SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 sic可编程 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 频道类型 驱动配置 驾驶员数量 门类型 逻辑电压 -vil,vih 电流 -峰值输出(源,水槽,水槽) 上升 /秋季t (典型) 高侧电压 -最大(引导程序) sic可编程
ADP3414JRZ-REEL ADI ADP3414JRZ-REEL -
RFQ
ECAD 1140 0.00000000 模拟设备公司 - 大部分 过时的 - Rohs不合规 供应商不确定 2156-ADP3414JRZ-REEL-505 1
ADP31100001RZ ADI ADP31100001RZ -
RFQ
ECAD 5626 0.00000000 模拟设备公司 - 大部分 过时的 - Rohs不合规 供应商不确定 2156-ADP31100001RZ-505 1
ICL7667MTV Intersil ICL7667MTV -
RFQ
ECAD 9752 0.00000000 Intersil - 大部分 过时的 -55°C〜125°C(TA) 通过洞 TO-99-8金属罐 反转 4.5V〜15V TO-99-8 - Rohs不合规 供应商不确定 2156-ICL7667MTV-600010 1 独立的 高方面或低侧 2 n通道MOSFET 0.8V,2V - 20N,20N
UC3705T Unitrode UC3705T -
RFQ
ECAD 1032 0.00000000 单位树 - 大部分 过时的 0°C〜70°C(TA) 通过洞 TO-220-5 反转,无变形 5V〜40V TO-220-5 - Rohs不合规 供应商不确定 2156-UC3705T-600018 1 单身的 低侧 1 n通道MOSFET 0.8V,2.2 V 2a,2a 40n,40n
UCC27200D Unitrode UCC27200D -
RFQ
ECAD 2466 0.00000000 单位树 * 大部分 积极的 - Rohs不合规 供应商不确定 2156-UCC27200D-600018 1
LM5111-4MY/NOPB National Semiconductor LM5111-4MY/NOPB -
RFQ
ECAD 7525 0.00000000 国家半导体 * 大部分 积极的 - Rohs不合规 供应商不确定 2156-LM5111-4MY/NOPB-14 1
UCC37323DGN Unitrode UCC37323DGN -
RFQ
ECAD 8018 0.00000000 单位树 * 大部分 积极的 - Rohs不合规 供应商不确定 2156-UCC37323DGN-600018 1
IRS2003SPBF International Rectifier IRS2003SPBF -
RFQ
ECAD 3021 0.00000000 国际整流器 - 大部分 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) 反转,无变形 10v〜20V 8-SOIC - Rohs不合规 供应商不确定 2156-IRS2003SPBF-600047 1 独立的 半桥 2 IGBT,N通道MOSFET 0.8V,2.5V 290mA,600mA 70ns,35ns 200 v
1SP0335V2M1-MBN1200H45E2-H Power Integrations 1SP0335V2M1-MBN1200H45E2-H 202.2083
RFQ
ECAD 3413 0.00000000 电源集成 Scale™-2 托盘 积极的 -40°C〜85°C 底盘安装 模块 1Sp0335 - 未行业行业经验证 23.5v〜26.5V 模块 - (1 (无限) 1810-1SP0335V2M1-MBN1200H45E2-H Ear99 8473.30.1180 6 单身的 高方面或低侧 1 IGBT - 35a,35a 9ns,30ns 4500 v
MIC4607-1YTS-TR Microchip Technology MIC4607-1YTS-TR -
RFQ
ECAD 3689 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 28-TSSOP (0.173英寸,4.40mm) MIC4607 不转变 未行业行业经验证 5.5V〜16V 28-tssop - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 MIC46071YTSTR Ear99 8542.39.0001 2,500 3相 半桥 6 n通道MOSFET 0.8V,2.2V 1a,1a 20N,20N 85 v
6ED2230S12TXUMA1 Infineon Technologies 6ED2230S12TXUMA1 13.5700
RFQ
ECAD 972 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 28-Soic(0.295英寸,7.50mm宽度),24个线索 6ED2230 反转 未行业行业经验证 10v〜20V PG-DSO-24 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 1,000 3相 高方面或低侧 6 IGBT,N通道MOSFET 0.7V,2.3V 350mA,650mA 35NS,20NS 1200 v
IRS2008MTRPBFAUMA1 Infineon Technologies IRS2008MTRPBFAUMA1 1.3800
RFQ
ECAD 50 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 14-VFQFN暴露垫 IRS2008 CMOS 未行业行业经验证 10v〜20V 14-MLPQ (4x4) 下载 rohs3符合条件 2(1年) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 3,000 同步 半桥 1 IGBT,N通道MOSFET 0.8V,2.5V 290mA,600mA 70NS,30NS 200 v
UCC27322MDEP Texas Instruments UCC27322MDEP 8.7300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Texas Instruments - 管子 积极的 -55°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) UCC27322 不转变 未行业行业经验证 4V〜15V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 75 单身的 低侧 1 n通道,p通道MOSFET 1V,2V 9a,9a 20N,20N
2ED2109S06FXUMA1 Infineon Technologies 2ED2109S06FXUMA1 2.2700
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) 2ED2109 不转变 未行业行业经验证 10v〜20V PG-DSO-8-53 下载 rohs3符合条件 2(1年) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 同步 半桥 1 IGBT,N通道MOSFET 1.1V,1.7V 290mA,700mA 100NS,35NS 650 v
2ED21844S06JXUMA1 Infineon Technologies 2ED21844S06JXUMA1 2.7400
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 14- 材料( 0.154英寸,宽度为3.90mm) 2ED21844 不转变 未行业行业经验证 10v〜20V PG-DSO-14-49 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 同步 半桥 1 IGBT,N通道MOSFET 1.1V,1.7V 2.5a,2.5a 15ns,15ns 650 v
2ED2183S06FXUMA1 Infineon Technologies 2ED2183S06FXUMA1 3.2400
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) 2ED2183 不转变 未行业行业经验证 10v〜20V PG-DSO-8-53 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 同步 半桥 1 IGBT,N通道MOSFET 1.1V,1.7V 2.5a,2.5a 15ns,15ns 650 v
TLE92108231QXXUMA1 Infineon Technologies TLE92108231QXXUMA1 4.2500
RFQ
ECAD 5440 0.00000000 Infineon技术 Motix™ 胶带和卷轴((tr) 积极的 - 表面安装 48-VFQFN暴露垫 TLE92108231 不转变 未行业行业经验证 6v〜28V PG-VQFN-48-31 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 同步 半桥 2 IGBT,N通道MOSFET - 100mA,100mA - 950 v
2ED2106S06FXUMA1 Infineon Technologies 2ED2106S06FXUMA1 2.2700
RFQ
ECAD 5477 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) 2ED2106 CMOS,TTL 未行业行业经验证 10v〜20V PG-DSO-8-69 下载 rohs3符合条件 2(1年) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 高侧和低侧 2 IGBT,N通道MOSFET 1.1V,1.7V 290mA,700mA 100NS,35NS 675 v
2ED2184S06FXUMA1 Infineon Technologies 2ED2184S06FXUMA1 3.2400
RFQ
ECAD 1143 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) 2ED2184 不转变 未行业行业经验证 10v〜20V PG-DSO-8-69 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 同步 半桥 2 IGBT,N通道MOSFET 1.1V,1.7V 2.5a,2.5a 15ns,15ns 675 v
MCP14A1201T-E/SNVAO Microchip Technology MCP14A1201T-E/SNVAO -
RFQ
ECAD 8225 0.00000000 微芯片技术 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) MCP14A1201 反转 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-SOIC 下载 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 3,300 同步 低侧 1 Igbt,n通道,p通道Mosfet 0.8V,2V 12a,12a 25n,25n
IR2132C Infineon Technologies IR2132C -
RFQ
ECAD 3587 0.00000000 Infineon技术 * 管子 过时的 IR2132 未行业行业经验证 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 过时的 1
2SP0325V2A1-CM2500DY-24S Power Integrations 2SP0325V2A1-CM2500DYD​​YD ODY-24S -
RFQ
ECAD 4431 0.00000000 电源集成 Scale™-2 托盘 过时的 -40°C〜85°C 底盘安装 模块 2SP0325 - 未行业行业经验证 14.5v〜15.5V 模块 下载 请求库存验证 1810-2SP0325V2A1-CM2500DYD​​YD ODY-24S Ear99 8542.39.0001 1 独立的 半桥 2 IGBT - 25a, - 600NS,750NS
2SP0325V2A1-CM1800DY-34S Power Integrations 2SP0325V2A1-CM1800DY-34 -
RFQ
ECAD 4313 0.00000000 电源集成 Scale™-2 托盘 过时的 -40°C〜85°C 底盘安装 模块 2SP0325 - 未行业行业经验证 14.5v〜15.5V 模块 下载 请求库存验证 1810-2SP0325V2A1-CM1800DY-34 Ear99 8542.39.0001 1 独立的 半桥 2 IGBT - 25a, - 600NS,750NS
IHD660IC2 Power Integrations IHD660IC2 -
RFQ
ECAD 1558年 0.00000000 电源集成 Scale™-1 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 通过洞 36浸,24条线索 IHD660 反转 未行业行业经验证 14V〜16V 模块 下载 1810-IHD660IC2 Ear99 8542.39.0001 1 独立的 半桥 2 IGBT,N通道MOSFET - - 100NS,80NS
IHD660IT1 Power Integrations IHD660IT1 -
RFQ
ECAD 1198 0.00000000 电源集成 Scale™-1 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 通过洞 36浸,24条线索 IHD660 反转 未行业行业经验证 14V〜16V 模块 下载 1810-IHD660IT1 Ear99 8542.39.0001 1 独立的 半桥 2 IGBT,N通道MOSFET - - 100NS,80NS
IHD260IT1 Power Integrations IHD260IT1 -
RFQ
ECAD 7059 0.00000000 电源集成 Scale™-1 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 通过洞 36浸,24条线索 IHD260 反转 未行业行业经验证 14V〜16V 模块 下载 1810-IHD260IT1 Ear99 8542.39.0001 1 独立的 半桥 2 IGBT,N通道MOSFET - - 100NS,80NS
IHD260NC1 Power Integrations IHD260NC1 -
RFQ
ECAD 5308 0.00000000 电源集成 Scale™-1 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 通过洞 36浸,24条线索 IHD260 不转变 14V〜16V 模块 下载 1810-IHD260NC1 Ear99 8542.39.0001 1 独立的 半桥 2 IGBT,N通道MOSFET - - 100NS,80NS 未行业行业经验证
IGD616IT1 Power Integrations IGD616IT1 -
RFQ
ECAD 4531 0.00000000 电源集成 Scale™-1 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 通过洞 36浸,24条线索 IGD616 反转 未行业行业经验证 14V〜16V 模块 下载 Rohs符合条件 1810-igd616it1 Ear99 8542.39.0001 1 单身的 高方面或低侧 1 Igbt,n通道,p通道Mosfet - - 100NS,80NS
IGD616IC1 Power Integrations IGD616IC1 -
RFQ
ECAD 9052 0.00000000 电源集成 Scale™-1 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 通过洞 36浸,24条线索 IGD616 反转 未行业行业经验证 14V〜16V 模块 下载 Rohs符合条件 1810-IGD616IC1 Ear99 8542.39.0001 1 单身的 高方面或低侧 1 Igbt,n通道,p通道Mosfet - - 100NS,80NS
SC531ULTRT Semtech Corporation SC531ULTRT -
RFQ
ECAD 4557 0.00000000 Semtech Corporation - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜115°C(TA) 表面安装 28-UFQFN暴露垫 SC531 反转 未行业行业经验证 3.15v〜3.46V 28-mlpq-ut (4x4) 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) 600-SC531ULTRTTR 过时的 3,000 3相 低侧 3 P通道MOSFET 0.8V,2.1V 2a,4a 10n,5ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库