SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 sic可编程 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 频道类型 驱动配置 驾驶员数量 门类型 逻辑电压 -vil,vih 电流 -峰值输出(源,水槽,水槽) 上升 /秋季t (典型) 高侧电压 -最大(引导程序)
FAN3121CMX-F085 Fairchild Semiconductor FAN3121CMX-F085 1.5400
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Fairchild半导体 汽车,AEC-Q100 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) FAN3121 反转 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.31.0001 2,500 单身的 低侧 1 n通道MOSFET - 10.6a,11.4a 23ns,19ns
ADP3110KRZ-RL-AD ADI ADP3110KRZ-RL-AD 0.8000
RFQ
ECAD 33 0.00000000 模拟设备公司 - 大部分 积极的 0°C〜85°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) ADP3110 反转,无变形 未行业行业经验证 4.6V〜13.2V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8542.39.0001 2,500 同步 半桥 2 n通道MOSFET 0.8V,2V - 40n,30ns 30 V
IRS21851SPBF International Rectifier IRS21851SPBF -
RFQ
ECAD 1735年 0.00000000 国际整流器 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) IRS21851 不转变 未行业行业经验证 10v〜20V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 2(1年) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 1 单身的 高方向 1 IGBT,N通道MOSFET 0.8V,2.5V 4a,4a 15ns,15ns 600 v
IRS25091SPBF International Rectifier IRS25091SPBF 0.6100
RFQ
ECAD 72 0.00000000 国际整流器 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) IRS25091 不转变 未行业行业经验证 10v〜20V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 2(1年) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 1 同步 半桥 2 IGBT,N通道MOSFET 0.8V,2.2V 200mA,350mA 150NS,50NS 600 v
IRS2330JTRPBF International Rectifier IRS2330JTRPBF 3.7000
RFQ
ECAD 8 0.00000000 国际整流器 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 44-LCC(J-LEAD),32个领先优势 IRS2330 反转 未行业行业经验证 10v〜20V 44-PLCC,32 条线索(16.58x16.58) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 500 3相 半桥 6 IGBT,N通道MOSFET 0.8V,2.2V 250mA,500mA 80n,35ns 600 v
LM5101AM National Semiconductor LM5101AM -
RFQ
ECAD 8990 0.00000000 国家半导体 - 大部分 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) LM5101 不转变 未行业行业经验证 9V〜14V 8-SOIC - Rohs不合规 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8542.39.0001 1 独立的 半桥 2 n通道MOSFET 2.3V, - 3a,3a 430ns,260ns 118 v
UC2714DP Unitrode UC2714DP 0.7100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 单位树 - 大部分 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 16-Soic(0.154英寸,宽度为3.90mm) UC2714 不转变 未行业行业经验证 7v〜20V 16-Soic 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8542.39.0001 1 同步 低侧 2 n通道,p通道MOSFET 0.8V,2V 500mA,1a 30ns,25ns
IR21064PBF International Rectifier IR21064pbf 1.7100
RFQ
ECAD 4 0.00000000 国际整流器 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 通过洞 14 浸(0.300英寸,7.62mm) IR21064 不转变 未行业行业经验证 10v〜20V 14浸 下载 不适用 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 1 独立的 高方面或低侧 2 IGBT,N通道MOSFET 0.8V,2.9V 200mA,350mA 150NS,50NS 600 v
IRS2332JPBF International Rectifier IRS2332JPBF 3.7000
RFQ
ECAD 744 0.00000000 国际整流器 - 大部分 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 44-LCC(J-LEAD),32个领先优势 IRS2332 反转 未行业行业经验证 10v〜20V 44-PLCC,32 条线索(16.58x16.58) 下载 不适用 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 1 3相 半桥 6 IGBT,N通道MOSFET 0.8V,0.8V 250mA,500mA 80n,35ns 600 v
IRS21094PBF Infineon Technologies IRS21094pbf -
RFQ
ECAD 9058 0.00000000 Infineon技术 - 管子 在sic中停产 -40°C〜150°C(TJ) 通过洞 14 浸(0.300英寸,7.62mm) IRS21094 不转变 未行业行业经验证 10v〜20V 14浸 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 SP001534414 Ear99 8542.39.0001 25 同步 半桥 2 IGBT,N通道MOSFET 0.8V,2.5V 290mA,600mA 100NS,35NS 600 v
LTC4444MPMS8E-5#TRPBF ADI LTC444444MPMS8E-5 trpbf 5.1900
RFQ
ECAD 3621 0.00000000 模拟设备公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-tssop,8-msop (0.118英寸,3.00mm宽) LTC4444 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜13.5V 8-msop-ep 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 半桥 2 n通道MOSFET 1.85V,3.25V 2.5a,3a 8NS,5NS 114 v
5962-9579801M2A Texas Instruments 5962-9579801M2A -
RFQ
ECAD 3460 0.00000000 Texas Instruments * 管子 积极的 下载 rohs3符合条件 不适用 296-5962-9579801M2A 1
IR2214SSTRPBF Infineon Technologies IR2214SSTRPBF 7.4100
RFQ
ECAD 13 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 24SSOP (0.209“,5.30mm宽度) IR2214 不转变 未行业行业经验证 11.5v〜20V 24 SSOP 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,000 独立的 半桥 2 IGBT 0.8V,2V 2a,3a 24ns,7ns 1200 v
IX4425MTR IXYS Integrated Circuits Division IX4425MTR -
RFQ
ECAD 9549 0.00000000 ixys集成电路部门 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) IX4425 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜30V 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,000 独立的 低侧 2 n通道,p通道MOSFET 0.8V,3V 3a,3a 18N,18NS
FAN7384MX onsemi FAN7384MX 2.1100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 上次购买 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 14- 材料( 0.154英寸,宽度为3.90mm) Fan7384 不转变 未行业行业经验证 13v〜20V 14分 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 3,000 独立的 半桥 2 IGBT,N通道MOSFET 1.2V,2.5V 250mA,500mA 50ns,30ns 600 v
TSC427CPA ADI/Maxim Integrated TSC427CPA 1.7800
RFQ
ECAD 1 0.00000000 ADI/MAXIM集成 - 大部分 积极的 0°C〜70°C 通过洞 8 点点(0.300英寸,7.62mm) TSC427 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-pdip 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8542.39.0001 1 独立的 低侧 2 n通道,p通道MOSFET 0.8V,2V 1.5a,1.5a 20N,20N
EL7104CS Intersil EL7104CS -
RFQ
ECAD 2438 0.00000000 Intersil - 管子 过时的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) EL7104 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜16V 8-SOIC 下载 Rohs不合规 Ear99 8542.39.0001 97 单身的 低侧 1 n通道,p通道MOSFET 0.8V,2.4V 4a,4a 7.5NS,10NS
IR2112STRPBF Infineon Technologies IR2112STRPBF 4.1700
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) IR2112 不转变 未行业行业经验证 10v〜20V 16-Soic 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 1,000 独立的 高方面或低侧 2 IGBT,N通道MOSFET 6V,9.5V 250mA,500mA 80n,40n 600 v
NCD5703ADR2G onsemi NCD5703ADR2G 2.0000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) NCD5703 不转变 未行业行业经验证 20V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 单身的 半桥 1 IGBT 0.75V,4.3V 7.8a,6.8a 9.2NS,7.9NS
MCP1406-E/SN Microchip Technology MCP1406-E/SN 1.3700
RFQ
ECAD 2930 0.00000000 微芯片技术 - 管子 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) MCP1406 反转 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 MCP1406ESN Ear99 8542.39.0001 100 单身的 低侧 1 Igbt,n通道,p通道Mosfet 0.8V,2.4V 6a,6a 20N,20N
1SC0450E2A0-45 Power Integrations 1SC0450E2A0-45 150.1175
RFQ
ECAD 6955 0.00000000 电源集成 Scale™-2 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 模块 1SC0450 - 未行业行业经验证 14.5v〜15.5V 模块 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) 1810-1004 Ear99 8473.30.1180 12 单身的 高方面或低侧 1 IGBT - 50a,50a 30ns,25ns 4500 v
TPIC46L02DBG4 Texas Instruments TPIC46L02DBG4 -
RFQ
ECAD 8133 0.00000000 Texas Instruments - 管子 在sic中停产 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 28SSOP(0.209英寸,宽度为5.30mm) TPIC46L02 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜5.5V 28 sop 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 50 独立的 低侧 6 n通道MOSFET - 1.2mA,1.2mA 3.5µs,3µs
ISL6612BCR Renesas Electronics America Inc ISL6612BCR -
RFQ
ECAD 6298 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 管子 过时的 0°C〜125°C(TJ) 表面安装 10-vfdfn暴露垫 ISL6612 不转变 未行业行业经验证 7v〜13.2v 10-DFN (3x3) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 100 同步 半桥 2 n通道MOSFET - 1.25a,2a 26NS,18NS 36 V
IX2204NE IXYS Integrated Circuits Division ix2204ne -
RFQ
ECAD 6336 0.00000000 ixys集成电路部门 - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 16-Soic(0.154英寸,宽度为3.90mm) IX2204 不转变 未行业行业经验证 -10V〜25V 16-Soic - (1 (无限) 到达不受影响 CLA410 Ear99 8542.39.0001 50 独立的 低侧 2 IGBT 0.8V,2V 2a,4a - ,8ns
NCP5901EMNTBG onsemi NCP5901EMNTBG -
RFQ
ECAD 5595 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜150°C(TJ) 表面安装 8-vfdfn裸露的垫子 NCP5901 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜13.2V 8-DFN(2x2) - (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 3,000 同步 半桥 2 n通道MOSFET 1V,2V - 16ns,11ns 35 v
UCC27201ADRCR Texas Instruments UCC27201ADRCR 2.3600
RFQ
ECAD 7263 0.00000000 Texas Instruments - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C 〜140°C(TJ) 表面安装 10-vfdfn暴露垫,9条线索 UCC27201 不转变 未行业行业经验证 8v〜17V 9-VSON (3x3) 下载 rohs3符合条件 2(1年) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 3,000 独立的 半桥 2 n通道MOSFET 0.8V,2.5V 3a,3a 8NS,7NS 120 v
LTC7003MPMSE#PBF ADI LTC7003MPMSE #PBF 18.5000
RFQ
ECAD 2632 0.00000000 模拟设备公司 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 16-tfsop (0.118,3.00mm宽) LTC7003 不转变 未行业行业经验证 3.5V〜15V 16-msop-ep 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 37 单身的 高方向 1 n通道MOSFET - - 90NS,40NS 60 V
CHL8505CRT Infineon Technologies CHL8505CRT -
RFQ
ECAD 4481 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 10-vfdfn暴露垫 CHL8505CRT 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜5.5V 10-DFN (3x3) 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 3,000 同步 半桥 2 n通道MOSFET 0.8V,1V 2a,2a 10n,8ns 35 v
MCP1404-E/P Microchip Technology MCP1404-E/p 2.8000
RFQ
ECAD 6678 0.00000000 微芯片技术 - 管子 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 通过洞 8 点点(0.300英寸,7.62mm) MCP1404 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-pdip 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 MCP1404EP Ear99 8542.39.0001 60 独立的 低侧 2 Igbt,n通道,p通道Mosfet 0.8V,2.4V 4.5a,4.5a 15NS,18NS
TC4425VOE Microchip Technology TC4425VOE 2.8300
RFQ
ECAD 3980 0.00000000 微芯片技术 - 管子 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) TC4425 反转,无变形 未行业行业经验证 4.5V〜18V 16-Soic 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 TC4425VOE-NDR Ear99 8542.39.0001 47 独立的 低侧 2 n通道,p通道MOSFET 0.8V,2.4V 3a,3a 23ns,25ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库