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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 输入类型 | sic可编程 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | ECCN | htsus | 标准包 | 频道类型 | 驱动配置 | 驾驶员数量 | 门类型 | 逻辑电压 -vil,vih | 电流 -峰值输出(源,水槽,水槽) | 上升 /秋季t (典型) | 高侧电压 -最大(引导程序) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | HIP2100IB | - | ![]() | 7267 | 0.00000000 | Intersil | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | HIP2100 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 9V〜14V | 8-SOIC | 下载 | Rohs不合规 | Ear99 | 8542.39.0001 | 98 | 独立的 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 4V,7V | 2a,2a | 10n,10n | 114 v | |||
![]() | EL7457CU-T7 | - | ![]() | 3847 | 0.00000000 | Intersil | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 16ssop (0.154英寸,宽度为3.90mm) | EL7457 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 16-qsop | 下载 | Rohs不合规 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 独立的 | 高方面或低侧 | 4 | n通道,p通道MOSFET | 0.8V,2V | 2a,2a | 13.5ns,13ns | ||||
![]() | ISL89367FRTAZ | 5.2200 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Intersil | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 16-WFDFN暴露垫 | ISL89367 | 反转,无变形 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜16V | 16-TDFN(5x3) | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8542.39.0001 | 60 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道MOSFET | - | 6a,6a | 20N,20N | ||||
![]() | ICL7667CBA-T | 1.7900 | ![]() | 7745 | 0.00000000 | Intersil | - | 大部分 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | ICL7667 | 反转 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜15V | 8-SOIC | 下载 | Rohs不合规 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 独立的 | - | 2 | n通道MOSFET | 0.8V,2V | - | 20N,20N | ||||
![]() | ISL6612CB-T | 1.0200 | ![]() | 30 | 0.00000000 | Intersil | - | 大部分 | 过时的 | 0°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | ISL6612 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10.8v〜13.2v | 8-SOIC | 下载 | Rohs不合规 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | - | 1.25a,2a | 26NS,18NS | 36 V | |||
ISL89168FRTAZ | 3.2600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Intersil | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | ISL89168 | 反转,无变形 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜16V | 8-tdfn (3x3) | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8542.39.0001 | 100 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道MOSFET | 1.22V,2.08V | 6a,6a | 20N,20N | |||||
ISL89161FRTBZ | 3.2600 | ![]() | 945 | 0.00000000 | Intersil | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | ISL89161 | 反转 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜16V | 8-tdfn (3x3) | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8542.39.0001 | 100 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道MOSFET | 1.85V,3.15V | 6a,6a | 20N,20N | |||||
![]() | ICL7667CBA-T | 1.7900 | ![]() | 8875 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | ICL7667 | 反转 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜15V | 8-SOIC | 下载 | Rohs不合规 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 独立的 | - | 2 | n通道MOSFET | 0.8V,2V | - | 20N,20N | ||||
![]() | EL7242CN | - | ![]() | 2047 | 0.00000000 | Intersil | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜125°C(TJ) | 通过洞 | 8 点点(0.300英寸,7.62mm) | EL7242 | 反转,无变形 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜16V | 8-pdip | - | Rohs不合规 | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道,p通道MOSFET | 0.8V,2.4V | 2a,2a | 10n,10n | ||||
![]() | ISL6613ACBZ | 2.0700 | ![]() | 336 | 0.00000000 | Intersil | - | 管子 | 过时的 | 0°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | ISL6613 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10.8v〜13.2v | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8542.39.0001 | 98 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | - | 1.25a,2a | 26NS,18NS | 36 V | |||
![]() | ISL6613BIRZ | 2.6500 | ![]() | 450 | 0.00000000 | Intersil | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 10-vfdfn暴露垫 | ISL6613 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 7v〜13.2v | 10-DFN (3x3) | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8542.39.0001 | 100 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | - | 1.25a,2a | 26NS,18NS | 36 V | |||
![]() | 2ED28073J06FXUMA1 | 1.5900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | 2ED28073 | CMOS,TTL | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 2(1年) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,2.2 V | 600 v | |||
![]() | 1ED44175N01BXTSA1 | 1.0100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | SOT-23-6 | 1ED44175 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 12.7v〜20V | PG-SOT23-6-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 单身的 | 低侧 | 1 | IGBT,N通道MOSFET | 1.2V,1.9V | 2.6a,2.6a | 5n,5ns | ||
MC33GD3100A3EKR2 | 7.7301 | ![]() | 7185 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 上次购买 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 32-bessop (0.295英寸,宽度为,7.50mm) | MC33GD3100 | - | 未行业行业经验证 | 3.3V | 32-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 单身的 | 半桥 | 1 | IGBT,N通道MOSFET | - | 15a,15a | - | |||
![]() | ISL6612BEIB | 1.1400 | ![]() | 33 | 0.00000000 | Intersil | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | ISL6612 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 7v〜13.2v | 8-SOIC-EP | 下载 | Rohs不合规 | Ear99 | 8542.39.0001 | 98 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | - | 1.25a,2a | 26NS,18NS | 36 V | |||
![]() | HIP6601BCB-T | 1.0000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Intersil | - | 大部分 | 过时的 | 0°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | HIP6601 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10.8v〜13.2v | 8-SOIC | 下载 | Rohs不合规 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | - | - | 20N,20N | 15 v | |||
![]() | ISL6207CB | 1.4600 | ![]() | 285 | 0.00000000 | Intersil | - | 管子 | 过时的 | -10°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | ISL6207 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜5.5V | 8-SOIC | 下载 | Rohs不合规 | Ear99 | 8542.39.0001 | 98 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 1V,2V | 2a,2a | 8ns,8ns | 36 V | |||
![]() | ICL7667CPA | 4.3400 | ![]() | 559 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 管子 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 通过洞 | 8 点点(0.300英寸,7.62mm) | ICL7667 | 反转 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜15V | 8-pdip | 下载 | Rohs不合规 | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | 独立的 | - | 2 | n通道MOSFET | 0.8V,2V | - | 20N,20N | ||||
![]() | LM2724AM/NOPB | 1.1100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 国家半导体 | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | LM2724 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.3V〜6.8V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8542.39.0001 | 95 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | - | 3a,3.2a | 17ns,12ns | 28 V | |||
![]() | HIP2100IR | 1.0800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Intersil | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 16-VQFN暴露垫 | HIP2100 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 9V〜14V | 16 QFN(5x5) | 下载 | Rohs不合规 | Ear99 | 8542.39.0001 | 60 | 独立的 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 4V,7V | 2a,2a | 10n,10n | 114 v | |||
ISL89160FRTAZ | 3.2600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Intersil | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | ISL89160 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜16V | 8-tdfn (3x3) | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8542.39.0001 | 100 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道MOSFET | 1.22V,2.08V | 6a,6a | 20N,20N | |||||
![]() | Fan7362m | - | ![]() | 4939 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | Fan7362 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8542.39.0001 | 8,100 | 单身的 | 高方向 | 1 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,2.9V | 250mA,500mA | 70NS,30NS | 600 v | |||
![]() | HIP2100EIB | 3.3300 | ![]() | 13 | 0.00000000 | Intersil | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | HIP2100 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 9V〜14V | 8-SOIC-EP | 下载 | Rohs不合规 | Ear99 | 8542.39.0001 | 98 | 独立的 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 4V,7V | 2a,2a | 10n,10n | 114 v | |||
![]() | HIP2101IB | - | ![]() | 3614 | 0.00000000 | Intersil | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | HIP2101 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 9V〜14V | 8-SOIC | 下载 | Rohs不合规 | Ear99 | 8542.39.0001 | 98 | 独立的 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 0.8V,2.2V | 2a,2a | 10n,10n | 114 v | |||
![]() | ISL6700IR-T | 0.6800 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Intersil | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 12-VQFN暴露垫 | ISL6700 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 9V〜15V | 12-qfn (4x4) | 下载 | Rohs不合规 | Ear99 | 8542.39.0001 | 6,000 | 独立的 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 0.8V,2.2V | 1.4a,1.3a | 5n,5ns | 80 V | |||
![]() | HIP2121FRTAZ | - | ![]() | 1610 | 0.00000000 | Intersil | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 10-wdfn暴露垫 | HIP2121 | 反转 | 未行业行业经验证 | 8v〜14V | 10-tdfn (4x4) | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8542.39.0001 | 75 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 1.4V,2.2V | 2a,2a | 10n,10n | 114 v | |||
![]() | ISL6613ACR | - | ![]() | 2423 | 0.00000000 | Intersil | - | 管子 | 过时的 | 0°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 10-vfdfn暴露垫 | ISL6613 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10.8v〜13.2v | 10-DFN (3x3) | 下载 | Rohs不合规 | Ear99 | 8542.39.0001 | 100 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | - | 1.25a,2a | 26NS,18NS | 36 V | |||
![]() | ISL6610IRZ-T | 1.9300 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Intersil | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 16-VQFN暴露垫 | ISL6610 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜5.5V | 16 QFN (4x4) | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8542.39.0001 | 6,000 | 同步 | 半桥 | 4 | n通道MOSFET | - | - ,4A | 8ns,8ns | 36 V | |||
![]() | ISL6594BCBZ | 2.0600 | ![]() | 531 | 0.00000000 | Intersil | - | 管子 | 过时的 | 0°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | ISL6594 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10.8v〜13.2v | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8542.39.0001 | 98 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | - | 1.25a,2a | 26NS,18NS | 36 V | |||
![]() | HIP2101IR | 2.5700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Intersil | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 16-VQFN暴露垫 | HIP2101 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 9V〜14V | 16 QFN(5x5) | 下载 | Rohs不合规 | Ear99 | 8542.39.0001 | 60 | 独立的 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 0.8V,2.2V | 2a,2a | 10n,10n | 114 v |
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