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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	sic可编程	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	频道类型	驱动配置	驾驶员数量	门类型	逻辑电压 -vil，vih	电流 -峰值输出（源，水槽，水槽）	上升 /秋季t （典型）	高侧电压 -最大（引导程序）	sic可编程
ISL6612ACBZ	2.9200	RFQ	369	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ISL6612	不转变	未行业行业经验证	10.8v〜13.2v	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	98	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
LM5102SD	-	RFQ	6345	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-wdfn暴露垫	LM5102	不转变	未行业行业经验证	9V〜14V	10-wson（4x4）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	1.6a，1.6a	600NS，600NS	118 v
1SD210F2-FZ750R65KE3_OPT1	-	RFQ	6580	电源集成	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C	底盘安装	模块	1SD210F2	-	未行业行业经验证	15.5v〜16.8V	模块	-		（1 （无限）		1810-1SD210F2-FZ750R65KE3_OPT1	过时的		20	单身的	高方面或低侧	1	IGBT	-	6a，10a	100NS，100NS	1200 v
UCC27325DR	1.7900	RFQ	5	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	UCC27325	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜15V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	1V，2V	4a，4a	20N，15n
TC4468EOE	5.4900	RFQ	2	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	TC4468	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC4468EOE-NDR	Ear99	8542.39.0001	47	独立的	低侧	4	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.2a，1.2a	15ns，15ns
ISL6597CRZ-T	-	RFQ	5077	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	16-VQFN暴露垫	ISL6597	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜5.5V	16 QFN （4x4）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	6,000	同步	半桥	4	n通道MOSFET	-	- ，4A	8ns，8ns	36 V
IRS25091SPBF	-	RFQ	3426	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRS25091	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载		2（1年）	到达不受影响	SP001543180	Ear99	8542.39.0001	95	同步	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.2V	200mA，350mA	150NS，50NS	600 v
TC4432EOA713	3.8400	RFQ	1	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TC4432	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜30V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,300	单身的	高方面或低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	25ns，33ns
ISL6612CRZ-TR5238	-	RFQ	8722	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-vfdfn暴露垫	ISL6612	不转变	未行业行业经验证	10.8v〜13.2v	10-DFN （3x3）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	6,000	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
ISL6594BCBZ	2.0600	RFQ	531	Intersil	-	管子	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ISL6594	不转变	未行业行业经验证	10.8v〜13.2v	8-SOIC	下载	rohs3符合条件				Ear99	8542.39.0001	98	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
TC4452VOA713	2.9900	RFQ	2	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TC4452	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,300	单身的	低侧	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2.4V	13a，13a	30ns，32ns
LM5060Q1MM/S7002430	-	RFQ	3121	Texas Instruments	-	大部分	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	10-tfsop，10-msop （0.118英寸，3.00mm宽度）		不转变		5.5V〜65V	10-VSSOP	-	rohs3符合条件			296-LM5060Q1MM/S7002430			1	单身的	高方向	1	n通道MOSFET	-	-	-
MIC44670亿	-	RFQ	8912	微芯片技术	-	大部分	过时的	-40°C〜85°C（TA）	通过洞	14 浸（0.300英寸，7.62mm）	MIC4467	反转		4.5V〜18V	14浸	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	25	独立的	低侧	4	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.2a，1.2a	14ns，13ns		未行业行业经验证
TC4426VOA	1.7800	RFQ	8137	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TC4426	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC4426VOA-NDR	Ear99	8542.39.0001	100	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	19NS，19NS
Max15024Datb+t	-	RFQ	7250	ADI/MAXIM集成	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	10-WFDFN暴露垫	Max15024	反转，无变形	未行业行业经验证	6.5V〜28V	10-tdfn （3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	低侧	1	n通道MOSFET	-	4a，8a	24ns，16ns
max5063basa-t	-	RFQ	4238	ADI/MAXIM集成	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	Max5063	反转，无变形	未行业行业经验证	8v〜12.6V	8-SOIC	-	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2V	2a，2a	65ns，65ns	125 v
6EDL04N06PTXUMA1	4.8300	RFQ	2	Infineon技术	eicedriver™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	28-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	6EDL04	不转变	未行业行业经验证	10v〜17.5V	PG-DSO-28	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	3相	半桥	6	Igbt，n通道，p通道Mosfet	1.1V，1.7V	-	60ns，26ns	620 v
TC1413NEUA	1.5400	RFQ	1004	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）	TC1413	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜16V	8-msop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC1413NEUA-NDR	Ear99	8542.39.0001	100	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2V	3a，3a	20N，20N
ISL6613BIRZ	2.6500	RFQ	450	Intersil	-	管子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-vfdfn暴露垫	ISL6613	不转变	未行业行业经验证	7v〜13.2v	10-DFN （3x3）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8542.39.0001	100	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
EMB1412MYE/NOPB	4.2014	RFQ	1463年	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-POWERTSOP，8-MSOP （0.118英寸，3.00mm宽度）	EMB1412	反转，无变形	未行业行业经验证	3.5V〜14V	8-HVSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	250	单身的	低侧	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2.3V	3a，7a	14ns，12ns
IXDN514SIA	-	RFQ	5405	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IXDN514	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜30V	8-SOIC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	94	单身的	低侧	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	1V，2.5V	14a，14a	25ns，22ns
ISL6612CR	0.8900	RFQ	7259	Intersil	-	管子	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-vfdfn暴露垫	ISL6612	不转变	未行业行业经验证	10.8v〜13.2v	10-DFN （3x3）	下载	Rohs不合规				Ear99	8542.39.0001	100	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
LM5106mmx	-	RFQ	4877	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-tfsop，10-msop （0.118英寸，3.00mm宽度）	LM5106	不转变	未行业行业经验证	8v〜14V	10-VSSOP	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,500	同步	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	1.2a，1.8a	15ns，10ns	118 v
IHD260	-	RFQ	3292	电源集成	Scale™-1	盒子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	通过洞	36浸，24条线索	IHD260	-	未行业行业经验证	14V〜16V	模块	下载		（1 （无限）			Ear99	8543.70.9860	30	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	-	-	100NS，80NS
L6392DTR	2.3400	RFQ	9315	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm）	L6392	不转变	未行业行业经验证	12.5v〜20V	14件事	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	1.1V，1.9V	290mA，430mA	75ns，35ns	600 v
IR2102STR	-	RFQ	9723	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IR2102	反转	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，3V	210mA，360mA	100NS，50NS	600 v
1SP0630V2M1R-XXXX（2）（3）（3）（4）	240.4600	RFQ	4614	电源集成	-	大部分	积极的									-				596-1SP0630V2M1R-XXXX （2）（3）（4）（4）			6
IR2136JTRPBF	4.4940	RFQ	500	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	44-LCC（J-LEAD），32个领先优势	IR2136	反转	未行业行业经验证	10v〜20V	44-PLCC，32 条线索（16.58x16.58）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	500	3相	半桥	6	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，3V	200mA，350mA	125ns，50ns	600 v
UC2715DTR	1.7730	RFQ	6763	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	UC2715	不转变	未行业行业经验证	7v〜20V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2V	500mA，1a	30ns，25ns
6ED003L06FXUMA1	1.6000	RFQ	19	Infineon技术	-	大部分	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	28-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	6ed003	不转变	未行业行业经验证	13v〜17.5V	PG-DSO-28-17	下载					Ear99	8542.39.0001	1	3相	半桥	6	Igbt，n通道，p通道Mosfet	1.1V，1.7V	165mA，375mA	60ns，26ns	620 v

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

门司机（（7161）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²