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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 输入类型 | sic可编程 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 频道类型 | 驱动配置 | 驾驶员数量 | 门类型 | 逻辑电压 -vil,vih | 电流 -峰值输出(源,水槽,水槽) | 上升 /秋季t (典型) | 高侧电压 -最大(引导程序) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | A4919GLPTR-T | 3.6500 | ![]() | 9893 | 0.00000000 | Allegro微型系统 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 28-TSSOP (0.173英寸,4.40mm宽) | A4919 | TTL | 未行业行业经验证 | 5.5V〜50V | 28-TSSOP-EP | 下载 | rohs3符合条件 | 2(1年) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 4,000 | 3相 | 高方面或低侧 | 6 | n通道MOSFET | 0.8V,2V | - | 35NS,20NS | |||
IGD515EI | 187.8200 | ![]() | 238 | 0.00000000 | 电源集成 | Scale™-1 | 大部分 | 不适合新设计 | -40°C〜85°C(TA) | 通过洞 | 模块 | IGD515 | - | 未行业行业经验证 | 12v〜16V | 模块 | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8542.39.0001 | 24 | 单身的 | 高方面或低侧 | 1 | Igbt,n通道,p通道Mosfet | 0.9V,3.8V | 15a,15a | 40n,40n | ||||||
![]() | ISL6608IRZ-T | - | ![]() | 3340 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-vqfn裸露的垫子 | ISL6608 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜5.5V | 8-qfn (3x3) | 下载 | rohs3符合条件 | 2(1年) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 6,000 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | - | 2a,2a | 8ns,8ns | 22 v | ||
![]() | LM5100CMAX | - | ![]() | 1783年 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | LM5100 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 9V〜14V | 8-SOIC | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 独立的 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 2.3V, - | 1a,1a | 990NS,715NS | 118 v | ||
NCD5701CDR2G | 2.2300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | NCD5701 | - | 未行业行业经验证 | 20V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 同步 | 高方面或低侧 | 1 | IGBT | - | 7.8a,6.8a | 18NS,19NS | ||||
HIP2104FRAANZ | 2.9200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 12-VFDFN暴露垫 | HIP2104 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜14V | 12-DFN (4x4) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 75 | 独立的 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 1.63V,2.06V | 1a,1a | 8NS,2NS | 60 V | |||
![]() | MAX5048BAUT+TW | - | ![]() | 6824 | 0.00000000 | ADI/MAXIM集成 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | SOT-23-6 | Max5048 | 反转,无变形 | 未行业行业经验证 | 4v〜12.6V | SOT-6 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 175-MAX5048BAUT+TWTR | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 单身的 | 低侧 | 1 | n通道MOSFET | 0.8V,2.4V | 1.3a,7.6a | 82ns,12.5ns | |||
![]() | Fan7362m | - | ![]() | 4939 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | Fan7362 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8542.39.0001 | 8,100 | 单身的 | 高方向 | 1 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,2.9V | 250mA,500mA | 70NS,30NS | 600 v | ||||
![]() | LM5107SD | - | ![]() | 9176 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | LM5107 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 8v〜14V | 8-wson(4x4) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 独立的 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 0.8V,2.2V | 1.3a,1.4a | 15ns,15ns | 118 v | ||
![]() | RT9624FGQW | 0.8200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Richtek USA Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | RT9624 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜13.2V | 8-wdfn (3x3) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,500 | 同步 | 高方面或低侧 | 2 | n通道MOSFET | - | - | 25ns,12ns | 15 v | ||
![]() | SM74101SDX/NOPB | 0.7590 | ![]() | 4603 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 6-WDFN暴露垫 | SM74101 | 反转,无变形 | 未行业行业经验证 | 3.5V〜14V | 6-wson(3x3) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 4,500 | 单身的 | 低侧 | 1 | n通道,p通道MOSFET | 0.8V,2.3V | 3a,7a | 14ns,12ns | |||
![]() | ltc444444ems8e#wtrpbf | - | ![]() | 5407 | 0.00000000 | 模拟设备公司 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-tssop,8-msop (0.118英寸,3.00mm宽) | LTC4444 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 7.2v〜13.5V | 8-msop-ep | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 独立的 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 1.85V,3.25V | 2.5a,3a | 8NS,5NS | 114 v | ||
![]() | ISL7844444Vavez | 2.9726 | ![]() | 3482 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | 汽车,AEC-Q100 | 管子 | 积极的 | -40°C 〜140°C(TJ) | 表面安装 | 14-TSSOP (0.173英寸,4.40mm宽) | ISL78444 | 反转,无变形 | 未行业行业经验证 | 8v〜18V | 14-htssop | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 20-isl784444444vavez | Ear99 | 8542.39.0001 | 960 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 1V,2.1V | 3a,4a | 10n,10n | 100 v | |
![]() | MIC4422AYN | 3.2800 | ![]() | 4164 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 8 点点(0.300英寸,7.62mm) | MIC4422 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 8-pdip | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | 单身的 | 低侧 | 1 | n通道MOSFET | 0.8V,3V | 9a,9a | 20N,24NS | |||
![]() | IXDF602SITR | 1.2617 | ![]() | 8355 | 0.00000000 | ixys集成电路部门 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | IXDF602 | 反转,无变形 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜35V | 8-SOIC-EP | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,000 | 独立的 | 低侧 | 2 | Igbt,n通道,p通道Mosfet | 0.8V,3V | 2a,2a | 7.5NS,6.5NS | |||
![]() | DRV8300NRGER | 1.5200 | ![]() | 28 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 24-VFQFN暴露垫 | DRV8300 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 5v〜20V | 24-VQFN (4x4) | 下载 | 不适用 | 2(1年) | 296-DRV8300NRGERTR | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 3相 | 高侧和低侧 | 3 | n通道MOSFET | 0.8V,2V | 750mA,1.5a | 12n,12ns | 105 v | ||
![]() | TC427EUA713 | - | ![]() | 1160 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-tssop,8-msop(0.118英寸,3.00mm宽度) | TC427 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 8-msop | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | TC427EUA713-NDR | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道,p通道MOSFET | 0.8V,2.4V | 1.5a,1.5a | 30ns,30ns | ||
![]() | ISL6622AIRZ-TS2705 | - | ![]() | 7911 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 10-vfdfn暴露垫 | ISL6622 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 6.8v〜13.2V | 10-DFN (3x3) | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 20-ISL6622AIRZ-TS2705 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | - | 1.25a,2a | 26NS,18NS | 36 V | ||
![]() | MCP14A0901T-E/SN | 1.5150 | ![]() | 8509 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | MCP14A0901 | 反转 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,300 | 同步 | 高方面或低侧 | 1 | n通道,p通道MOSFET | 0.8V,2V | 9a,9a | 22ns,22ns | |||
![]() | NCP81071CZR2G | 1.6500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C 〜140°C(TJ) | 表面安装 | 8-tssop,8-msop (0.118英寸,3.00mm宽) | NCP81071 | 反转,无变形 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜20V | 8-msop-ep | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道MOSFET | 1.2V,1.8V | 5a,5a | 8ns,8ns | |||
![]() | IR2105STR | - | ![]() | 4277 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | IR2105 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 8-SOIC | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 同步 | 半桥 | 2 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,3V | 210mA,360mA | 100NS,50NS | 600 v | ||
![]() | SCV7512FTR2G | 0.8100 | ![]() | 40 | 0.00000000 | Onmi | * | 大部分 | 积极的 | SCV7512 | 未行业行业经验证 | - | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,000 | ||||||||||||||||
![]() | A89503KLPTR-3 | 5.4200 | ![]() | 3002 | 0.00000000 | Allegro微型系统 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜150°C(TA) | 表面安装 | 24-tssop (0.173英寸,4.40mm(4.40mm) | A89503 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 5.5V〜80V | 24-TSSOP-EP | 下载 | rohs3符合条件 | 2(1年) | 到达不受影响 | 620-A89503KLPTR-3TR | Ear99 | 8542.39.0001 | 4,000 | 同步 | 半桥 | 1 | n通道MOSFET | 0.8V,2.4V | - | 235ns,97ns | ||
![]() | TPD7107F,BXH | 1.3254 | ![]() | 8343 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 10-WFDFN暴露垫 | TPD7107 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 5.75V〜26V | 10-wson(3x3) | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 4,000 | 单身的 | 高方向 | 1 | n通道MOSFET | 0.6V,2.4V | 5mA | - | ||||||
![]() | IRS21844MTRPBF | 3.3600 | ![]() | 4140 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 16-VFQFN暴露垫,14个线索 | IRS21844 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 16-MLPQ (4x4) | 下载 | rohs3符合条件 | 2(1年) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 0.8V,2.5V | 1.9a,2.3a | 40NS,20NS | 600 v | ||
![]() | ixdd614si | 7.7000 | ![]() | 6 | 0.00000000 | ixys集成电路部门 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | IXDD614 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜35V | 8-SOIC-EP | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 100 | 单身的 | 低侧 | 1 | Igbt,n通道,p通道Mosfet | 0.8V,3V | 14a,14a | 25NS,18NS | |||
![]() | 2ED2388S06FXUMA1 | 0.6885 | ![]() | 3585 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 未行业行业经验证 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 2,500 | ||||||||||||||||||||
![]() | FAN3228TMPX | - | ![]() | 6006 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | FAN3228 | 反转,无变形 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 8-mlp (3x3) | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道MOSFET | 0.8V,2V | 3a,3a | 12ns,9ns | ||||
TC4421EPA | 4.3600 | ![]() | 129 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 8 点点(0.300英寸,7.62mm) | TC4421 | 反转 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 8-pdip | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | TC4421EPA-NDR | Ear99 | 8542.39.0001 | 60 | 单身的 | 低侧 | 1 | Igbt,n通道,p通道Mosfet | 0.8V,2.4V | 9a,9a | 60n,60n | |||
![]() | UCC27321DR | 1.6300 | ![]() | 810 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | UCC27321 | 反转 | 未行业行业经验证 | 4V〜15V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 单身的 | 低侧 | 1 | n通道,p通道MOSFET | 1.1V,2.7V | 9a,9a | 20N,20N |
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