RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

门司机（（7161）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	sic可编程	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	频道类型	驱动配置	驾驶员数量	门类型	逻辑电压 -vil，vih	电流 -峰值输出（源，水槽，水槽）	上升 /秋季t （典型）	高侧电压 -最大（引导程序）	sic可编程
IR25600STRPBF	-	RFQ	5668	国际整流器	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IR25600	不转变	未行业行业经验证	6v〜20V	8-SOIC	下载						0000.00.0000	1	独立的	低侧	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.7V	2.3a，3.3a	15ns，10ns
TLF11251LDXUMA1	3.0900	RFQ	14	Infineon技术	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	10-TFDFN暴露垫	TLF11251	不转变	未行业行业经验证	2.35V〜7V	PG-TSON-10-2	下载	rohs3符合条件	2a （4周）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	5,000	单身的	半桥	1	n通道，p通道MOSFET	2.31V，4.69V	2.5a，2.5a	60n，60n
2EDL8023GXUMA1	2.0700	RFQ	11	Infineon技术	eicedriver™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-vdfn暴露垫	2EDL8023	不转变	未行业行业经验证	8v〜17V	PG-VDSON-8-4	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	6,000	独立的	高侧和低侧	2	n通道MOSFET	-	3a，3a	45ns，45ns	90 v
2EDL8123GXUMA1	2.1800	RFQ	11	Infineon技术	eicedriver™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-vdfn暴露垫	2EDL8123	不转变	未行业行业经验证	8v〜17V	PG-VDSON-8-4	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	6,000	独立的	高侧和低侧	2	n通道MOSFET	-	3a，3a	45ns，45ns	90 v
2EDL8024GXUMA1	2.1800	RFQ	5	Infineon技术	eicedriver™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-vdfn暴露垫	2EDL8024	不转变	未行业行业经验证	8v〜17V	PG-VDSON-8-4	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	6,000	独立的	高侧和低侧	2	n通道MOSFET	-	4a，4a	45ns，45ns	90 v
2ED24427N01FXUMA1	3.9500	RFQ	883	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	2ED24427	不转变	未行业行业经验证	5v〜20V	PG-DSO-8-900	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.5V	10a，10a	-
IRS21864SPBF	-	RFQ	5475	国际整流器	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm）	IRS21864	不转变		10v〜20V	14-Soic	下载					Ear99	8542.39.0001	1	独立的	高方面或低侧	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	4a，4a	22NS，18NS	600 v	未行业行业经验证
IR21084STRPBF	-	RFQ	9579	国际整流器	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm）	IR21084	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	14-Soic	下载						0000.00.0000	1	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.9V	200mA，350mA	150NS，50NS	600 v
auirs2123str	-	RFQ	2462	国际整流器	汽车，AEC-Q100	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	Auirs2123	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载					Ear99	8542.39.0001	1	单身的	高方向	1	IGBT，N通道MOSFET	-	500mA，500mA	80n，80n	600 v
LM5110-1M/NOPB	1.4200	RFQ	9	国家半导体	-	大部分	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	LM5110	不转变		3.5V〜14V	8-SOIC	下载					Ear99	8542.39.0001	212	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	3a，5a	14ns，12ns		未行业行业经验证
UC3705NG4	5.9500	RFQ	451	Texas Instruments	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	UC3705	反转，无变形		5V〜40V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	1.5a，1.5a	60n，60n		未行业行业经验证
UC1709J	-	RFQ	2822	Texas Instruments	*	大部分	积极的				UC1709		未行业行业经验证			下载					Ear99	8542.39.0001	1
IR2109STRPBF	-	RFQ	1153	国际整流器	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IR2109	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载					Ear99	8542.39.0001	1	同步	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.9V	200mA，350mA	150NS，50NS	600 v
LM27222MX/NOPB	1.4700	RFQ	5	国家半导体	-	大部分	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	LM27222	不转变		4V〜6.85V	8-SOIC	下载					Ear99	8542.39.0001	205	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	3a，4.5a	17ns，12ns	33 V	未行业行业经验证
IR2304pbf	1.3500	RFQ	4	国际整流器	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	IR2304	不转变		10v〜20V	8-pdip	下载					Ear99	8542.39.0001	222	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.3V	60mA，130mA	200NS，100NS	600 v	未行业行业经验证
D5CYDT08CME-E	-	RFQ	6991	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的				D5CYDT08		未行业行业经验证			-	rohs3符合条件		到达不受影响	559-D5CYDT08CME-ETR	过时的	0000.00.0000	3,000
ISL66223VW	-	RFQ	1574年	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的				ISL66223		未行业行业经验证			-	rohs3符合条件		到达不受影响	20-isl66223vw	过时的		100
DGD2164MS14-13	-	RFQ	6859	二极管合并	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的				DGD2164		未行业行业经验证			-	Rohs符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	31-DGD2164MS14-13TR	Ear99	8542.39.0001	2,500
LTC7062IMSE＃wpbf	4.4700	RFQ	144	模拟设备公司	汽车，AEC-Q100	管子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	12-tssop （0.118英寸，3.00mm宽）	LTC7062	不转变	未行业行业经验证	5v〜14V	12-msop-ep	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	37	独立的	高方向	2	n通道MOSFET	-	-	18NS，14NS	115 v
LTC7062EMSE ＃PBF	3.4300	RFQ	310	模拟设备公司	汽车，AEC-Q100	管子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	12-tssop （0.118英寸，3.00mm宽）	LTC7062	不转变	未行业行业经验证	5v〜14V	12-msop-ep	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	37	独立的	高方向	2	n通道MOSFET	-	-	18NS，14NS	115 v
A89503KLPTR-3	5.4200	RFQ	3002	Allegro微型系统	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TA）	表面安装	24-tssop （0.173英寸，4.40mm（4.40mm）	A89503	不转变	未行业行业经验证	5.5V〜80V	24-TSSOP-EP	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响	620-A89503KLPTR-3TR	Ear99	8542.39.0001	4,000	同步	半桥	1	n通道MOSFET	0.8V，2.4V	-	235ns，97ns
A89503KLPTR-5	4.1100	RFQ	3613	Allegro微型系统	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TA）	表面安装	24-tssop （0.173英寸，4.40mm（4.40mm）	A89503	不转变	未行业行业经验证	5.5V〜80V	24-TSSOP-EP	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	620-A89503KLPTR-5TR	Ear99	8542.39.0001	4,000	同步	半桥	1	n通道MOSFET	0.8V，2.4V	-	235ns，97ns
2ED2104S06FXUMA1	1.4100	RFQ	9484	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	2ED2104	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	PG-DSO-8-69	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	1.1V，1.7V	290mA，700mA	70ns，35ns	650 v
fan888811mntxg	3.1400	RFQ	1	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-wdfn暴露垫	Fan8811	不转变	未行业行业经验证	7.5V〜16V	10-WDFN （4x4）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	独立的	高侧和低侧	2	n通道MOSFET	2V，1.8V	3a，6a	6NS，4NS	100 v
NCV57201DR2G	2.0100	RFQ	2	Onmi	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	NCV57201	不转变	未行业行业经验证	20V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	IGBT	-	1.9a，2.3a	13ns，8ns	800 v
SC3111ESX	-	RFQ	5381	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的				SC3111		未行业行业经验证			-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-SC3111ESXTR	过时的		3,000
RAA2261104GNP ＃AA0	4.9100	RFQ	9504	Renesas Electronics America Inc	-	管子	积极的	-40°C〜125°C	表面安装	16-VQFN暴露垫	RAA2261104	不转变	未行业行业经验证	6.5v〜18V	16 QFN （4x4）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	20-RAA222261104GNP ＃AA0	Ear99	8542.39.0001	25	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	1.6V，2.3V	2a，1.2a	30ns，31ns
HIP2210FRTZ-T7A	2.3100	RFQ	7911	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-wdfn暴露垫	HIP2210	不转变	未行业行业经验证	6v〜18V	10-tdfn （4x4）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	250	同步	半桥	2	n通道MOSFET	1.47V，1.84V	3a，4a	435ns，365ns	115 v
AOZ7200CI	1.4300	RFQ	530	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	SC-74A，SOT-753	AOZ7200	不转变	未行业行业经验证	18V	SOT-23-5	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	独立的	全桥	2	n通道MOSFET	-	300mA，300mA	-	600 v
AOZ7270DI	3.6200	RFQ	1	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	12-powertdfn	AOZ7270	不转变	未行业行业经验证	16V	12-DFN-EP（5x7）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	独立的	全桥	2	n通道MOSFET	-	-	-	600 v

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

门司机（（7161）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²