A0304T-E/MS | 1.1400 | ![]() | 472 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C | 表面安装 | 8-tssop,8-msop(0.118英寸,3.00mm宽度) | MCP14A0304 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 8-msop | 下载 | rohs3符合条件 | 2(1年) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 独立的 | 高方面或低侧 | 2 | IGBT | 0.8V,2V | 3a,3a | 12n,12ns | |||
LTC1981ES5#trpbf | 4.2400 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 模拟设备公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | SOT-23-5薄,TSOT-23-5 | LTC1981 | 反转 | 未行业行业经验证 | 1.8V〜5.5V | TSOT-23-5 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.31.0001 | 2,500 | 单身的 | 高方向 | 1 | n通道MOSFET | 0.6V,1.4V | - | - | ||||
![]() | Auirs2127 | - | ![]() | 9511 | 0.00000000 | Infineon技术 | 汽车,AEC-Q100 | 管子 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | Auirs2127 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 12v〜20V | 8-SOIC | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | SP001511392 | Ear99 | 8542.39.0001 | 95 | 单身的 | 高方向 | 1 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,2.5V | 290mA,600mA | 80n,40n | 600 v | ||
![]() | TC4429VAT | 3.3900 | ![]() | 3928 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-5 | TC4429 | 反转 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | TO-220-5 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | 单身的 | 低侧 | 1 | n通道,p通道MOSFET | 0.8V,2.4V | 6a,6a | 25n,25n | |||
![]() | HIP2101IBZT | 4.5800 | ![]() | 1554年 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | HIP2101 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 9V〜14V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 独立的 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 0.8V,2.2V | 2a,2a | 10n,10n | 114 v | ||
![]() | max17604ata+t | 2.4500 | ![]() | 965 | 0.00000000 | ADI/MAXIM集成 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | Max17604 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4V〜14V | 8-tdfn (3x3) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道MOSFET | 2V,4.25V | 4a,4a | 40ns,25ns | |||
![]() | UCC27324DGN | 1.4900 | ![]() | 67 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-tssop,8-msop (0.118英寸,3.00mm宽) | UCC27324 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜15V | 8-HVSOP | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 80 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道,p通道MOSFET | 1V,2V | 4a,4a | 20N,15n | |||
![]() | IR21111 | - | ![]() | 6159 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | IR2111 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 8-SOIC | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | *IR2111S | Ear99 | 8542.39.0001 | 95 | 同步 | 半桥 | 2 | IGBT,N通道MOSFET | 8.3V,12.6V | 250mA,500mA | 80n,40n | 600 v | |
![]() | 6EDL04N06PTXUMA1 | 4.8300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Infineon技术 | eicedriver™ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 28-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | 6EDL04 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10v〜17.5V | PG-DSO-28 | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 3相 | 半桥 | 6 | Igbt,n通道,p通道Mosfet | 1.1V,1.7V | - | 60ns,26ns | 620 v | ||
![]() | IR21531S | - | ![]() | 4021 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | IR21531 | RC输入电路 | 未行业行业经验证 | 10v〜15.6V | 8-SOIC | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | *IR21531S | Ear99 | 8542.39.0001 | 95 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | - | - | 80ns,45ns | 600 v | |
![]() | NCV7512FTG | - | ![]() | 2522 | 0.00000000 | Onmi | 汽车,AEC-Q100,FlexMos™ | 托盘 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 32-LQFP | NCV7512 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.75V〜5.25V | 32-LQFP (7x7) | 下载 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 250 | 独立的 | 低侧 | 4 | n通道MOSFET | 0.8V,2V | - | 1.4µs,1.4µs (最大) | ||||
![]() | MIC5021YN | 4.4000 | ![]() | 371 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 通过洞 | 8 点点(0.300英寸,7.62mm) | MIC5021 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 12v〜36V | 8-pdip | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 576-1240 | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | 单身的 | 高方向 | 1 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,2V | - | 400NS,400NS | ||
![]() | Auirs2128S | - | ![]() | 7637 | 0.00000000 | Infineon技术 | 汽车,AEC-Q100 | 管子 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | Auirs2128 | 反转 | 未行业行业经验证 | 12v〜20V | 8-SOIC | 下载 | 3(168)) | 到达不受影响 | SP001511742 | Ear99 | 8542.39.0001 | 95 | 单身的 | 高方向 | 1 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,2.5V | 290mA,600mA | 80n,40n | 600 v | ||
ixdd630myi | 9.7600 | ![]() | 4 | 0.00000000 | ixys集成电路部门 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-6,D²Pak(5 + tab),TO-263BA | IXDD630 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 9V〜35V | TO-263-5 | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | 单身的 | 低侧 | 1 | Igbt,n通道,p通道Mosfet | 0.8V,3.5V | 30a,30a | 11n,11ns | ||||
![]() | LTC1155CS8 #PBF | 10.6700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 模拟设备公司 | - | 管子 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | LTC1155 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 8-so | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 100 | 独立的 | 高方向 | 2 | n通道MOSFET | 0.8V,2V | - | - | |||
![]() | IRS2112SPBF | 3.8200 | ![]() | 97 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 上次购买 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | IRS2112 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 16-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,980 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT,N通道MOSFET | 6V,9.5V | 290mA,600mA | 75ns,35ns | 600 v | ||
![]() | tps2835pwprg4 | - | ![]() | 5872 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 14-POWERTSOP (0.173英寸,4.40mm((4.40mm)) | TPS2835 | 反转 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜15V | 14-htssop | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,000 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 1V,2V | 2.7a,2.4a | 50n,40n | 28 V | ||
![]() | max5054aata/v+t | 3.8250 | ![]() | 4251 | 0.00000000 | ADI/MAXIM集成 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | Max5054 | 反转,无变形 | 未行业行业经验证 | 4V〜15V | 8-tdfn (3x3) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道MOSFET | - | 4a,4a | 32ns,26ns | |||
![]() | IR2302S | - | ![]() | 2114 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | IR2302 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 5v〜20V | 8-SOIC | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | *IR2302S | Ear99 | 8542.39.0001 | 950 | 同步 | 半桥 | 2 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,2.9V | 200mA,350mA | 130ns,50ns | 600 v | |
![]() | TC4422AVOA | 2.4600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | TC4422 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 100 | 单身的 | 低侧 | 1 | Igbt,n通道,p通道Mosfet | 0.8V,2.4V | 10a,10a | 38ns,33ns | |||
![]() | LTC4440IS6#trpbf | 3.6000 | ![]() | 4341 | 0.00000000 | 模拟设备公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | SOT-23-6薄,TSOT-23-6 | LTC4440 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 8v〜15v | TSOT-23-6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 单身的 | 高方向 | 1 | n通道MOSFET | 1.3V,1.6V | 2.4a,2.4a | 10n,7ns | 80 V |
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