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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	sic可编程	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	频道类型	驱动配置	驾驶员数量	门类型	逻辑电压 -vil，vih	电流 -峰值输出（源，水槽，水槽）	上升 /秋季t （典型）	高侧电压 -最大（引导程序）	sic可编程
EL7104CSZ	-	RFQ	1500	Intersil	-	大部分	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	EL7104	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜16V	8-SOIC	下载					Ear99	8542.39.0001	1	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	4a，4a	7.5NS，10NS
MCP14A0154T-E/MNY	0.9750	RFQ	6523	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-WFDFN暴露垫	MCP14A0154	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-tdfn （2x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,300	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2V	1.5a，1.5a	11.5NS，10NS
LTC4440AIMS8E-5 trpbf	3.4500	RFQ	1155	模拟设备公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop （0.118英寸，3.00mm宽）	LTC4440	不转变	未行业行业经验证	4V〜15V	8-msop-ep	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	ltc4440aims8e-5 trpbftr	Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	高方向	1	n通道MOSFET	1.2V，1.6V	1.1a，1.1a	10n，7ns	80 V
ISL6609ACBZ	-	RFQ	1744年	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ISL6609	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜5.5V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	980	同步	半桥	2	n通道MOSFET	1V，2V	- ，4A	8ns，8ns	36 V
MIC4467ZWM-TR	3.8300	RFQ	5732	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	MIC4467	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	独立的	低侧	4	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.2a，1.2a	14ns，13ns
UCC27519DBVT	1.0700	RFQ	4646	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C 〜140°C（TJ）	表面安装	SC-74A，SOT-753	UCC27519	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	SOT-23-5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	250	单身的	低侧	1	IGBT，N通道MOSFET	-	4a，4a	8NS，7NS
IRS2890DSPBF	1.5577	RFQ	9794	Infineon技术	-	管子	上次购买	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm）	IRS2890	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	14-Soic	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	55	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.2V	220mA，480mA	85ns，30ns	600 v
BS2101F-E2	1.6000	RFQ	145	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-SOIC （0.173“，4.40mm宽度）	BS2101	不转变	未行业行业经验证	10v〜18V	8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	高方面或低侧	2	IGBT，N通道MOSFET	1V，2.6V	60mA，130mA	60ns，20ns	600 v
2EDL23N06PJXUMA1	3.3100	RFQ	1	Infineon技术	eicedriver™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm）	2EDL23	不转变	未行业行业经验证	10v〜17.5V	PG-DSO-14-2	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	n通道，p通道MOSFET	1.1V，1.7V	1.8a，2.3a	48ns，37ns	600 v
2SD300C17A3C	136.9075	RFQ	9891	电源集成	Scale™-2	大部分	积极的	-40°C〜85°C	通过洞	45浸模块，43条线索		-		14V〜16V	模块	-				596-2SD300C17A3C			12	独立的	半桥	2	IGBT	-	30a，30a	-	1700 v
5962-8761901EA	-	RFQ	5667	Texas Instruments	*	大部分	积极的				5962-8761901		未行业行业经验证			下载					Ear99	8542.39.0001	1
1SC0450E2A0-65	172.3133	RFQ	3892	电源集成	Scale™-2	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	模块	1SC0450	-	未行业行业经验证	14.5v〜15.5V	模块	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		1810-1005	Ear99	8473.30.1180	12	单身的	高方面或低侧	1	IGBT	-	50a，50a	30ns，25ns	6500 v
max8523eee	1.1800	RFQ	3	ADI/MAXIM集成	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C	表面安装	16ssop （0.154英寸，宽度为3.90mm）		不转变		4.5V〜6.5V	16-qsop	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8542.39.0001	1	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.5V	6a，6a	11NS，9.5NS
IHD260NC1	-	RFQ	5308	电源集成	Scale™-1	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	通过洞	36浸，24条线索	IHD260	不转变		14V〜16V	模块	下载				1810-IHD260NC1	Ear99	8542.39.0001	1	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	-	-	100NS，80NS		未行业行业经验证
2DU180206MR02	161.6000	RFQ	20	塔穆拉	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	底盘安装	模块	2DU180206	-	未行业行业经验证	5V	模块	-	rohs3符合条件	不适用		132-2DU180206MR02	Ear99	8543.70.9860	20	独立的	半桥	2	IGBT，SIC MOSFET	-	-	500NS，500NS
LM5101AM	-	RFQ	1338	Texas Instruments	-	管子	在sic中停产	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	LM5101	不转变	未行业行业经验证	9V〜14V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	95	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	2.3V， -	3a，3a	430ns，260ns	118 v
PX3511ADAG-R3	-	RFQ	2140	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	PX3511	不转变	未行业行业经验证	10.8v〜13.2v	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
TLF11251EPXUMA1	3.4300	RFQ	10	Infineon技术	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	14-POWERTSOP （0.154英寸，3.90mm）	TLF11251	不转变	未行业行业经验证	2.35V〜7V	PG-TSDSO-14-5	下载	rohs3符合条件	2a （4周）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	单身的	半桥	1	n通道，p通道MOSFET	2.31V，4.69V	2.5a，2.5a	60n，60n
HIP2100IB	-	RFQ	7267	Intersil	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	HIP2100	不转变	未行业行业经验证	9V〜14V	8-SOIC	下载	Rohs不合规				Ear99	8542.39.0001	98	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	4V，7V	2a，2a	10n，10n	114 v
ISL89163FBECZ	-	RFQ	6855	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ISL89163	不转变	未行业行业经验证	7.5V〜16V	8-SOIC-EP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-isl89163fbecz	Ear99	8542.39.0001	98	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	2.4V，9.6V	6a，6a	20N，20N
IRS2302STRPBF	-	RFQ	7877	国际整流器	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRS2302	不转变	未行业行业经验证	5v〜20V	8-SOIC	-						0000.00.0000	1	同步	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	200mA，350mA	130ns，50ns	600 v
IRS21962SPBF	3.6100	RFQ	5	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C〜125°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm）	IRS21962	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1	独立的	高方向	2	IGBT，N通道MOSFET	0.6V，3.5V	500mA，500mA	25n，25n	600 v
MIC4422ZM-TR	1.9600	RFQ	3921	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MIC4422	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	低侧	1	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.4V	9a，9a	20N，24NS
ISL6614CBZR5238	1.7800	RFQ	3	Intersil	-	管子	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm）	ISL6614	不转变	未行业行业经验证	10.8v〜13.2v	14-Soic	下载	不适用				Ear99	8542.39.0001	50	同步	半桥	4	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
TC1413NEOA713	2.0000	RFQ	11	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TC1413	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜16V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,300	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2V	3a，3a	20N，20N
TC1413NEPA	3.5300	RFQ	294	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	TC1413	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜16V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC1413NEPA-NDR	Ear99	8542.39.0001	60	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2V	3a，3a	20N，20N
ICL7667CBA-T	1.7900	RFQ	8875	哈里斯公司	-	大部分	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ICL7667	反转	未行业行业经验证	4.5V〜15V	8-SOIC	下载	Rohs不合规				Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	-	2	n通道MOSFET	0.8V，2V	-	20N，20N
MIC5015BM-TR	-	RFQ	4534	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MIC5015	反转	未行业行业经验证	2.75V〜30V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	高方面或低侧	1	n通道MOSFET	0.8V，2V	-	-
MIC4103YM	2.7100	RFQ	1	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MIC4103	不转变	未行业行业经验证	9V〜16V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	576-1589	Ear99	8542.39.0001	95	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	3V，8V	2a，3a	10n，6ns	118 v
2ED28073J06FXUMA1	1.5900	RFQ	2	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	2ED28073	CMOS，TTL	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.2 V			600 v

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

门司机（（7161）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²