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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	sic可编程	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	频道类型	驱动配置	驾驶员数量	门类型	逻辑电压 -vil，vih	电流 -峰值输出（源，水槽，水槽）	上升 /秋季t （典型）	高侧电压 -最大（引导程序）
EL7412CM-T13	-	RFQ	1373	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	20-SOIC （0.295英寸，7.50mm宽度）	EL7412	反转	未行业行业经验证	4.5V〜15V	20-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	独立的	半桥	4	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	2a，2a	7.5NS，10NS
NCD57001DWR2G	5.2400	RFQ	640	Onmi	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	NCD57001	反转，无变形	未行业行业经验证	24V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	单身的	半桥	1	IGBT	-	7.8a，7.1a	10n，15ns
max17604ata+t	2.4500	RFQ	965	ADI/MAXIM集成	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-WDFN暴露垫	Max17604	不转变	未行业行业经验证	4V〜14V	8-tdfn （3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	2V，4.25V	4a，4a	40ns，25ns
MCP14E9-E/MF	2.4800	RFQ	47	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-vdfn暴露垫	MCP14E9	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-DFN-S（ 6x5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	MCP14E9EMF	Ear99	8542.39.0001	60	独立的	低侧	2	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2.4V	3a，3a	14ns，17ns
IR2135	-	RFQ	2414	Infineon技术	-	管子	过时的	125°C（TJ）	通过洞	28- 浸（0.600英寸，15.24毫米）	IR2135	反转	未行业行业经验证	10v〜20V	28-pdip	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IR2135	Ear99	8542.39.0001	13	3相	半桥	6	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.2V	250mA，500mA	90NS，40NS	600 v
ISL89401ABZ-T	-	RFQ	8365	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ISL89401	不转变	未行业行业经验证	9V〜14V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	1.4V，2.2V	1.25a，1.25a	16ns，16ns	100 v
ixdd509siat/r	-	RFQ	6072	ixys	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IXDD509	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜30V	8-SOIC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	低侧	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2.4V	9a，9a	25ns，23ns
MCP14A0902T-E/MNY	1.6350	RFQ	2451	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-WFDFN暴露垫	MCP14A0902	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-tdfn （2x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,300	同步	高方面或低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2V	9a，9a	22ns，22ns
LM5110-3M/NOPB	2.9000	RFQ	10	Texas Instruments	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	LM5110	反转，无变形	未行业行业经验证	3.5V〜14V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	95	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	3a，5a	14ns，12ns
IRS2607DSPBF	-	RFQ	9284	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRS2607	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载		2（1年）	到达不受影响	SP001547148	Ear99	8542.39.0001	95	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.2V	200mA，350mA	150NS，50NS	600 v
LTC4446EMS8E＃trpbf	3.1050	RFQ	3747	模拟设备公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C	表面安装	8-tssop，8-msop （0.118英寸，3.00mm宽）	LTC4446	不转变	未行业行业经验证	7.2v〜13.5V	8-msop-ep	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	1.85V，3.25V	2.5a，3a	8NS，5NS	114 v
max628epa	-	RFQ	3086	ADI/MAXIM集成	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	Max628	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-pdip	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	2a，2a	25NS，20NS
tps2812p	2.5500	RFQ	573	Texas Instruments	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TA）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	TPS2812	不转变	未行业行业经验证	4V〜14V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	同步	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	1V，4V	2a，2a	14ns，15ns
IXA611P7	-	RFQ	7471	ixys	-	盒子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	14 浸（0.300英寸，7.62mm）	IXA611	不转变	未行业行业经验证	10v〜35V	14-PDIP	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	375	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	6V，7V	600mA，600mA	23ns，22ns	650 v
IR2101STR	-	RFQ	8263	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IR2101	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，3V	210mA，360mA	100NS，50NS	600 v
RAA229126GNP＃ha0	4.8412	RFQ	4911	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-	rohs3符合条件	3（168））		20-RAA22229126GNP＃ha0tr			1
FAN7382N	0.5500	RFQ	107	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	Fan7382	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8点	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	350mA，650mA	60n，30ns	600 v
LM2724ASD/NOPB	-	RFQ	8641	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-WDFN暴露垫	LM2724	不转变	未行业行业经验证	4.3V〜6.8V	8-wson（4x4）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	3a，3.2a	17ns，12ns	28 V
MIC4421亿	-	RFQ	6661	微芯片技术	-	大部分	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	MIC4421	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-pdip	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.4V	9a，9a	20N，24NS
4DUC51016CFA2	157.9100	RFQ	60	塔穆拉	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	底盘安装	模块	4DUC51016	不转变	未行业行业经验证	13v〜28V	模块	-	Rohs符合条件	不适用		132-4DUC51016CFA2	Ear99	8543.70.9860	20	同步	半桥	4	IGBT	-	-	-	1200 v
Max15070aeut+t	-	RFQ	2552	ADI/MAXIM集成	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6	Max15070	反转，无变形	未行业行业经验证	4V〜14V	SOT-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	低侧	1	n通道MOSFET	0.8V，2V	3a，7a	25ns，14ns
DGD0506AM10-13	0.5200	RFQ	7530	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	10-tfsop，10-msop （0.118英寸，3.00mm宽度）	DGD0506	不转变	未行业行业经验证	8v〜14V	10-msop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，2a	17ns，12ns	50 V
IRS2186PBF	2.0276	RFQ	7023	Infineon技术	-	管子	上次购买	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	IRS2186	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001546318	Ear99	8542.39.0001	50	独立的	高方面或低侧	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	4a，4a	22NS，18NS	600 v
IXDD509PI	-	RFQ	5143	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	IXDD509	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜30V	8点	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2.4V	9a，9a	25ns，23ns
IR2118pbf	4.4500	RFQ	4	Infineon技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	IR2118	反转	未行业行业经验证	10v〜20V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001533142	Ear99	8542.39.0001	50	单身的	高方向	1	IGBT，N通道MOSFET	6V，9.5V	250mA，500mA	80n，40n	600 v
IRS21271STRPBF	2.0400	RFQ	1	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRS21271	不转变	未行业行业经验证	9v〜20V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	高方向	1	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	290mA，600mA	80n，40n	600 v
TPS28226D	1.7100	RFQ	259	Texas Instruments	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TPS28226	不转变	未行业行业经验证	6.8v〜8.8V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	75	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	-	10n，10n	33 V
max15012dasa+t	-	RFQ	4876	ADI/MAXIM集成	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	Max15012	反转，无变形	未行业行业经验证	8v〜12.6V	8-SOIC-EP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	-	2a，2a	65ns，65ns	175 v
ISL89168FBEAZ	-	RFQ	1189	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ISL89168	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜16V	8-SOIC-EP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	98	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	1.22V，2.08V	6a，6a	20N，20N
IXDF602SIA	1.7100	RFQ	1	ixys集成电路部门	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IXDF602	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜35V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	100	独立的	低侧	2	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，3V	2a，2a	7.5NS，6.5NS

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

门司机（（7161）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²