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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	sic可编程	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	频道类型	驱动配置	驾驶员数量	门类型	逻辑电压 -vil，vih	电流 -峰值输出（源，水槽，水槽）	上升 /秋季t （典型）	高侧电压 -最大（引导程序）
MPQ6531GVE-AEC1-Z	1.9551	RFQ	9412	Monolithic Power Systems Inc.	汽车，AEC-Q100，MPQ	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	28-VFQFN暴露垫		不转变		5v〜60V	28-qfn （4x5）	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响	1589-MPQ6531GVE-AEC1-ZTR			5,000	3相	半桥	3	n通道MOSFET	0.8V，2V	800mA，1a	-
MP1923GS-P	-	RFQ	1387	Monolithic Power Systems Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		不转变		5v〜17V	8-SOIC	-	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响	1589-MP1923GS-PTR			500	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	-	7a，8a	7.2NS，5.5NS	120 v
MP1923GS-Z	-	RFQ	2978	Monolithic Power Systems Inc.	MP	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		不转变		5v〜17V	8-SOIC	-	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响	1589-MP1923GS-ZTR			2,500	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	-	7a，8a	7.2NS，5.5NS	120 v
MPQ1923GR-AEC1-Z	-	RFQ	6344	Monolithic Power Systems Inc.	汽车，AEC-Q100，MPQ	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-vdfn暴露垫		不转变		5v〜17V	8-qfn （4x4）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	1589-MPQ1923GR-AEC1-ZTR			5,000	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	-	7a，8a	7.2NS，5.5NS	120 v
MP1925HR-LF-Z	1.1382	RFQ	4577	Monolithic Power Systems Inc.	MP	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-vdfn暴露垫		不转变		8v〜15v	8-qfn （4x4）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	1589-MP1925HR-LF-ZTR			5,000	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	-	4a，5.9a	15ns，10ns	115 v
L99H92Q5-Tr	2.1327	RFQ	3876	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	表面安装，可润湿的侧面	32 QFN裸露的垫子		不转变		4.51V〜28V	32-QFN-EP（5x5）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	497-L99H92Q5-Tr			3,000	同步	半桥	4	n通道MOSFET	-	-	-
MPQ18024HN-AEC1-LF-P	2.3766	RFQ	5428	Monolithic Power Systems Inc.	汽车，AEC-Q100，MPQ	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		不转变		9V〜16V	8-SOIC-EP	下载	rohs3符合条件	2a （4周）	到达不受影响	1589-MPQ18024HN-AEC1-LF-PTR			500	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	-	4a，4a	15ns，9ns	110 v
MPQ6531GV-AEC1-P	2.7699	RFQ	9471	Monolithic Power Systems Inc.	汽车，AEC-Q100，MPQ	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	28-VFQFN暴露垫		不转变		5v〜60V	28-qfn （4x5）	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响	1589-MPQ6531GV-AEC1-PTR			500	3相	半桥	3	n通道MOSFET	0.8V，2V	800mA，1a	-
MP18024HN-LF-P	1.8124	RFQ	9324	Monolithic Power Systems Inc.	MP	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		不转变		9V〜16V	8-soice	下载	rohs3符合条件	2a （4周）	到达不受影响	1589-MP18024HNN-LF-PTR			500	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	-	4a，4a	15ns，9ns	100 v
L99H92QF-Tr	2.1558	RFQ	1313	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	表面安装	32 QFP裸露的垫子		不转变		4.51V〜28V	32-TQFP-EP（7x7）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	497-L99H92QF-Tr			2,400	同步	半桥	4	n通道MOSFET	-	-	-
TPD7107F，BXH	1.3254	RFQ	8343	东芝半导体和存储	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-WFDFN暴露垫	TPD7107	不转变	未行业行业经验证	5.75V〜26V	10-wson（3x3）	下载					Ear99	8542.39.0001	4,000	单身的	高方向	1	n通道MOSFET	0.6V，2.4V	5mA	-
NCV51513ABMNTWG	1.7000	RFQ	2	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	10-vfdfn暴露垫	NCV51513	反转，无变形	未行业行业经验证	8v〜19v	10-dfnw（（（（（（（（	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.3V	2a，3a	9NS，7NS	150 v
RAA229126GNP＃ha0	4.8412	RFQ	4911	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-	rohs3符合条件	3（168））		20-RAA22229126GNP＃ha0tr			1
RAA229620GNP＃ha0	4.8412	RFQ	1648年	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-	rohs3符合条件	3（168））		20-RAA229620GNP＃ha0tr			1
RAA229618GNP ＃MA0	8.4812	RFQ	3342	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-	rohs3符合条件	3（168））		20-RAA22229618GNP ＃MA0TR			1
RAA228926GNP＃ha0	7.9002	RFQ	2880	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-	rohs3符合条件	3（168））		20-RAA22228926GNP＃ha0tr			1
RAA228006GNP ＃AA0	8.4072	RFQ	6062	Renesas Electronics America Inc	-	管子	积极的									-	rohs3符合条件	3（168））		20-RAA228006GNP ＃AA0			1
V62/07624-01XE	4.1430	RFQ	7341	Texas Instruments	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-	rohs3符合条件			296-V62/07624-01XETR			2,500
UCC27284DRCR	0.7566	RFQ	8979	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C	表面安装，可润湿的侧面	10-vfdfn暴露垫		不转变		5.5V〜16V	10-VSON （3x3）	-	rohs3符合条件	2（1年）		296-UCC27284DRCRTR	Ear99	8542.39.0001	3,000	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	1.3V，1.9V	3a，3a	10n，10n	100 v
5962-0052102VFA	-	RFQ	2002	Texas Instruments	*	管子	积极的									下载	rohs3符合条件	不适用		296-5962-0052102VFA			1
5962-0151201VPA	-	RFQ	2323	Texas Instruments	*	管子	积极的									下载	rohs3符合条件	不适用		296-5962-0151201VPA			1
5962-8761903VFA	-	RFQ	6300	Texas Instruments	*	管子	积极的									下载	rohs3符合条件	不适用		296-5962-8761903VFA			1
5962-0051401QEA	-	RFQ	5473	Texas Instruments	*	管子	积极的									下载	rohs3符合条件	不适用		296-5962-0051401QEA			1
LM5060Q1MM/S7002430	-	RFQ	3121	Texas Instruments	-	大部分	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	10-tfsop，10-msop （0.118英寸，3.00mm宽度）		不转变		5.5V〜65V	10-VSSOP	-	rohs3符合条件			296-LM5060Q1MM/S7002430			1	单身的	高方向	1	n通道MOSFET	-	-	-
R2A25110KSP＃U50	7.1997	RFQ	7107	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	48-SSOP （0.240英寸，6.10mm宽度）		不转变			48-SSOP	-	rohs3符合条件	3（168））		559-R2A25110KSP＃U50			240	同步	高方面或低侧	2	IGBT	1.65V，3.85V	10a，10a	-
2ED1321S12MXUMA1	5.2900	RFQ	3971	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-		3（168））					1,000
TMC6100-LA	5.0900	RFQ	3724	ADI/MAXIM集成	-	托盘	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	37-VFQFN暴露垫		不转变		10v〜60V	37-QFN-EP（7x7）	-					Ear99	8542.39.0001	416	3相	半桥	6	n通道MOSFET	1.65V，3.85V	-	20N，20N
ICL7667CTV	1.2500	RFQ	8	哈里斯公司	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	通过洞	TO-99-8金属罐	ICL7667	反转	未行业行业经验证	4.5V〜15V	TO-99-8	下载	Rohs不合规	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1	独立的	高方面或低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2V	-	20N，20N
max15018aasa+t	-	RFQ	2281	ADI/MAXIM集成	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	Max15018	不转变	未行业行业经验证	8v〜12.6V	8-SOIC-EP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	-	3a，3a	50n，40n	125 v
LM5110-3M/NOPB	2.9000	RFQ	10	Texas Instruments	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	LM5110	反转，无变形	未行业行业经验证	3.5V〜14V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	95	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	3a，5a	14ns，12ns

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

门司机（（7161）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²