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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 输入类型 | sic可编程 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 频道类型 | 驱动配置 | 驾驶员数量 | 门类型 | 逻辑电压 -vil,vih | 电流 -峰值输出(源,水槽,水槽) | 上升 /秋季t (典型) | 高侧电压 -最大(引导程序) | sic可编程 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SC3111ESX | - | ![]() | 5381 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | SC3111 | 未行业行业经验证 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 488-SC3111ESXTR | 过时的 | 3,000 | |||||||||||||||||
![]() | RAA2261104GNP #AA0 | 4.9100 | ![]() | 9504 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜125°C | 表面安装 | 16-VQFN暴露垫 | RAA2261104 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 6.5v〜18V | 16 QFN (4x4) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 20-RAA222261104GNP #AA0 | Ear99 | 8542.39.0001 | 25 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道MOSFET | 1.6V,2.3V | 2a,1.2a | 30ns,31ns | |||
![]() | HIP2210FRTZ-T7A | 2.3100 | ![]() | 7911 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 10-wdfn暴露垫 | HIP2210 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 6v〜18V | 10-tdfn (4x4) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 250 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 1.47V,1.84V | 3a,4a | 435ns,365ns | 115 v | |||
![]() | AOZ7200CI | 1.4300 | ![]() | 530 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | SC-74A,SOT-753 | AOZ7200 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 18V | SOT-23-5 | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 独立的 | 全桥 | 2 | n通道MOSFET | - | 300mA,300mA | - | 600 v | |||
![]() | AOZ7270DI | 3.6200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 12-powertdfn | AOZ7270 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 16V | 12-DFN-EP(5x7) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 独立的 | 全桥 | 2 | n通道MOSFET | - | - | - | 600 v | |||
![]() | UCC27282QDDAQ1 | 1.9600 | ![]() | 8880 | 0.00000000 | Texas Instruments | 汽车,AEC-Q100 | 管子 | 积极的 | -40°C〜125°C | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | UCC27282 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 5.5V〜16V | 8-SOIC | - | 不适用 | 2(1年) | 296-UCC27282QDDAQ1 | Ear99 | 8542.39.0001 | 75 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 1.3V,1.9V | 2.5a,3.5a | 12n,10n | 120 v | |||
![]() | ZL1505ALNFT1S2568 | - | ![]() | 2778 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 大部分 | 过时的 | ZL1505 | 未行业行业经验证 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 20-ZL1505ALNFT1S2568 | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||
IRS2007MTRPBFXUMA1 | 1.8300 | ![]() | 9043 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 14-VFQFN暴露垫 | IRS2007 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 14-MLPQ (4x4) | 下载 | rohs3符合条件 | 2(1年) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 同步 | 半桥 | 2 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,2.5V | 290mA,600mA | 70NS,30NS | 200 v | ||||
![]() | BD2310G-Tr | 1.4200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C | 表面安装 | SC-74A,SOT-753 | BD2310 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 5-SSOP | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 单身的 | 低侧 | 1 | IGBT,N通道MOSFET | - | 4a,4a | 10n,10n | ||||
![]() | LF21064NTR | 1.7800 | ![]() | 4 | 0.00000000 | ixys集成电路部门 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 14- 材料( 0.154英寸,宽度为3.90mm) | LF21064 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 14-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 212-LF21064NTR | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT,N通道MOSFET | 0.6V,2.5V | 290mA,600mA | 100ns,25ns | 600 v | ||
![]() | LF21844NTR | 2.8900 | ![]() | 14 | 0.00000000 | ixys集成电路部门 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 14- 材料( 0.154英寸,宽度为3.90mm) | LF21844 | 反转 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 14-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 212-LF21844NTR | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,2.5V | 1.9a,2.3a | 40NS,20NS | 600 v | ||
![]() | LF2136BTR | 3.6900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | ixys集成电路部门 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 28-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | LF2136 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 28-Soic | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 212-LF2136BTRDKR | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,500 | 3相 | 半桥 | 3 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,2.4V | 200mA,350mA | 90NS,35NS | 600 v | ||
![]() | LF21904NTR | 2.3700 | ![]() | 31 | 0.00000000 | ixys集成电路部门 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 14- 材料( 0.154英寸,宽度为3.90mm) | LF21904 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 14-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 212-LF21904NTR | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,2.5V | 4.5a,4.5a | 25NS,20NS | 600 v | ||
![]() | LM5100CMY/NOPB | 1.1500 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 国家半导体 | * | 大部分 | 积极的 | LM5100 | 未行业行业经验证 | 下载 | 供应商不确定 | 到达不受影响 | 2156-LM5100CMY/NOPB-14 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | NCP81071DDR2G | 0.6600 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Onmi | * | 大部分 | 积极的 | NCP81071 | 未行业行业经验证 | 下载 | 供应商不确定 | 到达不受影响 | 2156-NCP81071DDR2G-488 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | FAN3228TMX | 0.5900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | * | 大部分 | 积极的 | FAN3228 | 未行业行业经验证 | 下载 | 供应商不确定 | 到达不受影响 | 2156-FAN3228TMX-600039 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | ISL6610CBZ | 1.8000 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Intersil | * | 大部分 | 积极的 | ISL6610 | 未行业行业经验证 | 下载 | 供应商不确定 | 到达不受影响 | 2156-ISL6610CBZ-600010 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | 98-0325 | - | ![]() | 2624 | 0.00000000 | Infineon技术 | * | 大部分 | 积极的 | 98-0325 | - | 供应商不确定 | 到达受影响 | 2156-98-0325-448 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | NCV81071AZR2G | 1.0300 | ![]() | 20 | 0.00000000 | Onmi | * | 大部分 | 积极的 | NCV81071 | 未行业行业经验证 | 下载 | 供应商不确定 | 到达不受影响 | 2156-NCV81071AZR2G-488 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | LTC4442IMS8E-1 #PBF | - | ![]() | 1445 | 0.00000000 | 线性技术 | * | 大部分 | 积极的 | LTC4442 | 下载 | 供应商不确定 | 到达不受影响 | 2156-LTC4442IMS8E-1 #PBF-600060 | 1 | 未行业行业经验证 | |||||||||||||||||||
![]() | max5054aata+ | 6.9200 | ![]() | 32 | 0.00000000 | ADI/MAXIM集成 | * | 大部分 | 积极的 | Max5054 | 未行业行业经验证 | 下载 | 供应商不确定 | 到达不受影响 | 2156-MAX5054AATA+-175 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | IR25603STRPBFTR | - | ![]() | 2306 | 0.00000000 | Infineon技术 | * | 大部分 | 积极的 | IR25603 | 未行业行业经验证 | 下载 | 供应商不确定 | 到达不受影响 | 2156-IR25603STRPBFTR-448 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | |||||||||||||||||
![]() | IRS4426SPBF | - | ![]() | 8104 | 0.00000000 | 国际整流器 | * | 大部分 | 积极的 | IRS4426 | 未行业行业经验证 | 下载 | 供应商不确定 | 到达不受影响 | 2156-IRS4426SPBF-600047 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | 2EDL8113GXUMA1 | 1.1237 | ![]() | 2024 | 0.00000000 | Infineon技术 | eicedriver™ | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-vdfn暴露垫 | 2EDL8113 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 8v〜17V | PG-VDSON-8-4 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 6,000 | 独立的 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | - | 5a,6a | - | 120 v | ||||
![]() | 2EDL7125GXUMA1 | 1.1247 | ![]() | 3662 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 2EDL7125 | 未行业行业经验证 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 6,000 | ||||||||||||||||||
![]() | 1EDN7116GXTMA1 | 1.5900 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Infineon技术 | eicedriver™ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 10-vfdfn暴露垫 | 1EDN7116 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.2V〜11V | PG-VSON-10-4 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 4,000 | 独立的 | 高方面或低侧 | 2 | n通道MOSFET | - | 2a,2a | 3NS,3NS | ||||
![]() | 2EDL8013GXUMA1 | 1.0675 | ![]() | 7762 | 0.00000000 | Infineon技术 | eicedriver™ | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-vdfn暴露垫 | 2EDL8013 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 8v〜17V | PG-VDSON-8-4 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 6,000 | 独立的 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | - | 5a,6a | - | 120 v | ||||
![]() | 2EDN8533RXTMA1 | 1.3300 | ![]() | 7425 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-tssop,8-msop(0.118英寸,3.00mm宽度) | 2EDN8533 | 反转 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜20V | PG-TSSOP-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 5,000 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道,p通道MOSFET | 5a,5a | ||||||
![]() | DHP1070N10N5AUMA1 | 3.3535 | ![]() | 1922年 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | DHP1070 | 未行业行业经验证 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 4,000 | ||||||||||||||||||
![]() | 2EDL8114GXUMA1 | 1.1954 | ![]() | 7699 | 0.00000000 | Infineon技术 | eicedriver™ | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-vdfn暴露垫 | 2EDL8114 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 8v〜17V | PG-VDSON-8-4 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 6,000 | 独立的 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | - | 5a,6a | - | 120 v |
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