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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 输入类型 | sic可编程 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 频道类型 | 驱动配置 | 驾驶员数量 | 门类型 | 逻辑电压 -vil,vih | 电流 -峰值输出(源,水槽,水槽) | 上升 /秋季t (典型) | 高侧电压 -最大(引导程序) | sic可编程 |
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![]() | ADP3414JRZ-REEL | - | ![]() | 1140 | 0.00000000 | 模拟设备公司 | - | 大部分 | 过时的 | - | Rohs不合规 | 供应商不确定 | 2156-ADP3414JRZ-REEL-505 | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | ADP31100001RZ | - | ![]() | 5626 | 0.00000000 | 模拟设备公司 | - | 大部分 | 过时的 | - | Rohs不合规 | 供应商不确定 | 2156-ADP31100001RZ-505 | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | ICL7667MTV | - | ![]() | 9752 | 0.00000000 | Intersil | - | 大部分 | 过时的 | -55°C〜125°C(TA) | 通过洞 | TO-99-8金属罐 | 反转 | 4.5V〜15V | TO-99-8 | - | Rohs不合规 | 供应商不确定 | 2156-ICL7667MTV-600010 | 1 | 独立的 | 高方面或低侧 | 2 | n通道MOSFET | 0.8V,2V | - | 20N,20N | ||||||||
![]() | UC3705T | - | ![]() | 1032 | 0.00000000 | 单位树 | - | 大部分 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 通过洞 | TO-220-5 | 反转,无变形 | 5V〜40V | TO-220-5 | - | Rohs不合规 | 供应商不确定 | 2156-UC3705T-600018 | 1 | 单身的 | 低侧 | 1 | n通道MOSFET | 0.8V,2.2 V | 2a,2a | 40n,40n | ||||||||
![]() | UCC27200D | - | ![]() | 2466 | 0.00000000 | 单位树 | * | 大部分 | 积极的 | - | Rohs不合规 | 供应商不确定 | 2156-UCC27200D-600018 | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | LM5111-4MY/NOPB | - | ![]() | 7525 | 0.00000000 | 国家半导体 | * | 大部分 | 积极的 | - | Rohs不合规 | 供应商不确定 | 2156-LM5111-4MY/NOPB-14 | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | UCC37323DGN | - | ![]() | 8018 | 0.00000000 | 单位树 | * | 大部分 | 积极的 | - | Rohs不合规 | 供应商不确定 | 2156-UCC37323DGN-600018 | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | IRS2003SPBF | - | ![]() | 3021 | 0.00000000 | 国际整流器 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | 反转,无变形 | 10v〜20V | 8-SOIC | - | Rohs不合规 | 供应商不确定 | 2156-IRS2003SPBF-600047 | 1 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,2.5V | 290mA,600mA | 70ns,35ns | 200 v | |||||||
![]() | 1SP0335V2M1-MBN1200H45E2-H | 202.2083 | ![]() | 3413 | 0.00000000 | 电源集成 | Scale™-2 | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C | 底盘安装 | 模块 | 1Sp0335 | - | 未行业行业经验证 | 23.5v〜26.5V | 模块 | - | (1 (无限) | 1810-1SP0335V2M1-MBN1200H45E2-H | Ear99 | 8473.30.1180 | 6 | 单身的 | 高方面或低侧 | 1 | IGBT | - | 35a,35a | 9ns,30ns | 4500 v | ||||
![]() | MIC4607-1YTS-TR | - | ![]() | 3689 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 28-TSSOP (0.173英寸,4.40mm) | MIC4607 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 5.5V〜16V | 28-tssop | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | MIC46071YTSTR | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 3相 | 半桥 | 6 | n通道MOSFET | 0.8V,2.2V | 1a,1a | 20N,20N | 85 v | ||
![]() | 6ED2230S12TXUMA1 | 13.5700 | ![]() | 972 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 28-Soic(0.295英寸,7.50mm宽度),24个线索 | 6ED2230 | 反转 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | PG-DSO-24 | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 3相 | 高方面或低侧 | 6 | IGBT,N通道MOSFET | 0.7V,2.3V | 350mA,650mA | 35NS,20NS | 1200 v | |||
IRS2008MTRPBFAUMA1 | 1.3800 | ![]() | 50 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 14-VFQFN暴露垫 | IRS2008 | CMOS | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 14-MLPQ (4x4) | 下载 | rohs3符合条件 | 2(1年) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 同步 | 半桥 | 1 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,2.5V | 290mA,600mA | 70NS,30NS | 200 v | ||||
![]() | UCC27322MDEP | 8.7300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 管子 | 积极的 | -55°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | UCC27322 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4V〜15V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 75 | 单身的 | 低侧 | 1 | n通道,p通道MOSFET | 1V,2V | 9a,9a | 20N,20N | ||||
![]() | 2ED2109S06FXUMA1 | 2.2700 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | 2ED2109 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | PG-DSO-8-53 | 下载 | rohs3符合条件 | 2(1年) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 同步 | 半桥 | 1 | IGBT,N通道MOSFET | 1.1V,1.7V | 290mA,700mA | 100NS,35NS | 650 v | |||
![]() | 2ED21844S06JXUMA1 | 2.7400 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 14- 材料( 0.154英寸,宽度为3.90mm) | 2ED21844 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | PG-DSO-14-49 | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 同步 | 半桥 | 1 | IGBT,N通道MOSFET | 1.1V,1.7V | 2.5a,2.5a | 15ns,15ns | 650 v | |||
![]() | 2ED2183S06FXUMA1 | 3.2400 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | 2ED2183 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | PG-DSO-8-53 | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 同步 | 半桥 | 1 | IGBT,N通道MOSFET | 1.1V,1.7V | 2.5a,2.5a | 15ns,15ns | 650 v | |||
![]() | TLE92108231QXXUMA1 | 4.2500 | ![]() | 5440 | 0.00000000 | Infineon技术 | Motix™ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | 表面安装 | 48-VFQFN暴露垫 | TLE92108231 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 6v〜28V | PG-VQFN-48-31 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 同步 | 半桥 | 2 | IGBT,N通道MOSFET | - | 100mA,100mA | - | 950 v | |||
![]() | 2ED2106S06FXUMA1 | 2.2700 | ![]() | 5477 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | 2ED2106 | CMOS,TTL | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | PG-DSO-8-69 | 下载 | rohs3符合条件 | 2(1年) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 独立的 | 高侧和低侧 | 2 | IGBT,N通道MOSFET | 1.1V,1.7V | 290mA,700mA | 100NS,35NS | 675 v | |||
![]() | 2ED2184S06FXUMA1 | 3.2400 | ![]() | 1143 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | 2ED2184 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | PG-DSO-8-69 | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 同步 | 半桥 | 2 | IGBT,N通道MOSFET | 1.1V,1.7V | 2.5a,2.5a | 15ns,15ns | 675 v | |||
![]() | MCP14A1201T-E/SNVAO | - | ![]() | 8225 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | MCP14A1201 | 反转 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 8-SOIC | 下载 | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,300 | 同步 | 低侧 | 1 | Igbt,n通道,p通道Mosfet | 0.8V,2V | 12a,12a | 25n,25n | ||||||
![]() | IR2132C | - | ![]() | 3587 | 0.00000000 | Infineon技术 | * | 管子 | 过时的 | IR2132 | 未行业行业经验证 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 过时的 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | 2SP0325V2A1-CM2500DYDYD ODY-24S | - | ![]() | 4431 | 0.00000000 | 电源集成 | Scale™-2 | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C | 底盘安装 | 模块 | 2SP0325 | - | 未行业行业经验证 | 14.5v〜15.5V | 模块 | 下载 | 请求库存验证 | 1810-2SP0325V2A1-CM2500DYDYD ODY-24S | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT | - | 25a, - | 600NS,750NS | |||||
![]() | 2SP0325V2A1-CM1800DY-34 | - | ![]() | 4313 | 0.00000000 | 电源集成 | Scale™-2 | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C | 底盘安装 | 模块 | 2SP0325 | - | 未行业行业经验证 | 14.5v〜15.5V | 模块 | 下载 | 请求库存验证 | 1810-2SP0325V2A1-CM1800DY-34 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT | - | 25a, - | 600NS,750NS | |||||
![]() | IHD660IC2 | - | ![]() | 1558年 | 0.00000000 | 电源集成 | Scale™-1 | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 通过洞 | 36浸,24条线索 | IHD660 | 反转 | 未行业行业经验证 | 14V〜16V | 模块 | 下载 | 1810-IHD660IC2 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT,N通道MOSFET | - | - | 100NS,80NS | ||||||
![]() | IHD660IT1 | - | ![]() | 1198 | 0.00000000 | 电源集成 | Scale™-1 | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 通过洞 | 36浸,24条线索 | IHD660 | 反转 | 未行业行业经验证 | 14V〜16V | 模块 | 下载 | 1810-IHD660IT1 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT,N通道MOSFET | - | - | 100NS,80NS | ||||||
![]() | IHD260IT1 | - | ![]() | 7059 | 0.00000000 | 电源集成 | Scale™-1 | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 通过洞 | 36浸,24条线索 | IHD260 | 反转 | 未行业行业经验证 | 14V〜16V | 模块 | 下载 | 1810-IHD260IT1 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT,N通道MOSFET | - | - | 100NS,80NS | ||||||
![]() | IHD260NC1 | - | ![]() | 5308 | 0.00000000 | 电源集成 | Scale™-1 | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 通过洞 | 36浸,24条线索 | IHD260 | 不转变 | 14V〜16V | 模块 | 下载 | 1810-IHD260NC1 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT,N通道MOSFET | - | - | 100NS,80NS | 未行业行业经验证 | ||||||
![]() | IGD616IT1 | - | ![]() | 4531 | 0.00000000 | 电源集成 | Scale™-1 | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 通过洞 | 36浸,24条线索 | IGD616 | 反转 | 未行业行业经验证 | 14V〜16V | 模块 | 下载 | Rohs符合条件 | 1810-igd616it1 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 单身的 | 高方面或低侧 | 1 | Igbt,n通道,p通道Mosfet | - | - | 100NS,80NS | |||||
![]() | IGD616IC1 | - | ![]() | 9052 | 0.00000000 | 电源集成 | Scale™-1 | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 通过洞 | 36浸,24条线索 | IGD616 | 反转 | 未行业行业经验证 | 14V〜16V | 模块 | 下载 | Rohs符合条件 | 1810-IGD616IC1 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 单身的 | 高方面或低侧 | 1 | Igbt,n通道,p通道Mosfet | - | - | 100NS,80NS | |||||
![]() | SC531ULTRT | - | ![]() | 4557 | 0.00000000 | Semtech Corporation | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜115°C(TA) | 表面安装 | 28-UFQFN暴露垫 | SC531 | 反转 | 未行业行业经验证 | 3.15v〜3.46V | 28-mlpq-ut (4x4) | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 600-SC531ULTRTTR | 过时的 | 3,000 | 3相 | 低侧 | 3 | P通道MOSFET | 0.8V,2.1V | 2a,4a | 10n,5ns |
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