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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	sic可编程	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	频道类型	驱动配置	驾驶员数量	门类型	逻辑电压 -vil，vih	电流 -峰值输出（源，水槽，水槽）	上升 /秋季t （典型）	高侧电压 -最大（引导程序）
ncp3418adr2g	-	RFQ	9200	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	NCP3418	不转变	未行业行业经验证	4.6V〜13.2V	8-SOIC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2V	-	18NS，10NS	30 V
MCP14A0151T-E/CH	0.9100	RFQ	9519	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6	MCP14A0151	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	SOT-23-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	单身的	半桥	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2V	1.5a，1.5a	11.5NS，10NS
IR4426pbf	-	RFQ	4604	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	IR4426	反转	未行业行业经验证	6v〜20V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	独立的	低侧	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.7V	2.3a，3.3a	15ns，10ns
2EG01XCCN11N	77.8500	RFQ	30	塔穆拉	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C	底盘安装	模块	2EG01	不转变	未行业行业经验证	13.5v〜26.4V	模块	下载	rohs3符合条件	不适用		132-2EG01XCCN11N	Ear99	8543.70.9860	30	同步	半桥	2	IGBT	0.5V，3.3V	-	500NS，500NS	1700 v
ISL89367FRTAZ	5.2200	RFQ	11	Intersil	-	管子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	16-WFDFN暴露垫	ISL89367	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜16V	16-TDFN（5x3）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8542.39.0001	60	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	-	6a，6a	20N，20N
LTC7062EMSE ＃PBF	3.4300	RFQ	310	模拟设备公司	汽车，AEC-Q100	管子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	12-tssop （0.118英寸，3.00mm宽）	LTC7062	不转变	未行业行业经验证	5v〜14V	12-msop-ep	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	37	独立的	高方向	2	n通道MOSFET	-	-	18NS，14NS	115 v
IRS2186STRPBF	2.8000	RFQ	12	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRS2186	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	高方面或低侧	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	4a，4a	22NS，18NS	600 v
HIP6601BCB	-	RFQ	8031	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	HIP6601	不转变	未行业行业经验证	10.8v〜13.2v	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	98	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	-	20N，20N	15 v
NCP5106BPG	-	RFQ	9930	Onmi	-	管子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	NCP5106	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-pdip	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.3V	250mA，500mA	85ns，35ns	600 v
UCC27221PWP	2.1500	RFQ	180	单位树	-	管子	过时的	-55°C 〜115°C（TJ）	表面安装	14-POWERTSOP （0.173英寸，4.40mm（（4.40mm））	UCC27221	反转	未行业行业经验证	3.7V〜20V	14-htssop	下载	rohs3符合条件				Ear99	8542.39.0001	90	同步	半桥	2	n通道MOSFET	0.7V，2.6V	4a，4a	17ns，17ns
SC3111ESX	-	RFQ	5381	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的				SC3111		未行业行业经验证			-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-SC3111ESXTR	过时的		3,000
1SD210F2-FZ600R65KE3	-	RFQ	1910	电源集成	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C	底盘安装	模块	1SD210F2	-	未行业行业经验证	15.5v〜16.8V	模块	-		（1 （无限）		1810-1SD210F2-FZ600R65KE3	过时的		20	单身的	高方面或低侧	1	IGBT	-	6a，10a	100NS，100NS	1200 v
MCP14E3-E/SL	-	RFQ	9467	微芯片技术	-	管子	积极的		表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MCP14E3	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50		低侧	2
IR2130STRPBF	13.0600	RFQ	1	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	28-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	IR2130	反转	未行业行业经验证	10v〜20V	28-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	3相	半桥	6	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.2V	250mA，500mA	80n，35ns	600 v
SG1626L-883B	-	RFQ	9752	微芯片技术	军事，MIL-STD-883	托盘	积极的	-55°C〜125°C（TJ）	表面安装	20-CLCC	SG1626	反转	未行业行业经验证	22V	20-CLCC（8.89x8.89）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-SG1626L-883B	Ear99	8542.39.0001	50	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.7V，2V	3a	30ns，30ns
2CG010BBC14N	73.2700	RFQ	8430	塔穆拉	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	通过洞	模块	2CG010	不转变	未行业行业经验证	13v〜28V	模块	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	132-2CG010BBC14N	Ear99	8543.90.8885	30	独立的	半桥	2	IGBT，SIC MOSFET	1.65V，3.85V		500NS，500NS
HIP2100IR	1.0800	RFQ	1	Intersil	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	16-VQFN暴露垫	HIP2100	不转变	未行业行业经验证	9V〜14V	16 QFN（5x5）	下载	Rohs不合规				Ear99	8542.39.0001	60	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	4V，7V	2a，2a	10n，10n	114 v
max17605aua+t	1.2450	RFQ	7748	ADI/MAXIM集成	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop （0.118英寸，3.00mm宽）	Max17605	反转，无变形	未行业行业经验证	4V〜14V	8-umax-ep \| 8-usop-ep	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	IGBT，SIC MOSFET	2V，4.25V	4a，4a	40ns，25ns
ISL89164FRTCZ	-	RFQ	9028	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-vfdfn裸露的垫子	ISL89164	反转	未行业行业经验证	7.5V〜16V	8-tdfn （3x3）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	2.4V，9.6V	6a，6a	20N，20N
HIP2101IBZT	-	RFQ	4382	Intersil	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	HIP2101	不转变	未行业行业经验证	9V〜14V	8-SOIC	下载					Ear99	8542.39.0001	1	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	2a，2a	10n，10n	114 v
FAN7392MX	2.3300	RFQ	449	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	Fan7392	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	4.5V，9.5V	3a，3a	25NS，20NS	600 v
IRS21851SPBF	-	RFQ	1735年	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRS21851	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1	单身的	高方向	1	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	4a，4a	15ns，15ns	600 v
MCP1404-E/p	2.8000	RFQ	6678	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	MCP1404	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	MCP1404EP	Ear99	8542.39.0001	60	独立的	低侧	2	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2.4V	4.5a，4.5a	15NS，18NS
MCP14A1201T-E/MS	1.7400	RFQ	8503	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）	MCP14A1201	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-msop	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	低侧	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2V	12a，12a	25n，25n
LTC4444IMS8E trpbf	3.3000	RFQ	5485	模拟设备公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop （0.118英寸，3.00mm宽）	LTC4444	不转变	未行业行业经验证	7.2v〜13.5V	8-msop-ep	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	1.85V，3.25V	2.5a，3a	8NS，5NS	114 v
LTC7004HMSE＃trpbf	8.3500	RFQ	2	模拟设备公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	10-tfsop，10-msop （0.118英寸，3.00mm宽）	LTC7004	不转变	未行业行业经验证	3.5V〜15V	10-msop-ep	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	高方向	1	n通道MOSFET	-	-	90NS，40NS	60 V
TPS51601ADRBT	1.6700	RFQ	126	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TJ）	表面安装	8-vdfn暴露垫	TPS51601	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜5.5V	8-son （3x3）	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	250	同步	半桥	2	n通道MOSFET	0.7V，4V	-	15ns，10ns
IR2233pbf	22.7000	RFQ	9433	Infineon技术	-	管子	积极的	125°C（TJ）	通过洞	28- 浸（0.600英寸，15.24毫米）	IR2233	反转	未行业行业经验证	10v〜20V	28-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	494	3相	半桥	6	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2V	250mA，500mA	90NS，40NS	1200 v
LM2724AM/NOPB	1.1100	RFQ	1	国家半导体	-	管子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	LM2724	不转变	未行业行业经验证	4.3V〜6.8V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件				Ear99	8542.39.0001	95	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	3a，3.2a	17ns，12ns	28 V
FAN3227TMX	-	RFQ	4858	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FAN3227	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载					Ear99	8542.39.0001	1	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2V	3a，3a	12ns，9ns

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

门司机（（7161）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²