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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	sic可编程	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	频道类型	驱动配置	驾驶员数量	门类型	逻辑电压 -vil，vih	电流 -峰值输出（源，水槽，水槽）	上升 /秋季t （典型）	高侧电压 -最大（引导程序）
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TC4432EPA	4.1700	RFQ	167	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	TC4432	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜30V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	TC4432EPA-NDR	Ear99	8542.39.0001	60	单身的	高方面或低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	25ns，33ns
max17601aua+t	1.2450	RFQ	2798	ADI/MAXIM集成	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop （0.118英寸，3.00mm宽）	Max17601	不转变	未行业行业经验证	4V〜14V	8-umax-ep \| 8-usop-ep	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.1V	4a，4a	40ns，25ns
MCP14700T-E/MF	2.1900	RFQ	10	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-vdfn暴露垫	MCP14700	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜5.5V	8-DFN （3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,300	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	-	2a，2a	10n，10n	36 V
LM5107SD	-	RFQ	9176	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-WDFN暴露垫	LM5107	不转变	未行业行业经验证	8v〜14V	8-wson（4x4）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	1.3a，1.4a	15ns，15ns	118 v
UCD7138DRSR	1.0890	RFQ	2162	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫	UCD7138	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	6（3x3）	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	单身的	低侧	1	n通道MOSFET	1.08V，1.93V	4a，6a	4NS，3.5NS
TC4428AVOA	1.7800	RFQ	700	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TC4428	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC4428AVOA-NDR	Ear99	8542.39.0001	100	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	25n，25n
ISL89412IP	-	RFQ	9059	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	ISL89412	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-pdip	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	2a，2a	7.5NS，10NS
IR21091pbf	-	RFQ	7239	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	IR21091	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001538060	Ear99	8542.39.0001	3,000	同步	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.9V	200mA，350mA	150NS，50NS	600 v
SC1301AISTRT	-	RFQ	2613	Semtech Corporation	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	SC-74A，SOT-753	SC1301	不转变	未行业行业经验证	4.5v〜16.5V	SOT-23-5	下载		（1 （无限）			Ear99	8542.39.0001	3,000	单身的	低侧	1	n通道MOSFET	0.8V，2V	2a，2a	20N，20N
MCP14E9-E/MF	2.4800	RFQ	47	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-vdfn暴露垫	MCP14E9	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-DFN-S（ 6x5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	MCP14E9EMF	Ear99	8542.39.0001	60	独立的	低侧	2	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2.4V	3a，3a	14ns，17ns
ixdd408yi	-	RFQ	6967	ixys	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-6，D²Pak（5 + tab），TO-263BA	IXDD408	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜25V	TO-263-5	下载		（1 （无限）	到达不受影响	IXDD408YI-NDR	Ear99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，3.5V	8a，8a	14ns，15ns
LTC444444EMS8E-5 trpbf	5.8100	RFQ	2	模拟设备公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop （0.118英寸，3.00mm宽）	LTC4444	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜13.5V	8-msop-ep	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	1.85V，3.25V	2.5a，3a	8NS，5NS	114 v
MCP14A0302T-E/KBA	1.1100	RFQ	4	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装，可润湿的侧面	8-WFDFN暴露垫	MCP14A0302	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-WDFN （2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	单身的	高方面或低侧	1	IGBT	0.8V，2V	3a，3a	13ns，12ns
ISL6613BECB	-	RFQ	8927	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ISL6613	不转变	未行业行业经验证	7v〜13.2v	8-SOIC-EP	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	98	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
IR2112S	-	RFQ	9781	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	IR2112	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	16-Soic	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IR2112S	Ear99	8542.39.0001	45	独立的	高方面或低侧	2	IGBT，N通道MOSFET	6V，9.5V	250mA，500mA	80n，40n	600 v
IRS2113MTRPBF	4.1800	RFQ	7851	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	16-VFQFN暴露垫，14个线索	IRS2113	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	16-MLPQ （4x4）	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	6V，9.5V	2.5a，2.5a	25ns，17ns	600 v
UCC27321P	2.1900	RFQ	258	Texas Instruments	-	管子	积极的	-40°C〜105°C（TA）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	UCC27321	反转	未行业行业经验证	4V〜15V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	1.1V，2.7V	9a，9a	20N，20N
IXDF402SI	-	RFQ	4127	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IXDF402	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜35V	8-SOIC	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Q2687800	Ear99	8541.29.0095	50	独立的	低侧	2	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，3V	2a，2a	8ns，8ns
ADP3416JR-REEL7	-	RFQ	5064	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的				ADP3416					-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000
ZXGD3006E6TA	0.5800	RFQ	9146	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6	ZXGD3006	不转变	未行业行业经验证	（40V））	SOT-26	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	单身的	低侧	1	IGBT，SIC MOSFET	-	10a，10a	48ns，35ns
ISL6207CB-T	-	RFQ	4159	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-10°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ISL6207	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜5.5V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	n通道MOSFET	1V，2V	2a，2a	8ns，8ns	36 V
ISL6208CHRZ-T	-	RFQ	2335	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-10°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-vfdfn裸露的垫子	ISL6208	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜5.5V	8-DFN（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	6,000	同步	半桥	2	n通道MOSFET	0.5V，2V	2a，2a	8ns，8ns	33 V
TC4425AVOA713	1.8300	RFQ	9387	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TC4425	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,300	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	4.5a，4.5a	12n，12ns
QC962-8A	5.1100	RFQ	9960	Mornsun America，LLC	-	托盘	积极的	-40°C〜70°C	通过洞	14 sip模块，12条线索	QC962-8A	-	未行业行业经验证	-7V〜 -15V，14V〜18V	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2725-QC962-8A	Ear99	8542.39.0001	60	单身的	高方向	1	IGBT	-	8a，8a	600NS，400NS
MCP14E4-E/MF	2.6900	RFQ	6	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-vdfn暴露垫	MCP14E4	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-DFN-S（ 6x5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	60	独立的	低侧	2	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2.4V	4a，4a	15NS，18NS
IXDN430MCI	-	RFQ	9403	ixys	-	盒子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-5	IXDN430	不转变	未行业行业经验证	8.5V〜35V	TO-220-5	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，3.5V	30a，30a	18NS，16NS
ISL89162FRTAZ-T	-	RFQ	6307	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-WDFN暴露垫	ISL89162	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜16V	8-tdfn （3x3）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	6,000	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	1.22V，2.08V	6a，6a	20N，20N
L6385ED013TR	1.6600	RFQ	2698	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	L6385	反转	未行业行业经验证	（17V））	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	1.5V，3.6V	400mA，650mA	50ns，30ns	600 v
MCP14A0453T-E/MS	1.5500	RFQ	4659	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）	MCP14A0453	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-msop	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	IGBT	0.8V，2V	4.5a，4.5a	12n，12ns

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

门司机（（7161）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²