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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	sic可编程	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	频道类型	驱动配置	驾驶员数量	门类型	逻辑电压 -vil，vih	电流 -峰值输出（源，水槽，水槽）	上升 /秋季t （典型）	高侧电压 -最大（引导程序）
IXDF602SI	1.2928	RFQ	1826年	ixys集成电路部门	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IXDF602	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜35V	8-SOIC-EP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	独立的	低侧	2	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，3V	2a，2a	7.5NS，6.5NS
ISL89164FBEBZ-T	2.9559	RFQ	6126	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ISL89164	反转	未行业行业经验证	4.5V〜16V	8-SOIC-EP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	1.85V，3.15V	6a，6a	20N，20N
IXD611S7T/r。	-	RFQ	8463	ixys	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm）	IXD611	不转变	未行业行业经验证	10v〜35V	14-Soic	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	2.4V，2.7V	600mA，600mA	28NS，18NS	600 v
TC4422AVOA	2.4600	RFQ	1	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TC4422	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	单身的	低侧	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2.4V	10a，10a	38ns，33ns
LM5109AMAX/NOPB	1.4900	RFQ	17	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	LM5109	不转变	未行业行业经验证	8v〜14V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	1a，1a	15ns，15ns	108 v
max5048baut+	-	RFQ	1073	ADI/MAXIM集成	-	条	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	SOT-23-6		反转，无变形		4v〜12.6V	SOT-6	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	175-MAX5048BAUT+	Ear99	8542.39.0001	150	单身的	低侧	1	n通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.3a，7.6a	8NS，3.2NS
TC4427EMF	1.0950	RFQ	1276	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-vdfn暴露垫	TC4427	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-DFN-S（ 6x5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC4427EMF-NDR	Ear99	8542.39.0001	60	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	19NS，19NS
TC4428VUA713	1.6200	RFQ	4811	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）	TC4428	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-msop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC4428VUA713-NDR	Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	19NS，19NS
MP1921HS-A-LF-P	1.2798	RFQ	4296	Monolithic Power Systems Inc.	MP	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		不转变		9v〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响	1589-MP1921HS-A-LF-PTR			500	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	-	2.5a，2.5a	12ns，9ns	120 v
MCZ33285EF	-	RFQ	8529	NXP USA Inc.	-	管子	过时的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MCZ33285	不转变	未行业行业经验证	7v〜40V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.31.0001	98	同步	高方向	2	n通道MOSFET	0.7V，1.7V	-	-
HIP2101IBZT	4.5800	RFQ	1554年	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	HIP2101	不转变	未行业行业经验证	9V〜14V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	2a，2a	10n，10n	114 v
max17604ata+t	2.4500	RFQ	965	ADI/MAXIM集成	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-WDFN暴露垫	Max17604	不转变	未行业行业经验证	4V〜14V	8-tdfn （3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	2V，4.25V	4a，4a	40ns，25ns
UCC27532DBVR	1.3800	RFQ	2	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C 〜140°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6	UCC27532	不转变	未行业行业经验证	10v〜32v	SOT-23-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	单身的	低侧	1	IGBT，N通道MOSFET	7.9V，8.8V	2.5a，5a	15ns，7ns
IRS2112SPBF	3.8200	RFQ	97	Infineon技术	-	管子	上次购买	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	IRS2112	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,980	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	6V，9.5V	290mA，600mA	75ns，35ns	600 v
FAN7081CM_F085	-	RFQ	2307	Onmi	汽车，AEC-Q100	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	Fan7081	反转	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	9,500	单身的	高方向	1	IGBT，N通道MOSFET	-	250mA，500mA	15ns，10ns	600 v
UCC27321DR	1.6300	RFQ	810	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	UCC27321	反转	未行业行业经验证	4V〜15V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	1.1V，2.7V	9a，9a	20N，20N
L6498L	-	RFQ	9647	Stmicroelectronics	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm）	L6498	CMOS/TTL	未行业行业经验证	10v〜20V	14件事	下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	独立的	高方面或低侧	2	IGBT，N通道MOSFET	1.45V，2V	2a，2.5a	25n，25n	500 v
ixdd630myi	9.7600	RFQ	4	ixys集成电路部门	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-6，D²Pak（5 + tab），TO-263BA	IXDD630	不转变	未行业行业经验证	9V〜35V	TO-263-5	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，3.5V	30a，30a	11n，11ns
LT8672HMS ＃PBF	7.3200	RFQ	150	模拟设备公司	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	10-tfsop，10-msop （0.118英寸，3.00mm宽度）	LT8672	不转变	未行业行业经验证	3v〜42v	10-msop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-2735-LT8672HMS ＃PBF	Ear99	8542.39.0001	50	单身的	高方向	1	n通道MOSFET	-	-	-
LTC1155CS8 ＃PBF	10.6700	RFQ	3	模拟设备公司	-	管子	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	LTC1155	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	独立的	高方向	2	n通道MOSFET	0.8V，2V	-	-
1EDN7512GXTMA1	1.2700	RFQ	10	Infineon技术	eicedriver™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫	1EDN7512	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜20V	PG-WSON-6-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	4,000	单身的	低侧	1	n通道MOSFET	-	4a，8a	6.5NS，4.5NS
NCP4414P	0.4200	RFQ	27	Onmi	*	大部分	积极的				NCP4414		未行业行业经验证			下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		Ear99	8542.39.0001	1
IRS2509SPBF	-	RFQ	2701	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRS2509	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载		2（1年）	到达不受影响	SP001548988	Ear99	8542.39.0001	95	同步	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.2V	200mA，350mA	150NS，50NS	600 v
LM9061MX	-	RFQ	4447	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	LM9061	不转变	未行业行业经验证	7v〜26V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	高方向	1	n通道MOSFET	1.5V，3.5V	-	-
FAN7392N	2.3300	RFQ	1	Onmi	-	管子	上次购买	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	14 浸（0.300英寸，7.62mm）	Fan7392	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	14-mdip	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	25	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	4.5V，9.5V	3a，3a	25NS，20NS	600 v
IR2136J	-	RFQ	3307	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	44-LCC（J-LEAD），32个领先优势	IR2136	反转	未行业行业经验证	10v〜20V	44-PLCC，32 条线索（16.58x16.58）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IR2136J	Ear99	8542.39.0001	27	3相	半桥	6	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，3V	200mA，350mA	125ns，50ns	600 v
MIC44F20YMME-TR	1.5400	RFQ	2473	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop （0.118英寸，3.00mm宽）	MIC44F20	反转	未行业行业经验证	4.5V〜13.2V	8-msop-ep	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	低侧	1	n通道MOSFET	1.607V，1.615V	6a，6a	10n，10n
UCC27325DR	1.7900	RFQ	5	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	UCC27325	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜15V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	1V，2V	4a，4a	20N，15n
LM25101AMRX/NOPB	-	RFQ	4683	国家半导体	-	大部分	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Powersoic（0.154英寸，3.90mm宽度）	LM25101	不转变	未行业行业经验证	9V〜14V	8-SO POWERPAD	下载						0000.00.0000	1	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	2.3V， -	3a，3a	430ns，260ns	100 v
TC4627EOE	5.0100	RFQ	7672	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	TC4627	不转变	未行业行业经验证	4V〜6V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC4627EOE-NDR	Ear99	8542.39.0001	47	单身的	高方面或低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	33ns，27ns

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

门司机（（7161）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²